JPS58106861A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS58106861A JPS58106861A JP20488381A JP20488381A JPS58106861A JP S58106861 A JPS58106861 A JP S58106861A JP 20488381 A JP20488381 A JP 20488381A JP 20488381 A JP20488381 A JP 20488381A JP S58106861 A JPS58106861 A JP S58106861A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社、薄膜素子によ）形成されえ、液晶表示体駆動
用アクティブマトリクス基板に関すゐ。
用アクティブマトリクス基板に関すゐ。
最近、ｉｉｔ＊表示を目的、とじ九液晶表示体駆動用ア
クティブ−ｖ）リクス基板の開発が各所で行われている
。４１に、透明基１ｊ（石英ガラスｌ１ｌ）上に薄膜ト
ランジスタＣ以下、〒１テと略記）を形成してヒれをス
イッチングトランジスタとして用いる方式Ｏ％Ｏが注目
されている。アクティブマトリクス基板による画像表示
の一画素に相当する基本構成単位を第１図に示す、同図
において、１０１ 。
クティブ−ｖ）リクス基板の開発が各所で行われている
。４１に、透明基１ｊ（石英ガラスｌ１ｌ）上に薄膜ト
ランジスタＣ以下、〒１テと略記）を形成してヒれをス
イッチングトランジスタとして用いる方式Ｏ％Ｏが注目
されている。アクティブマトリクス基板による画像表示
の一画素に相当する基本構成単位を第１図に示す、同図
において、１０１ 。
１０１社それぞれ、（行目、（＋１１００Ｉ側配線（ゲ
ート配線）を、１０３はｊ列目のＹ側配ＩＮ（データＩ
Ｉ）を示す。また、１０４は１行ｊ列のスイッチング用
〒ν！を、１０Ｂはアクティブマトリクス基板内に作）
込壇れ九電荷保持用キャパシタを、１０６は液晶表示体
に相当するキャパシタを示す、同図に示ナアタテイプマ
トリクス基板は、従来、第２閣１ｇｌ０ような断面構造
をしており、第１ＩＩ（−〜（−１に示すごときニーで
製造されていた。
ート配線）を、１０３はｊ列目のＹ側配ＩＮ（データＩ
Ｉ）を示す。また、１０４は１行ｊ列のスイッチング用
〒ν！を、１０Ｂはアクティブマトリクス基板内に作）
込壇れ九電荷保持用キャパシタを、１０６は液晶表示体
に相当するキャパシタを示す、同図に示ナアタテイプマ
トリクス基板は、従来、第２閣１ｇｌ０ような断面構造
をしており、第１ＩＩ（−〜（−１に示すごときニーで
製造されていた。
第１ず、遼―基歇Ｃ石英ガラス等）２０１上にＣＶＤ＊
−ｔＩａ ４０ｓ Ｗ１２０１ ｔｊｌｌｋ積（ｆホシ
シｓ ン）し友後、第一〇多結晶シリコンを堆積しホト
エッチによ）パターニングを行って多結晶シリコンの島
！Ｏｓを廖威する。（第２図ｇａＳ ）前記多結晶シリ
；７０表面を酸化してゲート酸化ｌＩ２０４を形成し、
更に１第二の多結晶シリコン層２０５をＣＶＤ法で形成
する。（第２図１６１ ）前記第二の多結晶シリコン層
をホトエッチによルパター二ングした後、イオン打込み
まえは熱拡散によって不純物ドープを行う。２０５及び
２０６０部分に不純物がドープされる。（第２図１６１
）層間絶ＩｊＩｋｌＩ（８４０ｍ１１等）２０７をｃ
ｖＤ法Ｋｊｌ堆１１ｔせ＊後ホトエッチによ〉コンタク
トホール２０８を形成する。更に１配線金属層２ｏ９（
アルミ等）をスパッタｔえは蒸着により形成し、ホトエ
ッチによるパターニングを行う、（第２図１ｄｌ ）液
晶駆動電極層（Ｘテ０等）２１ｏを形成し、ホトエッチ
によるパターニングを行う０以上でアクティブ！トリク
ス基板が兜成する。（第２ ＩＩ （ｇｌｌ ） ＩＩ
２図（ｇｌにおいて２１１０部分にスイッチング用１
１？（第１図の１０４）を形成しておｊ、２１２０部分
に電荷保持用キャパシタ（第１図の１０５）を形成して
いる。
−ｔＩａ ４０ｓ Ｗ１２０１ ｔｊｌｌｋ積（ｆホシ
シｓ ン）し友後、第一〇多結晶シリコンを堆積しホト
エッチによ）パターニングを行って多結晶シリコンの島
！Ｏｓを廖威する。（第２図ｇａＳ ）前記多結晶シリ
；７０表面を酸化してゲート酸化ｌＩ２０４を形成し、
更に１第二の多結晶シリコン層２０５をＣＶＤ法で形成
する。（第２図１６１ ）前記第二の多結晶シリコン層
をホトエッチによルパター二ングした後、イオン打込み
まえは熱拡散によって不純物ドープを行う。２０５及び
２０６０部分に不純物がドープされる。（第２図１６１
）層間絶ＩｊＩｋｌＩ（８４０ｍ１１等）２０７をｃ
ｖＤ法Ｋｊｌ堆１１ｔせ＊後ホトエッチによ〉コンタク
トホール２０８を形成する。更に１配線金属層２ｏ９（
アルミ等）をスパッタｔえは蒸着により形成し、ホトエ
ッチによるパターニングを行う、（第２図１ｄｌ ）液
晶駆動電極層（Ｘテ０等）２１ｏを形成し、ホトエッチ
によるパターニングを行う０以上でアクティブ！トリク
ス基板が兜成する。（第２ ＩＩ （ｇｌｌ ） ＩＩ
２図（ｇｌにおいて２１１０部分にスイッチング用１
１？（第１図の１０４）を形成しておｊ、２１２０部分
に電荷保持用キャパシタ（第１図の１０５）を形成して
いる。
このように従来法により形成され九電荷保持用キャパシ
タは、主に次の二つの理由−（ＩＩゲート配線（第１図
１０１，１０２）とデータ配Ｍ（第１図１０３）とＯ関
のリークを防ぐと共に耐圧を確保する丸め層間絶縁Ｉ！
（第２図２０７）の膜厚は１００００１＠度と厚くしな
くてはならない、（２１１Ｅ晶デイスプレイを透過形と
するために１光を通しＫ〈い多結晶シリコン（第２図２
０５）が占める面積拡できるだけ小さくしなくてはなら
ない。従って、キャパシタ面積は小さくなる。−によ〕
その容量値をある程度以上大゛きくすることはできない
。（一画素２５０Ｇ０ Ａｓ諺の場合、最大０．２〜０
．３ｒν）ＩＩ在、比較的簡単で安価な工１１によシ得
られるｉ１テＯオフ電流と液晶のリーク電流との総和の
下限値が１００Ｐム−５００１’ムであることを考える
と十分ｔｋ表示性能を有するｉｉｒ＊ディスプレイを得
る九めｋは、前記電荷保持用中ヤパシタ（第１図１ａＳ
）Ｏ容量値を現状ｏｍ倍１度（一画素２５０００趨１０
場舎、２１１１度）とする必要がある。
タは、主に次の二つの理由−（ＩＩゲート配線（第１図
１０１，１０２）とデータ配Ｍ（第１図１０３）とＯ関
のリークを防ぐと共に耐圧を確保する丸め層間絶縁Ｉ！
（第２図２０７）の膜厚は１００００１＠度と厚くしな
くてはならない、（２１１Ｅ晶デイスプレイを透過形と
するために１光を通しＫ〈い多結晶シリコン（第２図２
０５）が占める面積拡できるだけ小さくしなくてはなら
ない。従って、キャパシタ面積は小さくなる。−によ〕
その容量値をある程度以上大゛きくすることはできない
。（一画素２５０Ｇ０ Ａｓ諺の場合、最大０．２〜０
．３ｒν）ＩＩ在、比較的簡単で安価な工１１によシ得
られるｉ１テＯオフ電流と液晶のリーク電流との総和の
下限値が１００Ｐム−５００１’ムであることを考える
と十分ｔｋ表示性能を有するｉｉｒ＊ディスプレイを得
る九めｋは、前記電荷保持用中ヤパシタ（第１図１ａＳ
）Ｏ容量値を現状ｏｍ倍１度（一画素２５０００趨１０
場舎、２１１１度）とする必要がある。
本ｌＡ１４０１的は、！１！及び薄膜キャパシタの製造
ｌ１を工夫する仁とｋよシ、上述の要求を満九し、良好
１に表示性能を有する液晶表示用アクティブ！トリクス
基板を提案することｋある。
ｌ１を工夫する仁とｋよシ、上述の要求を満九し、良好
１に表示性能を有する液晶表示用アクティブ！トリクス
基板を提案することｋある。
以下に１図Ｉｆ（第３図ｇｍ−φ）を用いて本発明の詳
細な説明する。第３図φに本発明のアクティブマトリタ
ス基板の断面構造を示す、同図において、３５１はスイ
ッチング用テνテであシ、３５２は電荷保持用キャパシ
タである。第３図φの７タテイプマトリクス基板を得る
ための製造ｌ１の一例を第３図−１〜φに示す、第３図
１よ）第３図ｇｇｌＫ至るまでＯ°工程は、第２図（α
１〜（６ＢＫ示し九従来ニーと全く同じである。第３図
４ａ１において、３０１Ｆｉ透明基板（石英ガラス勢）
、３０２は８（０雪膜、３０３は不純ドープが施されて
いない第一０多結晶シリコン層、３ｏ６は不純物ドープ
が施され良路−の多結晶シリコン層（テν！のソース・
ドレイン）、３０４はテ１テ０ゲート酸化膜である。ま
た、第二〇多結晶シリコン層３ｏ７゜３０８紘いずれも
不純物ドープが施されておシ、３０７は！１テのゲート
を形成し、３ｏ８は電荷保持用キャパシタ〇一方の電極
を形成している。
細な説明する。第３図φに本発明のアクティブマトリタ
ス基板の断面構造を示す、同図において、３５１はスイ
ッチング用テνテであシ、３５２は電荷保持用キャパシ
タである。第３図φの７タテイプマトリクス基板を得る
ための製造ｌ１の一例を第３図−１〜φに示す、第３図
１よ）第３図ｇｇｌＫ至るまでＯ°工程は、第２図（α
１〜（６ＢＫ示し九従来ニーと全く同じである。第３図
４ａ１において、３０１Ｆｉ透明基板（石英ガラス勢）
、３０２は８（０雪膜、３０３は不純ドープが施されて
いない第一０多結晶シリコン層、３ｏ６は不純物ドープ
が施され良路−の多結晶シリコン層（テν！のソース・
ドレイン）、３０４はテ１テ０ゲート酸化膜である。ま
た、第二〇多結晶シリコン層３ｏ７゜３０８紘いずれも
不純物ドープが施されておシ、３０７は！１テのゲート
を形成し、３ｏ８は電荷保持用キャパシタ〇一方の電極
を形成している。
第１図に示すとと（，３０７は１行目ゲート配線を成し
ておｊ、３０８は（＋１行目ゲート配線を成している。
ておｊ、３０８は（＋１行目ゲート配線を成している。
次に、ＣＶＤ法により全面に層間絶縁膜（”（Ｏｍｍり
３０９を堆積する。更に、第二の多結晶シリコン層３０
８上の開部分３１００層聞納縁談をホトエッチによって
取シ除いた後、３０８０表面を酸化することによｐ電荷
保持用キャパシタの絶縁ｌｌ３１１を形成する。絶縁ｌ
ｌ３１１０膜厚は酸化温度、酸化時間によ〕容易に制御
できる。尚、絶縁１１３１１は第二〇多結晶シリコン層
３０８４２）表面酸化の代わシにＣＶＤ法による８イ０
ｓｌＩＯ堆積によって形成することもできる。
３０９を堆積する。更に、第二の多結晶シリコン層３０
８上の開部分３１００層聞納縁談をホトエッチによって
取シ除いた後、３０８０表面を酸化することによｐ電荷
保持用キャパシタの絶縁ｌｌ３１１を形成する。絶縁ｌ
ｌ３１１０膜厚は酸化温度、酸化時間によ〕容易に制御
できる。尚、絶縁１１３１１は第二〇多結晶シリコン層
３０８４２）表面酸化の代わシにＣＶＤ法による８イ０
ｓｌＩＯ堆積によって形成することもできる。
仁の場合も、絶縁ｊ１３１１０ｍ！厚は堆積時間により
容１に制御可能である。（第３５１１（ｄ３）ホトエッ
チによ〉コンタクトホール３１２，３１３を形成した後
、配線金属層（アルミ等）をスパッタまたは蒸着によ）
形成する。更に、ホトエッチによるパターニングで配線
パターン３１４，３１５を形成する。（第１図１０１ｇ
ｌ ）最後に１液晶駆動電極層（ｘｙｏ等）を全面に形
成した後ホトエッチによるパターニングを行うて液晶駆
動電極３１６を得る。
容１に制御可能である。（第３５１１（ｄ３）ホトエッ
チによ〉コンタクトホール３１２，３１３を形成した後
、配線金属層（アルミ等）をスパッタまたは蒸着によ）
形成する。更に、ホトエッチによるパターニングで配線
パターン３１４，３１５を形成する。（第１図１０１ｇ
ｌ ）最後に１液晶駆動電極層（ｘｙｏ等）を全面に形
成した後ホトエッチによるパターニングを行うて液晶駆
動電極３１６を得る。
以上で本発明のアクティブマトリクス基板が完成する。
（第３図Ｃ１１）第３図φにおいて、薄膜キャパシタは
第二の多結晶シリコン層３０ｇと液晶駆動電極３１６と
の関に形成されている。キャパシタ絶縁１１３１１の膜
厚を層間絶縁膜３０９の膜厚の十分の一程度以下に形成
することは極めて容易であシ、これによって、第２図ｔ
ｉｔ Ｋ示す従来のアクティブマトリクス基板に比較し
て十分以上の容量値を有する電荷保持用キャパシタを作
夛込むことが可能となる。しかも、製造Ｋｌ！する工程
数及びコストは２０１１８度の上昇に押さえられる。
第二の多結晶シリコン層３０ｇと液晶駆動電極３１６と
の関に形成されている。キャパシタ絶縁１１３１１の膜
厚を層間絶縁膜３０９の膜厚の十分の一程度以下に形成
することは極めて容易であシ、これによって、第２図ｔ
ｉｔ Ｋ示す従来のアクティブマトリクス基板に比較し
て十分以上の容量値を有する電荷保持用キャパシタを作
夛込むことが可能となる。しかも、製造Ｋｌ！する工程
数及びコストは２０１１８度の上昇に押さえられる。
以上述べたごとく、本発明によればわずかな工薯数及び
コストの増加だけで一桁以上保持特性の優れたアクティ
ブマトリクス基板を得ることができる。更に、本発明の
アクティブマトリクス基板を用いるととＫよって、！ν
丁の０Ｎ１０ν１比を向上させる丸めの複雑で高価な工
程を加えることなしに高性能で安価な液晶ｉｊｉ倫ディ
スプレイを作ることが可能となる。
コストの増加だけで一桁以上保持特性の優れたアクティ
ブマトリクス基板を得ることができる。更に、本発明の
アクティブマトリクス基板を用いるととＫよって、！ν
丁の０Ｎ１０ν１比を向上させる丸めの複雑で高価な工
程を加えることなしに高性能で安価な液晶ｉｊｉ倫ディ
スプレイを作ることが可能となる。
第１図は、アクティブマトリクス駆動方式による液晶デ
ィスプレイの一画素を説明するための図。 第２図ｇａｌ〜ｇｍｓは、従来の薄膜アクティブマトリ
クス基板及びその製造工程を説明するための図。 第３図Ｃｍｌ〜φは、本発明の薄膜アクティブマトリク
ス基板及びその製造工程の一例を説明するため０図。 以 上 出願人 株式会社−訪精工舎 手続補正書（自発） 昭和憧年３ 月１８ 日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２・４Ｂ８３号 ３、補正をする者 手続補正書（自発） ｔ 特＃ＦＩＦｔｒ４求の範囲を別紙の如く補正する。 ２ 明細書 ２１下から４行目 ２頁下から５行目 ２真下から２行目 １頁１行目 Ｉ ５ＩＩ２行目〜同３行目 ４真６行目 ｌ ５頁１３行目 ５頁１４行目 ５頁１６行目 ６頁４行目 ６頁９行目 ７１１ｓ行目 「多結晶シリコン」とあるｔ 「シリコン薄膜」に補正する。 以 上 代理人 最 上 膀 ４Ｉ＃ｌｌＦ請求の範囲 シリコン薄膜からなる薄膜Ｍ０８トランジスタのゲー）
Ｋｌｉ＆を嘔れ７を第１の電極と、液晶表示体電極ＫＩ
ＩＩＩされた第２の電極との間に絶縁膜が挾持されてな
る電荷保持用キャパシタｔＶし、該ゲート上に層間絶縁
膜を形成してなるアクティブマトリクス基板においで、
＃電荷保持用キャパシタの絶縁膜は該層間絶縁膜よりも
薄−ことｔ−特徴とするアクティブマトリクス基橡。 以上
ィスプレイの一画素を説明するための図。 第２図ｇａｌ〜ｇｍｓは、従来の薄膜アクティブマトリ
クス基板及びその製造工程を説明するための図。 第３図Ｃｍｌ〜φは、本発明の薄膜アクティブマトリク
ス基板及びその製造工程の一例を説明するため０図。 以 上 出願人 株式会社−訪精工舎 手続補正書（自発） 昭和憧年３ 月１８ 日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２・４Ｂ８３号 ３、補正をする者 手続補正書（自発） ｔ 特＃ＦＩＦｔｒ４求の範囲を別紙の如く補正する。 ２ 明細書 ２１下から４行目 ２頁下から５行目 ２真下から２行目 １頁１行目 Ｉ ５ＩＩ２行目〜同３行目 ４真６行目 ｌ ５頁１３行目 ５頁１４行目 ５頁１６行目 ６頁４行目 ６頁９行目 ７１１ｓ行目 「多結晶シリコン」とあるｔ 「シリコン薄膜」に補正する。 以 上 代理人 最 上 膀 ４Ｉ＃ｌｌＦ請求の範囲 シリコン薄膜からなる薄膜Ｍ０８トランジスタのゲー）
Ｋｌｉ＆を嘔れ７を第１の電極と、液晶表示体電極ＫＩ
ＩＩＩされた第２の電極との間に絶縁膜が挾持されてな
る電荷保持用キャパシタｔＶし、該ゲート上に層間絶縁
膜を形成してなるアクティブマトリクス基板においで、
＃電荷保持用キャパシタの絶縁膜は該層間絶縁膜よりも
薄−ことｔ−特徴とするアクティブマトリクス基橡。 以上
Claims (1)
- 多結晶シリ；ンからなる薄１１Ｍ０Ｂ）ツンジスタのグ
ー）Ｋ接続され大館１０電極と、液晶表示体電極に接続
された第２０電極と０間に絶縁ｌＩが挾持されて慶る電
荷保持用キャパシタを有し、皺ゲート上に層間絶縁膜を
形成して表るアクティブマトリクス基板において、誼電
荷保持用キャパシタの絶縁膜は鋏層間絶縁膜よ珈も薄い
ことも特徴とするアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20488381A JPS58106861A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20488381A JPS58106861A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106861A true JPS58106861A (ja) | 1983-06-25 |
| JPH0332231B2 JPH0332231B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=16497970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20488381A Granted JPS58106861A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106861A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0332231B2 (ja) | 1991-05-10 |
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