JPS58112326A - 複合ビ−ムアニ−ル方法 - Google Patents
複合ビ−ムアニ−ル方法Info
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- JPS58112326A JPS58112326A JP20954181A JP20954181A JPS58112326A JP S58112326 A JPS58112326 A JP S58112326A JP 20954181 A JP20954181 A JP 20954181A JP 20954181 A JP20954181 A JP 20954181A JP S58112326 A JPS58112326 A JP S58112326A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）＊明の技術分野
本発明はビームアニール方法、４１にレーデ−ビーム及
び電子ビームを用いるアニール方法に係る。
び電子ビームを用いるアニール方法に係る。
（２）技術の背景
１９７４年に提案されて以来レーデ−アニールは急速に
脚光を浴び、それとの類似性から電子ビームアニールも
同様に着目されている。レーザーアニール又は電子ビー
ムアニールとは、レーデ−ビーム又は電子Ｃ−ムのエネ
ルギーを囲体表面で吸収させ、熱エネルギーの形に変換
して表一層の加熱に利用する技術であ石と言うことかで
１１ゐ。
脚光を浴び、それとの類似性から電子ビームアニールも
同様に着目されている。レーザーアニール又は電子ビー
ムアニールとは、レーデ−ビーム又は電子Ｃ−ムのエネ
ルギーを囲体表面で吸収させ、熱エネルギーの形に変換
して表一層の加熱に利用する技術であ石と言うことかで
１１ゐ。
これらの技術は新しい技術であるだけに１アニール方法
として新生面を切り拓くとともに、未肩決の間２題もあ
り、を九研究及び開発次第で大金〈進歩することが期待
されている。
として新生面を切り拓くとともに、未肩決の間２題もあ
り、を九研究及び開発次第で大金〈進歩することが期待
されている。
（３）従来技術と問題点
従来のビームアニール方法としては、一般的には、連続
発振（ＣＷ ）レーザーが用いられ、通常、ヒーターで
電気的に基板加熱を行なっている。−シかし、ヒーター
による基板加熱では基板全体を優待間）加熱する必要が
あ抄、増々黴細化し、複雑化しつつある半導体デ／ぐイ
スの処理技術としては望ましくない、さらに、ヒーター
加熱では高々４００〜５００℃の温度が達成されるにす
ぎず、アニールの効果も限られてしまうという問題点が
ある。
発振（ＣＷ ）レーザーが用いられ、通常、ヒーターで
電気的に基板加熱を行なっている。−シかし、ヒーター
による基板加熱では基板全体を優待間）加熱する必要が
あ抄、増々黴細化し、複雑化しつつある半導体デ／ぐイ
スの処理技術としては望ましくない、さらに、ヒーター
加熱では高々４００〜５００℃の温度が達成されるにす
ぎず、アニールの効果も限られてしまうという問題点が
ある。
（４）発明の目的
本発明は上記のような従来技術の現状に鑑み、不所望な
ヒーターによる基板加熱を除去し、かつ高温度の予備加
熱を可能にするアニール技術を提供することを目的とす
る。
ヒーターによる基板加熱を除去し、かつ高温度の予備加
熱を可能にするアニール技術を提供することを目的とす
る。
（５）発明の構成
本発明は、ΔルスレーデービームとΔルス電子ビームと
を制御して同時に照射することを特徴とする複合ビーム
アニール方法を提供するととＫよって、上記目的を連成
する。
を制御して同時に照射することを特徴とする複合ビーム
アニール方法を提供するととＫよって、上記目的を連成
する。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
（６）実施例
第１図〜第３１１１は本発明に依る複合ビームアニール
方法の一実施例を説明するものである。ホルダー１１上
にアニールされるぺ自試料１２を載置し、この試料ｌ！
に上方から電子ビーム１及びレーデ−ビーム２を照射す
る。これら両ビームの走査は、一般的には、ホルダーを
移動することによって行なう。
方法の一実施例を説明するものである。ホルダー１１上
にアニールされるぺ自試料１２を載置し、この試料ｌ！
に上方から電子ビーム１及びレーデ−ビーム２を照射す
る。これら両ビームの走査は、一般的には、ホルダーを
移動することによって行なう。
本発明で用いるレーデ−は、通常のレーデ−アニールで
用いられてい為０ｗレーデ−ではなく、例えばイツトリ
ウム・アル建アン・ガーネット（Ｙ、ムｔ、ｏ、 ＹＡ
Ｇ ）レーデ−又はアレキサンドライトレーザーなどの
パルスレーデ−１しかも電気的手段等により制御可能な
ノ昔ルスレーデーである。
用いられてい為０ｗレーデ−ではなく、例えばイツトリ
ウム・アル建アン・ガーネット（Ｙ、ムｔ、ｏ、 ＹＡ
Ｇ ）レーデ−又はアレキサンドライトレーザーなどの
パルスレーデ−１しかも電気的手段等により制御可能な
ノ昔ルスレーデーである。
本発明に従いこのような高出力のΔルスレーデーを用い
ることＫよって、従来技術で問題のあったヒーターによ
る基板加熱を除去すること、及び処理領域の所望の高温
度を達成することが可能となる。′を気的等による制御
が可能でなければならない理由は、後述するように１４
ルス電子ビームと同期させる必要があるからである。
ることＫよって、従来技術で問題のあったヒーターによ
る基板加熱を除去すること、及び処理領域の所望の高温
度を達成することが可能となる。′を気的等による制御
が可能でなければならない理由は、後述するように１４
ルス電子ビームと同期させる必要があるからである。
本発明で用いる電子ビームもノ中ルスピームでなければ
ならない、上記／４ルスレーザーと同期させるためＫで
ある。
ならない、上記／４ルスレーザーと同期させるためＫで
ある。
例えば、ＹＡＧレーデ−ビームのスＩットは直径１５０
μ講檻度、電子ビームのス／、）は直径５０μ禦程度と
しく好ましくは両ス／、）を同心にする）、第２図に見
られるように１電子ビームｌの直径が５０慢分重複する
ように一４ルスの走査を調節することが好ましいので、
例えば■傳＾・−の速度で走査すると、ＹＡＧレーザー
は４ ｋＨｚの周波数で照射する必要がある。これは２
５０μｍ・・の周期（第３図のＴ）Ｋ相当する。
μ講檻度、電子ビームのス／、）は直径５０μ禦程度と
しく好ましくは両ス／、）を同心にする）、第２図に見
られるように１電子ビームｌの直径が５０慢分重複する
ように一４ルスの走査を調節することが好ましいので、
例えば■傳＾・−の速度で走査すると、ＹＡＧレーザー
は４ ｋＨｚの周波数で照射する必要がある。これは２
５０μｍ・・の周期（第３図のＴ）Ｋ相当する。
この場合の時間に対するΔルス強度の様子を第３図に例
示したが、重要な点は電子ビームの７々ルス１がレーデ
−ビームのノ臂ルス２と同Ｍされ、パルス２の時間幅内
にあることである。そうしないと、瞬時加熱、瞬時冷却
の性質からしてＹＡＧレーデ−による加熱の意味がなく
なりからである一両ノ母ルスな同期させる手法は、簡単
には電源（一般一にはこれから供給す為電力自体を・臂
ルス状にす為）からＹＡＧレーデ−に供給する電力の一
郁を途中から分岐させ、連部回路を通して電子Ｃ−ム源
へ供給すればよい。
示したが、重要な点は電子ビームの７々ルス１がレーデ
−ビームのノ臂ルス２と同Ｍされ、パルス２の時間幅内
にあることである。そうしないと、瞬時加熱、瞬時冷却
の性質からしてＹＡＧレーデ−による加熱の意味がなく
なりからである一両ノ母ルスな同期させる手法は、簡単
には電源（一般一にはこれから供給す為電力自体を・臂
ルス状にす為）からＹＡＧレーデ−に供給する電力の一
郁を途中から分岐させ、連部回路を通して電子Ｃ−ム源
へ供給すればよい。
以上の条件の下で、シリゴンク、−ノ・表面層を酸化後
ＣｖＤ′ｃシリコン層を沈着させたものをアニール処理
したところ、結晶寸法が数十声調の多結晶層が得られた
。これはヒーターによる基板加熱を行なったＣＷレーデ
−アニールで得られる多結晶の結晶寸法が数μ溝であみ
ので約１０倍の大きさであり、本発明に依る方法の有利
さの一例である。
ＣｖＤ′ｃシリコン層を沈着させたものをアニール処理
したところ、結晶寸法が数十声調の多結晶層が得られた
。これはヒーターによる基板加熱を行なったＣＷレーデ
−アニールで得られる多結晶の結晶寸法が数μ溝であみ
ので約１０倍の大きさであり、本発明に依る方法の有利
さの一例である。
以上の例では、Δルス電子ビームを本来のアニール目的
Ｋｌ！用し、ノダルスレーデービームを予備加熱又は冷
却速度のコントロールに用い九が、本発明に依る方法は
ζうし九場合に＠らず、Δルスレーデービームを本来の
アニール目的に使用し、・譬ルス電子ビームを補助的加
熱に利用することも可能である０例えば、電子ビームの
直径を１００〜１５０μ調とし、ＹＡＧレーデ−ビーム
の直径を４０〜６０μ南として用いてもよい。
Ｋｌ！用し、ノダルスレーデービームを予備加熱又は冷
却速度のコントロールに用い九が、本発明に依る方法は
ζうし九場合に＠らず、Δルスレーデービームを本来の
アニール目的に使用し、・譬ルス電子ビームを補助的加
熱に利用することも可能である０例えば、電子ビームの
直径を１００〜１５０μ調とし、ＹＡＧレーデ−ビーム
の直径を４０〜６０μ南として用いてもよい。
（７）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る複合ビー
ムアニール方法に依れば、不所望な基板加熱を除去する
ことができ、局所的な被処理領域近傍のみが加熱される
にすぎないので、低温プロセスが可能となる。さらに、
例えば１０００℃位の予備加熱が可能となることなど４
含めて、アニール効果を高め、アニールの利用可能性を
拡大するものである。
ムアニール方法に依れば、不所望な基板加熱を除去する
ことができ、局所的な被処理領域近傍のみが加熱される
にすぎないので、低温プロセスが可能となる。さらに、
例えば１０００℃位の予備加熱が可能となることなど４
含めて、アニール効果を高め、アニールの利用可能性を
拡大するものである。
第１図は本発明に依る方法の実施例を説明する全体的概
略図、第２図はパルスレーデ−ビームと／ダルスミ子ビ
ームの各ス／、）とその走査状態を示す図、第３図はレ
ーデ−ビームと電子ビームの／＃ルス強度対時間を表わ
すグラフである。 １・・・レーザービーム（又は電子ぜ一ム）、２・・・
電子ビーム（又はレーザービーム）。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願式通人 弁理士 青 木 朗 弁理士画値和之 弁通士円田幸男 弁理士 山 口 昭 之
略図、第２図はパルスレーデ−ビームと／ダルスミ子ビ
ームの各ス／、）とその走査状態を示す図、第３図はレ
ーデ−ビームと電子ビームの／＃ルス強度対時間を表わ
すグラフである。 １・・・レーザービーム（又は電子ぜ一ム）、２・・・
電子ビーム（又はレーザービーム）。 特許出願人 富士通株式金社 特許出願式通人 弁理士 青 木 朗 弁理士画値和之 弁通士円田幸男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、Ａルスレーデービームとノダルス電子ビームとを制
御して同時ＫＷＡ射することを特徴とする複合ビームア
ニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20954181A JPS58112326A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 複合ビ−ムアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20954181A JPS58112326A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 複合ビ−ムアニ−ル方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112326A true JPS58112326A (ja) | 1983-07-04 |
| JPH0379861B2 JPH0379861B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=16574507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20954181A Granted JPS58112326A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 複合ビ−ムアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112326A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092607A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
| JPS6130027A (ja) * | 1984-07-21 | 1986-02-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造装置 |
| JPS6130025A (ja) * | 1984-07-21 | 1986-02-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
| JPS63119591A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-05-24 | アモコ・コーポレーション | 薄い固体フィルムからなる層状構造体の選択的混合方法 |
| JPH0274832A (ja) * | 1988-09-10 | 1990-03-14 | Kurabo Ind Ltd | 色順判定方式 |
| JP2006068505A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-16 | Ameeta:Kk | 芳香拡散装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148430A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-19 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP20954181A patent/JPS58112326A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148430A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-19 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092607A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子ビ−ムアニ−ル装置 |
| JPS6130027A (ja) * | 1984-07-21 | 1986-02-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造装置 |
| JPS6130025A (ja) * | 1984-07-21 | 1986-02-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
| JPS63119591A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-05-24 | アモコ・コーポレーション | 薄い固体フィルムからなる層状構造体の選択的混合方法 |
| JPH0274832A (ja) * | 1988-09-10 | 1990-03-14 | Kurabo Ind Ltd | 色順判定方式 |
| JPH0670590B2 (ja) * | 1988-09-10 | 1994-09-07 | 倉敷紡績株式会社 | 色順判定方式 |
| JP2006068505A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-16 | Ameeta:Kk | 芳香拡散装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379861B2 (ja) | 1991-12-20 |
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