JPS58116750A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58116750A JPS58116750A JP21209481A JP21209481A JPS58116750A JP S58116750 A JPS58116750 A JP S58116750A JP 21209481 A JP21209481 A JP 21209481A JP 21209481 A JP21209481 A JP 21209481A JP S58116750 A JPS58116750 A JP S58116750A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- melting point
- high melting
- point metal
- film
- Prior art date
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- Granted
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多層配線を有する半導体装置を製造するのく
好適な方法に関する。
好適な方法に関する。
一般に、半導体装置の電極、配線は、絶縁膜に電極コン
タクト應を形成し、その上に電極、配線材料膜を形成し
、それをパターニングすることに依って作製されている
。
タクト應を形成し、その上に電極、配線材料膜を形成し
、それをパターニングすることに依って作製されている
。
このようにして形成された電極、配線は、前記電極コン
タクト窓のエツジに存在する段差が大である為、断線を
生ずることが多い。
タクト窓のエツジに存在する段差が大である為、断線を
生ずることが多い。
そこで、従来、そのような段差の影響を低減して断線を
防止する為の試みがなされ、成るm度の効果をあげてい
る技術もあるが、その多くは手間が掛る工程を要したり
、実効が得られないものなど様々である。
防止する為の試みがなされ、成るm度の効果をあげてい
る技術もあるが、その多くは手間が掛る工程を要したり
、実効が得られないものなど様々である。
本発明は、極めて簡単な工程で確実に前記の如き段差を
低減し得る技術を提供するものであり、以下これを詳細
に説明する。
低減し得る技術を提供するものであり、以下これを詳細
に説明する。
第1図及び第2図は本発明一実施例を説明する為の工程
要、所に於4する半導体装置の要部断面図であり、次に
、これ等の図を参照しつつ説明する。
要、所に於4する半導体装置の要部断面図であり、次に
、これ等の図を参照しつつ説明する。
第1図参照
(1)諸素子が形成された半導体基板1K例えばタンタ
ル(T−)膜を形成し、これを例えばリアクティブ壷イ
オン・エツチング法にてパターニングし、乳層口(ここ
では第1層目)の配線2を形成する。
ル(T−)膜を形成し、これを例えばリアクティブ壷イ
オン・エツチング法にてパターニングし、乳層口(ここ
では第1層目)の配線2を形成する。
ここでタンタル属は他の高融点金属膜1例えばモリブデ
ン(Mo ) 、タングステン(W)、チタンCTi)
==ニオブ Nh ) # V lk コニウA (K
r )、 /% 7 二りムCHf)などの膜に代えて
も良い。
ン(Mo ) 、タングステン(W)、チタンCTi)
==ニオブ Nh ) # V lk コニウA (K
r )、 /% 7 二りムCHf)などの膜に代えて
も良い。
(2)例えば化学気相堆積法(CVD法)K(燐硅酸ガ
ラス(psa )膜Sを形成し、それを通常のフォト・
リソグラフィ技術にてノ曵ターニングし、電極コンタク
) II SAを形成し、配線2の一部を露出させる。
ラス(psa )膜Sを形成し、それを通常のフォト・
リソグラフィ技術にてノ曵ターニングし、電極コンタク
) II SAを形成し、配線2の一部を露出させる。
第2図参照
(S) 窒化性雰囲気1例えば穐−6〔%〕H1雰囲
・?中にて温度を例えば1000 (”C)とし、て時
間III、;0〔分〕の熱処理を行なう。これに依り電
極コンタクト窓IA内には窒化タンタル(7’gN)膜
2Aが形成される。
・?中にて温度を例えば1000 (”C)とし、て時
間III、;0〔分〕の熱処理を行なう。これに依り電
極コンタクト窓IA内には窒化タンタル(7’gN)膜
2Aが形成される。
この窒化タンタルが生成される際には体積膨張をともな
うので、窒化タンタル膜2Aが形成されると電極コンタ
ク)IISAは浅くなり、段差は低減されるものである
。即ち、段差が当初は10G(X)であったとすると7
0〜80〔%〕に低下する。また、電極コンタクト窓5
Aのエツジは、この熱処理に依り、通常のがクスーリフ
ローとまではゆかないが成る程度円味な持つようく;な
る。尚、窒化タンタルの抵抗値は200〜500〔μΩ
−Cm)であって、不純物含有多結晶シリコンの上であ
り、アルミニウム(At)より2桁0 程度高い。
うので、窒化タンタル膜2Aが形成されると電極コンタ
ク)IISAは浅くなり、段差は低減されるものである
。即ち、段差が当初は10G(X)であったとすると7
0〜80〔%〕に低下する。また、電極コンタクト窓5
Aのエツジは、この熱処理に依り、通常のがクスーリフ
ローとまではゆかないが成る程度円味な持つようく;な
る。尚、窒化タンタルの抵抗値は200〜500〔μΩ
−Cm)であって、不純物含有多結晶シリコンの上であ
り、アルミニウム(At)より2桁0 程度高い。
(4) この後、通常の技術C二て、旙+111目(
ここでは第2層目)の電極、配線(図示せず)を形成す
る。
ここでは第2層目)の電極、配線(図示せず)を形成す
る。
以上の説明で判るよう6:、本発明6;依れば、護鳩目
の配線を高融点金属で形成し、そのと(=4極コンタク
ト窓な有する絶縁膜を形成し、窒化性雰囲気中で熱処理
すること一二依り電極コンタクト窓内に高融点金員物膜
を形成して段差を低減させ、その上C5−)1層目の配
線を形成するものであるから、その上層の配線が段差の
為C:断線する惧れは少なくなる。そして、これ−一必
要とされる独特な工程としては窒化性雰囲気中の熱処理
だけであるから、その実施は簡単である。
の配線を高融点金属で形成し、そのと(=4極コンタク
ト窓な有する絶縁膜を形成し、窒化性雰囲気中で熱処理
すること一二依り電極コンタクト窓内に高融点金員物膜
を形成して段差を低減させ、その上C5−)1層目の配
線を形成するものであるから、その上層の配線が段差の
為C:断線する惧れは少なくなる。そして、これ−一必
要とされる独特な工程としては窒化性雰囲気中の熱処理
だけであるから、その実施は簡単である。
ある。
図C:於いて、1は基板、2は高融点金員物膜。
6は燐硅酸ガラス膜、2Aは高融点金属窒化物膜、5A
は電極コンタクト窓である。 特許81人 富士通株式会社 21 第1図 第2図
は電極コンタクト窓である。 特許81人 富士通株式会社 21 第1図 第2図
Claims (1)
- 半導体1板上Kl&層目の配線として高融点金属からな
る配線を形成し、次に、全面に絶縁膜を形成し、次に、
該絶縁膜をパターニングして電極コンタクト窓を形成し
1次に、窒化性雰囲気中にて熱処通を行ない前記電極コ
ンタクト窓内に露出された高融点金属配線の表面を高融
点金属窒化物膜に変換する工程が含まれてなることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21209481A JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21209481A JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58116750A true JPS58116750A (ja) | 1983-07-12 |
JPS6360542B2 JPS6360542B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=16616770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21209481A Granted JPS58116750A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58116750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384154A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP21209481A patent/JPS58116750A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384154A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6360542B2 (ja) | 1988-11-24 |
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