JPH06146069A - 装飾クロムめっき皮膜の形成方法 - Google Patents
装飾クロムめっき皮膜の形成方法Info
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- JPH06146069A JPH06146069A JP31584392A JP31584392A JPH06146069A JP H06146069 A JPH06146069 A JP H06146069A JP 31584392 A JP31584392 A JP 31584392A JP 31584392 A JP31584392 A JP 31584392A JP H06146069 A JPH06146069 A JP H06146069A
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- nickel plating
- nickel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装飾クロムめっき皮膜において、クロムめっ
き層の付廻り性を低下させることなく、その下層のニッ
ケルめっき層の腐食電位を高め、該ニッケルめっき層の
腐食を防いでクロムめっき層の脱離の防止又は延期を図
る。 【構成】 銅基材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層
2、光沢ニッケルめっき層3、分散ストライクニッケル
めっき層4及びクロムめっき層5を順に積層してなるマ
イクロポーラスクロムめっき皮膜6を形成する。分散ス
トライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴中の銅イ
オン濃度を、光沢ニッケルめっき層3形成用のめっき浴
中の銅イオン濃度より高くすることにより、光沢ニッケ
ルめっき層3の腐食電位を基準としたときの分散ストラ
イクニッケルめっき層4の腐食電位を10mV以上にす
る。
き層の付廻り性を低下させることなく、その下層のニッ
ケルめっき層の腐食電位を高め、該ニッケルめっき層の
腐食を防いでクロムめっき層の脱離の防止又は延期を図
る。 【構成】 銅基材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層
2、光沢ニッケルめっき層3、分散ストライクニッケル
めっき層4及びクロムめっき層5を順に積層してなるマ
イクロポーラスクロムめっき皮膜6を形成する。分散ス
トライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴中の銅イ
オン濃度を、光沢ニッケルめっき層3形成用のめっき浴
中の銅イオン濃度より高くすることにより、光沢ニッケ
ルめっき層3の腐食電位を基準としたときの分散ストラ
イクニッケルめっき層4の腐食電位を10mV以上にす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、合成樹脂基材、金属基
材、無機基材等の表面に形成される装飾クロムめっき皮
膜の形成方法に関するものである。
材、無機基材等の表面に形成される装飾クロムめっき皮
膜の形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、自動車のラジエータグリル、エン
ブレム等における装飾クロムめっき皮膜は、合成樹脂基
材の表面に銅めっき層、半光沢ニッケルめっき層、光沢
ニッケルめっき層及びクロムめっき層を順に積層して形
成されていた。また、光沢ニッケルめっき層の腐食電流
密度を分散により低下させ、もって光沢ニッケルめっき
層の腐食とクロムめっき層の脱離を防止する目的で、光
沢ニッケルめっき層とクロムめっき層との間に、非導電
性微粒子が分散する分散ストライクニッケルめっき層を
挿入形成した、いわゆるマイクロポーラスクロムめっき
皮膜や、同じく内部応力の高い高応力ストライクニッケ
ルめっき層を挿入形成してクロムめっき層に無数の微小
クラックを生成した、いわゆるマイクロクラッククロム
めっき皮膜も開発されている。
ブレム等における装飾クロムめっき皮膜は、合成樹脂基
材の表面に銅めっき層、半光沢ニッケルめっき層、光沢
ニッケルめっき層及びクロムめっき層を順に積層して形
成されていた。また、光沢ニッケルめっき層の腐食電流
密度を分散により低下させ、もって光沢ニッケルめっき
層の腐食とクロムめっき層の脱離を防止する目的で、光
沢ニッケルめっき層とクロムめっき層との間に、非導電
性微粒子が分散する分散ストライクニッケルめっき層を
挿入形成した、いわゆるマイクロポーラスクロムめっき
皮膜や、同じく内部応力の高い高応力ストライクニッケ
ルめっき層を挿入形成してクロムめっき層に無数の微小
クラックを生成した、いわゆるマイクロクラッククロム
めっき皮膜も開発されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のマイ
クロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラックク
ロムめっき皮膜であっても、長時間経過すると、やはり
クロムめっき層の脱離が起こっていた。本願発明者らが
この脱離の原因を検討した結果、次のようなことが判明
した。
クロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラックク
ロムめっき皮膜であっても、長時間経過すると、やはり
クロムめっき層の脱離が起こっていた。本願発明者らが
この脱離の原因を検討した結果、次のようなことが判明
した。
【0004】すなわち、従来の分散ストライクニッケル
めっき層は、光沢ニッケルめっき層形成用のめっき浴に
非導電性の微粒子を追加してなるめっき浴を使用して形
成されており、この微粒子の有無はめっき層の腐食電位
にほとんど影響を及ぼさないため、形成された分散スト
ライクニッケルめっき層の腐食電位と光沢ニッケルめっ
き層の腐食電位とは略同一であった。また、高応力スト
ライクニッケルめっき層に関しても類似のことがいえ
た。このため、光沢ニッケルめっき層が腐食すると、そ
れと同程度に分散ストライクニッケルめっき層又は高応
力ストライクニッケルめっき層も横方向へ腐食し、支え
の無くなったクロムめっき層が脱離していたのである。
めっき層は、光沢ニッケルめっき層形成用のめっき浴に
非導電性の微粒子を追加してなるめっき浴を使用して形
成されており、この微粒子の有無はめっき層の腐食電位
にほとんど影響を及ぼさないため、形成された分散スト
ライクニッケルめっき層の腐食電位と光沢ニッケルめっ
き層の腐食電位とは略同一であった。また、高応力スト
ライクニッケルめっき層に関しても類似のことがいえ
た。このため、光沢ニッケルめっき層が腐食すると、そ
れと同程度に分散ストライクニッケルめっき層又は高応
力ストライクニッケルめっき層も横方向へ腐食し、支え
の無くなったクロムめっき層が脱離していたのである。
【0005】そこで、本願出願人は先に、光沢ニッケル
めっき層の腐食電位を基準としたときの分散ストライク
ニッケルめっき層又は高応力ストライクニッケルめっき
層の腐食電位を10mV以上とすること、そのために、
分散ストライクニッケルめっき層又は高応力ストライク
ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添加する二次光沢
剤の量を、光沢ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添
加する二次光沢剤の量より多くすること、を内容とする
発明について特許出願をした(特願平4−118158
号)。それらの発明によれば、たとえ光沢ニッケルめっ
き層が腐食しても、分散ストライクニッケルめっき層又
は高応力ストライクニッケルめっき層はあまり腐食しな
いで残るため、クロムめっき層の脱離の防止又は延期を
図ることができた。
めっき層の腐食電位を基準としたときの分散ストライク
ニッケルめっき層又は高応力ストライクニッケルめっき
層の腐食電位を10mV以上とすること、そのために、
分散ストライクニッケルめっき層又は高応力ストライク
ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添加する二次光沢
剤の量を、光沢ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添
加する二次光沢剤の量より多くすること、を内容とする
発明について特許出願をした(特願平4−118158
号)。それらの発明によれば、たとえ光沢ニッケルめっ
き層が腐食しても、分散ストライクニッケルめっき層又
は高応力ストライクニッケルめっき層はあまり腐食しな
いで残るため、クロムめっき層の脱離の防止又は延期を
図ることができた。
【0006】ところが、上記のようにめっき浴に添加す
る二次光沢剤の量により分散ストライクニッケルめっき
層又は高応力ストライクニッケルめっき層の腐食電位を
制御したとき、該ニッケルめっき層中に高濃度に包含さ
れた二次光沢剤は、該ニッケルめっき層の腐食電位を高
める反面、該ニッケルめっき層の表面活性度を低下させ
てしまうため、その上層に形成するクロムめっき層の付
廻り性が低下し、基材の形状によってはクロムめっき層
が付かない部分が生じて外観不良につながるという問題
が残っていた。
る二次光沢剤の量により分散ストライクニッケルめっき
層又は高応力ストライクニッケルめっき層の腐食電位を
制御したとき、該ニッケルめっき層中に高濃度に包含さ
れた二次光沢剤は、該ニッケルめっき層の腐食電位を高
める反面、該ニッケルめっき層の表面活性度を低下させ
てしまうため、その上層に形成するクロムめっき層の付
廻り性が低下し、基材の形状によってはクロムめっき層
が付かない部分が生じて外観不良につながるという問題
が残っていた。
【0007】本発明の目的は、上記課題を解決し、クロ
ムめっき層の付廻り性を低下させることなく、その下層
のニッケルめっき層の腐食電位を高めることができ、該
ニッケルめっき層の腐食を防いでクロムめっき層の脱離
の防止又は延期を図ることができる新規な装飾クロムめ
っき皮膜の形成方法を提供することにある。
ムめっき層の付廻り性を低下させることなく、その下層
のニッケルめっき層の腐食電位を高めることができ、該
ニッケルめっき層の腐食を防いでクロムめっき層の脱離
の防止又は延期を図ることができる新規な装飾クロムめ
っき皮膜の形成方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、第一ニッケルめっき層と、第一ニッケ
ルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二
ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む
装飾クロムめっき皮膜の形成方法において、第二ニッケ
ルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオン
より標準電極電位の高い金属イオンの濃度を、第一ニッ
ケルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオ
ンより標準電極電位の高い金属イオンの濃度より高くす
るという手段をとった。
に、本発明では、第一ニッケルめっき層と、第一ニッケ
ルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二
ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む
装飾クロムめっき皮膜の形成方法において、第二ニッケ
ルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオン
より標準電極電位の高い金属イオンの濃度を、第一ニッ
ケルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオ
ンより標準電極電位の高い金属イオンの濃度より高くす
るという手段をとった。
【0009】ここで、「第一ニッケルめっき層」として
は、光沢ニッケルめっき層を例示できる。光沢ニッケル
めっき層とは、めっき層の表面が平滑で光沢の良いめっ
き層をいう。これを形成するには、一般にめっき浴に一
次光沢剤と二次光沢剤とを添加する。また、「第二ニッ
ケルめっき層」としては、分散ストライクニッケルめっ
き層、高応力ストライクニッケルめっき層等を例示でき
る。分散ストライクニッケルめっき層とは、前述した通
り、クロムめっき層に無数の微小孔を生成するために、
非導電性の微粒子を分散状態で含有しているめっき層を
いう。これを形成するには、めっき浴に一次光沢剤と二
次光沢剤と非導電性の微粒子とを添加する。また、高応
力ストライクニッケルめっき層とは、これも前述した通
り、クロムめっき層に無数の微小クラックを成形するた
めに、製膜時に高い応力をもっためっき層をいう。これ
を形成するためには、めっき浴にイオウを含まない光沢
剤(二次光沢剤)と応力向上添加剤とを添加する。
は、光沢ニッケルめっき層を例示できる。光沢ニッケル
めっき層とは、めっき層の表面が平滑で光沢の良いめっ
き層をいう。これを形成するには、一般にめっき浴に一
次光沢剤と二次光沢剤とを添加する。また、「第二ニッ
ケルめっき層」としては、分散ストライクニッケルめっ
き層、高応力ストライクニッケルめっき層等を例示でき
る。分散ストライクニッケルめっき層とは、前述した通
り、クロムめっき層に無数の微小孔を生成するために、
非導電性の微粒子を分散状態で含有しているめっき層を
いう。これを形成するには、めっき浴に一次光沢剤と二
次光沢剤と非導電性の微粒子とを添加する。また、高応
力ストライクニッケルめっき層とは、これも前述した通
り、クロムめっき層に無数の微小クラックを成形するた
めに、製膜時に高い応力をもっためっき層をいう。これ
を形成するためには、めっき浴にイオウを含まない光沢
剤(二次光沢剤)と応力向上添加剤とを添加する。
【0010】一次光沢剤とは、二次光沢剤の単独使用時
の難点(脆くなる、不純物に鋭敏になる等)を解決する
ために添加される光沢助剤をいう。これには多くの種類
があり、1,5ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、
1,3,6ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、サッ
カリン、パラトルエンスルホンアミド等を例示できる。
二次光沢剤とは、めっき層に光沢を付与するとともに、
多くの場合レベリング(平滑化)作用を持つものをい
う。これにも多くの種類があり、ホルムアルデヒド、
1,4ブチンジオール、プロパギルアルコール、エチレ
ンシアンヒドリン、クマリン、チオ尿素、アリル硫酸ナ
トリウム等を例示できる。
の難点(脆くなる、不純物に鋭敏になる等)を解決する
ために添加される光沢助剤をいう。これには多くの種類
があり、1,5ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、
1,3,6ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、サッ
カリン、パラトルエンスルホンアミド等を例示できる。
二次光沢剤とは、めっき層に光沢を付与するとともに、
多くの場合レベリング(平滑化)作用を持つものをい
う。これにも多くの種類があり、ホルムアルデヒド、
1,4ブチンジオール、プロパギルアルコール、エチレ
ンシアンヒドリン、クマリン、チオ尿素、アリル硫酸ナ
トリウム等を例示できる。
【0011】また、「ニッケルイオンより標準電極電位
の高い金属イオン」としては、Mo、Sn、Pb、C
u、Ag、Hg、Pd、Pt若しくはAuのイオン又は
これらの組合わせを挙げることができる。そして、第二
ニッケルめっき層形成用のめっき浴に含まれる当該金属
イオンの濃度を、第一ニッケルめっき層形成用のめっき
浴に含まれる当該金属イオンの濃度よりどの程度高くす
るかについては、めっき浴の組成や温度等により異な
り、一概にいえないが、第一ニッケルめっき層の腐食電
位を基準としたときの第二ニッケルめっき層の腐食電位
が10mV以上となるように決定することが好ましい。
この腐食電位が10mV未満であると、第一ニッケルめ
っき層が腐食したときに、第二ニッケルめっき層も横方
向に広がるように腐食して、クロムめっき層の脱離が起
こるからである。
の高い金属イオン」としては、Mo、Sn、Pb、C
u、Ag、Hg、Pd、Pt若しくはAuのイオン又は
これらの組合わせを挙げることができる。そして、第二
ニッケルめっき層形成用のめっき浴に含まれる当該金属
イオンの濃度を、第一ニッケルめっき層形成用のめっき
浴に含まれる当該金属イオンの濃度よりどの程度高くす
るかについては、めっき浴の組成や温度等により異な
り、一概にいえないが、第一ニッケルめっき層の腐食電
位を基準としたときの第二ニッケルめっき層の腐食電位
が10mV以上となるように決定することが好ましい。
この腐食電位が10mV未満であると、第一ニッケルめ
っき層が腐食したときに、第二ニッケルめっき層も横方
向に広がるように腐食して、クロムめっき層の脱離が起
こるからである。
【0012】なお、前記装飾クロムめっき皮膜を形成す
る基材としては、合成樹脂基材、金属基材、無機基材等
を例示できる。また、基材の種類に応じて、基材の表面
に直接第一ニッケルめっき層を形成してもよいし、基材
と第一ニッケルめっき層との間に他種のめっき層を挿入
形成してもよい。例えば、合成樹脂基材の場合、基材の
表面に銅メッキ層を形成し、その上に半光沢ニッケルめ
っき層を形成し、その上に光沢ニッケルめっき層を形成
することが好ましい。
る基材としては、合成樹脂基材、金属基材、無機基材等
を例示できる。また、基材の種類に応じて、基材の表面
に直接第一ニッケルめっき層を形成してもよいし、基材
と第一ニッケルめっき層との間に他種のめっき層を挿入
形成してもよい。例えば、合成樹脂基材の場合、基材の
表面に銅メッキ層を形成し、その上に半光沢ニッケルめ
っき層を形成し、その上に光沢ニッケルめっき層を形成
することが好ましい。
【0013】
【作用】本発明によれば、めっき浴に含まれるニッケル
イオンより標準電極電位の高い金属イオンが、第一ニッ
ケルめっき層よりも第二ニッケルめっき層に対してより
高濃度に析出して合金化されるため、第二ニッケルめっ
き層の腐食電位が第一ニッケルめっき層の腐食電位より
高くなる。このため、たとえ第一ニッケルめっき層が腐
食したとしても、第二ニッケルめっき層はあまり腐食し
ないで残り、その上層のクロムめっき層を支え続けるの
で、該クロムめっき層の脱離が防止又は延期される。ま
た、前記金属イオンの合金化は、二次光沢剤を添加した
ときのように第二ニッケルめっき層の表面活性度を低下
させることはないので、その上層のクロムめっき層の付
廻り性が低下することはない。
イオンより標準電極電位の高い金属イオンが、第一ニッ
ケルめっき層よりも第二ニッケルめっき層に対してより
高濃度に析出して合金化されるため、第二ニッケルめっ
き層の腐食電位が第一ニッケルめっき層の腐食電位より
高くなる。このため、たとえ第一ニッケルめっき層が腐
食したとしても、第二ニッケルめっき層はあまり腐食し
ないで残り、その上層のクロムめっき層を支え続けるの
で、該クロムめっき層の脱離が防止又は延期される。ま
た、前記金属イオンの合金化は、二次光沢剤を添加した
ときのように第二ニッケルめっき層の表面活性度を低下
させることはないので、その上層のクロムめっき層の付
廻り性が低下することはない。
【0014】
【試験例】次に、本発明を検証するために行った試験例
について、図1〜図7を参照して説明する。図1に示す
ように、寸法100mm×75mm×0.3mmの銅基
材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層2、光沢ニッケ
ルめっき層3、分散ストライクニッケルめっき層4及び
クロムめっき層5を順に積層してなるマイクロポーラス
クロムめっき皮膜6を形成し、試験片とした。各めっき
層の形成は、図5に示すようなハルセル槽11の斜壁に
カソードとしての銅基材1をセットし、その対峙壁にア
ノードとしてのめっき金属12をセットし、次のような
めっき浴及びめっき条件にて行った。
について、図1〜図7を参照して説明する。図1に示す
ように、寸法100mm×75mm×0.3mmの銅基
材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層2、光沢ニッケ
ルめっき層3、分散ストライクニッケルめっき層4及び
クロムめっき層5を順に積層してなるマイクロポーラス
クロムめっき皮膜6を形成し、試験片とした。各めっき
層の形成は、図5に示すようなハルセル槽11の斜壁に
カソードとしての銅基材1をセットし、その対峙壁にア
ノードとしてのめっき金属12をセットし、次のような
めっき浴及びめっき条件にて行った。
【0015】 (1)半光沢ニッケルめっき層2の形成 めっき浴の組成 硫酸ニッケル 280g/l 塩化ニッケル 50g/l ホウ酸 35g/l 光沢剤 ホルムアルデヒド(37%) 10g/l ピット防止剤 ラウリル硫酸ナトリウム 0.2g/l めっき条件 めっき浴温度 55℃ 電流密度 3A/dm2 めっき層厚さ 10μm
【0016】 (2)光沢ニッケルめっき層3の形成 めっき浴の組成 硫酸ニッケル 280g/l 塩化ニッケル 50g/l ホウ酸 35g/l 一次光沢剤 サッカリン 1.5g/l 二次光沢剤 アリル硫酸ナトリウム 1.2g/l ピット防止剤 ラウリル硫酸ナトリウム 0.2g/l めっき条件 めっき浴温度 55℃ 電流密度 3A/dm2 めっき層厚さ 10μm
【0017】 (3)分散ストライクニッケルめっき層4の形成 めっき浴の組成 硫酸ニッケル 280g/l 塩化ニッケル 50g/l ホウ酸 35g/l 一次光沢剤 サッカリン 1.5g/l 二次光沢剤 アリル硫酸ナトリウム 1.2g/l ピット防止剤 ラウリル硫酸ナトリウム 0.2g/l 非導電性の微粒子 SiO2 (平均粒径0.2μm) 20g/l 硫酸銅(CuSO4 ・5H2 O) 0〜390mg/l めっき条件 めっき浴温度 55℃ 電流密度 3A/dm2 めっき層厚さ 0.8μm
【0018】 (4)クロムめっき層5の形成 めっき浴の組成 CrO3 250g/l H2 SO4 1g/l 珪弗化ソーダ 7g/l めっき条件 めっき浴温度 45℃ 電流密度 10A/dm2 めっき層厚さ 0.3μm
【0019】上記の通り、光沢ニッケルめっき層3形成
用のめっき浴には銅化合物を添加しないので、該めっき
浴中の銅イオン濃度は不純物程度で微量であり0ppm
とみなせる。一方、分散ストライクニッケルめっき層4
形成用のめっき浴には硫酸銅を0〜390mg/l添加
したので、これに応じてめっき浴中の銅イオン(C
u2+)濃度は0〜100ppmとなった。このように後
者のめっき浴中の銅イオン濃度を変化させて、多数の試
験片を作成した。
用のめっき浴には銅化合物を添加しないので、該めっき
浴中の銅イオン濃度は不純物程度で微量であり0ppm
とみなせる。一方、分散ストライクニッケルめっき層4
形成用のめっき浴には硫酸銅を0〜390mg/l添加
したので、これに応じてめっき浴中の銅イオン(C
u2+)濃度は0〜100ppmとなった。このように後
者のめっき浴中の銅イオン濃度を変化させて、多数の試
験片を作成した。
【0020】この多数の試験片から、クロムめっき層5
の付廻り性を次のように評価した。すなわち、図5に示
すようなハルセル層11を使用すると電流密度が不均一
になるため、銅基材1のうちめっき金属12に最も近い
一端付近(同図において上端)ほどクロムめっき層5が
付着しやすく、他端に向かうほど付着しにくくなる。こ
のため、実際にクロムめっき層5が付着した前記一端か
ら付着端までのクロムめっき層長Xを測定すれば、その
付廻り性を評価できる。図6はその測定結果を示し、分
散ストライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴中の
銅イオン濃度が高くなっても、クロムめっき層長にはほ
とんど変化が見られず、クロムめっき層5の付廻り性が
低下していないことが判る。
の付廻り性を次のように評価した。すなわち、図5に示
すようなハルセル層11を使用すると電流密度が不均一
になるため、銅基材1のうちめっき金属12に最も近い
一端付近(同図において上端)ほどクロムめっき層5が
付着しやすく、他端に向かうほど付着しにくくなる。こ
のため、実際にクロムめっき層5が付着した前記一端か
ら付着端までのクロムめっき層長Xを測定すれば、その
付廻り性を評価できる。図6はその測定結果を示し、分
散ストライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴中の
銅イオン濃度が高くなっても、クロムめっき層長にはほ
とんど変化が見られず、クロムめっき層5の付廻り性が
低下していないことが判る。
【0021】次に、上記の多数の試験片について、光沢
ニッケルめっき層3の腐食電位を基準としたときの分散
ストライクニッケルめっき層4の腐食電位(以下、単に
分散ストライクニッケルめっき層4の腐食電位とい
う。)を測定した。この腐食電位の測定は、中央製作所
社製の多層ニッケルめっき耐食性測定用特殊電解装置
「ED−2型」を使用し、次の測定条件で行った。 電解液の組成 NiCl・6H2 O 300g/l NaCl 50g/l H3 BO3 25g/l 電解液の温度 20℃
ニッケルめっき層3の腐食電位を基準としたときの分散
ストライクニッケルめっき層4の腐食電位(以下、単に
分散ストライクニッケルめっき層4の腐食電位とい
う。)を測定した。この腐食電位の測定は、中央製作所
社製の多層ニッケルめっき耐食性測定用特殊電解装置
「ED−2型」を使用し、次の測定条件で行った。 電解液の組成 NiCl・6H2 O 300g/l NaCl 50g/l H3 BO3 25g/l 電解液の温度 20℃
【0022】図7はその測定結果を示し、銅イオン濃度
が高くなるのに従い分散ストライクニッケルめっき層4
の腐食電位が高くなることが判る。
が高くなるのに従い分散ストライクニッケルめっき層4
の腐食電位が高くなることが判る。
【0023】また、上記の試験片について、耐食性を評
価するための腐食試験を、スガ試験機社製のCASS試
験機を使用してJIS D0201附属書に準拠して行
った。図1及び図2は、分散ストライクニッケルめっき
層4の腐食電位が約20mVの場合における、同試験1
00時間経過後の試験片を拡大して示すものである。同
図より、クロムめっき層5のきず7から光沢ニッケルめ
っき層3の腐食が優先的に進行して、腐食孔8ができて
いること、しかし分散ストライクニッケルめっき層4は
ほとんど腐食しないで残っており、クロムめっき層5を
直接支え続けていること、従ってクロムめっき層5の脱
離が防止又は延期され、外部から腐食孔8が見えないた
め、外観はほとんど低下していないことが判る。
価するための腐食試験を、スガ試験機社製のCASS試
験機を使用してJIS D0201附属書に準拠して行
った。図1及び図2は、分散ストライクニッケルめっき
層4の腐食電位が約20mVの場合における、同試験1
00時間経過後の試験片を拡大して示すものである。同
図より、クロムめっき層5のきず7から光沢ニッケルめ
っき層3の腐食が優先的に進行して、腐食孔8ができて
いること、しかし分散ストライクニッケルめっき層4は
ほとんど腐食しないで残っており、クロムめっき層5を
直接支え続けていること、従ってクロムめっき層5の脱
離が防止又は延期され、外部から腐食孔8が見えないた
め、外観はほとんど低下していないことが判る。
【0024】図3及び図4は、分散ストライクニッケル
めっき層4の腐食電位が0mVの場合における同試験1
00時間経過後の試験片を拡大して示すものである。同
図より、光沢ニッケルめっき層3の腐食と同程度に分散
ストライクニッケルめっき層4の腐食も横方向に進行し
ていること、従ってクロムめっき層5が脱離し、外部か
ら腐食孔8が見えるため、外観が低下していることが判
る。
めっき層4の腐食電位が0mVの場合における同試験1
00時間経過後の試験片を拡大して示すものである。同
図より、光沢ニッケルめっき層3の腐食と同程度に分散
ストライクニッケルめっき層4の腐食も横方向に進行し
ていること、従ってクロムめっき層5が脱離し、外部か
ら腐食孔8が見えるため、外観が低下していることが判
る。
【0025】なお、本発明は前記試験例の構成に限定さ
れるものではなく、めっき浴の組成やめっき条件を適宜
変更する等、発明の趣旨から逸脱しない範囲で変更して
具体化することもできる。
れるものではなく、めっき浴の組成やめっき条件を適宜
変更する等、発明の趣旨から逸脱しない範囲で変更して
具体化することもできる。
【0026】
【発明の効果】本発明に係る装飾クロムめっき皮膜の形
成方法は、上記の通り構成されているので、クロムめっ
き層の付廻り性を低下させることなく、その下層のニッ
ケルめっき層の腐食電位を高めることができ、該ニッケ
ルめっき層の腐食を防いでクロムめっき層の脱離の防止
又は延期を図ることができる優れた効果を奏する。
成方法は、上記の通り構成されているので、クロムめっ
き層の付廻り性を低下させることなく、その下層のニッ
ケルめっき層の腐食電位を高めることができ、該ニッケ
ルめっき層の腐食を防いでクロムめっき層の脱離の防止
又は延期を図ることができる優れた効果を奏する。
【図1】本発明の試験例において、分散ストライクニッ
ケルめっき層の腐食電位を20mVとした試験片の腐食
試験後の状態を示す拡大断面図である。
ケルめっき層の腐食電位を20mVとした試験片の腐食
試験後の状態を示す拡大断面図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】同じく分散ストライクニッケルめっき層の腐食
電位を0mVとした試験片の腐食試験後の状態を示す拡
大断面図である。
電位を0mVとした試験片の腐食試験後の状態を示す拡
大断面図である。
【図4】図3の平面図である。
【図5】これらの試験片を作成するハルセル槽の平面図
である。
である。
【図6】分散ストライクニッケルめっき層形成用のめっ
き浴中の銅イオン濃度と、クロムめっき層長(付廻り
性)との関係を示すグラフである。
き浴中の銅イオン濃度と、クロムめっき層長(付廻り
性)との関係を示すグラフである。
【図7】分散ストライクニッケルめっき層形成用のめっ
き浴中の銅イオン濃度と、分散ストライクニッケルめっ
き層の腐食電位との関係を示すグラフである。
き浴中の銅イオン濃度と、分散ストライクニッケルめっ
き層の腐食電位との関係を示すグラフである。
1 銅基材 2 半光沢ニッケル
めっき層 3 光沢ニッケルめっき層 4 分散ストライク
ニッケルめっき層 5 クロムめっき層 6 マイクロポーラ
スクロムめっき皮膜
めっき層 3 光沢ニッケルめっき層 4 分散ストライク
ニッケルめっき層 5 クロムめっき層 6 マイクロポーラ
スクロムめっき皮膜
Claims (1)
- 【請求項1】 第一ニッケルめっき層と、第一ニッケル
めっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二ニ
ッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装
飾クロムめっき皮膜の形成方法において、第二ニッケル
めっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオンよ
り標準電極電位の高い金属イオンの濃度を、第一ニッケ
ルめっき層形成用のめっき浴に含まれるニッケルイオン
より標準電極電位の高い金属イオンの濃度より高くした
ことを特徴とする装飾クロムめっき皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31584392A JPH06146069A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 装飾クロムめっき皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31584392A JPH06146069A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 装飾クロムめっき皮膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06146069A true JPH06146069A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18070255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31584392A Pending JPH06146069A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 装飾クロムめっき皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06146069A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009074147A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Kakihara Kogyo Kk | マイクロポーラスめっきに関わる不具合防止方法 |
KR100918975B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2009-09-25 | (주)중앙피엔피 | 자동차 휠너트 도금방법 및 무전해 니켈도금장치 |
US10266957B2 (en) | 2009-02-13 | 2019-04-23 | Nissan Motor Co., Ltd. | Chrome-plated part and manufacturing method of the same |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31584392A patent/JPH06146069A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009074147A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Kakihara Kogyo Kk | マイクロポーラスめっきに関わる不具合防止方法 |
US10266957B2 (en) | 2009-02-13 | 2019-04-23 | Nissan Motor Co., Ltd. | Chrome-plated part and manufacturing method of the same |
US11248300B2 (en) | 2009-02-13 | 2022-02-15 | Nissan Motor Co., Ltd. | Chrome-plated part and manufacturing method of the same |
KR100918975B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2009-09-25 | (주)중앙피엔피 | 자동차 휠너트 도금방법 및 무전해 니켈도금장치 |
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