JPH1150229A - 整備中に真空状態を保存する隔離バルブを備えるチャンバ設計 - Google Patents

整備中に真空状態を保存する隔離バルブを備えるチャンバ設計

Info

Publication number
JPH1150229A
JPH1150229A JP10125161A JP12516198A JPH1150229A JP H1150229 A JPH1150229 A JP H1150229A JP 10125161 A JP10125161 A JP 10125161A JP 12516198 A JP12516198 A JP 12516198A JP H1150229 A JPH1150229 A JP H1150229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
valve
isolation
enclosure
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10125161A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert E Davenport
イー． ダヴェンポート ロバート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH1150229A publication Critical patent/JPH1150229A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/04—Pressure vessels, e.g. autoclaves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
  • Cold Air Circulating Systems And Constructional Details In Refrigerators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、チャンバのある部分の真空状態を
保存することによって、消耗品を交換したり定期的な整
備を実施した後のチャンバの真空引きに必要な時間量を
低減する真空チャンバを提供する。 【解決手段】 このチャンバは、チャンバの第１の部分
に含まれる頻繁に交換される消耗品や部品を隔離するの
で、チャンバの第１部分だけが周囲環境にさらされ、再
度排気しなければならないガスや空気の体積が低減され
る。チャンバ壁の内部に形成されるか、あるいは弁体に
よって設けられる弁座とのシールを形成するためにゲー
トバルブが設けられる。第２の部分がシールされたら、
アクセスのために第１部分のリッドを開けることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバの一部分
の真空状態を保存するとともにチャンバの別の部分の整
備やその他のアクセスを可能にする隔離バルブを有する
真空処理チャンバに関する。本発明は、特に、チャンバ
のある部分の真空状態を保存して、チャンバの別の部分
の整備の後にチャンバを排気するのに必要な時間量を低
減することができるゲートバルブ（仕切弁）に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空チャンバは、多様な産業における多
様なプロセスで有益に使用されている。真空条件および
真空の目的は、一つのプロセス又はチャンバから別のプ
ロセス又はチャンバまで広範囲にわたって異なる可能性
がある。多くの用途において、真空チャンバは、チャン
バ内の状態を更に変化させたりチャンバ内でなんらかの
操作を行う特定の装置や部材と協同して機能し、あるい
はそのような装置または部材を実際に含んでいる。更
に、真空チャンバは、通常、チャンバ環境によってコン
ディショニングされている被処理体やチャンバ内の装置
によって処理されている被処理体を含んでいる。いずれ
の場合にも、チャンバ内の被処理体またはチャンバ内の
装置の幾つかの部品を交換することが必要であったり望
ましいことが多い。しかしながら、チャンバを周囲環境
に開放すると真空状態が消え、チャンバ内の他の状態が
損なわれ、ガス成分の漏洩が可能になり、汚染物質の流
入が可能になる。
【０００３】チャンバ内の真空状態を復旧するために、
チャンバからガスを抜くための様々なポンプを、特定の
用途に応じて単独で又は組み合わせて使用することがで
きる。ポンプは、一定範囲のガス流量にわたって動作
し、一定範囲の圧力を達成するように設計することがで
きる。例えば、遠心ポンプは、通常、高いガス流量と極
めてわずかな真空圧が望まれるような用途で使用され
る。一方、低温ポンプは、最も一般的には、低い流量で
十分であり、かつ強力な真空が望まれる用途で使用され
る。
【０００４】特定の用途や使用されるポンプの種類に関
係なく、チャンバ内を真空に引くために相当な量の時間
とエネルギーが必要になることがある。通常、費やされ
る時間およびエネルギーの量は約５〜約２４時間の範囲
にわたり、生産性および効率が相当に損なわれているこ
とを表している。したがって、真空チャンバ及びその内
部で実行されるプロセスの生産性および効率を高めるた
めに多くの研究努力がなされてきた。これらの努力の成
果は、多様な方面にわたる。例えば、集積回路の製造な
どの高真空用途では、約１０-3ｔｏｒｒ程度の真空に引
くために粗引きポンプを使用し、それに続いて約１０-7
〜１０-9ｔｏｒｒ程度の高い真空度を達成するために低
温ポンプを使用することができる。この方法では、各ポ
ンプの強さを利用して排気時間を最小限に抑える。別の
例としては、チャンバを開けなければならない頻度の間
隔をひろげるために、チャンバ内の装置の信頼性および
寿命を高めようとする努力が挙げられる。
【０００５】集積回路の製造に使用される代表的な真空
プロセスには、物理気相堆積法（「ＰＶＤ」）および化
学気相堆積法（「ＣＶＤ」）が含まれている。基板また
は被処理体の上に金属を物理気相堆積するための典型的
な真空チャンバの概略断面図が図１に示されている。チ
ャンバ２０は、一般に、チャンバエンクロージャ壁２４
を含んでいる。このチャンバエンクロージャ壁は、少な
くとも一つのガス流入口２７と、排気ポンプ（図示せ
ず）に接続された排気口２８と、を有している。基板支
持部材２６はチャンバ２０の下端に配置され、ターゲッ
ト２２はチャンバ２０の上端に収容される。ターゲット
２２はエンクロージャ壁２４から電気的に絶縁されてお
り、好ましくはエンクロージャ壁が接地されていて、接
地されたエンクロージャ壁に対して負の電圧をターゲッ
ト２２上で維持できるようになっているとよい。シール
ド４０がチャンバ内に配置されていて、このシールド４
０が環状の折り返し壁４１を含んでいてもよい。この折
り返し壁４１の上では、支持部材２６がチャンバ内で下
向きに引き戻されるときに支持部材の上方でクランプリ
ング３０を静止させることができる。
【０００６】新しい半導体基板をチャンバ２０に収容す
るための準備の際、基板支持部材２６は駆動機構４２に
よってクランプリングおよびシールドよりもかなり下に
下降させられるので、支持部材の底はピン位置決めプラ
ットホーム３６に近接する。支持部材２６は、３個以上
の垂直穴（図示せず）を含んでおり、その穴のそれぞれ
が、垂直方向に摺動可能なピン３４を含んでいる。支持
部材が上述の下降位置にあるとき、各ピンの底部先端は
プラットホーム３６上に載置され、各ピンの上側先端は
支持部材の上面の上に突出する。これらのピンの上側先
端は、基板を受け取るための支持部材の上面に平行な平
面を定めている。
【０００７】従来のロボットアーム（図示せず）が基板
１２をチャンバ２０に搬入し、ピン３４の上側先端（図
示せず）の上方にその基板を配置する。リフト機構４３
がピンプラットホームを上方に移動させて、ピンの上側
先端を基板の下面に押しつけ、更にロボットブレードか
ら基板を持ち上げて取り外す。この後、ロボットブレー
ドはチャンバ２０から引き戻され、リフト機構が支持部
材を上昇させるので、ピンが支持部材２６中で下向きに
摺動し、それによって基板が支持部材の上面に降ろされ
る。
【０００８】リフト機構４２は支持部材２６を上昇させ
続けるので、基板の外周部が、折り返し壁部分４１に載
置されたクランプリング３０に接触する。クランプリン
グの内径は、基板のエッジを防護するために、通常、基
板の内径よりもわずかに小さい寸法を有している。支持
部材は、ターゲット表面から設定距離に基板を位置決め
するために上方に移動を続けるようになっていてもよ
い。
【０００９】図１に示される好適なスパッタリングチャ
ンバ２０の場合、堆積プロセスは、ガス流入口２７を通
じてスパッタリングプロセスガス（通常はアルゴン）を
チャンバに供給し、ＤＣ電源２１から負の電圧をスパッ
タリングターゲット２２に印加することによって開始さ
れる。この電圧がアルゴンガスを励起してプラズマ状態
にし、アルゴンイオンを負にバイアスされたターゲット
に衝撃させてターゲットから材料をスパッタする。この
後、シールド、クランプリング、又はチャンバの他の内
面や部品に堆積した材料の一部を除けば、スパッタされ
た材料は基板上に堆積する。フィルム層が基板上に堆積
された後、この基板は、基板がチャンバに搬入される一
連の手順を逆に行うことによってチャンバ２０から取り
出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】チャンバ設計やチャン
バ消耗品（例えばターゲット２２）の幾つかの改善によ
って真空チャンバの生産性および効率が高められてきた
が、さらなる改善が望まれている。つまり、消耗品を交
換した後、あるいは定期的な整備を実施した後に真空引
きを行うのに要する時間を低減する真空チャンバが依然
として要望されている。チャンバがチャンバ内の真空状
態を保存することができれば、それは望ましいことであ
る。特に、頻繁に交換される消耗品や部品をチャンバの
他の部分から隔離するようなチャンバを有し、チャンバ
の最小限の部分のみが周囲環境にさらされ、排気しなけ
ればならない空間の容積が最小限に抑えられるようにな
っていることが望ましい。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、エンクロージ
ャを備える物理気相堆積チャンバを提供する。このエン
クロージャは、交換可能な部材を含む第１の部分と、被
処理体支持部材および真空ポートを含む第２の部分と、
第１部分と第２部分との間に位置するエンクロージャの
内壁に沿った弁座と、を有している。このエンクロージ
ャは、隔離バルブを内蔵している。この隔離バルブは、
ハウジングと、隔離プレートと、ハウジング内に完全に
引き戻された位置とエンクロージャ内に完全に延びて弁
座にシール係合しエンクロージャの第２部分と空密シー
ルを形成する位置との間で隔離プレートを移動させるア
クチュエータと、を有している。
【００１２】本発明の別の態様は、物理気相堆積チャン
バの第１の部分の真空状態を、このチャンバの第２の部
分に含まれる交換可能部材を交換する間、維持する装置
を提供する。この装置は、チャンバ内のポートに結合さ
れた二次バルブを備えており、この二次バルブを閉じる
ことによってチャンバと空密シールを形成することがで
きる。このとき、上述の隔離バルブがこの二次バルブに
着脱自在に結合されていてもよい。
【００１３】本発明は、複数のプロセスエンクロージャ
を備える半導体製造システムも提供する。これらのプロ
セスエンクロージャは、プロセスキットを含む第１の部
分と、被処理体支持部材および真空ポートを含む第２の
部分と、第１部分と第２部分との間に位置するエンクロ
ージャの内壁に沿った隔離弁座と、隔離弁座の一部分に
沿った隔離弁口と、隔離弁口の上に配置された二次バル
ブと、を有している。この二次バルブは、隔離プレート
が隔離プレート収容キャビティを通って延びていないと
きに、エンクロージャと隔離プレート収容キャビティと
の間に空密シールを形成することができる。この方式で
は、隔離バルブを複数のエンクロージャ（例えば物理気
相堆積チャンバ）に交換可能に結合させることができ
る。
【００１４】更に本発明は、真空チャンバ内のプロセス
キットを交換する方法を提供する。この方法は、空密バ
ルブを閉じて、真空状態にある間にプロセスキットを含
むチャンバの第１の部分をチャンバの主要部分から隔離
するステップを含んでいる。この後、チャンバの第１部
分の真空度は、チャンバの第１部分のリッドを開ける前
に低減される。チャンバの第１部分から前のプロセスキ
ットが新しいプロセスキットに交換され、チャンバの第
１部分のリッドが閉じられる。この後、隔離バルブを開
く前に、チャンバの第１部分が真空に引かれる。
【００１５】本発明の上述の特徴、利点及び目的が達成
される方法を詳細に理解することができるように、概要
を簡単に説明した本発明を、添付の図面に示される実施
形態を参照することによってより詳細に説明する。
【００１６】しかしながら、添付図面は本発明の代表的
な実施形態を示したものにすぎず、本発明は同等に有効
な別の実施形態を含んでいてもよいことから、本発明の
範囲を限定するものではない。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明は、チャンバのある部分の
真空状態を保存することによって、消耗品を交換した後
や定期的な整備を実施した後の真空引きに必要な時間量
を低減する真空チャンバを提供する。具体的に述べる
と、このチャンバは、チャンバの第１の部分に含まれる
頻繁に交換される消耗品や部品を隔離するので、チャン
バのこの第１部分だけが周囲環境にさらされ、再び排気
しなければならないガスや空気の体積が減少する。
【００１８】本発明の真空チャンバは、交換可能な部材
や整備に必要な他の部材を含む第１の部分と、その他の
チャンバ部品、部材または被処理体を含む第２の部分
と、を有するエンクロージャを備えている。弁座がエン
クロージャの内壁または弁体に形成され、第１部分と第
２部分との間の境界を定めている。第１部分は、交換可
能部材へのアクセスのために特別に設計されたリッドま
たはドア、あるいは任意の数の物品にアクセスするため
の一般的なアクセス手段または開口部であるリッドまた
はドアを有している。
【００１９】本発明の一つの態様では、隔離バルブがエ
ンクロージャの内壁上の弁座に制御可能に係合するよう
にエンクロージャ上の弁口に結合されている。このバル
ブは、硬質の隔離プレートを封入する空密ハウジングを
有している。この隔離プレートは、弁座と係合してチャ
ンバの二つの部分の間に空密シールを形成するような形
状を有している。ハウジング内に完全に引き戻された位
置とエンクロージャ内に完全に延びて弁座にシール係合
する位置との間で隔離プレートを駆動して移動させるア
クチュエータがバルブに設けられている。
【００２０】本発明の別の態様では、二次的な隔離バル
ブがチャンバ弁口と隔離バルブとの間に配置されてい
る。この二次隔離バルブは、隔離バルブが使用中でない
ときにチャンバ弁口をシールするように設計されてお
り、それによって隔離バルブをデポジションから防護す
るとともに、整備や、場合によっては同様の装備を有す
る複数のチャンバと協同で使用するために、チャンバか
ら隔離バルブを取り外せるようになっている。
【００２１】本発明の更に別の態様では、隔離弁座をチ
ャンバの内側壁に機械加工してもよいし（図２〜図７に
図示）、あるいはチャンバの第１部分と第２部分との間
に取り付けられた独立部材として設置してもよい。更
に、弁座は、チャンバの第１部分と第２部分との間に同
じように取り付けられた一体型バルブ／弁座の一部とし
て設置されていてもよい。
【００２２】本発明の別の態様では、隔離バルブがチャ
ンバの隔離部分に面する側面上に形成されたアノードを
有していて、チャンバの第１部分でターゲットが交換さ
れる時間と同じ時間にわたってチャンバのその部分をプ
ラズマで洗浄できるようになっていてもよい。更にま
た、第２の隔離バルブを被処理体支持部材５７のすぐ上
に配置して、プラズマ清浄プロセス中に支持部材５７や
支持部材５７の上に形成された静電チャックを保護する
ようにしてもよい。
【００２３】図２を参照すると、チャンバの弁口５２に
取り付けられた隔離バルブ６０を有するＰＶＤチャンバ
５０の概略断面図が示されている。真空チャンバがＰＶ
Ｄチャンバの場合、第１の部分５４がプロセスキットま
たはスパッタターゲット５６を含み、第２の部分５８が
被処理体支持部材５７および真空ポート５９を含んでい
ることが好ましい。本発明の隔離バルブ６０は、第１部
分５４内での定期的な作業中に第２部分５８内の真空状
態を維持することによって、ＰＶＤチャンバ５０内の真
空状態を復旧するために必要な時間量を低減する。弁口
５２を交換可能部材に極めて近接させて配置することに
より、これらの部材がプロセスキット全体を含んでいる
場合であっても、単にスパッタターゲット５６を含んで
いる場合であっても、チャンバ５０の残りの第２部分５
８における真空状態が保存される。したがって、チャン
バに流入するガスの体積が第１部分５４のガス収容容積
よりも大きいことはないので、チャンバのこの部分しか
再排気する必要はない。第１部分５４のリッド５５を開
けて部材を交換すれば、ドアすなわちリッド５５はチャ
ンバ５０に対して再びシールされるので、チャンバのこ
の第１部分しか排気する必要はない。エンクロージャの
第１部分５４の容積が最小限に抑えられ、第２部分５８
がチャンバのガス収容容積全体の大部分を占めているこ
とが好ましい。更に、第１部分５４は、プロセスで使用
される全ての消耗品（スパッタ堆積の場合にはターゲッ
ト及びシールド）または消耗品の一部のみ（例えばター
ゲットのみ）を含むようなサイズを有している。更に、
種々の消耗品の寿命が異なる場合には、複数のバルブを
使用してチャンバの複数の部分を分離し、チャンバの残
りの部分や残りの消耗品に対して真空状態を損なうこと
なく異なるスケジュールで異なる消耗部品を交換できる
ようにしてもよい。
【００２４】チャンバ５０の第１の部分５４は、ドアす
なわちリッドを開くことができるように内部に真空レリ
ース（vacuum release）を有していなければならない。
好適な真空レリースは、リッド５５を開いて交換可能部
材５６にアクセスするために真空度を低減するガスポー
ト７０および真空調整器、すなわちバルブ７２である。
更にまた、チャンバ５０は、オプションとして、プラズ
マ清浄中に被処理体支持部材５７を隔離するように配置
された第２の隔離バルブ６３や他のシャッターバルブを
含んでもよい。この第２隔離バルブ６３は、バイアスさ
れたプレート６２（図８を参照）を有する第１の隔離バ
ルブ６０と組み合わせると特に有用である。
【００２５】次に、図３について説明する。図３には、
図２に示されるＰＶＤチャンバ５０の概略断面図が示さ
れており、このチャンバ５０は、チャンバ内に延びてチ
ャンバ５０の内壁上の弁座６４とシール係合するプレー
ト６２を備えた隔離バルブ６０を有している。真空隔離
部分５８に面するプレート６２のエッジは、内部に固定
されたＯ−リング６５を有していると好適である。この
位置で隔離プレート６２を用いると、真空調整器７２を
開きガスポート７０を通じてガスを流入させることによ
り上側部分５４の真空度が低減されても、下側部分５８
の真空状態を維持することができる。
【００２６】図３では、弁口シールド６６が押し上げら
れ、隔離バルブプレート６２の経路から外れていること
に注意してほしい。弁口シールドは多様な形態をとるこ
とができるが、図３では一又は複数のヒンジドフラップ
（hinged flap）として示されている。図８を参照する
と、弁口５２をデポジションから保護するスパッタシー
ルドアセンブリ１００とともにチャンバ５０が示されて
いる。このアセンブリ１００は、円形基板１２および基
板支持部材５７と協同してチャンバ５０の全体および弁
口５２への過度のデポジションを防止するために、円筒
形であることが好ましい。上側シールド部材１０２およ
び下側シールド部材１０４は、一定の距離だけ離間して
所定の位置に固定され、隔離プレート６２が通過するの
に十分なスロットを画成するように、それぞれリッド５
５およびチャンバ５０の側壁に結合されていることが好
ましい。可動シールド部材１０６がシールド部材１０
２、１０４に近接して同心円状に配置されており、上側
シールド部材１０２と下側シールド部材１０４との間に
形成されたスロットをカバーするようになっている。可
動部材１０６は、機械的、電気的または磁気的な任意の
手段によってスロットを開くように作動させることがで
きる。
【００２７】図８について更に説明すると、本発明の別
の態様は、バルブプレート６２に結合されたＤＣ電源を
提供する。バルブプレートが閉位置にあるとき（図３お
よび図４を参照）、バルブプレート６２を電気的にバイ
アスすることで、堆積した材料を除去して継続使用のた
めにシールドを清浄化するためにチャンバスパッタシー
ルドアセンブリ１００に反応性エッチングを施すことが
できるようになる。バイアスされたバルブプレート６２
を用いてエッチングを行うことの主要な利点の一つは、
ターゲット５６が過酷なエッチング環境から保護される
ことである。また、図２の隔離バルブ６３のようなシャ
ッター機構を使用して基板支持部材５７を保護すること
も好適である。
【００２８】次に、図４について説明する。図４には、
図３のＰＶＤチャンバ５０の概略断面図が示されてお
り、このチャンバ５０は、取り外したリッド５５とそれ
に取り付けられた新しいスパッタターゲット５６′とを
有している。チャンバの下側部分５８の真空状態が損な
われていないことに注意してほしい。
【００２９】第１部分へのガスポート７０は、図４では
リッド５５を貫通するように図示されているが、重要な
のは、リッドがチャンバ５０に取り付けられたとき（図
５に図示）にガスポートが第１部分５４と連通すること
だけである。具体的には、図７に示されるように、ガス
ポート７０は、弁座６４の上方においてチャンバ５０の
側壁７４内に設けられていてもよい。いずれの構成も自
由に選択することができ、いずれの構成であっても、特
定の環境やチャンバに近接する装置の特定の構成におい
て好適となることがある。
【００３０】次に、図５について説明する。図５には、
図４のＰＶＤチャンバ５０の概略断面図が示されてお
り、ここでは新しいスパッタターゲット５６′が設置さ
れ、リッド５５が再び取り付けられている。チャンバ上
の所定箇所に戻されたリッド５５を用いることで、第１
部分５４の真空状態を多くの方法で復旧することができ
る。第１に、ガスポートバルブ７２を閉じ、隔離バルブ
６２をゆっくりと開くことにより、第１部分５４からの
ガスが真空状態を維持している第２部分５８に漏れ込む
ことが可能となる。しかしながら、バルブプレート６２
の両側で圧力が等しくないと、バルブを開くことが困難
になったり、弁座６４や任意の付随ガスケットを傷つけ
る可能性がある。ガスポート７０に真空を接続してから
ガスポートバルブ７２を開くことによって第１部分５４
を真空に引くまで隔離バルブ６０を開かないでおくと更
に好適である。真空引きは、この技術で利用できるどの
ような方法で行ってもよく、例えば、粗引きポンプと低
温ポンプを組み合わせて使用してもよい。真空マニホー
ルドやその他のバルブおよび配管構成を用いることで、
一組のポンプだけを交互に、あるいは特定の組み合わせ
でチャンバの第１部分５４および第２部分５８の双方に
作用させることができるものと考えられる。
【００３１】次に、図６について説明する。図６には、
図５のＰＶＤチャンバの概略断面図が示されており、こ
のチャンバは、バルブハウジング６８に引き戻された隔
離バルブプレート６２と、下向き配置で弁口５２をカバ
ーする弁口シールド６６と、を有している。図２〜図６
に示される一連の手順を完了すれば、チャンバ５０は、
もう一度、基板１２を処理する準備が整う。
【００３２】次に、図７について説明する。図７には、
隔離バルブハウジング６８とチャンバに対する弁口５２
との間に挿入された二次バルブ８０を有する図１のＰＶ
Ｄチャンバ５０の概略断面図が示されている。隔離バル
ブ６０および二次バルブ８０は、双方ともゲート型バル
ブであることが好ましい。この構成では、二次バルブ８
０をアクチュエータ８２によって閉じることで、隔離バ
ルブ６０をプロセス環境から保護することができるの
で、隔離バルブが複数のチャンバに機能を提供できるよ
うになっている。動作中、二次バルブは、通常、プレー
ト８４を閉じてチャンバ５０と空密シールを形成する。
しかしながら、隔離プレート６２が二次バルブ開口部８
６を通ってチャンバ５０内に延びるように、隔離バルブ
のアクチュエータ６１を動作させる前に二次バルブプレ
ート８４を開かなければならない。二次バルブ８０の存
在は、隔離バルブプレート、すなわちバルブステム６２
が二次バルブを通って届くためにはステムを延長しなけ
ればないことを意味している。
【００３３】弁口５２、隔離バルブ６０、および、オプ
ションとしての二次バルブ８０の間の空密接続部８８は
この技術で知られている任意の方法で実現することがで
きるが、好適な接続部は、Ｏ−リングおよび保持溝９２
を有する機械加工平坦面９０である。チャンバ５０内の
真空度が増大するにつれて、シール接続部８８は徐々に
きつく締められる。しかしながら、バルブ６０、８０は
チャンバの側部から延びている場合もあるので、一般的
には、これらの部材間にメカニカルファスナ９４を設置
する必要がある。このファスナは、任意の公知のファス
ナとすることができ、ボルト、フック、クランプ、バネ
などが含まれる。二次バルブ８０が組み込まれており、
隔離バルブ６０を頻繁に取り外さなければならない場
合、好適なファスナは、クランプ、フック、バネなどの
急速着脱タイプである。
【００３４】上述のチャンバ５０は、以下のステップを
備える真空チャンバ内のプロセスキット交換方法におい
て有益に使用することができる。すなわち、ａ）空密隔
離バルブを閉じ、真空状態にある間に、プロセスキット
を含むチャンバの第１の部分をチャンバの主要部分から
隔離するステップと、ｂ）チャンバの第１部分の真空度
を低減するステップと、ｃ）チャンバの第１部分のリッ
ドを開くステップと、ｄ）チャンバの第１部分から前の
プロセスキットを新しいプロセスキットに交換するステ
ップと、ｅ）チャンバの第１部分のリッドを閉じるステ
ップと、ｆ）チャンバの第１部分を真空引きするステッ
プと、ｇ）隔離バルブを開くステップと、を備えてい
る。好ましい方法では、真空チャンバは物理気相堆積チ
ャンバであり、プロセスキットにはスパッタターゲット
が含まれている。更に好ましくは、チャンバの主要部分
に基板支持部材が含まれている。
【００３５】以上の説明は本発明の好適な実施形態に関
して行ってきたが、本発明の範囲を逸脱することなく本
発明のその他の実施形態を考案することができる。本発
明の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の物理気相堆積チャンバの断面図である。
【図２】チャンバの弁口に取り付けられた隔離バルブを
有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図３】チャンバの弁口に取り付けられた隔離バルブを
有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図４】チャンバの弁口に取り付けられた隔離バルブを
有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図５】チャンバの弁口に取り付けられた隔離バルブを
有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図６】チャンバの弁口に取り付けられた隔離バルブを
有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図７】隔離バルブと弁口との間に挿入された二次バル
ブを有する図１のＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図８】本発明のチャンバおよびバルブアセンブリの別
の実施形態の概略断面図であり、この実施形態は、バル
ブプレート（弁板）に結合されたＤＣ電源を有してい
る。
【符号の説明】
５０…ＰＶＤチャンバ、５２…弁口、５４…第１部分、
５５…リッド、５６…スパッタターゲット、５７…被処
理体支持部材、５８…第２部分、５９…真空ポート、６
０…隔離バルブ、６２…バルブプレート、６４…弁座、
６６…弁口シールド、７０…ガスポート、７２…真空調
整器。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 交換可能部材を含む第１の部分と、被処
    理体支持部材および真空ポートを含む第２の部分と、こ
    の第１部分と第２部分との間に位置するエンクロージャ
    の内壁に沿った弁座と、を有するエンクロージャと、 エンクロージャに結合された隔離バルブであって、ハウ
    ジングと、隔離プレートと、ハウジング内に完全に引き
    戻された位置とエンクロージャ内に完全に延びて前記弁
    座にシール係合し前記エンクロージャの第２部分と空密
    シールを形成する位置との間で前記隔離プレートを移動
    させるアクチュエータと、を有する隔離バルブと、を備
    える物理気相堆積チャンバ。
  2. 【請求項２】 前記エンクロージャの第２部分がより大
    きい方の部分である請求項１記載の物理気相堆積チャン
    バ。
  3. 【請求項３】 前記第１部分が最小限の容積のガス収容
    空間を有している請求項１記載の物理気相堆積チャン
    バ。
  4. 【請求項４】 前記交換可能部材がスパッタターゲット
    である請求項１記載の物理気相堆積チャンバ。
  5. 【請求項５】 前記交換可能部材がプロセスキットを含
    んでいる請求項１記載の物理気相堆積チャンバ。
  6. 【請求項６】 前記隔離バルブハウジングが隔離プレー
    ト収容キャビティを画成し、前記チャンバが、前記隔離
    バルブハウジングと前記エンクロージャとの間に配置さ
    れた二次バルブを更に備え、この二次バルブは、前記隔
    離プレートが完全に引き戻された位置にあるときに前記
    エンクロージャと前記隔離プレート収容キャビティとの
    間に空密シールを形成することができるようになってい
    る、請求項１記載の物理気相堆積チャンバ。
  7. 【請求項７】 前記隔離バルブは、前記二次バルブから
    着脱自在となっている、請求項６記載の物理気相堆積チ
    ャンバ。
  8. 【請求項８】 前記エンクロージャの第１部分は、ガス
    ポートと、真空度を増減する真空調整器と、を有してい
    る、請求項１記載の物理気相堆積チャンバ。
  9. 【請求項９】 上側および下側の固定円筒形シールド部
    材と可動シールド部材とを有するシールドアセンブリを
    更に備え、前記上側部材がリッドに結合され、前記下側
    部材が一定の距離だけ離間して前記チャンバ壁に結合さ
    れて、前記隔離プレートが通過するのに十分なスロット
    がこれらの部材の間に画成されており、前記可動部材
    は、前記スロットをカバーする位置と前記スロットのカ
    バーを解除する位置との間を動くことができる、請求項
    １記載の物理気相堆積チャンバ。
  10. 【請求項１０】 物理気相堆積チャンバの第１の部分の
    真空状態を、このチャンバの第２の部分にある交換可能
    部材を交換している間、維持する装置であって、 前記チャンバ内のポートに結合され、前記チャンバと空
    密シールを形成するように閉じることができる二次バル
    ブと、 前記二次バルブに結合された隔離バルブであって、ハウ
    ジングと、隔離プレートと、ハウジング内に完全に引き
    戻された位置と開状態の前記二次バルブおよびチャンバ
    ポートを通って前記チャンバ内に完全に延びて弁座に係
    合し前記エンクロージャの第１部分と空密シールを形成
    する位置との間で前記隔離プレートを移動させるアクチ
    ュエータと、を有する隔離バルブと、を備える装置。
  11. 【請求項１１】 前記隔離バルブは前記二次バルブから
    取り外すことができるようになっている請求項１０記載
    の装置。
  12. 【請求項１２】 前記弁座が前記バルブハウジング内に
    形成されている請求項１０記載の物理気相堆積チャン
    バ。
  13. 【請求項１３】 前記弁座が前記チャンバの壁に機械加
    工されている請求項１０記載の物理気相堆積チャンバ。
  14. 【請求項１４】 前記交換可能部材がスパッタターゲッ
    トである請求項１０記載の物理気相堆積チャンバ。
  15. 【請求項１５】 プロセスキットを含む第１の部分と、
    被処理体支持部材および真空ポートを含む第２の部分
    と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置するエン
    クロージャの内壁に沿った隔離弁座と、前記隔離弁座の
    一部分に沿った隔離弁口と、前記隔離弁口の上に配置さ
    れた二次バルブと、を有する複数のプロセスエンクロー
    ジャであって、前記二次バルブは、前記隔離プレートが
    隔離プレート収容キャビティを通って延びていないとき
    に前記エンクロージャと隔離プレート収容キャビティと
    の間に空密シールを形成することができるようになって
    いる複数のプロセスエンクロージャと、 複数の前記エンクロージャに交換可能に結合することの
    できる隔離バルブであって、隔離プレートと、隔離プレ
    ート収容キャビティを画成するハウジングと、前記ハウ
    ジング内に完全に引き戻された位置と前記エンクロージ
    ャ内に完全に延びて前記弁座にシール係合し前記エンク
    ロージャの第２部分と空密シールを形成する位置との間
    で前記隔離プレートを移動させるアクチュエータと、を
    有する隔離バルブと、を備える半導体製造システム。
  16. 【請求項１６】 前記プロセスエンクロージャに物理気
    相堆積チャンバが含まれている請求項１５記載の半導体
    製造システム。
  17. 【請求項１７】 真空チャンバ内のプロセスキットを交
    換する方法であって、 ａ）空密バルブを閉じ、真空状態にある間にプロセスキ
    ットを含む前記チャンバの第１の部分を前記チャンバの
    主要部分から隔離するステップと、 ｂ）前記チャンバの第１部分の真空度を低減するステッ
    プと、 ｃ）前記チャンバの第１部分のリッドを開くステップ
    と、 ｄ）前記チャンバの第１部分から前のプロセスキットを
    新しいプロセスキットに交換するステップと、 ｅ）前記チャンバの第１部分のリッドを閉じるステップ
    と、 ｆ）前記チャンバの第１部分を真空に引くステップと、 ｇ）前記隔離バルブを開くステップと、を備える方法。
  18. 【請求項１８】 前記真空チャンバが物理気相堆積チャ
    ンバであり、前記プロセスキットがスパッタターゲット
    を含んでいる請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記チャンバの主要部分が基板支持部
    材を含んでいる請求項１８記載の方法。
JP10125161A 1997-03-31 1998-03-31 整備中に真空状態を保存する隔離バルブを備えるチャンバ設計 Withdrawn JPH1150229A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/828250 1997-03-31
US08/828,250 US6103069A (en) 1997-03-31 1997-03-31 Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1150229A true JPH1150229A (ja) 1999-02-23

Family

ID=25251275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10125161A Withdrawn JPH1150229A (ja) 1997-03-31 1998-03-31 整備中に真空状態を保存する隔離バルブを備えるチャンバ設計

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6103069A (ja)
EP (1) EP0869199A1 (ja)
JP (1) JPH1150229A (ja)
KR (1) KR19980080903A (ja)
SG (1) SG54623A1 (ja)
TW (1) TW373242B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG90171A1 (en) * 2000-09-26 2002-07-23 Inst Data Storage Sputtering device
WO2002037543A2 (en) * 2000-10-31 2002-05-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a deposition chamber
GB0127251D0 (en) * 2001-11-13 2002-01-02 Nordiko Ltd Apparatus
DE10215040B4 (de) * 2002-04-05 2019-02-21 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen einer Vakuumkammer
JP4294976B2 (ja) * 2003-02-27 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US7300558B2 (en) * 2003-10-21 2007-11-27 Seagate Technology Llc Rapid cycle time gas burster
US20050092253A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-05 Venkat Selvamanickam Tape-manufacturing system having extended operational capabilites
KR100530335B1 (ko) * 2003-12-24 2005-11-22 재단법인 포항산업과학연구원 플라즈마 멜트 스피너용 전극봉 연마 장치
EP1582832B1 (de) * 2004-03-15 2007-04-18 Applied Materials GmbH & Co. KG Vakuumbehandlungsanlage mit Umsetzbarem Wartungsventil
DE102004036170B4 (de) * 2004-07-26 2007-10-11 Schott Ag Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Vakuumbeschichtung und deren Verwendung
US7780821B2 (en) * 2004-08-02 2010-08-24 Seagate Technology Llc Multi-chamber processing with simultaneous workpiece transport and gas delivery
KR100626791B1 (ko) * 2004-12-17 2006-09-25 두산메카텍 주식회사 진공장치용 히터
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
DE102005037822A1 (de) * 2005-08-08 2007-02-15 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co.Kg Vakuumbeschichtung mit Kondensatentfernung
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
DE102005056324A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auswechselbarer Prozesskammerdecke
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US20120152727A1 (en) * 2010-11-24 2012-06-21 Applied Materials, Inc. Alkali Metal Deposition System
CN102945788B (zh) * 2011-08-16 2015-04-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 遮蔽装置及具有其的半导体处理设备
CN103031514B (zh) * 2011-09-30 2015-09-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 遮蔽装置、具有其的pvd设备及pvd设备的控制方法
JP5787793B2 (ja) * 2012-03-05 2015-09-30 株式会社東芝 イオン源
WO2016040547A1 (en) * 2014-09-11 2016-03-17 Massachusetts Institute Of Technology Processing system for small substrates
BE1022682B1 (nl) * 2015-01-11 2016-07-14 Soleras Advanced Coatings Bvba Een deksel met een sensorsysteem voor een configureerbaar meetsysteem voor een configureerbaar sputtersysteem
EP3091561B1 (en) * 2015-05-06 2019-09-04 safematic GmbH Sputter unit
CN105047521B (zh) * 2015-09-21 2017-05-17 北京凯尔科技发展有限公司 一种保持质谱内部真空条件下更换离子源的质谱仪
US11802340B2 (en) * 2016-12-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. UHV in-situ cryo-cool chamber
JP7061896B2 (ja) 2018-03-02 2022-05-02 株式会社日立製作所 粒子線治療システムおよび粒子線治療システムの設備更新方法
US20200194234A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-18 Lam Research Corporation Vacuum chamber opening system
KR102229688B1 (ko) * 2019-02-13 2021-03-18 프리시스 주식회사 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치
TWI762230B (zh) * 2021-03-08 2022-04-21 天虹科技股份有限公司 遮擋機構及具有遮擋機構的基板處理腔室
CN115621110A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 一种门阀装置、清洁方法和机械设备
US11933416B2 (en) 2021-07-16 2024-03-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Gate valve device, cleaning method and mechanical apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3206322A (en) * 1960-10-31 1965-09-14 Morgan John Robert Vacuum deposition means and methods for manufacture of electronic components
US3641973A (en) * 1970-11-25 1972-02-15 Air Reduction Vacuum coating apparatus
US3921572A (en) * 1974-02-25 1975-11-25 Ibm Vacuum coating apparatus
DE2940064A1 (de) * 1979-10-03 1981-04-16 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vakuumaufdampfanlage mir einer ventilkammer, einer bedampfungskammer und einer verdampferkammer
US4294678A (en) * 1979-11-28 1981-10-13 Coulter Systems Corporation Apparatus and method for preventing contamination of sputtering targets
US4519885A (en) * 1983-12-27 1985-05-28 Shatterproof Glass Corp. Method and apparatus for changing sputtering targets in a magnetron sputtering system
JPS60262969A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 Tdk Corp スパツタタ−ゲツト装置
JP2859632B2 (ja) * 1988-04-14 1999-02-17 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
IT1232241B (it) * 1989-09-11 1992-01-28 Cetev Cent Tecnolog Vuoto Dispositivo per il caricamento veloce di substrati in impianti da vuoto
JPH0733576B2 (ja) * 1989-11-29 1995-04-12 株式会社日立製作所 スパツタ装置、及びターゲツト交換装置、並びにその交換方法
DE4040856A1 (de) * 1990-12-20 1992-06-25 Leybold Ag Zerstaeubungsanlage
US5223112A (en) * 1991-04-30 1993-06-29 Applied Materials, Inc. Removable shutter apparatus for a semiconductor process chamber
DE4313353C2 (de) * 1993-04-23 1997-08-28 Leybold Ag Vakuum-Beschichtungsanlage
US5380414A (en) * 1993-06-11 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Shield and collimator pasting deposition chamber with a wafer support periodically used as an acceptor
DE4408947C2 (de) * 1994-03-16 1997-03-13 Balzers Hochvakuum Vakuumbehandlungsanlage
JPH07335552A (ja) * 1994-06-08 1995-12-22 Tel Varian Ltd 処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6103069A (en) 2000-08-15
TW373242B (en) 1999-11-01
SG54623A1 (en) 1998-11-16
EP0869199A1 (en) 1998-10-07
KR19980080903A (ko) 1998-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1150229A (ja) 整備中に真空状態を保存する隔離バルブを備えるチャンバ設計
EP0898299B1 (en) Compartmentalized substrate processing chamber
US5223001A (en) Vacuum processing apparatus
TWI238856B (en) Buffer chamber and method for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system
US4795299A (en) Dial deposition and processing apparatus
US4500407A (en) Disk or wafer handling and coating system
KR102500219B1 (ko) 통합된 셔터 개라지를 갖는 사전-세정 챔버
JP4847458B2 (ja) 一体型高圧室および真空槽を有するクラスターツール用プロセスチャンバー
US20220389575A1 (en) Vacuum processing apparatus
WO2005093116A2 (en) Replacing chamber components in a vacuum environment
US20120228122A1 (en) Sputtering apparatus and electronic device manufacturing method
US20020052094A1 (en) Serial wafer handling mechanism
US6347919B1 (en) Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
US20030129044A1 (en) Erosion resistant slit valve
US5620578A (en) Sputtering apparatus having an on board service module
US20220270898A1 (en) Isolated volume seals and method of forming an isolated volume within a processing chamber
JP3276382B2 (ja) 真空処理装置および真空処理方法
US20210335581A1 (en) Preclean chamber upper shield with showerhead
JPH09270450A (ja) 真空処理装置
US20210111050A1 (en) Substrate processing device
US11915918B2 (en) Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean
JP2939378B2 (ja) 真空処理装置
KR20210118384A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2978802B2 (ja) スパッタ装置
JP2002170779A (ja) 半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607