JPH1174670A

JPH1174670A - 高周波複合回路ブロック

Info

Publication number: JPH1174670A
Application number: JP9234629A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Toda; 浩文戸田; Katsuro Nakamata; 克朗中俣; Shinji Isoyama; 伸治磯山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-16
Anticipated expiration: 2017-08-29
Also published as: JP3667948B2

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の回路機能を１ブロック内に内蔵するにあ
たって問題となる回路干渉を防ぎ、さらに基板強度を向
上できる高周波複合回路ブロックを提供する。【解決手段】絶縁層１０ａ〜１０ｈを複数積層してなる
絶縁基体１と、この絶縁基体１内に形成された複数の回
路機能Ｘ、Ｙとを具備してなる高周波複合回路ブロック
であって、回路機能Ｘ、Ｙ間に、相互の干渉を防止する
ためのシールド壁１７を絶縁層１０ａ〜１０ｈの積層方
向に形成してなり、該シールド壁１７に、短辺の長さＬ
が高周波信号の波長λの１／４０以下の長方形状の開口
部１９を形成してなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路機能を
有する高周波複合回路ブロックに係わり、例えば、電圧
制御発振器（ＶＣＯ）、ミキサ部、フィルター素子、発
振子、コイル、コンデンサ等の回路機能が内部に複数形
成された高周波複合回路ブロックに関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進
んでおり、それに用いられる回路基板もその動向に呼応
する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、複合化が押し
進められている。

【０００３】特に携帯通信等の高周波を利用した通信機
器においては、セラミックスの優れた誘電特性等と多層
化技術からセラミック回路基板が従来より多用されてお
り、近年では、回路基板を単一機能のものから複合化す
ることが求められてきている。例えば、電圧制御発振器
（ＶＣＯ）はセラミック基板内部にストリップラインを
設けて形成しているが、更にセラミック基板の集積度を
あげる目的で、同一基板内にミキサ部を取り込んで１ブ
ロック化しようとする動向がある。即ち、高周波複合回
路基板内に、電圧制御発振器とミキサ部の２つの回路機
能を形成しようとするものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電圧制
御発振器のような高周波領域において用いられる発信回
路は、他の回路機能であるミキサ部からのノイズの影響
を受け易いという問題があった。即ち、電圧制御発振器
とミキサ部が同一基板内に形成される場合には、電圧制
御発振器がミキサ部の影響を受け、発振器としての性能
が劣化するという問題があった。

【０００５】このような問題を解決するために、電圧制
御発振器からミキサ部を離して形成することが考えられ
るが、この方法では、近年における小型化の要求に対し
て逆行するという問題があった。

【０００６】そこで、本出願人は、同一基板内に内蔵し
た電圧制御発振器とミキサ部との間に、シールド壁を基
板の厚み方向に形成した高周波複合回路ブロックについ
て出願した（特願平７−２８３８２９号）。

【０００７】この高周波複合回路ブロックでは、電圧制
御発振器とミキサ部との干渉を有効に防止することがで
きる。しかしながら、シールド壁を基板の厚み方向に形
成したため、そのシールド壁の存在によりシールド壁両
側のセラミック同士の接合力が弱くなり、高周波複合回
路ブロックの強度が低下するという問題があった。

【０００８】本発明は上記問題を解決するものであり、
その目的は、複数の回路機能を１ブロック内に内蔵する
にあたって問題となる回路干渉を防ぎ、さらに基板強度
を向上できる高周波複合回路ブロックを提供するもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波複合回路
ブロックは、絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、こ
の絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備して
なる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間
に、相互の干渉を防止するためのシールド壁を前記絶縁
層の積層方向に形成してなり、該シールド壁に、短辺の
長さが高周波信号の波長λの１／４０以下の長方形状の
開口部を形成してなるものである。

【００１０】

【作用】本発明によれば、複数の回路機能を同一基板内
に一体化形成するにあたって、回路機能間にシールド壁
を形成することにより、小型化を阻害せずに回路機能間
の干渉を防止することができる。また、シールド壁の形
成位置により、外部からのノイズやブロック表面に搭載
された電子部品からのノイズも阻止することが可能とな
る。

【００１１】そして、本発明では、シールド壁に開口部
を形成したので、シールド壁の両側に存在する絶縁層、
例えばセラミック同士の接合を開口部を介して行うこと
ができ、シールド機能を維持したまま、基板等のブロッ
クの強度を向上することができる。特に、高周波複合回
路ブロックを、複数の領域に分割するようにシールド壁
を形成した場合に、強度を向上することができるので有
効である。

【００１２】さらに、長方形状の開口部の短辺の長さＬ
を高周波信号の波長λの１／４０以下とすることによ
り、シールド効果を高く維持した状態で、基板強度を大
きく向上できる。

【００１３】従来のセラミック多層回路基板の製造方法
は、ガラスセラミックスやセラミックス等の原料を含有
するグリーンシートを作成し、次に、グリーンシートに
ビアーホール導体となる位置にＮＣパンチや金型などで
ビアホール用貫通孔を形成し、次に内部配線のパターン
及びビアーホール導体に応じてグリーンシート上に導電
性ペーストを印刷・充填し、次に、これらのシートを複
数積層し、この積層体を一括同時焼成する、いわゆるグ
リーンシート積層方式によるものであった。

【００１４】しかしながら、このグリーンシート積層方
式による製造方法にて積層方向にシールドを形成しよう
とすると、絶縁層となるグリーンシートを作製したのち
に、ＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成し
なくてはならず、グリーンシートを次工程以降で取り扱
うことが困難であった。更に、理想的にはシールドは面
方向に閉ループ状態にしたいが、それに対応するために
ＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成するこ
とは不可能であった。

【００１５】そこで、本発明の高周波複合回路ブロック
は、光硬化可能なモノマーを含有するスリップ材で絶縁
層成形体を作成し、露光・現像処理を施した絶縁層成形
体を焼成することにより、シールド壁を絶縁層の積層方
向に形成し、しかも、シールド壁に開口部を容易に形成
することができ、回路機能間の干渉や外部からのノイズ
を遮断できるとともに、基板強度を向上できるのであ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の高周波複合回路基板を図
面を用いて詳細に説明する。図１および図２は本発明の
高周波複合回路ブロックを示すもので、これらの図で
は、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙの２つの回路機能を
有するブロックが複合化されている。図において、符号
１は絶縁基体を示している。この絶縁基体１は誘電体と
しての機能を有するものである。

【００１７】この絶縁基体１には、入出力端子、電源端
子、グランド端子等の端面電極２が形成されている。こ
の端面電極２はリード端子として形成しても良い。この
絶縁基体１の表面には表面電極３が形成されており、こ
の表面電極３には厚膜抵抗体４、抵抗器、コンデンサ等
のチップ部品６が接続されている。さらに、絶縁基体１
にはキャビティ部が形成され、このキャビティ部には半
導体ベアチップ７が配置され、この半導体ベアチップ７
はワイヤを介して表面電極３に接続されている。

【００１８】絶縁基体１は、図２に示すように、絶縁層
１０ａ〜１０ｈを複数積層して構成され、また、内部配
線１１やビアホール導体１３、チップ部品６、半導体ベ
アチップ７等により２つの回路機能Ｘ、Ｙが形成されて
いる。本発明の複数の回路機能とは、一つの回路機能が
他方の回路機能に影響を及ぼす虞があるものであれば、
どのようなものであっても良く、回路機能としては、例
えば、フィルター素子、発振子、コイル、コンデンサ等
それぞれが単独の場合もあるが、これらの複数の組み合
わせからなる場合もある。図２においては、電圧制御発
振器Ｘとミキサ部Ｙを図示した。

【００１９】絶縁層１０ａ〜１０ｈはガラスセラミック
スまたはセラミックスからなるものである。絶縁層１０
ａ〜１０ｈの厚みは４０〜１５０μｍとされている。こ
のような複数の絶縁層１０ａ〜１０ｈ間に形成されてい
る内部配線１１は、金系、銀系、銅系の金属材料からな
るものである。

【００２０】また、絶縁層１０ａ〜１０ｈ間の内部配線
１１は、絶縁層１０ａ〜１０ｈの厚み方向に形成された
ビアホール導体１３によって接続されているものもあれ
ば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。
このビアホール導体１３も内部配線１１と同様に金系、
銀系、銅系の金属材料からなるものである。

【００２１】そして、絶縁基体１には、電圧制御発振器
Ｘとミキサ部Ｙの二つの回路機能の間に、絶縁層１０ａ
〜１０ｈの積層方向にシールド壁１７が形成されてい
る。このシールド壁１７は、ビアホール導体１３と同様
に金系、銀系、銅系の金属材料からなるもので、本実施
例では銀系導体を用いた。

【００２２】このシールド壁は１７は、図２に示すよう
に電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙとの間を遮断して形成
されている。回路機能Ｘのシールドを、図３（ａ）に示
すように、シールド壁１７と端面電極２ａにより行って
いる。即ち、シールド壁１７により電圧制御発振器Ｙと
のシールドを、端面電極２ａにより外部とのシールドを
行っている。

【００２３】このシールド壁１７には開口部１９が形成
されている。この開口部１９は、図３（ｂ）に示すよう
な長方形状とされ、その短辺Ｌは、高周波信号（使用周
波数）の波長λの１／４０以下とされている。

【００２４】尚、この実施例では、回路機能Ｘを挟持す
るように、シールド壁１７と端面電極２ａを対向して形
成した例について説明したが、図４に示すように、端面
電極２ａの代わりに絶縁基体１内にシールド壁１７を形
成し、シールド壁１７により回路機能Ｘを挟持するよう
にしても良い。

【００２５】また、図５に示すように回路機能を取り囲
むように閉ループ状のシールド壁１７を形成しても良
い。このような面方向に閉ループ状のシールド壁１７を
形成することにより、電磁波等の侵入、放出をより確実
に遮断することができる。

【００２６】さらに、図４および図５において、上下に
図３の内部配線１１ａ、１１ｂに相当するような内部配
線を接続し、シールド壁１７と内部配線により絶縁層の
面方向に閉ループ状のシールド壁１７を形成しても良い
ことは勿論である。この場合には、さらに電磁波等の侵
入、放出を確実に遮断することができる。

【００２７】さらに、シールド壁１７には、図６（ａ）
に示すように横方向に長い長方形状の開口部、（ｂ）に
示すように上下に形成された長方形状のスリットからな
る開口部、（ｃ）に示すようにシールド壁１７を左右に
分割する溝状の開口部、（ｄ）に示すようにシールド壁
１７を上下に分割する溝状の開口部であっても良いが、
この場合でも、長方形状の開口部の短辺の長さＬが高周
波信号の波長λの１／４０以下とすることが必要であ
る。シールド壁１７には複数の開口部１９を設けても良
いことは勿論である。

【００２８】本発明は、図７に示すように、高周波複合
回路ブロックを完全に分割するように、シールド壁を形
成した場合に、特に強度向上の効果が顕著である。

【００２９】次に、本発明の高周波複合回路ブロックの
製造方法について説明する。先ず、絶縁層１０ａ〜１０
ｈとなるスリップ材を作成する。

【００３０】スリップ材は、例えば、セラミック原料粉
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで約４８時間混練して作製される。

【００３１】セラミック原料粉末としては、金属元素と
して少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複合酸化物
であって、その金属元素酸化物による組成式を（１−
ｘ）ＭｇＴｉＯ₃−ｘＣａＴｉＯ₃（但し、式中ｘは重
量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される主成
分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ₂Ｏ₃換
算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカ
リ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有してなるも
のが用いられる。

【００３２】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作成しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材を作成しても構わない。

【００３３】セラミック原料粉末としては、ガラス材料
であるＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ₂Ｏ
₃を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量％とセラミ
ック材料であるアルミナ粉末３０重量％とからなるもの
用いられる。

【００３４】また、ビアホール導体１３、内部配線１１
およびシールド壁１７となる導電性ペーストを作成す
る。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料
である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えば
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ₂Ｏ₃
−ＳｉＯ₂ガラス、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロー
スとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−
１，３−ペンタジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、
３本ローラーにより均質混練して作成される。

【００３５】次に、図８（ａ）に示すように、まず、絶
縁層用スリップ材を、支持基板３３上に、上述のスリッ
プをドクターブレード法によって塗布し、乾燥して、絶
縁層１０ｈとなる絶縁層成形体３５ｈを形成する。支持
基板３３としてマイラーフイルムを用い、この支持基板
３３は焼成工程前に取り外される。塗布後の乾燥条件は
６０〜８０℃で２０分乾燥であり、薄層化・乾燥された
絶縁層成形体３５ｈの厚みは４０μｍである。

【００３６】この絶縁成形体３５ｈにはビアーホル導体
が形成されないため、直ちに、図２中の内部配線１１ａ
となる内部配線パターンの印刷・乾燥を行う。具体的に
は、図８（ｂ）に示すように上述の導電性ペーストを所
定配線パターンの形成可能なスクリーン（図示せず）を
介して、印刷・乾燥することにより、内部配線パターン
３６ａが形成される。

【００３７】次に、下から２層目となる絶縁層１０ｇを
形成する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、絶縁
層１０ｇとなる絶縁層成形体３５ｇを、絶縁層成形体３
５ｈ上の内部配線パターン３６ａを全て被覆するよう
に、絶縁層成形体３５ｈと同様に塗布・乾燥により形成
する。

【００３８】この後、絶縁層成形体３５ｇにシールド用
貫通溝及びビアホール用貫通孔の形成を行う。シールド
用貫通溝及びビアホール用貫通孔は、露光処理、現像処
理、洗浄・乾燥処理により形成される。尚、シールド壁
及びビアホール導体の形成の不要な絶縁層については、
この貫通溝、孔の形成、そして次に続く導電性ペースト
の充填工程は省略される。

【００３９】露光処理は、具体的には、図８（ｄ）に示
すように、絶縁層成形体３５ｇ上にシールド用貫通溝及
びビアホール用貫通孔が形成される領域が遮光されるよ
うなフォトターゲット３７を載置して、超高圧水銀灯
（１０ｍＷ／ｃｍ²）を光源として用いて露光を行な
う。

【００４０】露光処理は、例えば、フォトターゲット３
７を絶縁基板上に近接または載置して、貫通溝、孔以外
の領域に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照
射する。これにより、貫通溝、孔以外の領域では、光硬
化可能なモノマーが光重合反応を起こす。従って、貫通
溝、孔部分のみが現像処理によって除去可能な溶化部と
なる。尚、実際には、フォトターゲット３７を絶縁層成
形体に接触させて露光した方が露光精度は向上する。ま
た、最適露光時間は絶縁層成形体の厚み、シールド用貫
通溝の幅、ビアホール用貫通孔の直径などで決まる。露
光装置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なもので
よい。

【００４１】これにより、シールド用貫通溝及びビアホ
ール用貫通孔が形成される領域の絶縁層成形体３５ｇに
おいては、光硬化可能なモノマの光重合反応がおこら
ず、貫通溝、孔が形成される領域以外の絶縁層成形体３
５ｇにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反
応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こ
らない部位を溶化部という。尚、４０μｍ程度の絶縁層
成形体３５ｇは、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ²）を
５〜１０秒程度照射すれば露光を行うことができる。

【００４２】現像処理は、フォトターゲット３７を除去
した後、絶縁層成形体３５ｇの溶化部をスプレー現像法
やパドル現像法によって、現像液で除去するもので、具
体的には１，１，１−トリクロロエタンを用いてスプレ
ー法で現像を行う。その後、必要に応じて洗浄及び乾燥
を行ない、図８（ｅ）に示すように、シールド用貫通溝
３８およびビアホール用貫通孔３９を形成する。

【００４３】次に、シールド壁及びビアホール導体とな
る導体部材を、絶縁層成形体に形成されたシールド用貫
通溝３８およびビアホール用貫通孔３９に導電性ペース
トを充填し、乾燥することにより形成する。充填方法
は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。具体的には、
上述の工程で形成したシールド用貫通溝３８およびビア
ホール用貫通孔３９内に上述の導電性ペーストを充填
し、乾燥する。シールド用貫通溝３８およびビアホール
用貫通孔３９に相当する部位のみに印刷可能なスクリー
ンを用いて、印刷によってビアホール導体１３及びシー
ルド壁１７となる導体部材を形成し、その後、５０℃に
おいて１０分乾燥する。

【００４４】次に、絶縁層成形体３５ｇの表面に内部配
線１１となるパターンを導電性ペーストを用いて印刷・
乾燥して形成する。印刷方法は、例えばスクリーン印刷
方法で行なう。具体的には、図８（ｆ）に示すように、
絶縁層１０ｇと絶縁層１０ｆとの間に配置される内部配
線１１を、絶縁層成形体３５ｈ上に形成した内部配線パ
ターン３６ａと同様のスクリーン印刷法にて形成し、乾
燥し、内部配線パターン３６を形成する。

【００４５】そして、図９に示すように、絶縁層用スリ
ップ材の塗布・乾燥工程を繰り返し、下から３層目の絶
縁層成形体を形成する。即ち、絶縁層１０ｆとなる絶縁
層成形体３５ｆを塗布・印刷して形成し、さらに露光・
現像処理によりシールド用貫通溝３８を形成し、シール
ド壁１７となる導電性ペーストを印刷充填し、内部配線
１１となる内部配線パターン３６の形成を繰り返す。こ
のような工程を繰り返して最上層の絶縁層成形体３５ａ
を形成し、露光・現像処理により貫通溝、孔を形成し、
導電性ペーストを印刷充填して、図８に示すような８層
の絶縁層を有する積層成形体４１を形成する。

【００４６】尚、シールド壁１７の開口部１９は、開口
部１９の形成部分の絶縁層成形体を光重合反応させ、除
去しないようにすることにより容易に作製できる。

【００４７】この後、表面電極３となる導体膜を最上層
の絶縁層成形体３５ａの表面に印刷・乾燥により形成す
る。これは、各絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈ、内部配線
１１となる配線パターン３６、ビアホール導体１３およ
びシールド壁１７となる導体部材の一括焼成時に、表面
電極３となる導体膜をも一括的に焼成しようとするもの
である。

【００４８】次に、必要に応じて、積層成形体４１の形
状をプレスで整えたり、分割溝を形成したり、また、支
持基板３３を取り外す。

【００４９】次に、焼成を行う。焼成は、脱バインダー
工程と、本焼成工程からなる。脱バインダー工程は、概
ね６００℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体３５ａ
〜３５ｈ及び内部配線パターン３６、導体部材に含まれ
ている有機バインダ、光硬化可能なモノマを消失する過
程であり、本焼成工程は、ピーク温度８５０〜１０５０
℃、例えば、ピーク温度９００℃で３０分焼成する。

【００５０】これにより、図２に示したように、８層の
絶縁層１０ａ〜１０ｈからなる絶縁基体１内に、シール
ド壁１７、内部配線１１、ビアホール導体１３が形成さ
れ、さらに、表面電極３が形成された高周波複合回路ブ
ロックが得られる。

【００５１】その後、表面処理として、さらに、厚膜抵
抗体４や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さ
らに半導体ベアチップ７やチップ部品６の接合を行う。

【００５２】尚、図１においては、絶縁基体１の上面側
のみに表面電極３、厚膜抵抗体４、チップ部品６が形成
されているが、絶縁基体１の下面側にも形成してもよ
い。この時に、高周波複合回路ブロックの製造方法とし
ては、絶縁体成形体３５ｈを塗布・乾燥後、下面側に延
びるビアホール導体を形成するために、露光・現像処理
を行う必要がある。

【００５３】また、表面電極３は、絶縁層１０ａ〜１０
ｈの焼成された積層体の表面に、印刷・乾燥し、所定雰
囲気で焼きつけを行っても構わない。例えば、内部配線
１１にＡｇ系導体を用い、表面電極３としてＣｕ系導体
を用いる場合、絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈと内部配線
１１の配線パターンからなる積層成形体を、酸化性雰囲
気又は中性雰囲気で焼成し、焼成された積層体の表面
に、Ｃｕ系導体の印刷・乾燥を行い、中性雰囲気又は還
元性雰囲気において７８０℃（ＡｇとＣｕの共晶点）以
下の温度で焼成する。

【００５４】また、支持基板３３がアルミナセラミック
基板を用いた場合には、焼成前に取り外すことなく、多
層セラミック回路基板の下部層としてそのまま残存させ
ても構わない。この場合、支持基板３３であるアルミナ
セラミック基板にビアホール導体や内部配線パターンを
予め形成しても良い。

【００５５】このような製造方法によれば、ビアホール
導体１３となる貫通孔が、フォトターゲット３７を用い
て、露光・現像処理によって作成されるために、フォト
ターゲット３７のパターンによっては、複数種類の径の
貫通穴を任意に形成するとことができる。これは、例え
ば、多層セラミック回路基板中にアース導体の内部配線
を用いる場合、導電率を考慮して、孔径を任意に設定で
きるため極めて有益である。

【００５６】また、従来の製造方法、即ち、金型やＮＣ
パンチの打ち抜きや、スリップ材の印刷パターンによる
接続では得ることができない径、例えば８０μｍで、さ
らに相対位置精度の高い貫通穴の形成が可能であるた
め、高密度の内部配線パターンを有する多層セラミック
回路基板を容易に製造できる。

【００５７】また、絶縁層となるスリップ材の塗布によ
り絶縁層成形体が形成されるため、絶縁層成形体の表面
が、内部配線の配線パターンの積層状態にかかわらず、
常に平面状態が維持でき、絶縁層成形体上に配線パター
ンを形成するにあたって、非常に精度が高くなる。

【００５８】上述の実施例では、内部配線１１として、
Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系の低融点金属材料を用いた低温
焼成複合回路ブロックで説明したが、内部配線１１とし
て、タングステン、モリブデンなどの高融点金属材料が
用いた、１３００℃前後で焼成される複合回路ブロック
であっても構わない。

【００５９】

【実施例】本発明の高周波複合回路ブロックの開口部を
有するシールド壁のシールド効果を電磁場解析を用いて
確認した。先ず、図１０（ａ）に示すように、厚み１ｍ
ｍ、長さ９ｍｍの基板上下面にグランド層５０を形成
し、基板内に幅ａが０．１ｍｍの２条のストリップライ
ン５１を設け、それらの間に、厚みｂが０．２ｍｍのシ
ールド壁５３を設け、シールド壁５３とストリップライ
ン５１との間の距離ｃを０．２ｍｍに設定した。この基
板の誘電率は１９、誘電体のＱｆを１６０００とした。

【００６０】そして、図１０（ｂ）に示すように、シー
ルド壁５３の開口部５５の短辺の長さＬを、表１に示す
ように、高周波信号（周波数３ＧＨｚ）の波長λの１／
２０である１．８ｍｍ、１／４０である０．９ｍｍ、１
／８０である０．４５ｍｍに設定し、この場合の２条の
ストリップライン５１間のアイソレーションＳ２１を求
め、表１に記載した。またシールド壁が形成されない場
合についても解析し、表１に記載した。

【００６１】

【表１】

【００６２】この表１より、シールド壁に、開口部の短
辺の長さＬが、高周波信号の波長λの１／４０以下であ
る場合には、０〜３ＧＨｚまでの範囲においてシールド
効果として充分である３０ｄＢ以上を有しており、優れ
たシールド効果を有することが判る。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、複数の回路機能間の干
渉を、小型化を阻害せずに防止することができる。ま
た、シールド壁に開口部を設けることにより回路機能間
の干渉を防止できるとともに、基板強度を向上すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波複合回路ブロックの斜視図
である。

【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。

【図３】図２におけるシールド構造を示す説明図であ
る。

【図４】シールド構造の他の例を示す説明図である。

【図５】シールド構造のさらに他の例を示す説明図であ
る。

【図６】シールド壁に形成された開口部を示す説明図で
ある。

【図７】高周波複合回路ブロックを２分割するシールド
壁を形成した図である。

【図８】本発明の高周波複合回路ブロックの製造方法を
説明する工程図である。

【図９】本発明の高周波複合回路ブロックの積層成形体
を示す断面図である。

【図１０】解析のために用いた高周波複合回路ブロック
を説明するための図面である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基体２・・・端面電極３・・・表面電極４・・・厚膜抵抗体６・・・チップ部品７・・・半導体ベアチップ１０ａ〜１０ｈ・・・絶縁層１１・・・内部配線１３・・・ビアホール導体１７、５３・・・シールド壁１９、５５・・・開口部３５ａ〜３５ｈ・・・絶縁層成形体３６・・・内部配線パターン３７・・・フォトターゲット４１・・・積層成形体Ｘ、Ｙ・・・回路機能

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年１０月２４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６０】そして、図１０（ｂ）に示すように、シー
ルド壁５３の開口部５５の短辺の長さＬを、表１に示す
ように、高周波信号（周波数２ＧＨｚ）の波長λの１／
２０である１．８ｍｍ、１／４０である０．９ｍｍ、１
／８０である０．４５ｍｍに設定し、この場合の２条の
ストリップライン５１間のアイソレーションＳ２１を求
め、表１に記載した。またシールド壁が形成されない場
合についても解析し、表１に記載した。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、こ
の絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備して
なる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間
に、相互の干渉を防止するためのシールド壁を前記絶縁
層の積層方向に形成してなり、該シールド壁に、短辺の
長さが高周波信号の波長λの１／４０以下の長方形状の
開口部を形成してなることを特徴とする高周波複合回路
ブロック。