JPS58110418A - 低級オレフィンの製造方法 - Google Patents
低級オレフィンの製造方法Info
- Publication number
- JPS58110418A JPS58110418A JP56206508A JP20650881A JPS58110418A JP S58110418 A JPS58110418 A JP S58110418A JP 56206508 A JP56206508 A JP 56206508A JP 20650881 A JP20650881 A JP 20650881A JP S58110418 A JPS58110418 A JP S58110418A
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- JP
- Japan
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- catalyst
- crystalline gallium
- water
- silicate
- hydrocarbon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P30/00—Technologies relating to oil refining and petrochemical industry
- Y02P30/20—Technologies relating to oil refining and petrochemical industry using bio-feedstock
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P30/00—Technologies relating to oil refining and petrochemical industry
- Y02P30/40—Ethylene production
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- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はSiO2とGa2O3が酸素を共有し7て三次
元網目構造を有する結晶性ガリウムンリケートおよびそ
れを触媒として用い、メタノールおよび/またはジメチ
ルエーテルを反応させて炭化水素を製造する方法に関す
るものである、 する。空隙やトンネルによる細孔は結晶構造中で5IO
2と他の金属の酸化物、特にA1□03やG a203
等の3価金属酸化物が酸素を共有して結合する形態によ
って決まる。これら3価金属を含有する4面体の電気的
陰性は通常アルカリ全域イオン、特にナトリウムおよび
/またはカリウムイオンにより電気的中性に保たれてい
る。
元網目構造を有する結晶性ガリウムンリケートおよびそ
れを触媒として用い、メタノールおよび/またはジメチ
ルエーテルを反応させて炭化水素を製造する方法に関す
るものである、 する。空隙やトンネルによる細孔は結晶構造中で5IO
2と他の金属の酸化物、特にA1□03やG a203
等の3価金属酸化物が酸素を共有して結合する形態によ
って決まる。これら3価金属を含有する4面体の電気的
陰性は通常アルカリ全域イオン、特にナトリウムおよび
/またはカリウムイオンにより電気的中性に保たれてい
る。
通常、結晶性シリケートを製造するには、51023価
金属酸化物、アルカリ金属イオツの各供給源および水を
所望の割合に混合し、常圧または゛加圧下で水熱処理を
行う方法が取られている。また、塩基として有機窒素化
合物ないしは有機リン化合物を用いる方法もあり、この
方法によりさまざまな吸着能や触媒作用をもった各種の
結晶性シリケートの合成が非常に盛んである。
金属酸化物、アルカリ金属イオツの各供給源および水を
所望の割合に混合し、常圧または゛加圧下で水熱処理を
行う方法が取られている。また、塩基として有機窒素化
合物ないしは有機リン化合物を用いる方法もあり、この
方法によりさまざまな吸着能や触媒作用をもった各種の
結晶性シリケートの合成が非常に盛んである。
特にモーピルオイル社のZSM−5は5〜6Lの解、異
性化、ηノビキル化、重合、特にメタノールからのガソ
リン製造用の触媒として有効である。
性化、ηノビキル化、重合、特にメタノールからのガソ
リン製造用の触媒として有効である。
tA、シェルインターナショナルリサーチ社よりこのZ
SM−5と構造の似た結晶性ガリウムシリケートが提案
されており、H2とCOとから炭化水素を合成する触媒
に用いられている。この2つの結晶性シリケートは通常
S10.、 Alρ3またはaa203゜、 アルカリ
金属イオンの各供給源、水およびアトシーn−ピロピル
アンモニウム化合物とからなる混合物を水熱処理するこ
とによって合成される。
SM−5と構造の似た結晶性ガリウムシリケートが提案
されており、H2とCOとから炭化水素を合成する触媒
に用いられている。この2つの結晶性シリケートは通常
S10.、 Alρ3またはaa203゜、 アルカリ
金属イオンの各供給源、水およびアトシーn−ピロピル
アンモニウム化合物とからなる混合物を水熱処理するこ
とによって合成される。
メタノールおよび、/またはジメチルエーテルを反応さ
せて炭化水素を得るた−めのイυを究は最近非常に盛ん
に行われている。この反応に用いる触媒は一般に固体酸
と呼ばれるものが使用され、各種のゼオライト、ヘテロ
ポリ酸等について多くの特許が出願されている。特に前
述のZSSi25はメタノ級オレフィンを製造するのに
は不適である。また、ZSfVl−34と称する結晶性
アルミノンリケードは同じ反応で、低級オレフィンを製
造するための触媒として高いエチレン、プロピレンへの
選択性を有するが活性の低下が極めて早く実用的でない
。
せて炭化水素を得るた−めのイυを究は最近非常に盛ん
に行われている。この反応に用いる触媒は一般に固体酸
と呼ばれるものが使用され、各種のゼオライト、ヘテロ
ポリ酸等について多くの特許が出願されている。特に前
述のZSSi25はメタノ級オレフィンを製造するのに
は不適である。また、ZSfVl−34と称する結晶性
アルミノンリケードは同じ反応で、低級オレフィンを製
造するための触媒として高いエチレン、プロピレンへの
選択性を有するが活性の低下が極めて早く実用的でない
。
本発明者らはメタノールおよび/またはジメチ ゛
ルエーテルを原料にして炭化水素、特にエチレン、リ金
属の水酸化物を添加する。
ルエーテルを原料にして炭化水素、特にエチレン、リ金
属の水酸化物を添加する。
この混合物を120〜220℃、好ましくは、150〜
190℃で約1〜200時間、好ましくは5〜50時間
密閉容器内で加熱攪拌する。反応生成物は口過ないし遠
心分離により分離し、水洗により余剰のイオン性物質を
除去した後乾燥することによって、結晶性ガリウムシリ
ケートの粉末を得る。
190℃で約1〜200時間、好ましくは5〜50時間
密閉容器内で加熱攪拌する。反応生成物は口過ないし遠
心分離により分離し、水洗により余剰のイオン性物質を
除去した後乾燥することによって、結晶性ガリウムシリ
ケートの粉末を得る。
原料調合時のSiO,/、qaρ3モル比98、アルコ
ールとして、n−ブチルアルコール、アルカリ金属これ
らの回折データは銅のに一アルファ線の照射による標準
のX線技術によって得られたもので、ピークの高さIが
ブラッグ角θの2倍、2θの関数としてレコーダーに言
壜される。I / IOは相対強度であり、最強のピー
クを示す2θ=23.25を100とした場合の相対値
である。
ールとして、n−ブチルアルコール、アルカリ金属これ
らの回折データは銅のに一アルファ線の照射による標準
のX線技術によって得られたもので、ピークの高さIが
ブラッグ角θの2倍、2θの関数としてレコーダーに言
壜される。I / IOは相対強度であり、最強のピー
クを示す2θ=23.25を100とした場合の相対値
である。
表 −1
このX線回折ピークを特開昭56−16427および特
開昭56−26822号に明示されている前述の結晶性
ガリウムシリケートのものと比較すると次の点で差が見
られる。即ち、本発明で得た結晶性ガリウムシリケート
では2θ=23.0〜23.3°、および23.6〜2
4.0 にそれぞれ明確に2つのピークが存在しており
、また、2θが8°と9°付近のピークのうち、後者の
ピークの方が大きい。しかし1、送りことは次の事実で
証明される。即ち、ZSM−sと類似構造を有する結晶
性シリケートでは、ケイ素を置換する元素の菫が増える
と単斜晶系がら斜方晶系に変化する。これはX線回折ピ
ークをみた場合、斜方晶系では2+o 2が=2.1.
3.付近および29,2゜付近のピークがそれぞれ1本
であるのに対し単斜晶系ではそれぞれ2本に分裂するこ
とで検知される。
開昭56−26822号に明示されている前述の結晶性
ガリウムシリケートのものと比較すると次の点で差が見
られる。即ち、本発明で得た結晶性ガリウムシリケート
では2θ=23.0〜23.3°、および23.6〜2
4.0 にそれぞれ明確に2つのピークが存在しており
、また、2θが8°と9°付近のピークのうち、後者の
ピークの方が大きい。しかし1、送りことは次の事実で
証明される。即ち、ZSM−sと類似構造を有する結晶
性シリケートでは、ケイ素を置換する元素の菫が増える
と単斜晶系がら斜方晶系に変化する。これはX線回折ピ
ークをみた場合、斜方晶系では2+o 2が=2.1.
3.付近および29,2゜付近のピークがそれぞれ1本
であるのに対し単斜晶系ではそれぞれ2本に分裂するこ
とで検知される。
図−1から判る通り、実施例1で得られた結晶性ガリウ
ムシリケートのX線回折図は斜方結晶系であることを示
している。即ち、単斜晶系から斜方晶系になるに充分な
皺のガリウムイオンがケイ素を置換していることになる
。
ムシリケートのX線回折図は斜方結晶系であることを示
している。即ち、単斜晶系から斜方晶系になるに充分な
皺のガリウムイオンがケイ素を置換していることになる
。
また、ZSM−5と同じ構造のSi0またけからなる結
晶性ンリケートには同体酸と呼ばれる酸点はほとんどな
いことが知ら朴ているが、本発明の方法で得られた結晶
性ガリウムンリケートの酸量は成木発明の方法で得られ
る結晶性ガリウムンリケートの吸着性について調べてみ
るとヘキサン異性体のうち、n−ヘキサンを最もよく吸
着し、メチル基を1つ有する3−メチルペンタンも吸着
するが、メチル基を2個有する22−ジメチルブタンは
ほとんど吸着しないという特異な形状選択性を示す。従
って、この結晶性ガリウムシリケートはエリオナイトや
オフレタイトのような小孔径ゼオラ本発明の方法で得ら
れる結晶性ガリウムシリケートは熱安定性に優れており
、900℃の熱処理においてもその構造に変化はない。
晶性ンリケートには同体酸と呼ばれる酸点はほとんどな
いことが知ら朴ているが、本発明の方法で得られた結晶
性ガリウムンリケートの酸量は成木発明の方法で得られ
る結晶性ガリウムンリケートの吸着性について調べてみ
るとヘキサン異性体のうち、n−ヘキサンを最もよく吸
着し、メチル基を1つ有する3−メチルペンタンも吸着
するが、メチル基を2個有する22−ジメチルブタンは
ほとんど吸着しないという特異な形状選択性を示す。従
って、この結晶性ガリウムシリケートはエリオナイトや
オフレタイトのような小孔径ゼオラ本発明の方法で得ら
れる結晶性ガリウムシリケートは熱安定性に優れており
、900℃の熱処理においてもその構造に変化はない。
これは実用上触媒としての前処理や再生の際に好都合で
ある。
ある。
本発明の方法で得られる結晶性ガリウムシリケートヲ触
媒として使用することによって、メタノールおよび/ま
たはジメチルエーテルから炭化水、特にエチレン、プロ
ピレン等の低級オレフイを高い選択率でしかも、安定し
た活性で製造でき本発明で触媒として使用される結晶性
ガリウムシリケートは、合成重のカチオンとしてのアル
カリ金属イオンをイオン交換法により全部または部分的
にプロトンに変換した水素型であることが好ましい。こ
の変換は公知のイオン交換技術を利用してアンモニウム
水溶液、例えば塩化アンモニウム水溶液で処理してアル
カリ金属イオンをアンモニウムイオンで交換し、しかる
後焼成によって、プロトンに変換することも可能である
。アンモニウム水溶液または塩化水素水溶液で処理した
後、充分水洗を行い、乾燥し、焼成することによってメ
タノールおよび/またはジメチルエーテル転化反応の触
媒として供することが出来る。この焼成は、例えば30
0〜700℃の温度で1〜100時間処床反応方式、移
動床反応方式等があげられる。
媒として使用することによって、メタノールおよび/ま
たはジメチルエーテルから炭化水、特にエチレン、プロ
ピレン等の低級オレフイを高い選択率でしかも、安定し
た活性で製造でき本発明で触媒として使用される結晶性
ガリウムシリケートは、合成重のカチオンとしてのアル
カリ金属イオンをイオン交換法により全部または部分的
にプロトンに変換した水素型であることが好ましい。こ
の変換は公知のイオン交換技術を利用してアンモニウム
水溶液、例えば塩化アンモニウム水溶液で処理してアル
カリ金属イオンをアンモニウムイオンで交換し、しかる
後焼成によって、プロトンに変換することも可能である
。アンモニウム水溶液または塩化水素水溶液で処理した
後、充分水洗を行い、乾燥し、焼成することによってメ
タノールおよび/またはジメチルエーテル転化反応の触
媒として供することが出来る。この焼成は、例えば30
0〜700℃の温度で1〜100時間処床反応方式、移
動床反応方式等があげられる。
反応は広い範囲の条件で行うことが出来る。例えば、反
応温度250〜450℃、重鎗時間空間速度0.1〜2
0 hr−1、好ましくは1%10hr−’、全圧力0
1〜100気圧、好ましくは0.5〜lO気圧の条件下
で行うことが出来る。原料は水蒸気あるいは不活性ガス
、例えば窒素、アルゴン等で希釈して触媒上に供給する
ことも可能である。
応温度250〜450℃、重鎗時間空間速度0.1〜2
0 hr−1、好ましくは1%10hr−’、全圧力0
1〜100気圧、好ましくは0.5〜lO気圧の条件下
で行うことが出来る。原料は水蒸気あるいは不活性ガス
、例えば窒素、アルゴン等で希釈して触媒上に供給する
ことも可能である。
本発明の方法において、生成物の流れは水蒸気、炭化水
素、未反応原料から成り、反応条件を適当・に設定する
ことにより炭化水素中のエチレン、プロピレン等の低級
オレフィンの割合を高めることが出来る。また、更に条
件を厳しくすることによりガンリン留分の豊富な炭化水
素を得ることも出来る。水蒸気および炭化水素生成物は
公知の方法実施例1、 硝酸ガリウム8水和物1gを水32gに溶かし攪拌下こ
れに順次、次の試薬を加えた。Ca1altpLtlS
L−30(Si0230〜31%、Na20o、a
7〜0.46 %24.1g、力性ソーダ(95チ、試
薬特級)2.56.9を水50gに溶解した水溶液、2
.5N硫酸水溶液12m/。
素、未反応原料から成り、反応条件を適当・に設定する
ことにより炭化水素中のエチレン、プロピレン等の低級
オレフィンの割合を高めることが出来る。また、更に条
件を厳しくすることによりガンリン留分の豊富な炭化水
素を得ることも出来る。水蒸気および炭化水素生成物は
公知の方法実施例1、 硝酸ガリウム8水和物1gを水32gに溶かし攪拌下こ
れに順次、次の試薬を加えた。Ca1altpLtlS
L−30(Si0230〜31%、Na20o、a
7〜0.46 %24.1g、力性ソーダ(95チ、試
薬特級)2.56.9を水50gに溶解した水溶液、2
.5N硫酸水溶液12m/。
およびn−ブチルアルコール101IIlである。添加
終た。仕込のS i02/Ga2O,モル比は約98で
あった。
終た。仕込のS i02/Ga2O,モル比は約98で
あった。
内容積300m1のオートクレーブ&(水性ゲル混合物
を仕込み、自圧下100℃で4時間、180℃で17時
間攪拌しながら(500r、 p、 m、 )水熱処理
をした。反応混合物は遠心分離機を用いて固体成分と溶
液部とに分け、固体成分は充分水洗をほどこし、更に1
00°Cで乾燥した。得られた生成物の収電は約6.5
gであった。走査型電子顕微鏡による観察で、作を計4
回繰返し、ナトリウムイオンをアンモニウムイオンに変
換した。その後室温下で充分水洗の後100℃で乾燥し
、次いで500℃で16時間空表−5 比較例 基本的には、モーピル社によるZ8M−5の調製液)
28.8mlと濃硫酸4.21gの混合液をB液、3号
水ガラス(Si0228〜30チ、Na209〜lO%
)507gを水63.5!9に溶かしてC液、テトラ−
n−プロピルアミ73.4g、臭化n−プロピル2.9
3.!9、およびメチルエチルケトン5.65gの混合
物をD液とした。攪拌下、A液中に順次B、CおよびD
の缶液を加えて水性ゲル混合物を得た。
を仕込み、自圧下100℃で4時間、180℃で17時
間攪拌しながら(500r、 p、 m、 )水熱処理
をした。反応混合物は遠心分離機を用いて固体成分と溶
液部とに分け、固体成分は充分水洗をほどこし、更に1
00°Cで乾燥した。得られた生成物の収電は約6.5
gであった。走査型電子顕微鏡による観察で、作を計4
回繰返し、ナトリウムイオンをアンモニウムイオンに変
換した。その後室温下で充分水洗の後100℃で乾燥し
、次いで500℃で16時間空表−5 比較例 基本的には、モーピル社によるZ8M−5の調製液)
28.8mlと濃硫酸4.21gの混合液をB液、3号
水ガラス(Si0228〜30チ、Na209〜lO%
)507gを水63.5!9に溶かしてC液、テトラ−
n−プロピルアミ73.4g、臭化n−プロピル2.9
3.!9、およびメチルエチルケトン5.65gの混合
物をD液とした。攪拌下、A液中に順次B、CおよびD
の缶液を加えて水性ゲル混合物を得た。
仕込の5i02/(ia))3モル比は約96であった
。内容積300mJのオートクレーブにトd己水性ゲル
混合物を仕込み、自圧下、130℃で18時i4] f
fi拌しながら(500r、 p、 m、 )水熱処理
イはどこした。
。内容積300mJのオートクレーブにトd己水性ゲル
混合物を仕込み、自圧下、130℃で18時i4] f
fi拌しながら(500r、 p、 m、 )水熱処理
イはどこした。
−F記操作以外は央/l!I!l1ull 1と同様に
実軸し7だ。
実軸し7だ。
水熱処理により得られた生成物のX線回折パターンは特
開昭56−16427、特開昭56−26822に明示
されている結晶性ガリウムノリケートと似たものであっ
た。
開昭56−16427、特開昭56−26822に明示
されている結晶性ガリウムノリケートと似たものであっ
た。
本比較例のようにテトラ−n−プロピルアンモニウムイ
オン存在下で得た結晶性ガリウムシリケケートはメタノ
ール分解による生成物がエチレン、プロピレン等の低級
オレフィン指向になってbない。
オン存在下で得た結晶性ガリウムシリケケートはメタノ
ール分解による生成物がエチレン、プロピレン等の低級
オレフィン指向になってbない。
図は本発明の結晶性ガリウムシリケー)(Na型)のX
線回折パターンを示す。 手続補正書(方式) 57化技研第660号 昭和 ぎq 5月 12日 特許庁長官 島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和 56年特許願第206508
号3o補正をする者 事件との関係特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号イ
ノ ザヵ セイ イチ
線回折パターンを示す。 手続補正書(方式) 57化技研第660号 昭和 ぎq 5月 12日 特許庁長官 島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和 56年特許願第206508
号3o補正をする者 事件との関係特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号イ
ノ ザヵ セイ イチ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (+) 5in2. aa2o3.アルカリ金属イオ
ンの各供給源、水及びアルコールから成る混合物を水熱
処理して得られる組成式 %式%) !結晶性ガリウムシリケート。 (2) S 102 、 Qaρ3、アルカリ金属イ
オンの各供給源、水及びアルコールから成る混合物を水
熱処理して得られる組成式 %式% (式中Mはアルカリ金属または水素原子、aは0.9±
0.3、bは20から300、nは0から200の数で
ある。) の結晶性ガリウムシリケートを触媒とし7て、メタノー
ルおよび/またはジメチルエーテルから低級オレフィン
を製造する方法っ
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56206508A JPS58110418A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 低級オレフィンの製造方法 |
DE19823237389 DE3237389A1 (de) | 1981-10-08 | 1982-10-08 | Kristalline aluminium- und galliumsilikate, verfahren zu deren herstellung und verwendung zur dadurch katalysierten herstellung von niederen olefinen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56206508A JPS58110418A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 低級オレフィンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58110418A true JPS58110418A (ja) | 1983-07-01 |
JPS6139847B2 JPS6139847B2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=16524524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56206508A Granted JPS58110418A (ja) | 1981-10-08 | 1981-12-21 | 低級オレフィンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58110418A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5616427A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-17 | Shell Int Research | Manufacture of hydrocarbon |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206508A patent/JPS58110418A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5616427A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-17 | Shell Int Research | Manufacture of hydrocarbon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6139847B2 (ja) | 1986-09-05 |
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