JPH1198035A - マイクロ波装置 - Google Patents
マイクロ波装置Info
- Publication number
- JPH1198035A JPH1198035A JP25521197A JP25521197A JPH1198035A JP H1198035 A JPH1198035 A JP H1198035A JP 25521197 A JP25521197 A JP 25521197A JP 25521197 A JP25521197 A JP 25521197A JP H1198035 A JPH1198035 A JP H1198035A
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- Japan
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- frequency circuit
- circuit board
- chassis
- metal plate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＮＢ等の高周波回路部をセラミック基板
に、中間周波回路部等はガラス樹脂系基板に配設し、取
付けに難のあるセラミック基板の固着を容易にする。 【解決手段】 金属板２の上面に高周波回路部の基板３
を導電性接着剤で固着し、中間周波回路部の基板４を載
置し、上面を開口したアルミダイキャストのシャーシ１
内に置き、この上から下面を開口したシールドケース５
を被せる。基板３は金属板より幅狭にし、この部分はシ
ールドケースの開口端を金属板に直接当接させてネジ６
でネジ止めし、基板４は金属板と略同幅にし、この部分
ではネジ７でシールドケース、基板４および金属板をシ
ャーシに共締めする。
に、中間周波回路部等はガラス樹脂系基板に配設し、取
付けに難のあるセラミック基板の固着を容易にする。 【解決手段】 金属板２の上面に高周波回路部の基板３
を導電性接着剤で固着し、中間周波回路部の基板４を載
置し、上面を開口したアルミダイキャストのシャーシ１
内に置き、この上から下面を開口したシールドケース５
を被せる。基板３は金属板より幅狭にし、この部分はシ
ールドケースの開口端を金属板に直接当接させてネジ６
でネジ止めし、基板４は金属板と略同幅にし、この部分
ではネジ７でシールドケース、基板４および金属板をシ
ャーシに共締めする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波装置に係
り、ＬＮＢ（低雑音周波数変換器）等の回路基板の取付
構造に関する。
り、ＬＮＢ（低雑音周波数変換器）等の回路基板の取付
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＮＢ等のマイクロ波装置は、例えば、
12GHz 帯等の信号増幅回路、フィルタおよびミキサ等の
高周波回路部（ＲＦブロック）と、ダウンコンバートさ
れた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等の中間周波
回路部（ＩＦブロック）とから構成され、これらを１枚
の基板に配設し、例えば、図５に示す如く、この基板42
をアルミダイキャスト等で形成したシャーシ41に乗せ、
基板42の上からアルミダイキャスト等で形成したシール
ドケース43を被せ、基板共々シャーシにネジ44で取付け
るようにしている。ところで、ＲＦブロックの性能を損
なわないようにするには基板42に高周波損失の少ないセ
ラミック基板等を用いることが望ましいが、セラミック
基板は材質が硬くてネジ止めで割れやすいため、導電性
接着剤を用いて固着せねばならず、導電性接着剤は高価
なため特に基板のサイズが大きい場合はコストが上昇
し、また、取付けが難しいという問題がある。
12GHz 帯等の信号増幅回路、フィルタおよびミキサ等の
高周波回路部（ＲＦブロック）と、ダウンコンバートさ
れた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等の中間周波
回路部（ＩＦブロック）とから構成され、これらを１枚
の基板に配設し、例えば、図５に示す如く、この基板42
をアルミダイキャスト等で形成したシャーシ41に乗せ、
基板42の上からアルミダイキャスト等で形成したシール
ドケース43を被せ、基板共々シャーシにネジ44で取付け
るようにしている。ところで、ＲＦブロックの性能を損
なわないようにするには基板42に高周波損失の少ないセ
ラミック基板等を用いることが望ましいが、セラミック
基板は材質が硬くてネジ止めで割れやすいため、導電性
接着剤を用いて固着せねばならず、導電性接着剤は高価
なため特に基板のサイズが大きい場合はコストが上昇
し、また、取付けが難しいという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような点
に鑑み、ＬＮＢ等に用いるセラミック基板の面積を最小
に止め、安価でかつ組立てを容易にすることを目的とす
る。
に鑑み、ＬＮＢ等に用いるセラミック基板の面積を最小
に止め、安価でかつ組立てを容易にすることを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のマイクロ波装置においては、上面に開口を
形成した第１シャーシと、上面に高周波回路基板および
中間周波回路基板を配設し、高周波回路基板を導電性接
着剤で固着し、第１シャーシの開口に対応する外形に形
成した第１金属板と、前記第１シャーシの開口に対応す
る外形で下面を開口した箱体状の第１シールドケースと
を設け、前記第１シャーシの開口内に第１金属板を載置
し、第１金属板上に第１シールドケースを装着し、第１
シールドケースを、高周波回路基板に対応する部分は第
１金属板と共に第１シャーシにネジ止めし、中間周波回
路基板に対応する部分は中間周波回路基板および第１金
属板と共に第１シャーシにネジ止めする。
め、本発明のマイクロ波装置においては、上面に開口を
形成した第１シャーシと、上面に高周波回路基板および
中間周波回路基板を配設し、高周波回路基板を導電性接
着剤で固着し、第１シャーシの開口に対応する外形に形
成した第１金属板と、前記第１シャーシの開口に対応す
る外形で下面を開口した箱体状の第１シールドケースと
を設け、前記第１シャーシの開口内に第１金属板を載置
し、第１金属板上に第１シールドケースを装着し、第１
シールドケースを、高周波回路基板に対応する部分は第
１金属板と共に第１シャーシにネジ止めし、中間周波回
路基板に対応する部分は中間周波回路基板および第１金
属板と共に第１シャーシにネジ止めする。
【０００５】このため、前記高周波回路基板は第１金属
板の外形より幅狭に、前記中間周波回路基板は第１金属
板の外形に対応する幅にそれぞれ形成する。
板の外形より幅狭に、前記中間周波回路基板は第１金属
板の外形に対応する幅にそれぞれ形成する。
【０００６】または、下面に高周波回路基板および中間
周波回路基板を配設し、高周波回路基板を導電性接着剤
で固着すると共に中間周波回路基板をネジ止めで取付け
た第２金属板と、上面を開口し開口の中間周波回路基板
に対応する周縁部に中間周波回路基板の板厚に対応する
段差を設けた箱体状の第２シャーシとを設け、第２金属
板を、高周波回路基板に対応する部分は直接、中間周波
回路基板に対応する部分は中間周波回路基板を挟んでそ
れぞれ第２シャーシの上面にネジ止めするようにする。
周波回路基板を配設し、高周波回路基板を導電性接着剤
で固着すると共に中間周波回路基板をネジ止めで取付け
た第２金属板と、上面を開口し開口の中間周波回路基板
に対応する周縁部に中間周波回路基板の板厚に対応する
段差を設けた箱体状の第２シャーシとを設け、第２金属
板を、高周波回路基板に対応する部分は直接、中間周波
回路基板に対応する部分は中間周波回路基板を挟んでそ
れぞれ第２シャーシの上面にネジ止めするようにする。
【０００７】あるいは、上面に中間周波回路基板を配設
すると共に下面に高周波回路基板を導電性接着剤で固着
した第３金属板と、上面を開口し、開口の底部に高周波
回路基板に対応する凹部を形成した第３シャーシと、第
３シャーシの開口に対応する外形で下面を開口した箱体
状の第２シールドケースとを設け、第３シャーシの開口
内に第３金属板を載置し、第３金属板上に第２シールド
ケースを装着し、第２シールドケースを中間周波回路基
板および第３金属板と共に第３シャーシにネジ止めする
ようにする。
すると共に下面に高周波回路基板を導電性接着剤で固着
した第３金属板と、上面を開口し、開口の底部に高周波
回路基板に対応する凹部を形成した第３シャーシと、第
３シャーシの開口に対応する外形で下面を開口した箱体
状の第２シールドケースとを設け、第３シャーシの開口
内に第３金属板を載置し、第３金属板上に第２シールド
ケースを装着し、第２シールドケースを中間周波回路基
板および第３金属板と共に第３シャーシにネジ止めする
ようにする。
【０００８】なお、前記高周波回路基板には高周波損失
の少ないセラミック基板を使用し、前記中間周波回路基
板にはガラス樹脂系基板を使用するようにする。
の少ないセラミック基板を使用し、前記中間周波回路基
板にはガラス樹脂系基板を使用するようにする。
【０００９】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を実施例に基づ
き図面を参照して説明する。図１は本発明によるマイク
ロ波装置の一実施例の要部断面図で、図の１はＬＮＢ等
のシャーシ（第１シャーシ）で、アルミダイキャスト等
で上面を開口した箱体状に形成する。２は金属板（第１
金属板）で、シャーシ１の開口に対応する外形に形成す
る。３および４は基板で、基板３は12GHz 帯等の信号増
幅回路、フィルタおよびミキサ等の高周波回路の基板
で、高周波損失の少ないセラミック基板等を使用し、最
小限の大きさに形成する。基板４はダウンコンバートさ
れた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等を含む中間
周波回路の基板で、ガラス樹脂系基板を使用する。５は
シールドケース（第１シールドケース）で、アルミダイ
キャスト等で下面を開口し箱体状に形成する。６および
７はシールドケース５、基板４および金属板２をシャー
シ１に締め付けるネジである。
き図面を参照して説明する。図１は本発明によるマイク
ロ波装置の一実施例の要部断面図で、図の１はＬＮＢ等
のシャーシ（第１シャーシ）で、アルミダイキャスト等
で上面を開口した箱体状に形成する。２は金属板（第１
金属板）で、シャーシ１の開口に対応する外形に形成す
る。３および４は基板で、基板３は12GHz 帯等の信号増
幅回路、フィルタおよびミキサ等の高周波回路の基板
で、高周波損失の少ないセラミック基板等を使用し、最
小限の大きさに形成する。基板４はダウンコンバートさ
れた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等を含む中間
周波回路の基板で、ガラス樹脂系基板を使用する。５は
シールドケース（第１シールドケース）で、アルミダイ
キャスト等で下面を開口し箱体状に形成する。６および
７はシールドケース５、基板４および金属板２をシャー
シ１に締め付けるネジである。
【００１０】図２は図１に示すマイクロ波装置の要部分
解斜視図で、図に示すように、金属板２の上面に基板３
および基板４を載置し、シャーシ１の開口11の中に置
き、シールドケース５を乗せ、シャーシ１にネジ止めす
る。基板３は基材がセラミックで、硬くてもろく、ネジ
止めが困難なため、導電性接着剤を用いて金属板２に固
着する。このため、基板３を金属板２の外形より幅狭に
形成し、シールドケース５の開口内に収まるようにす
る。基板４は金属板２の外形に対応する幅に形成し、シ
ールドケース５と金属板２とで挟みながらシャーシ１に
ネジ７で取付ける。このため、シールドケース５の開口
端に基板４の板厚に対応する段差12を設け、シールドケ
ース５の開口端の全周をシャーシ１に当接させ、基板３
および４を電磁遮蔽する。
解斜視図で、図に示すように、金属板２の上面に基板３
および基板４を載置し、シャーシ１の開口11の中に置
き、シールドケース５を乗せ、シャーシ１にネジ止めす
る。基板３は基材がセラミックで、硬くてもろく、ネジ
止めが困難なため、導電性接着剤を用いて金属板２に固
着する。このため、基板３を金属板２の外形より幅狭に
形成し、シールドケース５の開口内に収まるようにす
る。基板４は金属板２の外形に対応する幅に形成し、シ
ールドケース５と金属板２とで挟みながらシャーシ１に
ネジ７で取付ける。このため、シールドケース５の開口
端に基板４の板厚に対応する段差12を設け、シールドケ
ース５の開口端の全周をシャーシ１に当接させ、基板３
および４を電磁遮蔽する。
【００１１】図３は本発明によるマイクロ波装置の他の
実施例の要部断面図で、21は上面を開口した箱体状のア
ルミダイキャスト等のシャーシ（第２シャーシ）、22は
金属板（第２金属板）、23および24はネジである。金属
板22の下面に基板３を導電性接着剤を用いて固着し、基
板４をネジ23で取付ける。図１と同様、基板３は金属板
22の外形より幅狭に形成する。シャーシ21の開口に金属
板22の外形に対応する段差を設け、この段差を基板４に
対応する部分は基板４の板厚に対応させて深くする。こ
れにより、基板３に対応する部分（周縁部）では金属板
22をシャーシ21に直接ネジ止めし、基板４に対応する部
分では基板４を挟んで金属板22をシャーシ21にネジ止め
する。この例の場合、金属板22とシャーシ21とで基板３
および４を電磁遮蔽するのでシールドケースは不要であ
る。
実施例の要部断面図で、21は上面を開口した箱体状のア
ルミダイキャスト等のシャーシ（第２シャーシ）、22は
金属板（第２金属板）、23および24はネジである。金属
板22の下面に基板３を導電性接着剤を用いて固着し、基
板４をネジ23で取付ける。図１と同様、基板３は金属板
22の外形より幅狭に形成する。シャーシ21の開口に金属
板22の外形に対応する段差を設け、この段差を基板４に
対応する部分は基板４の板厚に対応させて深くする。こ
れにより、基板３に対応する部分（周縁部）では金属板
22をシャーシ21に直接ネジ止めし、基板４に対応する部
分では基板４を挟んで金属板22をシャーシ21にネジ止め
する。この例の場合、金属板22とシャーシ21とで基板３
および４を電磁遮蔽するのでシールドケースは不要であ
る。
【００１２】図４は本発明によるマイクロ波装置の他の
実施例の要部断面図で、31は上面を開口した箱体状のア
ルミダイキャスト等のシャーシ（第３シャーシ）、32は
金属板（第３金属板）、33はシールドケース（第２シー
ルドケース）、34はシャーシ31の開口の底部に形成した
凹部、35はネジである。金属板32の下面に導電性接着剤
を用いて基板３を固着し、上面に基板４を載置し、シャ
ーシ31の開口内に置き、シールドケース33を乗せ、ネジ
35で基板４および金属板32を挟んでシャーシ31にネジ止
めする。シャーシ31の底部の凹部34は基板３に接触しな
い広さに形成する。
実施例の要部断面図で、31は上面を開口した箱体状のア
ルミダイキャスト等のシャーシ（第３シャーシ）、32は
金属板（第３金属板）、33はシールドケース（第２シー
ルドケース）、34はシャーシ31の開口の底部に形成した
凹部、35はネジである。金属板32の下面に導電性接着剤
を用いて基板３を固着し、上面に基板４を載置し、シャ
ーシ31の開口内に置き、シールドケース33を乗せ、ネジ
35で基板４および金属板32を挟んでシャーシ31にネジ止
めする。シャーシ31の底部の凹部34は基板３に接触しな
い広さに形成する。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によるマ
イクロ波装置によれば、高周波特性は優れているがネジ
止めができず、コストのかかる導電性接着剤による接着
が必要なセラミック基板は高周波回路部分のみに使用
し、高周波回路以外の部分はセラミック基板より取扱い
が容易なガラス樹脂系基板を用いるのでコストを低減で
き、同時に、取付けに難のあるセラミック基板は面積が
小さいので接着剤による固着が容易で、安価でかつ組立
てやすいものとなる。
イクロ波装置によれば、高周波特性は優れているがネジ
止めができず、コストのかかる導電性接着剤による接着
が必要なセラミック基板は高周波回路部分のみに使用
し、高周波回路以外の部分はセラミック基板より取扱い
が容易なガラス樹脂系基板を用いるのでコストを低減で
き、同時に、取付けに難のあるセラミック基板は面積が
小さいので接着剤による固着が容易で、安価でかつ組立
てやすいものとなる。
【図１】本発明によるマイクロ波装置の一実施例の要部
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の要部分解斜視図である。
【図３】本発明によるマイクロ波装置の他の実施例の要
部断面図である。
部断面図である。
【図４】本発明によるマイクロ波装置の他の実施例の要
部断面図である。
部断面図である。
【図５】従来のマイクロ波装置の一例の要部断面図であ
る。
る。
１、21、31、41 シャーシ ２、22、32 金属板 ３ 基板（高周波回路部） ４ 基板（中間周波回路部） ５、33、43 シールドケース 11 開口 ６、７、23、24、35、44 ネジ 34 凹部
Claims (5)
- 【請求項１】 上面に開口を形成した第１シャーシと、
上面に高周波回路基板および中間周波回路基板を配設
し、高周波回路基板を導電性接着剤で固着し、前記第１
シャーシの開口に対応する外形に形成した第１金属板
と、前記第１シャーシの開口に対応する外形で下面を開
口した箱体状の第１シールドケースとを設け、前記第１
シャーシの開口内に第１金属板を載置し、第１金属板上
に第１シールドケースを装着し、第１シールドケース
を、前記高周波回路基板に対応する部分は第１金属板と
共に第１シャーシにネジ止めし、前記中間周波回路基板
に対応する部分は中間周波回路基板および第１金属板と
共に第１シャーシにネジ止めするようにしたマイクロ波
装置。 - 【請求項２】 前記高周波回路基板は前記第１金属板の
外形より幅狭に、前記中間周波回路基板は前記第１金属
板の外形に対応する幅にそれぞれ形成するようにした請
求項１記載のマイクロ波装置。 - 【請求項３】 下面に高周波回路基板および中間周波回
路基板を配設し、高周波回路基板を導電性接着剤で固着
すると共に中間周波回路基板をネジ止めで取付けた第２
金属板と、上面を開口し開口の前記中間周波回路基板に
対応する周縁部に中間周波回路基板の板厚に対応する段
差を設けた箱体状の第２シャーシとを設け、前記第２金
属板を、高周波回路基板に対応する部分は直接、中間周
波回路基板に対応する部分は中間周波回路基板を挟んで
それぞれ第２シャーシの上面にネジ止めするようにした
マイクロ波装置。 - 【請求項４】 上面に中間周波回路基板を配設すると共
に下面に高周波回路基板を導電性接着剤で固着した第３
金属板と、上面を開口し、開口の底部に前記高周波回路
基板に対応する凹部を形成した第３シャーシと、第３シ
ャーシの開口に対応する外形で下面を開口した箱体状の
第２シールドケースとを設け、前記第３シャーシの開口
内に前記第３金属板を載置し、第３金属板上に第２シー
ルドケースを装着し、第２シールドケースを中間周波回
路基板および第３金属板と共に第３シャーシにネジ止め
するようにしたマイクロ波装置。 - 【請求項５】 前記高周波回路基板はセラミック基板を
使用し、前記中間周波回路基板はガラス樹脂系基板を使
用するものでなる請求項１、２、３または４記載のマイ
クロ波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25521197A JPH1198035A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マイクロ波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25521197A JPH1198035A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マイクロ波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1198035A true JPH1198035A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17275571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25521197A Pending JPH1198035A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マイクロ波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1198035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031812A (ja) * | 2008-10-06 | 2009-02-12 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | 電子鍵盤楽器の電子部品取付構造 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25521197A patent/JPH1198035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031812A (ja) * | 2008-10-06 | 2009-02-12 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | 電子鍵盤楽器の電子部品取付構造 |
| JP4551954B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2010-09-29 | 株式会社河合楽器製作所 | 電子鍵盤楽器の電子部品取付構造 |
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