JP3277320B2 - シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造方法 - Google Patents
シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造方法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/44—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬及び農薬の原
料として有用な化合物であるシス−ヘキサヒドロイソイ
ンドリン誘導体の製造方法に関する。
料として有用な化合物であるシス−ヘキサヒドロイソイ
ンドリン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導
体は、通常、シス−ヘキサヒドロフタルイミドやシス−
Δ４−テトラヒドロフタルイミドを水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元
する方法により製造されるが、この方法は、操作が繁雑
であり工業的製造とは言いがたい。イソインドリンを出
発原料としたシス−ヘキサヒドロイソインドリンの製造
方法としては、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．
（９０６〜９１０頁、１９５６年）がある。しかしなが
ら、この方法は、高価なアダムス白金触媒を使用するも
のであり、収率も定量的に十分得られないという問題点
がある。
体は、通常、シス−ヘキサヒドロフタルイミドやシス−
Δ４−テトラヒドロフタルイミドを水素化アルミニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元
する方法により製造されるが、この方法は、操作が繁雑
であり工業的製造とは言いがたい。イソインドリンを出
発原料としたシス−ヘキサヒドロイソインドリンの製造
方法としては、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．
（９０６〜９１０頁、１９５６年）がある。しかしなが
ら、この方法は、高価なアダムス白金触媒を使用するも
のであり、収率も定量的に十分得られないという問題点
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工業的に収率よ
く立体選択的に製造する方法を提供することにある。
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工業的に収率よ
く立体選択的に製造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前述の問題
点を解決するため、シス−ヘキサヒドロイソインドリン
誘導体を工業的に収率よく立体選択的に製造する方法に
ついて鋭意検討を重ねた結果、原料としてイソインドリ
ン誘導体を用い、触媒としてルテニウム、ロジウム又は
パラジウムを使用する方法を見い出し、本発明を完成す
るにいたった。
点を解決するため、シス−ヘキサヒドロイソインドリン
誘導体を工業的に収率よく立体選択的に製造する方法に
ついて鋭意検討を重ねた結果、原料としてイソインドリ
ン誘導体を用い、触媒としてルテニウム、ロジウム又は
パラジウムを使用する方法を見い出し、本発明を完成す
るにいたった。
【０００５】すなわち、本発明は、一般式（１）
【化３】 （式中、Ｒ1は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元することにより、一般式（２）
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元することにより、一般式（２）
【化４】 （式中、Ｒ2は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法である。
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法である。
【０００６】本発明において、Ｒ1およびＲ2における炭
素数については特に制限はなく、炭素鎖は直鎖状でも分
岐状でもよい。そしてＲ1およびＲ2におけるアルキル基
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ノニル基などが、アシル基は、ホルミル基、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基な
どが、アルコキシカルボニル基は、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
素数については特に制限はなく、炭素鎖は直鎖状でも分
岐状でもよい。そしてＲ1およびＲ2におけるアルキル基
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ノニル基などが、アシル基は、ホルミル基、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基な
どが、アルコキシカルボニル基は、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
【０００７】本発明の触媒としては、ルテニウム、ロジ
ウム又はパラジウムを用いるが、これらを含有するもの
であれば特に制限されない。例えば、ルテニウム−炭
素、ルテニウム−アルミナ、酸化ルテニウム、ルテニウ
ムブラック、ロジウム−炭素、ロジウム−アルミナ、酸
化ロジウム、パラジウム−炭素、パラジウム−アルミ
ナ、パラジウム−シリカ・アルミナ、パラジウム−硫酸
バリウム、パラジウム−ゼオライト、酸化パラジウム、
パラジウムブラックなどが挙げられる。触媒の使用量は
特に制限されないが、原料イソインドリン誘導体１００
重量に対して触媒の金属換算で０．０５〜１０重量％で
ある。
ウム又はパラジウムを用いるが、これらを含有するもの
であれば特に制限されない。例えば、ルテニウム−炭
素、ルテニウム−アルミナ、酸化ルテニウム、ルテニウ
ムブラック、ロジウム−炭素、ロジウム−アルミナ、酸
化ロジウム、パラジウム−炭素、パラジウム−アルミ
ナ、パラジウム−シリカ・アルミナ、パラジウム−硫酸
バリウム、パラジウム−ゼオライト、酸化パラジウム、
パラジウムブラックなどが挙げられる。触媒の使用量は
特に制限されないが、原料イソインドリン誘導体１００
重量に対して触媒の金属換算で０．０５〜１０重量％で
ある。
【０００８】本発明を水溶媒で実施する場合は、ｐＨが
１〜１０の範囲で行うことができるが、好ましくｐＨが
４〜７の弱酸性ないし中性水溶液である。この場合の酸
としては、塩酸、硫酸、リン酸などの鉱酸類、酢酸、プ
ロピオン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホ
ン酸などの有機酸類が使用できるが、中でも、塩酸が好
ましい。
１〜１０の範囲で行うことができるが、好ましくｐＨが
４〜７の弱酸性ないし中性水溶液である。この場合の酸
としては、塩酸、硫酸、リン酸などの鉱酸類、酢酸、プ
ロピオン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホ
ン酸などの有機酸類が使用できるが、中でも、塩酸が好
ましい。
【０００９】また、イソインドリンやＮ−ベンジルイソ
インドリンなどを原料として中性条件下で触媒還元する
場合は、含水ｔ−ブチルアルコールを溶媒に用いると好
ましい結果を与える。その他の誘導体を原料とする場合
に関しては、特に溶媒に関する制限はないが、メタノー
ル、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール
などのアルコールや含水アルコールが好ましい結果を与
える。
インドリンなどを原料として中性条件下で触媒還元する
場合は、含水ｔ−ブチルアルコールを溶媒に用いると好
ましい結果を与える。その他の誘導体を原料とする場合
に関しては、特に溶媒に関する制限はないが、メタノー
ル、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール
などのアルコールや含水アルコールが好ましい結果を与
える。
【００１０】イソインドリンやＮ−ベンジルイソインド
リンを水溶媒で行う場合、酸の使用量は本反応に重要で
あり、少なすぎると副生物の２−メチルシクロヘキシル
メチルアミンが増加し、目的物のシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン誘導体の収率が低下する。逆に多すぎる
と、反応時間が長くなる。
リンを水溶媒で行う場合、酸の使用量は本反応に重要で
あり、少なすぎると副生物の２−メチルシクロヘキシル
メチルアミンが増加し、目的物のシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリン誘導体の収率が低下する。逆に多すぎる
と、反応時間が長くなる。
【００１１】還元反応に使用する水素の水素圧は５〜５
０ｋｇ／ｃｍ2が望ましく、特に２０〜３０ｋｇ／ｃｍ2
が良い結果を与える。水素圧が低いと反応時間が長くな
る。
０ｋｇ／ｃｍ2が望ましく、特に２０〜３０ｋｇ／ｃｍ2
が良い結果を与える。水素圧が低いと反応時間が長くな
る。
【００１２】反応温度は８０〜１５０℃が好ましい。特
に１１０〜１４０℃が良い結果を与える。
に１１０〜１４０℃が良い結果を与える。
【００１３】
【実施例】以下、実施例にて本発明を更に説明するが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
本発明はこれにより限定されるものではない。
【００１４】実施例１ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、イソイン
ドリン１２９ｇ、７．２％塩酸水溶液５４５ｇ、５％ル
テニウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇを加え、水素
圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応した。水素の導入
開始後２時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は９８．３％であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが０．３
％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミンが０．４％
生成していた。反応液を冷却後、２０％苛性ソーダ水溶
液２４０ｇを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン１２８．０ｇ（収率９４．５％）を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比９９．
０％以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが０．３％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が０．４％であった。
ドリン１２９ｇ、７．２％塩酸水溶液５４５ｇ、５％ル
テニウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇを加え、水素
圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応した。水素の導入
開始後２時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は９８．３％であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが０．３
％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミンが０．４％
生成していた。反応液を冷却後、２０％苛性ソーダ水溶
液２４０ｇを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン１２８．０ｇ（収率９４．５％）を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比９９．
０％以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが０．３％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が０．４％であった。
【００１５】実施例２ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、イソイン
ドリン１２９ｇ、７．２％塩酸水溶液５４５ｇ、５％ロ
ジウム−炭素触媒（５０％含水）２．６ｇを加え、水素
圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応した。水素の導入
開始後１時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は９８．７％であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが０．４
％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミンが０．４％
生成していた。反応液を冷却後、２０％苛性ソーダ水溶
液２４０ｇを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン１３０．０ｇ（収率９５．９％）を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比９９．
０％以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが０．５％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が０．３％であった。
ドリン１２９ｇ、７．２％塩酸水溶液５４５ｇ、５％ロ
ジウム−炭素触媒（５０％含水）２．６ｇを加え、水素
圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応した。水素の導入
開始後１時間で水素の吸収速度が低下したため、この時
点で水素の導入を停止して反応を終了とした。反応終了
後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キャピラリーガ
スクロマトグラフィーにて分析した結果、シス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンの収率は９８．７％であった。ま
た、トランス−ヘキサヒドロイソインドリンが０．４
％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミンが０．４％
生成していた。反応液を冷却後、２０％苛性ソーダ水溶
液２４０ｇを加え中和し、トルエンで抽出した。有機層
を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキサヒドロイソインド
リン１３０．０ｇ（収率９５．９％）を得た。得られた
シス−ヘキサヒドロイソインドリンは、キャピラリーガ
スクロマトグラフィーによる分析の結果、面積比９９．
０％以上であり、トランス−ヘキサヒドロイソインドリ
ンが０．５％、２−メチルシクロヘキシルメチルアミン
が０．３％であった。
【００１６】実施例３ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、イソイン
ドリン１２９ｇ、５０％含水ｔ−ブチルアルコール５１
６ｇ、５％ルテニウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇ
を加え、水素圧３０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応し
た。水素の導入開始後６時間で水素の吸収速度が低下し
たため、この時点で水素の導入を停止して反応を終了と
した。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。
キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結
果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は９６．
０％であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンが０．１％、２−メチルシクロヘキシルメチルア
ミンが３．８％生成していた。反応液を濃縮後、蒸留精
製してシス−ヘキサヒドロイソインドリン１２３．２ｇ
（収率９１％）を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンは、キャピラリーガスクロマトグラフィー
による分析の結果、面積比９６％であり、トランス−ヘ
キサヒドロイソインドリンが０．１％、２−メチルシク
ロヘキシルメチルアミンが３．８％であった。
ドリン１２９ｇ、５０％含水ｔ−ブチルアルコール５１
６ｇ、５％ルテニウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇ
を加え、水素圧３０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応し
た。水素の導入開始後６時間で水素の吸収速度が低下し
たため、この時点で水素の導入を停止して反応を終了と
した。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。
キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結
果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は９６．
０％であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソイン
ドリンが０．１％、２−メチルシクロヘキシルメチルア
ミンが３．８％生成していた。反応液を濃縮後、蒸留精
製してシス−ヘキサヒドロイソインドリン１２３．２ｇ
（収率９１％）を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイ
ソインドリンは、キャピラリーガスクロマトグラフィー
による分析の結果、面積比９６％であり、トランス−ヘ
キサヒドロイソインドリンが０．１％、２−メチルシク
ロヘキシルメチルアミンが３．８％であった。
【００１７】実施例４ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、Ｎ−ベン
ジルイソインドリン２２６．５ｇ、７．２％塩酸水溶液
５４５ｇ、５％パラジウム−炭素触媒（５０％含水）２
６ｇを加え、水素圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応
した。水素の導入開始後１０時間で水素の吸収速度が低
下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を終
了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別し
た。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した
結果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は８
３．８％であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソ
インドリンが０．１％、２−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンが０．７％生成していた。反応液を冷却後、２
０％苛性ソーダ水溶液２４０ｇを加え中和し、トルエン
で抽出した。有機層を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキ
サヒドロイソインドリン９９．７ｇ（収率７９．６％）
を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイソインドリン
は、キャピラリーガスクロマトグラフィーによる分析の
結果、面積比９９．０％以上であり、トランス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンが０．１％、２−メチルシクロヘ
キシルメチルアミンが０．７％であった。
ジルイソインドリン２２６．５ｇ、７．２％塩酸水溶液
５４５ｇ、５％パラジウム−炭素触媒（５０％含水）２
６ｇを加え、水素圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反応
した。水素の導入開始後１０時間で水素の吸収速度が低
下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を終
了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別し
た。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した
結果、シス−ヘキサヒドロイソインドリンの収率は８
３．８％であった。また、トランス−ヘキサヒドロイソ
インドリンが０．１％、２−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンが０．７％生成していた。反応液を冷却後、２
０％苛性ソーダ水溶液２４０ｇを加え中和し、トルエン
で抽出した。有機層を濃縮後、蒸留精製してシス−ヘキ
サヒドロイソインドリン９９．７ｇ（収率７９．６％）
を得た。得られたシス−ヘキサヒドロイソインドリン
は、キャピラリーガスクロマトグラフィーによる分析の
結果、面積比９９．０％以上であり、トランス−ヘキサ
ヒドロイソインドリンが０．１％、２−メチルシクロヘ
キシルメチルアミンが０．７％であった。
【００１８】実施例５ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、Ｎ−ノニ
ルイソインドリン２６５ｇ、２−プロパノール７３５
ｇ、５％ロジウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇを加
え、水素圧１５ｋｇ／ｃｍ2、１２０℃で反応した。水
素の導入開始後５時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−ノニルイソインドリンの収率
は９８．０％であった。また、トランス−ヘキサヒドロ
−Ｎ−ノニルイソインドリンが０．５％生成した。
ルイソインドリン２６５ｇ、２−プロパノール７３５
ｇ、５％ロジウム−炭素触媒（５０％含水）２６ｇを加
え、水素圧１５ｋｇ／ｃｍ2、１２０℃で反応した。水
素の導入開始後５時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−ノニルイソインドリンの収率
は９８．０％であった。また、トランス−ヘキサヒドロ
−Ｎ−ノニルイソインドリンが０．５％生成した。
【００１９】実施例６ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、Ｎ−エト
キシカルボニルイソインドリン２０７ｇ、エチルアルコ
ール７９３ｇ、５％ロジウム−炭素触媒（５０％含水）
２０ｇを加え、水素圧２５ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反
応した。水素の導入開始後１０時間で水素の吸収速度が
低下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を
終了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別
した。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析し
た結果、シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−エトキシカルボニル
イソインドリンの収率は９５．３％であった。また、ト
ランス−ヘキサヒドロ−Ｎ−エトキシカルボニルイソイ
ンドリンが０．６％生成した。
キシカルボニルイソインドリン２０７ｇ、エチルアルコ
ール７９３ｇ、５％ロジウム−炭素触媒（５０％含水）
２０ｇを加え、水素圧２５ｋｇ／ｃｍ2、１３０℃で反
応した。水素の導入開始後１０時間で水素の吸収速度が
低下したため、この時点で水素の導入を停止して反応を
終了とした。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別
した。キャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析し
た結果、シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−エトキシカルボニル
イソインドリンの収率は９５．３％であった。また、ト
ランス−ヘキサヒドロ−Ｎ−エトキシカルボニルイソイ
ンドリンが０．６％生成した。
【００２０】実施例７ ３リットル電磁攪拌式ＧＬオートクレーブに、Ｎ−アセ
チルイソインドリン１７５ｇ、メチルアルコール８２５
ｇ、５％ルテニウム−炭素触媒（５０％含水）１７ｇを
加え、水素圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１１０℃で反応した。
水素の導入開始後８時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−アセチルイソインドリンの収
率は９３．７％であった。また、トランス−ヘキサヒド
ロ−Ｎ−アセチルイソインドリンが０．２％生成した。
チルイソインドリン１７５ｇ、メチルアルコール８２５
ｇ、５％ルテニウム−炭素触媒（５０％含水）１７ｇを
加え、水素圧２０ｋｇ／ｃｍ2、１１０℃で反応した。
水素の導入開始後８時間で水素の吸収速度が低下したた
め、この時点で水素の導入を停止して反応を終了とし
た。反応終了後、反応液をろ過して触媒をろ別した。キ
ャピラリーガスクロマトグラフィーにて分析した結果、
シス−ヘキサヒドロ−Ｎ−アセチルイソインドリンの収
率は９３．７％であった。また、トランス−ヘキサヒド
ロ−Ｎ−アセチルイソインドリンが０．２％生成した。
【００２１】
【発明の効果】本発明により、トランス−ヘキサヒドロ
イソインドリン誘導体や２−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンなどの炭素−窒素結合水素化分解物の生成を抑
制して、シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工
業的に収率良く高立体選択的にかつ経済的に製造するこ
とができる。
イソインドリン誘導体や２−メチルシクロヘキシルメチ
ルアミンなどの炭素−窒素結合水素化分解物の生成を抑
制して、シス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を工
業的に収率良く高立体選択的にかつ経済的に製造するこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 9:00 Ｃ０７Ｍ 9:00 (56)参考文献 特開 平８−134020（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−242580（ＪＰ，Ａ) 特公 昭44−5219（ＪＰ，Ｂ１) Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，（1987）, 30（６），ｐ．992−８ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 209/44 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるイソ
インドリン誘導体をルテニウム、ロジウム又はパラジウ
ムを触媒として接触還元することにより、一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ2は水素、アルキル基、ベンジル基、アシル
基又はアルコキシカルボニル基を示す）で表されるシス
−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体を得ることを特徴
とするシス−ヘキサヒドロイソインドリン誘導体の製造
方法。
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