JPS55105374A - Nonvolatile semiconductor memory - Google Patents
Nonvolatile semiconductor memoryInfo
- Publication number
- JPS55105374A JPS55105374A JP1294679A JP1294679A JPS55105374A JP S55105374 A JPS55105374 A JP S55105374A JP 1294679 A JP1294679 A JP 1294679A JP 1294679 A JP1294679 A JP 1294679A JP S55105374 A JPS55105374 A JP S55105374A
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- JP
- Japan
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- gate
- oxide film
- data
- electrode
- state
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1294679A JPS55105374A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Nonvolatile semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1294679A JPS55105374A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Nonvolatile semiconductor memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55105374A true JPS55105374A (en) | 1980-08-12 |
JPS6343902B2 JPS6343902B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=11819439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1294679A Granted JPS55105374A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Nonvolatile semiconductor memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55105374A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58115865A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | ナシヨナル・セミコンダクタ−・コ−ポレ−シヨン | 電気的にプログラム可能で消去可能なメモリ−・セル |
JPS60226181A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPS61127179A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-14 | ローム・コーポレーション | 単一トランジスタの電気的プログラム式メモリ装置、その製造方法及び使用方法 |
JPS6363871U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-27 | ||
JPS63179577A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Sony Corp | 不揮発性メモリ |
JP2006517708A (ja) * | 2002-11-14 | 2006-07-27 | アプラス・フラッシュ・テクノロジー・インク. | バイト、ページ、ブロック書き込みおよび同時読み書き作業能力を備え、整合技術を使用した組合せ式不揮発メモリ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5157292A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-05-19 | Siemens Ag | Fetmemori |
JPS5177142A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Nippon Electric Co | Fukihatsuseihandotaikiokusochi |
JPS51147928A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-18 | Nec Corp | Non-volatile semiconductor memory |
-
1979
- 1979-02-07 JP JP1294679A patent/JPS55105374A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5157292A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-05-19 | Siemens Ag | Fetmemori |
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JPH0650363U (ja) * | 1981-12-28 | 1994-07-08 | ナショナル・セミコンダクター・コーポレーション | 電気的にプログラム可能で消去可能なメモリー・セル |
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JPH0521160Y2 (ja) * | 1986-10-15 | 1993-05-31 | ||
JPS63179577A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Sony Corp | 不揮発性メモリ |
JP2006517708A (ja) * | 2002-11-14 | 2006-07-27 | アプラス・フラッシュ・テクノロジー・インク. | バイト、ページ、ブロック書き込みおよび同時読み書き作業能力を備え、整合技術を使用した組合せ式不揮発メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6343902B2 (ja) | 1988-09-01 |
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