JPH1174438A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH1174438A JPH1174438A JP36224197A JP36224197A JPH1174438A JP H1174438 A JPH1174438 A JP H1174438A JP 36224197 A JP36224197 A JP 36224197A JP 36224197 A JP36224197 A JP 36224197A JP H1174438 A JPH1174438 A JP H1174438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- plating film
- base material
- composition
- alloy plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた耐蝕性を有し、その製作が簡単で安価な
リードフレームを提供する。 【解決手段】所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合
金製基材の全表面に直接、20/80≦Pd/Ni≦9
0/10(重量比)の組成を有し且つ0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮
膜を形成した。
リードフレームを提供する。 【解決手段】所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合
金製基材の全表面に直接、20/80≦Pd/Ni≦9
0/10(重量比)の組成を有し且つ0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮
膜を形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば集積回路にお
ける構成素子の接続用部材として使用されるリードフレ
ームに関する。リードフレームは一般に、所定形状に打
抜き加工した、インナーリード部とアウターリード部と
を有するFe−Ni系合金製基材の表面にはんだ付け用
及び耐蝕用のめっき皮膜を形成したものである。本発明
は、かかるリードフレームの改良に関する。
ける構成素子の接続用部材として使用されるリードフレ
ームに関する。リードフレームは一般に、所定形状に打
抜き加工した、インナーリード部とアウターリード部と
を有するFe−Ni系合金製基材の表面にはんだ付け用
及び耐蝕用のめっき皮膜を形成したものである。本発明
は、かかるリードフレームの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、上記のようなリードフレームとし
て、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合金製基材
の表面にSn−Pb合金めっき皮膜を形成したものが使
用されている。ところが、このリードフレームには、P
bによる環境汚染の問題がある。そこで、Pbに代わる
ものとしてPdが注目され、基材の表面に下地としてN
iめっき皮膜を施し、この下地の表面にPdめっき皮膜
を形成したもの(特開昭63−2358)、また基材の
表面に下地としてCuめっき皮膜及びNiめっき皮膜を
施し、かかる下地の表面にPdめっき皮膜を形成したも
の(特開平5−109958)が提案されている。とこ
ろが、これらのリードフレームには、表面のPdめっき
皮膜とその下地或は基材との間の自然電位差が大きいた
め、表面のPdめっき皮膜にピンホールがあると、そこ
に局部電池が形成され、結果として基材の腐食が促進さ
れるという問題がある。そこで更に、Pdに代わるもの
として下地或は基材との間の自然電位差が小さいPd−
Ni合金が注目され、表面にPdめっき皮膜を形成する
上記の場合を承けてこれと同様に、基材の表面に下地と
してNiめっき皮膜を施し、この下地の表面にPd−N
i合金めっき皮膜を形成したもの(特公昭63−493
82)、また基材の表面に下地としてCuめっき皮膜及
びNiめっき皮膜を施し、かかる下地の表面にPd−N
i合金めっき皮膜を形成したもの(特開平5−5542
9)が提案されている。ところが、これらのリードフレ
ームには、耐蝕性に優れるという利点を有するものの、
全体として片断面が基材及び下地を含め3層或は4層構
造であるため、その製作に手間がかかり、またその製作
費が嵩むという欠点がある。
て、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合金製基材
の表面にSn−Pb合金めっき皮膜を形成したものが使
用されている。ところが、このリードフレームには、P
bによる環境汚染の問題がある。そこで、Pbに代わる
ものとしてPdが注目され、基材の表面に下地としてN
iめっき皮膜を施し、この下地の表面にPdめっき皮膜
を形成したもの(特開昭63−2358)、また基材の
表面に下地としてCuめっき皮膜及びNiめっき皮膜を
施し、かかる下地の表面にPdめっき皮膜を形成したも
の(特開平5−109958)が提案されている。とこ
ろが、これらのリードフレームには、表面のPdめっき
皮膜とその下地或は基材との間の自然電位差が大きいた
め、表面のPdめっき皮膜にピンホールがあると、そこ
に局部電池が形成され、結果として基材の腐食が促進さ
れるという問題がある。そこで更に、Pdに代わるもの
として下地或は基材との間の自然電位差が小さいPd−
Ni合金が注目され、表面にPdめっき皮膜を形成する
上記の場合を承けてこれと同様に、基材の表面に下地と
してNiめっき皮膜を施し、この下地の表面にPd−N
i合金めっき皮膜を形成したもの(特公昭63−493
82)、また基材の表面に下地としてCuめっき皮膜及
びNiめっき皮膜を施し、かかる下地の表面にPd−N
i合金めっき皮膜を形成したもの(特開平5−5542
9)が提案されている。ところが、これらのリードフレ
ームには、耐蝕性に優れるという利点を有するものの、
全体として片断面が基材及び下地を含め3層或は4層構
造であるため、その製作に手間がかかり、またその製作
費が嵩むという欠点がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、表面にPd−Ni合金めっき皮膜を形成し
た従来のリードフレームでは、その製作に手間がかか
り、またその製作費が嵩む点である。
する課題は、表面にPd−Ni合金めっき皮膜を形成し
た従来のリードフレームでは、その製作に手間がかか
り、またその製作費が嵩む点である。
【0004】
【課題を解決するための手段】しかして本発明者は、上
記の課題を解決するべく研究した結果、意外にも、表面
にPd−Ni合金めっき皮膜を形成する場合には、それ
が特定組成を有し且つ特定膜厚を有するものであれば、
表面にPdめっき皮膜を形成する場合を承けてこれと同
様に下地を施す必要はなく、基材の表面に直接、Pd−
Ni合金めっき皮膜を形成しても、充分な耐蝕性を有す
る実用上支障のないリードフレームが得られることを知
見した。
記の課題を解決するべく研究した結果、意外にも、表面
にPd−Ni合金めっき皮膜を形成する場合には、それ
が特定組成を有し且つ特定膜厚を有するものであれば、
表面にPdめっき皮膜を形成する場合を承けてこれと同
様に下地を施す必要はなく、基材の表面に直接、Pd−
Ni合金めっき皮膜を形成しても、充分な耐蝕性を有す
る実用上支障のないリードフレームが得られることを知
見した。
【0005】すなわち本発明は、所定形状に打抜き加工
したFe−Ni系合金製基材の全表面に直接、20/8
0≦Pd/Ni≦90/10(重量比)の組成を有し且
つ0.02μm以上0.7μm未満の膜厚を有するPd−
Ni合金めっき皮膜を形成して成ることを特徴とするリ
ードフレームに係る。
したFe−Ni系合金製基材の全表面に直接、20/8
0≦Pd/Ni≦90/10(重量比)の組成を有し且
つ0.02μm以上0.7μm未満の膜厚を有するPd−
Ni合金めっき皮膜を形成して成ることを特徴とするリ
ードフレームに係る。
【0006】本発明において、基材はFe−Ni系合
金、代表的には42重量%程度のNiを含有するFe−
Ni系合金を所定形状に打抜き加工した、インナーリー
ド部とアウターリード部とを有するものである。またか
かる基材の全表面に直接形成したPd−Ni合金めっき
皮膜は、20/80≦Pd/Ni≦90/10(重量
比)の組成を有するものとするが、好ましくは60/4
0≦Pd/Ni≦80/20(重量比)の組成を有する
ものとする。Pd−Ni合金めっき皮膜の組成を、Pd
/Ni<20/80(重量比)にすると、はんだ付け性
が悪くなり、逆にPd/Ni>90/10(重量比)に
すると、耐蝕性が悪くなり、またそれだけ高価になる。
かかるPd−Ni合金めっき皮膜は、0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するものとするが、好ましく
は0.3〜0.6μmの膜厚を有するものとする。Pd
−Ni合金めっき皮膜の膜厚を、0.02μm未満にす
ると、耐蝕性が悪くなり、逆に0.7μm以上にする
と、曲げ加工時にクラックが入り易くなり、またそれだ
け高価になる。このようなPd−Ni合金めっき皮膜は
それ自体は公知の電気めっき法で形成することができ
る。通常、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合金
製基材を、必要に応じて表面粗さ調整した後、例えば電
解脱脂し、更に酸洗して活性化する。そしてこれを、P
dとNiをそれぞれ所定濃度で溶解したpH7.5〜
8.5程度のアルカリ性アンモニア浴に陰極として浸漬
し、液温30〜60℃、電流密度1〜10A/dm2で電
気めっきする。
金、代表的には42重量%程度のNiを含有するFe−
Ni系合金を所定形状に打抜き加工した、インナーリー
ド部とアウターリード部とを有するものである。またか
かる基材の全表面に直接形成したPd−Ni合金めっき
皮膜は、20/80≦Pd/Ni≦90/10(重量
比)の組成を有するものとするが、好ましくは60/4
0≦Pd/Ni≦80/20(重量比)の組成を有する
ものとする。Pd−Ni合金めっき皮膜の組成を、Pd
/Ni<20/80(重量比)にすると、はんだ付け性
が悪くなり、逆にPd/Ni>90/10(重量比)に
すると、耐蝕性が悪くなり、またそれだけ高価になる。
かかるPd−Ni合金めっき皮膜は、0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するものとするが、好ましく
は0.3〜0.6μmの膜厚を有するものとする。Pd
−Ni合金めっき皮膜の膜厚を、0.02μm未満にす
ると、耐蝕性が悪くなり、逆に0.7μm以上にする
と、曲げ加工時にクラックが入り易くなり、またそれだ
け高価になる。このようなPd−Ni合金めっき皮膜は
それ自体は公知の電気めっき法で形成することができ
る。通常、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合金
製基材を、必要に応じて表面粗さ調整した後、例えば電
解脱脂し、更に酸洗して活性化する。そしてこれを、P
dとNiをそれぞれ所定濃度で溶解したpH7.5〜
8.5程度のアルカリ性アンモニア浴に陰極として浸漬
し、液温30〜60℃、電流密度1〜10A/dm2で電
気めっきする。
【0007】所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合
金製基材の全表面に直接、20/80≦Pd/Ni≦9
0/10(重量比)の組成を有し且つ0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮
膜を形成した本発明に係るリードフレームは、優れた耐
蝕性を有し、全体としてその片断面が基材を含め2層構
造であるため、その製作が簡単であり、また基材の表面
に直接Pd−Ni合金めっき皮膜を形成するため、その
製作費が安く、実用に際してのはんだ付けや曲げ加工等
に支障がない。
金製基材の全表面に直接、20/80≦Pd/Ni≦9
0/10(重量比)の組成を有し且つ0.02μm以上
0.7μm未満の膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮
膜を形成した本発明に係るリードフレームは、優れた耐
蝕性を有し、全体としてその片断面が基材を含め2層構
造であるため、その製作が簡単であり、また基材の表面
に直接Pd−Ni合金めっき皮膜を形成するため、その
製作費が安く、実用に際してのはんだ付けや曲げ加工等
に支障がない。
【0008】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係るリードフレー
ムを例示する部分拡大縦断面図である。図示したリード
フレームは、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合
金製基材1の全表面に直接、Pd/Ni=60/40
(重量比)の組成を有し且つ0.5μmの膜厚を有する
Pd−Ni合金めっき皮膜2を形成したものから成って
いる。
ムを例示する部分拡大縦断面図である。図示したリード
フレームは、所定形状に打抜き加工したFe−Ni系合
金製基材1の全表面に直接、Pd/Ni=60/40
(重量比)の組成を有し且つ0.5μmの膜厚を有する
Pd−Ni合金めっき皮膜2を形成したものから成って
いる。
【0009】
【実施例】42重量%のNiを含有する、厚さ0.15
mmのFe−Ni系合金板を打抜き加工し、所定形状の基
材を得た。この基材を電解脱脂し、更に酸洗して活性化
した。そしてこの基材を、Pd濃度が12g/リット
ル、Ni濃度が10g/リットルであるpH8.0のア
ルカリ性アンモニア浴に陰極として浸漬し、陽極として
は白金めっきチタン板を用いて、液温35℃、電流密度
1A/dm2で電気めっきし、基材の全表面に直接、Pd
/Ni=60/40(重量比)の組成を有し且つ0.5
μmの膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮膜を形成し
たリードフレームを作製した。
mmのFe−Ni系合金板を打抜き加工し、所定形状の基
材を得た。この基材を電解脱脂し、更に酸洗して活性化
した。そしてこの基材を、Pd濃度が12g/リット
ル、Ni濃度が10g/リットルであるpH8.0のア
ルカリ性アンモニア浴に陰極として浸漬し、陽極として
は白金めっきチタン板を用いて、液温35℃、電流密度
1A/dm2で電気めっきし、基材の全表面に直接、Pd
/Ni=60/40(重量比)の組成を有し且つ0.5
μmの膜厚を有するPd−Ni合金めっき皮膜を形成し
たリードフレームを作製した。
【0010】上記と同じ基材に対し、めっき浴の組成を
含めその条件を変えて電気めっきを行ない、基材の表面
にめっき皮膜を形成した表1に記載のリードフレームを
作製した。
含めその条件を変えて電気めっきを行ない、基材の表面
にめっき皮膜を形成した表1に記載のリードフレームを
作製した。
【0011】耐蝕性の評価 作製したリードフレームに対して塩水噴霧試験(35
℃,5重量%NaCl,24時間)を行ない、表面の錆
の発生状況を肉眼観察し、下記の基準で評価した。結果
を表1に示した。 ◎:腐蝕面積率が0〜5%未満 ○:腐蝕面積率が5%以上10%未満 △:腐蝕面積率が10%以上50%未満 ×:腐蝕面積率が50〜100%
℃,5重量%NaCl,24時間)を行ない、表面の錆
の発生状況を肉眼観察し、下記の基準で評価した。結果
を表1に示した。 ◎:腐蝕面積率が0〜5%未満 ○:腐蝕面積率が5%以上10%未満 △:腐蝕面積率が10%以上50%未満 ×:腐蝕面積率が50〜100%
【0012】
【表1】
【0013】表1において、膜組成が10PdNiのも
のはPd/Ni=10/90(重量比)の膜組成を有す
るもの、以下同様で、膜組成がPdのものはPdのみの
膜組成を有するもの。膜組成が10PdNiのものはは
んだ付け性が悪い。膜組成がPdのものは耐蝕性が悪
い。膜厚が0.01μmのものは耐蝕性が悪い。膜厚が
0.7μmのもの及び0.8μmのものは曲げ加工時にク
ラックが入る。
のはPd/Ni=10/90(重量比)の膜組成を有す
るもの、以下同様で、膜組成がPdのものはPdのみの
膜組成を有するもの。膜組成が10PdNiのものはは
んだ付け性が悪い。膜組成がPdのものは耐蝕性が悪
い。膜厚が0.01μmのものは耐蝕性が悪い。膜厚が
0.7μmのもの及び0.8μmのものは曲げ加工時にク
ラックが入る。
【0014】
【発明の効果】既に明らかなように、以上説明した本発
明には、優れた耐蝕性を有し、その製作が簡単であり、
製作費が安いという効果がある。
明には、優れた耐蝕性を有し、その製作が簡単であり、
製作費が安いという効果がある。
【図1】本発明に係るリードフレームを例示する部分拡
大縦断面図。
大縦断面図。
1・・・Fe−Ni系合金製基材、2・・・Pd−Ni
合金めっき皮膜
合金めっき皮膜
Claims (3)
- 【請求項1】 所定形状に打抜き加工したFe−Ni系
合金製基材の全表面に直接、20/80≦Pd/Ni≦
90/10(重量比)の組成を有し且つ0.02μm以
上0.7μm未満の膜厚を有するPd−Ni合金めっき
皮膜を形成して成ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 Pd−Ni合金めっき皮膜が60/40
≦Pd/Ni≦80/20(重量比)の組成を有するも
のである請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 Pd−Ni合金めっき皮膜が0.3〜
0.6μmの膜厚を有するものである請求項1又は2記
載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36224197A JPH1174438A (ja) | 1997-06-25 | 1997-12-10 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18577097 | 1997-06-25 | ||
JP9-185770 | 1997-06-25 | ||
JP36224197A JPH1174438A (ja) | 1997-06-25 | 1997-12-10 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1174438A true JPH1174438A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=26503313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36224197A Pending JPH1174438A (ja) | 1997-06-25 | 1997-12-10 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1174438A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7755190B2 (en) * | 2006-08-07 | 2010-07-13 | Infineon Technologies Ag | Electronic device including a nickel-palladium alloy layer |
-
1997
- 1997-12-10 JP JP36224197A patent/JPH1174438A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7755190B2 (en) * | 2006-08-07 | 2010-07-13 | Infineon Technologies Ag | Electronic device including a nickel-palladium alloy layer |
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