JPS6130025A - 単結晶半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
単結晶半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6130025A JPS6130025A JP15049284A JP15049284A JPS6130025A JP S6130025 A JPS6130025 A JP S6130025A JP 15049284 A JP15049284 A JP 15049284A JP 15049284 A JP15049284 A JP 15049284A JP S6130025 A JPS6130025 A JP S6130025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- film
- single crystal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルファス絶縁膜上に単結晶半導体薄膜を形
成する方法に関するものである。
成する方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来集積回路等の半導体装置は、半導体基板上に二次元
的に配置された能動素子を金属配線で結合することによ
シ実現されて来た。しかし更にこのような能動素子を三
次元的に積層する技術が確立すれば、これら半導体装置
の高密度化やあるいは多機能化が進められ、よシ高性能
な半導体装置が実現されることに表るが、このような半
導体装置の積層化の基礎となるのが、絶縁膜上に単結晶
半導体膜を形成する技術である。
的に配置された能動素子を金属配線で結合することによ
シ実現されて来た。しかし更にこのような能動素子を三
次元的に積層する技術が確立すれば、これら半導体装置
の高密度化やあるいは多機能化が進められ、よシ高性能
な半導体装置が実現されることに表るが、このような半
導体装置の積層化の基礎となるのが、絶縁膜上に単結晶
半導体膜を形成する技術である。
以上のような背景から、近年活発に上記単結晶薄膜の製
造技術が模索されている。
造技術が模索されている。
従来、この種の技術で最も活発に行われているのは、ヒ
ータやランプもしくはレーザ光や電子線で多結晶半導体
膜を溶融し、再結晶化し、単結晶半導体薄膜を得るとい
う方法である。例えば、エム、ダプリエ、ガイス（Ｍ、
Ｗ、Ｇｅｉａｍ ）達は、１９８２年発行のジャーナル
、オブ、エレクトロケミカル′、ソサイエテ４ （Ｊｎ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅ１＊ｅｔｒ。
ータやランプもしくはレーザ光や電子線で多結晶半導体
膜を溶融し、再結晶化し、単結晶半導体薄膜を得るとい
う方法である。例えば、エム、ダプリエ、ガイス（Ｍ、
Ｗ、Ｇｅｉａｍ ）達は、１９８２年発行のジャーナル
、オブ、エレクトロケミカル′、ソサイエテ４ （Ｊｎ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅ１＊ｅｔｒ。
ｅｈｓｍｌｅａｌ ５ｏｃｉ＠ｔｙ ）誌第１２９巻１
２号２８１２頁から２８１８頁で、線状ヒータ全周いた
単結晶薄膜の製造について報告している。
２号２８１２頁から２８１８頁で、線状ヒータ全周いた
単結晶薄膜の製造について報告している。
しかしながら、このような方法では、１００μｍ幅程度
の領域が単結晶化されるが、サブバウンダリーと呼ばれ
る結晶粒界が存在する。この結晶粒界は、その両側で結
晶方位が約１度程度しかずれていないものであり、この
結晶粒界の除去が困難なものとなっている。
の領域が単結晶化されるが、サブバウンダリーと呼ばれ
る結晶粒界が存在する。この結晶粒界は、その両側で結
晶方位が約１度程度しかずれていないものであり、この
結晶粒界の除去が困難なものとなっている。
一方ディ、ベンザエ／ｌ／ （Ｄ 、 Ｂｅｎｇａｈｓ
ｌ ）達は。
ｌ ）達は。
１９８３年発行のエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ、ｔｅｒｓ ）誌第１９巻１
３号４６４頁から４６５頁で上記サブバウンダリー’ｌ
るＳ分に集める方法全報告した。すなわち第１図に示さ
れるようにシリコン基板１１の上にシリコン熱酸化膜１
２全形成し、その上に多結晶シリコン膜１３を０．５μ
ｍ厚で堆積し、更にシリコン酸化膜１４ｔ１μｍ厚堆積
した。その後シリコン窒化膜１５を０．１μｍ厚堆積し
１図のように５０μｍ幅で１００μｍピッチに加工した
。
ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ、ｔｅｒｓ ）誌第１９巻１
３号４６４頁から４６５頁で上記サブバウンダリー’ｌ
るＳ分に集める方法全報告した。すなわち第１図に示さ
れるようにシリコン基板１１の上にシリコン熱酸化膜１
２全形成し、その上に多結晶シリコン膜１３を０．５μ
ｍ厚で堆積し、更にシリコン酸化膜１４ｔ１μｍ厚堆積
した。その後シリコン窒化膜１５を０．１μｍ厚堆積し
１図のように５０μｍ幅で１００μｍピッチに加工した
。
このような試料ＱＩ１００℃に基板加熱しながら線状の
ハロゲンランプで試料の一端から他端へ照射し、多結晶
シリコン層を溶融再結晶させて行く。
ハロゲンランプで試料の一端から他端へ照射し、多結晶
シリコン層を溶融再結晶させて行く。
このようにして、再結晶させて行くと、ハロゲンランプ
の光は波長が約０．６μｍから約１μｍであるのでシリ
コン酸化膜１４は光が透過するが、シリコン窒化膜１５
の部分は一部吸収でれ、熱源として働きシリコン窒化膜
１５の下の部分の多結晶シリコン層が最後にかたまる。
の光は波長が約０．６μｍから約１μｍであるのでシリ
コン酸化膜１４は光が透過するが、シリコン窒化膜１５
の部分は一部吸収でれ、熱源として働きシリコン窒化膜
１５の下の部分の多結晶シリコン層が最後にかたまる。
その結果、結晶粒界はすべて、最後にかたまったシリコ
ン部分即ち、シリコ／窒化膜１５の下の部分に集まると
のことでおる。
ン部分即ち、シリコ／窒化膜１５の下の部分に集まると
のことでおる。
しかしながらこの方法では、基板温度が１１００℃と高
いため、素子を三次元化しようとした場合。
いため、素子を三次元化しようとした場合。
欠点が生じる。即ち、素子全三次元化して行く場合、予
じめ形成された素子の性能を変化させるのは望ましくな
いが、基板温度が１１００℃にもなった場合、邑然予じ
め形成されている不純物注入層の形状が変化し、素子性
能の設計値からの変化金主せしめる。このようなことを
避けるためには。
じめ形成された素子の性能を変化させるのは望ましくな
いが、基板温度が１１００℃にもなった場合、邑然予じ
め形成されている不純物注入層の形状が変化し、素子性
能の設計値からの変化金主せしめる。このようなことを
避けるためには。
レーザー光や電子線による短時間の熱処理が必要である
。レーザ光を用いることによシ同様な試みがなされてい
るが、レーザ光の場合、ビーム径が小さいという難点が
あυ、単結晶領域を広げるという目的に対してば難があ
る。また電子線を利用する場合は、レーザ光に比べて、
大出力であ夛、かつビー五形状も電気的に変化させるこ
とができるという利点から魅力的であるが、物質による
吸収係数の違いが小さく、これまで、上記のような方法
は用いられていなかった。
。レーザ光を用いることによシ同様な試みがなされてい
るが、レーザ光の場合、ビーム径が小さいという難点が
あυ、単結晶領域を広げるという目的に対してば難があ
る。また電子線を利用する場合は、レーザ光に比べて、
大出力であ夛、かつビー五形状も電気的に変化させるこ
とができるという利点から魅力的であるが、物質による
吸収係数の違いが小さく、これまで、上記のような方法
は用いられていなかった。
（発明の目的）
ることＫある。
（発明の構成）
本発明によれば、少なくともその表面がアモルファス絶
縁番で被われた基板上に多結晶あるいは非晶質半導体膜
を形成する工程と、該基板上に光吸収係数の異なる少な
くとも２種類のア羊ルファス絶縁膜を形成する工程と、
この基板に前記半導体が吸収できる波長成分をもつ光を
照射するとともに、電子線を照射することにより、前記
半導体膜を溶融再結晶させる工程を含むことを特徴とす
る単結晶半導体薄膜の製造方法が得られる。
縁番で被われた基板上に多結晶あるいは非晶質半導体膜
を形成する工程と、該基板上に光吸収係数の異なる少な
くとも２種類のア羊ルファス絶縁膜を形成する工程と、
この基板に前記半導体が吸収できる波長成分をもつ光を
照射するとともに、電子線を照射することにより、前記
半導体膜を溶融再結晶させる工程を含むことを特徴とす
る単結晶半導体薄膜の製造方法が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることによシ従米技術の問題
点を解決した。即ち、多結晶か非晶質の半導体膜上に少
なくとも２種類の光吸収係数の異たったアモルファス絶
縁膜全形成し、前記半導体が吸収できる波長成分金持つ
光を照射することにより、基板表面上に温度分布金膜け
、電子線全照射し、前記半導体層を溶融再結晶させる。
点を解決した。即ち、多結晶か非晶質の半導体膜上に少
なくとも２種類の光吸収係数の異たったアモルファス絶
縁膜全形成し、前記半導体が吸収できる波長成分金持つ
光を照射することにより、基板表面上に温度分布金膜け
、電子線全照射し、前記半導体層を溶融再結晶させる。
従って光吸収の違いによって生じた温度分布のために、
前記半導体層が再結晶する時の時間遅れによシ。
前記半導体層が再結晶する時の時間遅れによシ。
結晶粒界がその部分に集まる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第２図（ａ）は本発明の実施例に於て用いた試料の模式
的平面図、第２図（ｂ）は模式的断面図である。
的平面図、第２図（ｂ）は模式的断面図である。
シリコン基板２１の上にシリコン熱酸化膜２２を厚さ１
．０μｍ形成し、その上にＬＰＣＶＤ法で多結晶シリコ
ン２３を厚さ０．５μｍ、シリコン酸化膜２４を厚さ０
．５μｍ堆積した。その後、更にシリコン窒化膜２５を
厚さ０．１μｍ堆積し、５０μｍ幅のストライブを５０
０μｍから１禦ｍピッチで第２図（ａ）（ｂ）のように
加工し、光吸収層とした。このようにして形成された試
料を第３図の模式図に示す装置を用いて再結晶化した。
．０μｍ形成し、その上にＬＰＣＶＤ法で多結晶シリコ
ン２３を厚さ０．５μｍ、シリコン酸化膜２４を厚さ０
．５μｍ堆積した。その後、更にシリコン窒化膜２５を
厚さ０．１μｍ堆積し、５０μｍ幅のストライブを５０
０μｍから１禦ｍピッチで第２図（ａ）（ｂ）のように
加工し、光吸収層とした。このようにして形成された試
料を第３図の模式図に示す装置を用いて再結晶化した。
即ち、試料３７を基板加熱装置３８の上に置き約６００
℃に加熱し、波長的０．８μｍの１０ｋｗａｔｔクセノ
ンフラッジスランプを発光させ。
℃に加熱し、波長的０．８μｍの１０ｋｗａｔｔクセノ
ンフラッジスランプを発光させ。
レンズ３５で集光して基板全面を照射しそれに同期して
２０ ＫＶで加速δれた線状電子線を偏向し、試料上を
第２図（１）の下から上へ線状電子線（長さ約２鰭）の
長手方向が窒化膜２５のストライプに直交するように１
回走査した。
２０ ＫＶで加速δれた線状電子線を偏向し、試料上を
第２図（１）の下から上へ線状電子線（長さ約２鰭）の
長手方向が窒化膜２５のストライプに直交するように１
回走査した。
次に試料の違う場所に再びフラッシュランプを発光式せ
、それと同期させて電子線を走査するということをく）
返し、２インチφの基板上全面を再結晶化した。
、それと同期させて電子線を走査するということをく）
返し、２インチφの基板上全面を再結晶化した。
（発明の効果）
この結果結晶粒界をすべてシリコン窒化膜２５の下に集
めることができ、５００μｍから１ｎ幅のシリコン窒化
膜のない部分の多結晶シリコン層を単結晶化することが
できた。以上詳細に述べた通シ１本発明によれば広い面
積の単結晶半導体薄膜を基板を長時間高温に加熱しない
で形成できる。
めることができ、５００μｍから１ｎ幅のシリコン窒化
膜のない部分の多結晶シリコン層を単結晶化することが
できた。以上詳細に述べた通シ１本発明によれば広い面
積の単結晶半導体薄膜を基板を長時間高温に加熱しない
で形成できる。
第１図は従来例に用いられた試料の模式断面図で、第２
図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本実施例に用いた試料
の模式的平面図と断面図である。また第３図は本実施例
に用いた装置の模式図である。 図において １１．２１・・・シリコン基板。 １２．２２・・・シリコン熱酸化膜。 １３．２３・・・多結晶シリコン層。 １４．２４パシリコン酸化膜。 １５．２５・・・シリコン窒化膜。 ３１・・・線状タングステンフィラメント。 ３２・・・加速電極、 ３３・レンズコイル。 ３４・・・（ＭＥコイル、３５・・・光学レンズ。 ３６・・・クセノンフラッシュランプ。 ３７・・・試 料、３８・・・基板加熱装置。 工業技術院長 糖１図 （Ｇ） 第２図 窮３図
図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本実施例に用いた試料
の模式的平面図と断面図である。また第３図は本実施例
に用いた装置の模式図である。 図において １１．２１・・・シリコン基板。 １２．２２・・・シリコン熱酸化膜。 １３．２３・・・多結晶シリコン層。 １４．２４パシリコン酸化膜。 １５．２５・・・シリコン窒化膜。 ３１・・・線状タングステンフィラメント。 ３２・・・加速電極、 ３３・レンズコイル。 ３４・・・（ＭＥコイル、３５・・・光学レンズ。 ３６・・・クセノンフラッシュランプ。 ３７・・・試 料、３８・・・基板加熱装置。 工業技術院長 糖１図 （Ｇ） 第２図 窮３図
Claims (1)
- 少なくともその表面がアモルファス絶縁層で被われた
基板上に多結晶あるいは非晶質半導体膜を形成する工程
と、該基板上に光吸収係数の異なる少なくとも２種類の
アモルファス絶縁膜を形成する工程と、この基板に前記
半導体が吸収できる波長成分をもつ光を照射するととも
に、電子線を照射することにより、前記半導体膜を溶融
再結晶させる工程を含むことを特徴とする単結晶半導体
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049284A JPS6130025A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049284A JPS6130025A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130025A true JPS6130025A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15498049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15049284A Pending JPS6130025A (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130025A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306617A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体結晶の再結晶化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814524A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58112326A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | Fujitsu Ltd | 複合ビ−ムアニ−ル方法 |
-
1984
- 1984-07-21 JP JP15049284A patent/JPS6130025A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814524A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58112326A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | Fujitsu Ltd | 複合ビ−ムアニ−ル方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306617A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体結晶の再結晶化方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2973492B2 (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
| DE1933690C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mindestens bereichsweise einkristallinen Films auf einem Substrat | |
| JPS5861622A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS6392012A (ja) | 積層物品およびその製造方法 | |
| EP0124261A1 (en) | Process for producing monocrystalline layer on insulator | |
| JPS58127318A (ja) | 絶縁層上への単結晶膜形成方法 | |
| JPS61244020A (ja) | 欠陥が局限された配向された単結晶シリコンフイルムを絶縁支持体上に製造する方法 | |
| FR2517123A1 (fr) | Procede de formation d'une pellicule semi-conductrice monocristalline sur un isolant | |
| JPS6130025A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0580159B2 (ja) | ||
| JPS6130027A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造装置 | |
| JPS6130026A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS5833822A (ja) | 半導体基体の製作方法 | |
| JPS5892213A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS6159820A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60161396A (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPS58139423A (ja) | ラテラルエピタキシヤル成長法 | |
| JPH0779080B2 (ja) | 多結晶またはアモルファスの半導体材料を単結晶半導体材料に転化する方法 | |
| JPS58165317A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS58212123A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS5856457A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5919311A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59139624A (ja) | 試料の加熱方法 | |
| JPS60127722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61136219A (ja) | 単結晶シリコン膜の形成方法 |