JPH1171349A - シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造方法 - Google Patents
シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造方法Info
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- JPH1171349A JPH1171349A JP9247631A JP24763197A JPH1171349A JP H1171349 A JPH1171349 A JP H1171349A JP 9247631 A JP9247631 A JP 9247631A JP 24763197 A JP24763197 A JP 24763197A JP H1171349 A JPH1171349 A JP H1171349A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/44—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
工業的に収率良く高立体選択的に製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 一般式(1) 【化1】 (式中、R1は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元して、一般式(2) 【化2】 (式中、R2は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法。
Description
料として有用な化合物であるシス−ヘキサヒドロイソイ
ンドリン誘導体の製造方法に関する。
体は、通常、シス−ヘキサヒドロフタルイミドやシス−
Δ4−テトラヒドロフタルイミドを水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元
する方法により製造されるが、この方法は、操作が繁雑
であり工業的製造とは言いがたい。イソインドリンを出
発原料としたシス−ヘキサヒドロイソインドリンの製造
方法としては、Bull.Soc.Chim.Fr.
(906〜910頁、1956年)がある。しかしなが
ら、この方法は、高価なアダムス白金触媒を使用するも
のであり、収率も定量的に十分得られないという問題点
がある。
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工業的に収率よ
く立体選択的に製造する方法を提供することにある。
点を解決するため、シス−ヘキサヒドロイソインドリン
誘導体を工業的に収率よく立体選択的に製造する方法に
ついて鋭意検討を重ねた結果、原料としてイソインドリ
ン誘導体を用い、触媒としてルテニウム、ロジウム又は
パラジウムを使用する方法を見い出し、本発明を完成す
るにいたった。
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元することにより、一般式(2)
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法である。
素数については特に制限はなく、炭素鎖は直鎖状でも分
岐状でもよい。そしてR1およびR2におけるアルキル基
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ノニル基などが、アシル基は、ホルミル基、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基な
どが、アルコキシカルボニル基は、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
ウム又はパラジウムを用いるが、これらを含有するもの
であれば特に制限されない。例えば、ルテニウム−炭
素、ルテニウム−アルミナ、酸化ルテニウム、ルテニウ
ムブラック、ロジウム−炭素、ロジウム−アルミナ、酸
化ロジウム、パラジウム−炭素、パラジウム−アルミ
ナ、パラジウム−シリカ・アルミナ、パラジウム−硫酸
バリウム、パラジウム−ゼオライト、酸化パラジウム、
パラジウムブラックなどが挙げられる。触媒の使用量は
特に制限されないが、原料イソインドリン誘導体100
重量に対して触媒の金属換算で0.05〜10重量%で
ある。
1〜10の範囲で行うことができるが、好ましくpHが
4〜7の弱酸性ないし中性水溶液である。この場合の酸
としては、塩酸、硫酸、リン酸などの鉱酸類、酢酸、プ
ロピオン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホ
ン酸などの有機酸類が使用できるが、中でも、塩酸が好
ましい。
インドリンなどを原料として中性条件下で触媒還元する
場合は、含水t−ブチルアルコールを溶媒に用いると好
ましい結果を与える。その他の誘導体を原料とする場合
に関しては、特に溶媒に関する制限はないが、メタノー
ル、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール
などのアルコールや含水アルコールが好ましい結果を与
える。
リンを水溶媒で行う場合、酸の使用量は本反応に重要で
あり、少なすぎると副生物の2−メチルシクロヘキシル
メチルアミンが増加し、目的物のシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン誘導体の収率が低下する。逆に多すぎる
と、反応時間が長くなる。
0kg/cm2が望ましく、特に20〜30kg/cm2
が良い結果を与える。水素圧が低いと反応時間が長くな
る。
に110〜140℃が良い結果を与える。
本発明はこれにより限定されるものではない。
ドリン129g、7.2%塩酸水溶液545g、5%ル
テニウム−炭素触媒(50%含水)26gを加え、水素
圧20kg/cm2、130℃で反応した。水素の導入
開始後2時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は98.3%であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが0.3
%、2−メチルシクロヘキシルメチルアミンが0.4%
生成していた。反応液を冷却後、20%苛性ソーダ水溶
液240gを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン128.0g(収率94.5%)を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比99.
0%以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが0.3%、2−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が0.4%であった。
ドリン129g、7.2%塩酸水溶液545g、5%ロ
ジウム−炭素触媒(50%含水)2.6gを加え、水素
圧20kg/cm2、130℃で反応した。水素の導入
開始後1時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は98.7%であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが0.4
%、2−メチルシクロヘキシルメチルアミンが0.4%
生成していた。反応液を冷却後、20%苛性ソーダ水溶
液240gを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン130.0g(収率95.9%)を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比99.
0%以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが0.5%、2−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が0.3%であった。
ドリン129g、50%含水t−ブチルアルコール51
6g、5%ルテニウム−炭素触媒(50%含水)26g
を加え、水素圧30kg/cm2、130℃で反応し
た。水素の導入開始後6時間で水素の吸収速度が低下し
たため、この時点で水素の導入を停止して反応を終了と
した。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。
キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結
果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は96.
0%であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンが0.1%、2−メチルシクロヘキシルメチルア
ミンが3.8%生成していた。反応液を濃縮後、蒸留精
製してシス−ヘキサヒドロイソインドリン123.2g
(収率91%)を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンは、キャピラリーガスクロマトグラフィー
による分析の結果、面積比96%であり、トランス−ヘ
キサヒドロイソインドリンが0.1%、2−メチルシク
ロヘキシルメチルアミンが3.8%であった。
ジルイソインドリン226.5g、7.2%塩酸水溶液
545g、5%パラジウム−炭素触媒(50%含水)2
6gを加え、水素圧20kg/cm2、130℃で反応
した。水素の導入開始後10時間で水素の吸収速度が低
下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を終
了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別し
た。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した
結果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は8
3.8%であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソ
インドリンが0.1%、2−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンが0.7%生成していた。反応液を冷却後、2
0%苛性ソーダ水溶液240gを加え中和し、トルエン
で抽出した。有機層を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキ
サヒドロイソインドリン99.7g(収率79.6%)
を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイソインドリン
は、キャピラリーガスクロマトグラフィーによる分析の
結果、面積比99.0%以上であり、トランス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンが0.1%、2−メチルシクロヘ
キシルメチルアミンが0.7%であった。
ルイソインドリン265g、2−プロパノール735
g、5%ロジウム−炭素触媒(50%含水)26gを加
え、水素圧15kg/cm2、120℃で反応した。水
素の導入開始後5時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−N−ノニルイソインドリンの収率
は98.0%であった。また、トランス−ヘキサヒドロ
−N−ノニルイソインドリンが0.5%生成した。
キシカルボニルイソインドリン207g、エチルアルコ
ール793g、5%ロジウム−炭素触媒(50%含水)
20gを加え、水素圧25kg/cm2、130℃で反
応した。水素の導入開始後10時間で水素の吸収速度が
低下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を
終了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別
した。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析し
た結果、シス−ヘキサヒドロ−N−エトキシカルボニル
イソインドリンの収率は95.3%であった。また、ト
ランス−ヘキサヒドロ−N−エトキシカルボニルイソイ
ンドリンが0.6%生成した。
チルイソインドリン175g、メチルアルコール825
g、5%ルテニウム−炭素触媒(50%含水)17gを
加え、水素圧20kg/cm2、110℃で反応した。
水素の導入開始後8時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−N−アセチルイソインドリンの収
率は93.7%であった。また、トランス−ヘキサヒド
ロ−N−アセチルイソインドリンが0.2%生成した。
イソインドリン誘導体や2−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンなどの炭素−窒素結合水素化分解物の生成を抑
制して、シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工
業的に収率良く高立体選択的にかつ経済的に製造するこ
とができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、R1は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元することにより、一般式(2) 【化2】 (式中、R2は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す)で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法。
Priority Applications (4)
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- 1998-08-04 US US09/128,465 patent/US5932744A/en not_active Expired - Lifetime
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