JPS58116750A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58116750A JPS58116750A JP21209481A JP21209481A JPS58116750A JP S58116750 A JPS58116750 A JP S58116750A JP 21209481 A JP21209481 A JP 21209481A JP 21209481 A JP21209481 A JP 21209481A JP S58116750 A JPS58116750 A JP S58116750A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- melting point
- high melting
- point metal
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- Granted
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多層配線を有する半導体装置を製造するのく
好適な方法に関する。
好適な方法に関する。
一般に、半導体装置の電極、配線は、絶縁膜に電極コン
タクト應を形成し、その上に電極、配線材料膜を形成し
、それをパターニングすることに依って作製されている
。
タクト應を形成し、その上に電極、配線材料膜を形成し
、それをパターニングすることに依って作製されている
。
このようにして形成された電極、配線は、前記電極コン
タクト窓のエツジに存在する段差が大である為、断線を
生ずることが多い。
タクト窓のエツジに存在する段差が大である為、断線を
生ずることが多い。
そこで、従来、そのような段差の影響を低減して断線を
防止する為の試みがなされ、成るｍ度の効果をあげてい
る技術もあるが、その多くは手間が掛る工程を要したり
、実効が得られないものなど様々である。
防止する為の試みがなされ、成るｍ度の効果をあげてい
る技術もあるが、その多くは手間が掛る工程を要したり
、実効が得られないものなど様々である。
本発明は、極めて簡単な工程で確実に前記の如き段差を
低減し得る技術を提供するものであり、以下これを詳細
に説明する。
低減し得る技術を提供するものであり、以下これを詳細
に説明する。
第１図及び第２図は本発明一実施例を説明する為の工程
要、所に於４する半導体装置の要部断面図であり、次に
、これ等の図を参照しつつ説明する。
要、所に於４する半導体装置の要部断面図であり、次に
、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
（１）諸素子が形成された半導体基板１Ｋ例えばタンタ
ル（Ｔ−）膜を形成し、これを例えばリアクティブ壷イ
オン・エツチング法にてパターニングし、乳層口（ここ
では第１層目）の配線２を形成する。
ル（Ｔ−）膜を形成し、これを例えばリアクティブ壷イ
オン・エツチング法にてパターニングし、乳層口（ここ
では第１層目）の配線２を形成する。
ここでタンタル属は他の高融点金属膜１例えばモリブデ
ン（Ｍｏ ） 、タングステン（Ｗ）、チタンＣＴｉ）
＝＝ニオブ Ｎｈ ） ＃ Ｖ ｌｋ コニウＡ （Ｋ
ｒ ）、 ／％ ７ 二りムＣＨｆ）などの膜に代えて
も良い。
ン（Ｍｏ ） 、タングステン（Ｗ）、チタンＣＴｉ）
＝＝ニオブ Ｎｈ ） ＃ Ｖ ｌｋ コニウＡ （Ｋ
ｒ ）、 ／％ ７ 二りムＣＨｆ）などの膜に代えて
も良い。
（２）例えば化学気相堆積法（ＣＶＤ法）Ｋ（燐硅酸ガ
ラス（ｐｓａ ）膜Ｓを形成し、それを通常のフォト・
リソグラフィ技術にてノ曵ターニングし、電極コンタク
） ＩＩ ＳＡを形成し、配線２の一部を露出させる。
ラス（ｐｓａ ）膜Ｓを形成し、それを通常のフォト・
リソグラフィ技術にてノ曵ターニングし、電極コンタク
） ＩＩ ＳＡを形成し、配線２の一部を露出させる。
第２図参照
（Ｓ） 窒化性雰囲気１例えば穐−６〔％〕Ｈ１雰囲
・？中にて温度を例えば１０００ （”Ｃ）とし、て時
間ＩＩＩ、；０〔分〕の熱処理を行なう。これに依り電
極コンタクト窓ＩＡ内には窒化タンタル（７’ｇＮ）膜
２Ａが形成される。
・？中にて温度を例えば１０００ （”Ｃ）とし、て時
間ＩＩＩ、；０〔分〕の熱処理を行なう。これに依り電
極コンタクト窓ＩＡ内には窒化タンタル（７’ｇＮ）膜
２Ａが形成される。
この窒化タンタルが生成される際には体積膨張をともな
うので、窒化タンタル膜２Ａが形成されると電極コンタ
ク）ＩＩＳＡは浅くなり、段差は低減されるものである
。即ち、段差が当初は１０Ｇ（Ｘ）であったとすると７
０〜８０〔％〕に低下する。また、電極コンタクト窓５
Ａのエツジは、この熱処理に依り、通常のがクスーリフ
ローとまではゆかないが成る程度円味な持つようく；な
る。尚、窒化タンタルの抵抗値は２００〜５００〔μΩ
−Ｃｍ）であって、不純物含有多結晶シリコンの上であ
り、アルミニウム（Ａｔ）より２桁０ 程度高い。
うので、窒化タンタル膜２Ａが形成されると電極コンタ
ク）ＩＩＳＡは浅くなり、段差は低減されるものである
。即ち、段差が当初は１０Ｇ（Ｘ）であったとすると７
０〜８０〔％〕に低下する。また、電極コンタクト窓５
Ａのエツジは、この熱処理に依り、通常のがクスーリフ
ローとまではゆかないが成る程度円味な持つようく；な
る。尚、窒化タンタルの抵抗値は２００〜５００〔μΩ
−Ｃｍ）であって、不純物含有多結晶シリコンの上であ
り、アルミニウム（Ａｔ）より２桁０ 程度高い。
（４） この後、通常の技術Ｃ二て、旙＋１１１目（
ここでは第２層目）の電極、配線（図示せず）を形成す
る。
ここでは第２層目）の電極、配線（図示せず）を形成す
る。
以上の説明で判るよう６：、本発明６；依れば、護鳩目
の配線を高融点金属で形成し、そのと（＝４極コンタク
ト窓な有する絶縁膜を形成し、窒化性雰囲気中で熱処理
すること一二依り電極コンタクト窓内に高融点金員物膜
を形成して段差を低減させ、その上Ｃ５−）１層目の配
線を形成するものであるから、その上層の配線が段差の
為Ｃ：断線する惧れは少なくなる。そして、これ−一必
要とされる独特な工程としては窒化性雰囲気中の熱処理
だけであるから、その実施は簡単である。
の配線を高融点金属で形成し、そのと（＝４極コンタク
ト窓な有する絶縁膜を形成し、窒化性雰囲気中で熱処理
すること一二依り電極コンタクト窓内に高融点金員物膜
を形成して段差を低減させ、その上Ｃ５−）１層目の配
線を形成するものであるから、その上層の配線が段差の
為Ｃ：断線する惧れは少なくなる。そして、これ−一必
要とされる独特な工程としては窒化性雰囲気中の熱処理
だけであるから、その実施は簡単である。
ある。
図Ｃ：於いて、１は基板、２は高融点金員物膜。
６は燐硅酸ガラス膜、２Ａは高融点金属窒化物膜、５Ａ
は電極コンタクト窓である。 特許８１人 富士通株式会社 ２１ 第１図 第２図
は電極コンタクト窓である。 特許８１人 富士通株式会社 ２１ 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体１板上Ｋｌ＆層目の配線として高融点金属からな
る配線を形成し、次に、全面に絶縁膜を形成し、次に、
該絶縁膜をパターニングして電極コンタクト窓を形成し
１次に、窒化性雰囲気中にて熱処通を行ない前記電極コ
ンタクト窓内に露出された高融点金属配線の表面を高融
点金属窒化物膜に変換する工程が含まれてなることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21209481A JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21209481A JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116750A true JPS58116750A (ja) | 1983-07-12 |
| JPS6360542B2 JPS6360542B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=16616770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21209481A Granted JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384154A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP21209481A patent/JPS58116750A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384154A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360542B2 (ja) | 1988-11-24 |
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