JPH0389704A - 光集積回路 - Google Patents

光集積回路

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JPH0389704A
JPH0389704A JP1227724A JP22772489A JPH0389704A JP H0389704 A JPH0389704 A JP H0389704A JP 1227724 A JP1227724 A JP 1227724A JP 22772489 A JP22772489 A JP 22772489A JP H0389704 A JPH0389704 A JP H0389704A
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Japan
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transistor
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resistance
transistors
output
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JP1227724A
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Katsuhiko Oimura
老邑 克彦
Akio Kashiwakura
明男 柏倉
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、デジタル光信号を電気信号に変換するための
光受信器に用いられる集積回路に関するものである。
従来の技術 従来より、光受信器には、受光素子の出力を増幅する増
幅回路とともに、光信号がないときのこの増幅回路出力
と等しい電圧を発生する基準電圧回路を用いている(日
経エレクトロニクス、1983゜7.18.p、139
)。
増幅回路として、すでに第3図のものが知られている。
第3図中、1〜4はNPN トランジスタであって、1
はエミッタフォロアトランジスタ、2は定電流源負荷、
3はエミッタ出力をベースに入力するエミッタ接地とし
て用いられトランジス夕2,3により電流ミラーを構成
している。4はトランジスタ3のコレクタ出力をベース
に入力するエミッタフォロアトランジスタで、バッファ
として用いられている。5は抵抗値Rrの帰還抵抗であ
る。6〜9はそれぞれ抵抗値R+ = R4の各抵抗で
ある。
このような回路においては、良いSN比を得るために、
帰還抵抗5の抵抗値Rfには大きな値が用いられる。す
なわち、ノイズが07に比例するのに対し、出力電圧は
Rfに比例するので、SN比は行コに比例して良くなる
発明が解決しようとする課題 基準電圧回路は増幅回路と同一構造にし、増幅回路とと
もに集積化するのが好ましい。集積回路では、トランジ
スタや抵抗は特性のそろったものが得られるので、温度
や電源電圧が変動しても、増幅回路と基準電圧回路の相
対的なレベル差は生じないからである。
しかしながら、第3図と同−構成の基準電圧回路では、
増幅回路同様に、大きな帰還抵抗を用いなければならな
い。集積回路では、抵抗値が大きいほど大きな面積が必
要なので、第3図と同一構成の基準電圧回路を集積化す
るというやり方は、チップ面積が大きくなり、コストが
高くつくという欠点があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、チップ
面積の小さい集積回路を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の集積回路は、出力
トランジスタから、帰還抵抗を介さずに、直接入力側ト
ランジスタのベースに帰還する帰還手段と、電流源を構
成する電流ミラー結合トランジスタのコレクタベース電
流経路に挿入されたベース抵抗を備えている。
作用 この構成によって、増幅回路の帰還抵抗より小さな抵抗
で帰還抵抗と同じ効果を作ることができるため、チップ
面積を小さくすることができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は、本発明の一実施例における集積回路の回路図
を示すものである。これは、第3図の増幅回路と、同一
半導体基板上に作成される、基準電圧回路である。同図
において、1〜4,6〜9はそれぞれ第3図のトランジ
スタや抵抗と同一のものである。11はベース抵抗Rb
であって、トランジスタ2,3のベース電流が流れる経
路中に挿入されている。
第3図と比較したとき、Vll””Vlとすると、V1
2=V2であり1従ツテ)I12= I2. VBEI
3=VaE3. TII= TI、VBEII=VBE
IであるQトランジスタの電流増幅率をβとし、r +
 = 12/ n *1++=1+2/nとおくと、第
3図において、第1図において、 となる。V、、=V、より すなわち となり、RhはR「の(n+1)分の1ですむ。通常は
n≧1(■2≧1+)であるから、RhはRfの半分以
下でよい。
以下本発明の第2の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
第2図は、第3図の増幅回路と、同一半導体基板上に作
成される基準電圧回路である。同図において、基本的な
構成は第1図のものと同じであるが、トランジスタ3の
かわりにm個のトランジスタが並列に接続されたトラン
ジスタ11を用いている。22はベース抵抗Rh、23
.24はそれぞれ抵抗RI I + RI 2であって
、R21=R1/m。
R22=R27mである。
V2+ =VlとするとV22であるから、In=m・
I2となる。11ではm個のトランジスタが並列に接続
されているから、1個のトランジスタを流れる電流はI
2であり、従ってVBE2ff =VBE3・121:
II。
Vt1E2I= VBE+となる・ であるから、 β V21”Vlとなるためには、 より となる。すなわち、RhはR,の(m−n+1)分のl
ですむ。
発明の効果 本発明は、ベース抵抗を設けることにより、小さいチッ
プ面積の集積回路を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による集積回路の回路図、第2図は本発
明の他の実施例による集積回路の回路図・第3図は従来
0増幅回りある・ 1〜4,21・・・・・・トランジスタ、5〜9,11
゜22〜24・・・・・・抵抗。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタフォロアとして用いる第1のトランジス
    タと、前記第1のトランジスタの定電流負荷として用い
    る第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのエ
    ミッタ出力をベースに入力しエミッタ接地で用いる第3
    のトランジスタと、前記第3のトランジスタのコレクタ
    出力を入力とする第1のバッファ手段と、第1のバッフ
    ァ手段の出力を前記第1のトランジスタのベースに帰還
    するための帰還手段と、前記第2および第3のトランジ
    スタのベース電流が流れる経路に挿入されたベース抵抗
    を備えたことを特徴とする光集積回路。
  2. (2)第1〜第3のトランジスタと同様に接続された第
    4〜第6のトランジスタを有する増幅器といっしょに集
    積化された集積回路であって、前記第3のトランジスタ
    の実効面積が第6のトランジスタのm倍(m>1)であ
    り、前記第3のトランジスタを流れる電流が前記第6の
    トランジスタを流れる電流のm倍であることを特徴とす
    る請求項1記載の光集積回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004080778A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Semikron Elektron Gmbh パワー半導体トランジスタを駆動するための回路装置

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