JPS5723937A - Photographic etching method - Google Patents
Photographic etching methodInfo
- Publication number
- JPS5723937A JPS5723937A JP9836380A JP9836380A JPS5723937A JP S5723937 A JPS5723937 A JP S5723937A JP 9836380 A JP9836380 A JP 9836380A JP 9836380 A JP9836380 A JP 9836380A JP S5723937 A JPS5723937 A JP S5723937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- hmds
- parts
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9836380A JPS5723937A (en) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | Photographic etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9836380A JPS5723937A (en) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | Photographic etching method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5723937A true JPS5723937A (en) | 1982-02-08 |
JPH0128373B2 JPH0128373B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-06-02 |
Family
ID=14217790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9836380A Granted JPS5723937A (en) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | Photographic etching method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5723937A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60158441A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-08-19 | チバ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト | 画像形成方法 |
JPS61107346A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-26 | ユセベ エレクトロニックス,ソシエテ アノニム | フォトレジスト層中にネガ図形を形成する方法 |
JPS61138255A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 上部画像化プラズマ現像可能なレジスト |
JPS61200537A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-05 | イムテツク・プロダクツ・インコ−ポレ−テツド | 蒸気拡散画像反転によりポジのホトレジストの画像の質を高める方法 |
JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
JPS6225424A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成法 |
JPS63165845A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS63300237A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-12-07 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 気相ホトレジスト・シリル化方法 |
JPH0227361A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
US4921778A (en) * | 1988-07-29 | 1990-05-01 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
JPH02297557A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
KR100776281B1 (ko) | 2006-06-20 | 2007-11-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
-
1980
- 1980-07-17 JP JP9836380A patent/JPS5723937A/ja active Granted
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
JPS60158441A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-08-19 | チバ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト | 画像形成方法 |
JPH0220869A (ja) * | 1984-10-26 | 1990-01-24 | Ucb Sa | 乾式現像用レジスト |
JPS61107346A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-26 | ユセベ エレクトロニックス,ソシエテ アノニム | フォトレジスト層中にネガ図形を形成する方法 |
JPS61138255A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 上部画像化プラズマ現像可能なレジスト |
JPS61200537A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-05 | イムテツク・プロダクツ・インコ−ポレ−テツド | 蒸気拡散画像反転によりポジのホトレジストの画像の質を高める方法 |
JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
JPS6225424A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成法 |
JPS63165845A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS63300237A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-12-07 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 気相ホトレジスト・シリル化方法 |
JPH0227361A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
US4921778A (en) * | 1988-07-29 | 1990-05-01 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
JPH02297557A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
KR100776281B1 (ko) | 2006-06-20 | 2007-11-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0128373B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5723937A (en) | Photographic etching method | |
US4370405A (en) | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye | |
KR100242530B1 (ko) | 필터장치 | |
CN101005015A (zh) | 基板处理方法、基板处理装置和半导体器件的制造方法 | |
JPS5799639A (en) | Treatment of negative type resist | |
CN115291481A (zh) | 半导体工艺方法 | |
JPS5797626A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5655047A (en) | Developing method and device therefor | |
JPS57130432A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS57157241A (en) | Formation of resist material and its pattern | |
JPS5469090A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS56111221A (en) | Formation on mask for etching | |
JPS5651732A (en) | Exposure processing method | |
JPS57162336A (en) | Coating method of resist on wafer | |
JPS55147628A (en) | Mask base material | |
JPS6459815A (en) | Formation of pattern | |
JPS5633818A (en) | Method for ion implantation | |
JPS59194437A (ja) | パタ−ン加工装置 | |
JP2008091653A (ja) | 塗布・現像処理方法 | |
JPS5588057A (en) | Production of photo mask | |
JPH0811178B2 (ja) | 高温反応処理装置 | |
JPH04167515A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
JPS5558537A (en) | Wafer surface treatment | |
EP0359221A3 (en) | High pressure photoresist silylating process and apparatus | |
JPS57206071A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof |