JPH1140537A - ウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方法 - Google Patents
ウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方法Info
- Publication number
- JPH1140537A JPH1140537A JP9923598A JP9923598A JPH1140537A JP H1140537 A JPH1140537 A JP H1140537A JP 9923598 A JP9923598 A JP 9923598A JP 9923598 A JP9923598 A JP 9923598A JP H1140537 A JPH1140537 A JP H1140537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- cassette
- standby
- unloading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリシング後の分析工程でロスタイムを減ら
すことができる測定装置を備えたウェーハポリシング装
置及びウェーハポリシング方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハを供給するローディングカセッ
ト６２を設け、ポリシング工程前またはポリシング工程
後のウェーハを載置する待機ステージ４６を有し、この
待機ステージ４６から供給されるウェーハにポリシング
工程を実行するポリシングテーブル４４を備え、ポリシ
ングされた待機ステージ４６のウェーハを収納するアン
ローディングカセット５６を設ける。また、ポリシング
工程を終えたウェーハを洗浄するケミカル洗浄装置４２
を設け、ポリシング工程を終えたウェーハを洗浄する前
にポリシング状態を分析する測定装置５４を備えること
で、ポリシング後のウェーハは洗浄する前に厚さの測定
を行い不良ウェーハを再ポリシングする。
すことができる測定装置を備えたウェーハポリシング装
置及びウェーハポリシング方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハを供給するローディングカセッ
ト６２を設け、ポリシング工程前またはポリシング工程
後のウェーハを載置する待機ステージ４６を有し、この
待機ステージ４６から供給されるウェーハにポリシング
工程を実行するポリシングテーブル４４を備え、ポリシ
ングされた待機ステージ４６のウェーハを収納するアン
ローディングカセット５６を設ける。また、ポリシング
工程を終えたウェーハを洗浄するケミカル洗浄装置４２
を設け、ポリシング工程を終えたウェーハを洗浄する前
にポリシング状態を分析する測定装置５４を備えること
で、ポリシング後のウェーハは洗浄する前に厚さの測定
を行い不良ウェーハを再ポリシングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハポリシング
装置及びウェーハポリシング方法に係り、より詳細には
ウェーハの所定の膜質表面を平坦化するとともに、この
膜質の厚さを測定する測定装置を備えたウェーハポリシ
ング装置及びウェーハポリシング方法に関する。
装置及びウェーハポリシング方法に係り、より詳細には
ウェーハの所定の膜質表面を平坦化するとともに、この
膜質の厚さを測定する測定装置を備えたウェーハポリシ
ング装置及びウェーハポリシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高性能化、高密度化
及び小型化の要求によりウェーハの表面に形成されるパ
ターン（Ｐａｔｔｅｒｎ）は微細化されている。また、
素子と素子とを接続する配線構造も多層化され、積層す
る単位セル間の表面段差が増加するため、この段差を減
らすためのポリシング（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程が実行
される。
及び小型化の要求によりウェーハの表面に形成されるパ
ターン（Ｐａｔｔｅｒｎ）は微細化されている。また、
素子と素子とを接続する配線構造も多層化され、積層す
る単位セル間の表面段差が増加するため、この段差を減
らすためのポリシング（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程が実行
される。
【０００３】図２は、このようなポリシング工程を実行
する従来のウェーハポリシング装置を示す平面図であ
る。また、図３は、従来のウェーハポリシング装置の待
機ステージ１８上部に配設されるウェーハ移送装置３０
を示す斜視図である。ポリシング工程では、図２に示す
ようなポリシング装置１０を用いてポリシング工程を実
行する。またポリシング工程後には、ケミカル洗浄装置
１２により洗浄工程が実行され、さらに測定装置１４で
ポリシング状態を分析している。このように従来のポリ
シング装置は、ポリシング工程を実行するポリシング装
置１０と、洗浄工程を実行するケミカル洗浄装置１２
と、ポリシング状態を分析する測定装置１４とにより構
成されている。
する従来のウェーハポリシング装置を示す平面図であ
る。また、図３は、従来のウェーハポリシング装置の待
機ステージ１８上部に配設されるウェーハ移送装置３０
を示す斜視図である。ポリシング工程では、図２に示す
ようなポリシング装置１０を用いてポリシング工程を実
行する。またポリシング工程後には、ケミカル洗浄装置
１２により洗浄工程が実行され、さらに測定装置１４で
ポリシング状態を分析している。このように従来のポリ
シング装置は、ポリシング工程を実行するポリシング装
置１０と、洗浄工程を実行するケミカル洗浄装置１２
と、ポリシング状態を分析する測定装置１４とにより構
成されている。
【０００４】ここで、ポリシング装置１０には、上部表
面の一端側に研磨布を装着して回転可能に設けられたポ
リシングテーブル１６が備えられている。またポリシン
グテーブル１６の上部には、所定間隔の高さから研磨液
を放出するノズル（図示しない）が設けられている。
面の一端側に研磨布を装着して回転可能に設けられたポ
リシングテーブル１６が備えられている。またポリシン
グテーブル１６の上部には、所定間隔の高さから研磨液
を放出するノズル（図示しない）が設けられている。
【０００５】また、ポリシング装置１０の略中央部に
は、ドーナッツ形状に形成された回転可能な待機ステー
ジ１８が設けられている。この待機ステージ１８の上面
にはポリシング工程を実行する前のウェーハを設置する
５つの第１設置部２２と、ポリシング工程を実行したウ
ェーハを設置する５つの第２設置部２４とが交互に形成
されている。
は、ドーナッツ形状に形成された回転可能な待機ステー
ジ１８が設けられている。この待機ステージ１８の上面
にはポリシング工程を実行する前のウェーハを設置する
５つの第１設置部２２と、ポリシング工程を実行したウ
ェーハを設置する５つの第２設置部２４とが交互に形成
されている。
【０００６】ここで、ドーナッツ形状の待機ステージ１
８の中心内部には、ポリシング工程を実行したウェーハ
を脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を利
用して洗浄する脱イオン水洗浄装置２０が設けられてい
る。
８の中心内部には、ポリシング工程を実行したウェーハ
を脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を利
用して洗浄する脱イオン水洗浄装置２０が設けられてい
る。
【０００７】また、ポリシング装置１０の上部表面の一
端側には、第１設置部２２に供給する複数のウェーハを
収納したローディングカセット２８と、このローディン
グカセット２８に収納されたウェーハの全面を待機ステ
ージ１８の第１設置部２２の表面に接触するように移送
するローディング用ロボットアーム２７とを備えたロー
ディング部を設けてある。
端側には、第１設置部２２に供給する複数のウェーハを
収納したローディングカセット２８と、このローディン
グカセット２８に収納されたウェーハの全面を待機ステ
ージ１８の第１設置部２２の表面に接触するように移送
するローディング用ロボットアーム２７とを備えたロー
ディング部を設けてある。
【０００８】また、ローディング部の近傍には、ポリシ
ング工程を終えて待機ステージ１８の第２設置部２４に
設置されたウェーハを所定位置に移動させるアンローデ
ィング用ロボットアーム２５と、このアンローディング
用ロボットアーム２５によって第２設置部２４に設置さ
れたウェーハを移送して収納するアンローディングカセ
ット２６とを備えたアンローディング部を設けてある。
ング工程を終えて待機ステージ１８の第２設置部２４に
設置されたウェーハを所定位置に移動させるアンローデ
ィング用ロボットアーム２５と、このアンローディング
用ロボットアーム２５によって第２設置部２４に設置さ
れたウェーハを移送して収納するアンローディングカセ
ット２６とを備えたアンローディング部を設けてある。
【０００９】さらに、待機ステージ１８の上部には、所
定間隔の高さに配置された図３に示す円柱形状の本体３
２と、この本体３２から延長するように形成された５つ
のスピンドル（Ｓｐｉｎｄｌｅ）３４と、この各スピン
ドル３４の端部に装着した５つのウェーハキャリア（ｗ
ａｆｅｒ ｃａｒｒｉｅｒ）３６とからなるウェーハ移
送装置３０を設けている。ウェーハ移送装置３０は、水
平運動及び垂直運動が可能である。また、スピンドル３
４は、回転運動が可能であるとともに、本体３２の周辺
部から内部中央への方向と内部中心部から周辺部への方
向とに移動する往復運動が可能である。また、ウェーハ
キャリア３６は、圧力差を利用してウェーハを吸着する
ようになっている。
定間隔の高さに配置された図３に示す円柱形状の本体３
２と、この本体３２から延長するように形成された５つ
のスピンドル（Ｓｐｉｎｄｌｅ）３４と、この各スピン
ドル３４の端部に装着した５つのウェーハキャリア（ｗ
ａｆｅｒ ｃａｒｒｉｅｒ）３６とからなるウェーハ移
送装置３０を設けている。ウェーハ移送装置３０は、水
平運動及び垂直運動が可能である。また、スピンドル３
４は、回転運動が可能であるとともに、本体３２の周辺
部から内部中央への方向と内部中心部から周辺部への方
向とに移動する往復運動が可能である。また、ウェーハ
キャリア３６は、圧力差を利用してウェーハを吸着する
ようになっている。
【００１０】再び図２を参照して、ケミカル洗浄装置１
２内部には、所定量のケミカル洗浄液を貯留した貯蔵槽
（図示しない）、及びウェーハの表面に残存した液体成
分を除去する乾燥機（図示しない）が設けられている。
また、測定装置１４の内部は、光学的にポリシング工程
を終えたウェーハ表面の膜質の厚さを測定することが可
能になっている。
２内部には、所定量のケミカル洗浄液を貯留した貯蔵槽
（図示しない）、及びウェーハの表面に残存した液体成
分を除去する乾燥機（図示しない）が設けられている。
また、測定装置１４の内部は、光学的にポリシング工程
を終えたウェーハ表面の膜質の厚さを測定することが可
能になっている。
【００１１】次に、このように構成された従来のウェー
ハポリシング装置を使用する場合、まず、ローディング
カセット２８に収納された複数のウェーハ中、５枚のウ
ェーハをローディング用ロボットアーム２７により待機
ステージ１８に移送する。この際、ウェーハは、待機ス
テージ１８に裏返しに設置される。また待機ステージ１
８は、ローディング用ロボットアーム２７がローディン
グカセット２８から第１設置部２２にウェーハを移送し
て設置すると、回転して次の第１設置部２２の位置にウ
ェーハが移送されるまで待機する。このようにローディ
ング用ロボットアーム２７は、反復的なウェーハ移送動
作を複数回行うことにより第１設置部２２に５枚のウェ
ーハを移送する。
ハポリシング装置を使用する場合、まず、ローディング
カセット２８に収納された複数のウェーハ中、５枚のウ
ェーハをローディング用ロボットアーム２７により待機
ステージ１８に移送する。この際、ウェーハは、待機ス
テージ１８に裏返しに設置される。また待機ステージ１
８は、ローディング用ロボットアーム２７がローディン
グカセット２８から第１設置部２２にウェーハを移送し
て設置すると、回転して次の第１設置部２２の位置にウ
ェーハが移送されるまで待機する。このようにローディ
ング用ロボットアーム２７は、反復的なウェーハ移送動
作を複数回行うことにより第１設置部２２に５枚のウェ
ーハを移送する。
【００１２】続いて、５枚のウェーハが移送されると、
待機ステージ１８の上部に位置するウェーハ移送装置３
０（図３参照）が下部に下降してウェーハキャリア３６
により待機ステージ１８の第１設置部２２に設置された
５枚のウェーハの裏面をそれぞれ吸着する。次に、ウェ
ーハを吸着したウェーハ移送装置３０は、上昇した後、
水平運動によりポリシングテーブル１６の上部に移動
し、再び下降してポリシングテーブル１６の表面とウェ
ーハの前面とを密着させる。
待機ステージ１８の上部に位置するウェーハ移送装置３
０（図３参照）が下部に下降してウェーハキャリア３６
により待機ステージ１８の第１設置部２２に設置された
５枚のウェーハの裏面をそれぞれ吸着する。次に、ウェ
ーハを吸着したウェーハ移送装置３０は、上昇した後、
水平運動によりポリシングテーブル１６の上部に移動
し、再び下降してポリシングテーブル１６の表面とウェ
ーハの前面とを密着させる。
【００１３】ポリシングテーブル１６にウェーハを密着
させると、ポリシングテーブル１６が回転する。また、
ウェーハを吸着したウェーハキャリア３６は、スピンド
ル３４により本体３２の内部中心及び周辺部に往復運動
するととともに回転する。この際、ポリシングテーブル
１６の上部に位置するノズル（図示しない）は、所定量
の研磨液をポリシングテーブル１６の上部表面に放出す
る。これによって、ポリシングテーブル１６の表面に形
成した研磨布に接触したウェーハは、前面が化学的及び
物理的な作用によってポリシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎ
ｇ）される。
させると、ポリシングテーブル１６が回転する。また、
ウェーハを吸着したウェーハキャリア３６は、スピンド
ル３４により本体３２の内部中心及び周辺部に往復運動
するととともに回転する。この際、ポリシングテーブル
１６の上部に位置するノズル（図示しない）は、所定量
の研磨液をポリシングテーブル１６の上部表面に放出す
る。これによって、ポリシングテーブル１６の表面に形
成した研磨布に接触したウェーハは、前面が化学的及び
物理的な作用によってポリシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎ
ｇ）される。
【００１４】また、ポリシングされたウェーハは、ウェ
ーハ移送装置３０によって待機ステージ１８の脱イオン
水洗浄装置２０に移送されて洗浄される。そして、洗浄
されたウェーハは、再びウェーハ移送装置３０によって
待機ステージ１８上部の５つの第２設置部２４にそれぞ
れ設置される。待機ステージ１８の第２設置部２４に設
置されたウェーハは、アンローディング用ロボットアー
ム２５の反復的な動作によって、アンローディングカセ
ット２６に移送されて収納される。続いて、アンローデ
ィングカセット２６に移送された複数のウェーハは、作
業者、自動移送装置等によってケミカル洗浄装置１２に
移送され、ケミカル洗浄装置１２内部に備えられた貯蔵
槽（図示しない）内に浸漬させて洗浄した後、乾燥機
（図示しない）により乾燥する。
ーハ移送装置３０によって待機ステージ１８の脱イオン
水洗浄装置２０に移送されて洗浄される。そして、洗浄
されたウェーハは、再びウェーハ移送装置３０によって
待機ステージ１８上部の５つの第２設置部２４にそれぞ
れ設置される。待機ステージ１８の第２設置部２４に設
置されたウェーハは、アンローディング用ロボットアー
ム２５の反復的な動作によって、アンローディングカセ
ット２６に移送されて収納される。続いて、アンローデ
ィングカセット２６に移送された複数のウェーハは、作
業者、自動移送装置等によってケミカル洗浄装置１２に
移送され、ケミカル洗浄装置１２内部に備えられた貯蔵
槽（図示しない）内に浸漬させて洗浄した後、乾燥機
（図示しない）により乾燥する。
【００１５】ここで、ポリシング工程は、前述したよう
にウェーハを吸着した５つのウェーハキャリア３６が、
回転するポリシングテーブル１６の研磨布とそれぞれ接
触して往復運動及び回転運動をすることで実行される。
しかし、この５つのウェーハキャリア３６に吸着された
各ウェーハと研磨布との間には、吸着した各ウェーハ別
に圧力差が生じて、ポリシングされたウェーハ表面の膜
質に厚さの差が発生してしまう。従って、洗浄工程を終
えたウェーハは、測定装置１４の内部に移送される。こ
の測定装置１４では、ポリシングによるウェーハ表面の
膜質の厚さを測定する分析工程が実行される。この分析
工程によって分析したウェーハは、表面の膜質の厚さに
異常が検出されると、ポリシング装置１０の内部に再投
入され再びポリシング工程が実行される。
にウェーハを吸着した５つのウェーハキャリア３６が、
回転するポリシングテーブル１６の研磨布とそれぞれ接
触して往復運動及び回転運動をすることで実行される。
しかし、この５つのウェーハキャリア３６に吸着された
各ウェーハと研磨布との間には、吸着した各ウェーハ別
に圧力差が生じて、ポリシングされたウェーハ表面の膜
質に厚さの差が発生してしまう。従って、洗浄工程を終
えたウェーハは、測定装置１４の内部に移送される。こ
の測定装置１４では、ポリシングによるウェーハ表面の
膜質の厚さを測定する分析工程が実行される。この分析
工程によって分析したウェーハは、表面の膜質の厚さに
異常が検出されると、ポリシング装置１０の内部に再投
入され再びポリシング工程が実行される。
【００１６】また、前述したポリシング装置１０を初め
て駆動させる時には、実験用ダミーウェーハ（Ｄｕｍｍ
ｙ ｗａｆｅｒ）を投入して実験を行い確認をする。こ
の時、実験用ダミーウェーハは、ポリシング装置１０内
部に投入してポリシング工程を実行した後、ケミカル洗
浄装置１２で洗浄工程を実行し、さらに測定装置１４で
分析工程を実行することでポリシング装置の異常有無を
確認する。ここで、分析工程によってポリシング装置１
０に異常が発生した場合、ポリシング装置１０の動作環
境を再調整する。
て駆動させる時には、実験用ダミーウェーハ（Ｄｕｍｍ
ｙ ｗａｆｅｒ）を投入して実験を行い確認をする。こ
の時、実験用ダミーウェーハは、ポリシング装置１０内
部に投入してポリシング工程を実行した後、ケミカル洗
浄装置１２で洗浄工程を実行し、さらに測定装置１４で
分析工程を実行することでポリシング装置の異常有無を
確認する。ここで、分析工程によってポリシング装置１
０に異常が発生した場合、ポリシング装置１０の動作環
境を再調整する。
【００１７】このように従来のポリシング装置は、ポリ
シング工程及び洗浄工程を実行した後、ポリシング工程
で圧力差により発生するウェーハ表面の膜質の厚さの異
常を検出して不良を防止していた。
シング工程及び洗浄工程を実行した後、ポリシング工程
で圧力差により発生するウェーハ表面の膜質の厚さの異
常を検出して不良を防止していた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ポリシング装置では、ポリシング装置内部でポリシング
工程が実行された後、すぐに分析工程を実行してポリシ
ング工程の異常有無を確認することが困難であり、ポリ
シング工程後には必ずケミカル洗浄装置で洗浄工程が実
行されるため、ロスタイム（Ｌｏｓｓ ｔｉｍｅ）が発
生して生産効率を低下させる問題点があった。また、ポ
リシング装置、ケミカル洗浄装置、及び測定装置はそれ
ぞれ離れた位置に設けられているため、ウェーハをポリ
シング装置からケミカル洗浄装置へ、ケミカル洗浄装置
から測定装置へ各々移送する際にロスタイムが発生して
生産効率をより低下させてしまう問題点があった。さら
に、ポリシング装置を最初に駆動させる際に実験用ダミ
ーウェーハを用いてポリシング工程の異常有無を確認す
る場合においても、ケミカル洗浄装置で洗浄工程を実行
した後にポリシング工程の異常有無を確認するため、ロ
スタイムが発生する問題点があった。本発明はこのよう
な課題を解決し、ポリシング工程後に分析工程をすぐに
実行することで、ポリシング工程後に実行していた洗浄
工程により発生するロスタイムを減らすことができる測
定装置を備えたウェーハポリシング装置及びウェーハポ
リシング方法を提供することを目的とする。
ポリシング装置では、ポリシング装置内部でポリシング
工程が実行された後、すぐに分析工程を実行してポリシ
ング工程の異常有無を確認することが困難であり、ポリ
シング工程後には必ずケミカル洗浄装置で洗浄工程が実
行されるため、ロスタイム（Ｌｏｓｓ ｔｉｍｅ）が発
生して生産効率を低下させる問題点があった。また、ポ
リシング装置、ケミカル洗浄装置、及び測定装置はそれ
ぞれ離れた位置に設けられているため、ウェーハをポリ
シング装置からケミカル洗浄装置へ、ケミカル洗浄装置
から測定装置へ各々移送する際にロスタイムが発生して
生産効率をより低下させてしまう問題点があった。さら
に、ポリシング装置を最初に駆動させる際に実験用ダミ
ーウェーハを用いてポリシング工程の異常有無を確認す
る場合においても、ケミカル洗浄装置で洗浄工程を実行
した後にポリシング工程の異常有無を確認するため、ロ
スタイムが発生する問題点があった。本発明はこのよう
な課題を解決し、ポリシング工程後に分析工程をすぐに
実行することで、ポリシング工程後に実行していた洗浄
工程により発生するロスタイムを減らすことができる測
定装置を備えたウェーハポリシング装置及びウェーハポ
リシング方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、ポリシング工程を実行する複数のウェー
ハを収納したローディングカセット及びローディングカ
セットに収納したウェーハを所定位置に移送するローデ
ィング用ロボットアームを備えたローディング部と、ロ
ーディング用ロボットアームによってポリシング工程前
のウェーハが設置される複数の第１設置部及びポリシン
グ工程を終えたウェーハを設置する複数の第２設置部を
備えた待機ステージと、待機ステージの第１設置部に設
置されたウェーハに対してポリシング工程を実行するポ
リシングテーブルと、待機ステージの第２設置部に設置
されたウェーハを所定位置に移送するアンローディング
用ロボットアーム及びアンローディング用ロボットアー
ムによって第２設置部から移送したウェーハを収納する
アンローディングカセットを備えたアンローディング部
と、アンローディングカセットの近傍に設けられてポリ
シング工程を終えたウェーハに対して洗浄前にポリシン
グ工程による不良状態を分析する測定装置と、測定装置
で分析工程が完了したウェーハを洗浄する洗浄装置とを
備える。
決するために、ポリシング工程を実行する複数のウェー
ハを収納したローディングカセット及びローディングカ
セットに収納したウェーハを所定位置に移送するローデ
ィング用ロボットアームを備えたローディング部と、ロ
ーディング用ロボットアームによってポリシング工程前
のウェーハが設置される複数の第１設置部及びポリシン
グ工程を終えたウェーハを設置する複数の第２設置部を
備えた待機ステージと、待機ステージの第１設置部に設
置されたウェーハに対してポリシング工程を実行するポ
リシングテーブルと、待機ステージの第２設置部に設置
されたウェーハを所定位置に移送するアンローディング
用ロボットアーム及びアンローディング用ロボットアー
ムによって第２設置部から移送したウェーハを収納する
アンローディングカセットを備えたアンローディング部
と、アンローディングカセットの近傍に設けられてポリ
シング工程を終えたウェーハに対して洗浄前にポリシン
グ工程による不良状態を分析する測定装置と、測定装置
で分析工程が完了したウェーハを洗浄する洗浄装置とを
備える。
【００２０】ここで、測定装置はウェーハの表面に形成
された所定の膜質の厚さを測定する厚さ測定装置であ
り、測定装置の近傍にはポリシングされたウェーハの表
面に残存する所定の大きさを有したパーティクルの数を
測定するパーティクルカウンターをさらに設け、測定装
置と洗浄装置との間には測定装置で測定を終えたウェー
ハを洗浄装置で洗浄する前に待機させておく正常待機カ
セットをさらに設け、測定装置の近傍にはポリシング状
態の測定結果が不良であるウェーハを非常待機させる第
１非常待機カセットをさらに設ける。また、ローディン
グ部のローディング用ロボットアームはウェーハを第１
非常待機カセットから待機ステージに移送するように設
け、第１非常待機カセットから測定装置を介して反対側
にポリシング装置の故障時にウェーハを臨時的に収納す
ることができる第２非常待機カセットをさらに設け、ア
ンローディングカセット及び第１、第２非常待機カセッ
トではウェーハを脱イオン水の中に浸漬させる。
された所定の膜質の厚さを測定する厚さ測定装置であ
り、測定装置の近傍にはポリシングされたウェーハの表
面に残存する所定の大きさを有したパーティクルの数を
測定するパーティクルカウンターをさらに設け、測定装
置と洗浄装置との間には測定装置で測定を終えたウェー
ハを洗浄装置で洗浄する前に待機させておく正常待機カ
セットをさらに設け、測定装置の近傍にはポリシング状
態の測定結果が不良であるウェーハを非常待機させる第
１非常待機カセットをさらに設ける。また、ローディン
グ部のローディング用ロボットアームはウェーハを第１
非常待機カセットから待機ステージに移送するように設
け、第１非常待機カセットから測定装置を介して反対側
にポリシング装置の故障時にウェーハを臨時的に収納す
ることができる第２非常待機カセットをさらに設け、ア
ンローディングカセット及び第１、第２非常待機カセッ
トではウェーハを脱イオン水の中に浸漬させる。
【００２１】そして、本発明によるウェーハポリシング
方法は、ポリシング工程を終えたウェーハをアンローデ
ィングして待機ステージからアンローディングカセット
に移送して収納する収納段階と、ポリシング工程を終え
たウェーハに対してポリシング工程による不良状態を測
定する測定段階と、測定段階で測定したポリシング工程
による不良状態の測定結果が正常であるウェーハを正常
待機カセットに移送する移送段階と、正常待機カセット
に収納されたウェーハを洗浄する洗浄段階とを備える。
方法は、ポリシング工程を終えたウェーハをアンローデ
ィングして待機ステージからアンローディングカセット
に移送して収納する収納段階と、ポリシング工程を終え
たウェーハに対してポリシング工程による不良状態を測
定する測定段階と、測定段階で測定したポリシング工程
による不良状態の測定結果が正常であるウェーハを正常
待機カセットに移送する移送段階と、正常待機カセット
に収納されたウェーハを洗浄する洗浄段階とを備える。
【００２２】ここで、アンローディングカセットにポリ
シング工程を終えて収納したウェーハは脱イオン水の中
に浸漬させ、測定段階はポリシング工程を終えたウェー
ハの厚さを測定するとともにポリシング工程を終えたウ
ェーハの表面に残存したパーティクルの数をカウントす
る段階をさらに備え、測定段階においてポリシング工程
による不良状態の測定結果が不良であるウェーハは測定
装置の近傍に設けた第１非常待機カセットに移送して収
納する。また、第１非常待機カセットに収納したポリシ
ング工程により不良状態にあるウェーハは再び待機ステ
ージに移送され、待機ステージの近傍にポリシング工程
前のウェーハをローディングするローディング用ロボッ
トアームを設けてポリシング工程により不良状態にある
ウェーハを待機ステージに移送させる。
シング工程を終えて収納したウェーハは脱イオン水の中
に浸漬させ、測定段階はポリシング工程を終えたウェー
ハの厚さを測定するとともにポリシング工程を終えたウ
ェーハの表面に残存したパーティクルの数をカウントす
る段階をさらに備え、測定段階においてポリシング工程
による不良状態の測定結果が不良であるウェーハは測定
装置の近傍に設けた第１非常待機カセットに移送して収
納する。また、第１非常待機カセットに収納したポリシ
ング工程により不良状態にあるウェーハは再び待機ステ
ージに移送され、待機ステージの近傍にポリシング工程
前のウェーハをローディングするローディング用ロボッ
トアームを設けてポリシング工程により不良状態にある
ウェーハを待機ステージに移送させる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よるウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方
法の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明によ
るウェーハポリシング装置の実施の形態を示す平面図で
ある。
よるウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方
法の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明によ
るウェーハポリシング装置の実施の形態を示す平面図で
ある。
【００２４】図１に示すように、本発明によるウェーハ
ポリシング装置４０の実施の形態は、研磨布としてのパ
ッド（ｐａｄ）を上部表面に形成して回転可能に設けら
れたポリシングテーブル４４を備えている。そして、ポ
リシングテーブル４４の上部には、所定間隔の高さから
研磨液としてのスラリ（ｓｌｕｒｒｙ）を放出するノズ
ル（図示しない）が設けられている。
ポリシング装置４０の実施の形態は、研磨布としてのパ
ッド（ｐａｄ）を上部表面に形成して回転可能に設けら
れたポリシングテーブル４４を備えている。そして、ポ
リシングテーブル４４の上部には、所定間隔の高さから
研磨液としてのスラリ（ｓｌｕｒｒｙ）を放出するノズ
ル（図示しない）が設けられている。
【００２５】また、ウェーハポリシング装置４０上部の
略中央部には、ドーナッツ形状に形成され、回転可能に
設けられた待機ステージ４６を備えている。この待機ス
テージ４６の上面には、ポリシング工程を実行する前の
ウェーハを設置する５つの第１設置部５０と、ポリシン
グ工程を終えたウェーハを設置する５つの第２設置部５
２とが交互に形成されている。このドーナッツ形状の待
機ステージ４６の中心内部には、脱イオン水を利用して
ポリシング工程を終えたウェーハを洗浄する脱イオン水
洗浄装置４８が設けられている。
略中央部には、ドーナッツ形状に形成され、回転可能に
設けられた待機ステージ４６を備えている。この待機ス
テージ４６の上面には、ポリシング工程を実行する前の
ウェーハを設置する５つの第１設置部５０と、ポリシン
グ工程を終えたウェーハを設置する５つの第２設置部５
２とが交互に形成されている。このドーナッツ形状の待
機ステージ４６の中心内部には、脱イオン水を利用して
ポリシング工程を終えたウェーハを洗浄する脱イオン水
洗浄装置４８が設けられている。
【００２６】そして、待機ステージ４６の近傍には、待
機ステージ４６の第２設置部５２から移送されたウェー
ハの表面の膜質の厚さを光学的に測定する分析工程を実
行するための測定装置５４が設けられている。そして、
測定装置５４の近傍には、ポリシングされたウェーハの
表面に残存した所定の大きさのパーティクルの数を測定
するパーティクルカウンター（ｐａｒｔｉｃｌｅ ｃｏ
ｕｎｔｅｒ：図示しない）がさらに設けられている。
機ステージ４６の第２設置部５２から移送されたウェー
ハの表面の膜質の厚さを光学的に測定する分析工程を実
行するための測定装置５４が設けられている。そして、
測定装置５４の近傍には、ポリシングされたウェーハの
表面に残存した所定の大きさのパーティクルの数を測定
するパーティクルカウンター（ｐａｒｔｉｃｌｅ ｃｏ
ｕｎｔｅｒ：図示しない）がさらに設けられている。
【００２７】また、待機ステージ４６と測定装置５４と
の間には、待機ステージ４６の第２設置部５２に設置さ
れたウェーハを所定の位置に移送するアンローディング
用ロボットアーム５５と、このアンローディング用ロボ
ットアーム５５によって第２設置部５２に設置されたウ
ェーハを移送して設置するアンローディングカセット５
６とを備えたアンローディング部を設けてある。
の間には、待機ステージ４６の第２設置部５２に設置さ
れたウェーハを所定の位置に移送するアンローディング
用ロボットアーム５５と、このアンローディング用ロボ
ットアーム５５によって第２設置部５２に設置されたウ
ェーハを移送して設置するアンローディングカセット５
６とを備えたアンローディング部を設けてある。
【００２８】また、測定装置５４の近傍には、この測定
装置５４により測定した不良状態の結果が不良であるウ
ェーハを非常待機させる第１非常待機カセット６０と、
この第１非常待機カセット６０から測定装置５４を介し
て反対側にポリシング装置が故障した場合にウェーハを
収納するための第２非常待機カセット５８とを設けてあ
る。
装置５４により測定した不良状態の結果が不良であるウ
ェーハを非常待機させる第１非常待機カセット６０と、
この第１非常待機カセット６０から測定装置５４を介し
て反対側にポリシング装置が故障した場合にウェーハを
収納するための第２非常待機カセット５８とを設けてあ
る。
【００２９】また、第１非常待機カセット６０の近傍に
は、ポリシング工程を実行するウェーハを収納するロー
ディングカセット６２と、このローディングカセット６
２に収納したウェーハを第１設置部５０に移送、または
第１非常待機カセット６０に収納したウェーハを第１設
置部５０に移送するローディング用ロボットアーム５７
とを備えたローディング部が設けてある。ローディング
用ロボットアーム５７は、ローディングカセット６２に
収納したウェーハの前面を待機ステージ４６の第１設置
部５０の上部表面に接触するようにウェーハを移送す
る。
は、ポリシング工程を実行するウェーハを収納するロー
ディングカセット６２と、このローディングカセット６
２に収納したウェーハを第１設置部５０に移送、または
第１非常待機カセット６０に収納したウェーハを第１設
置部５０に移送するローディング用ロボットアーム５７
とを備えたローディング部が設けてある。ローディング
用ロボットアーム５７は、ローディングカセット６２に
収納したウェーハの前面を待機ステージ４６の第１設置
部５０の上部表面に接触するようにウェーハを移送す
る。
【００３０】また、ウェーハポリシング装置４０の一端
側には、測定装置５４により分析工程を終えたウェーハ
を、ケミカル洗浄液を利用して表面に残存する異物質を
洗浄した後、乾燥させるケミカル洗浄装置４２が設けら
れている。そして、測定装置５４とケミカル洗浄装置４
２との間には、分析を完了したウェーハの洗浄を実行す
る前に、このウェーハを待機させておく正常待機カセッ
ト６４が設けてある。
側には、測定装置５４により分析工程を終えたウェーハ
を、ケミカル洗浄液を利用して表面に残存する異物質を
洗浄した後、乾燥させるケミカル洗浄装置４２が設けら
れている。そして、測定装置５４とケミカル洗浄装置４
２との間には、分析を完了したウェーハの洗浄を実行す
る前に、このウェーハを待機させておく正常待機カセッ
ト６４が設けてある。
【００３１】また、測定装置５４には、アンローディン
グカセット５６に収納したウェーハを測定装置５４の分
析位置に移送するとともに、この分析位置のウェーハを
さらに第２非常待機カセット５８、第１非常待機カセッ
ト６０、及び正常待機カセット６４に各々移送するロボ
ットアーム５９が設けてある。
グカセット５６に収納したウェーハを測定装置５４の分
析位置に移送するとともに、この分析位置のウェーハを
さらに第２非常待機カセット５８、第１非常待機カセッ
ト６０、及び正常待機カセット６４に各々移送するロボ
ットアーム５９が設けてある。
【００３２】ここで、待機ステージ４６の上部には、図
２に示した従来のウェーハポリシング装置に使用したウ
ェーハ移送装置３０が配設されている。従って、本実施
の形態においても図２を参照してウェーハ移送装置３０
の説明をする。待機ステージ４６の上部には、図２に示
した従来のウェーハポリシングと同様に、所定間隔の高
さに配設した円柱形状の本体３２と、この本体３２から
下部の待機ステージ４６に向かって延長する５つのスピ
ンドル３４と、このスピンドル３４の一端に各々装着さ
れた５つのウェーハキャリア３６とを備えたウェーハ移
送装置３０を設けている。このウェーハ移送装置３０
は、水平運動及び垂直運動が可能である。また、スピン
ドル３４は、回転運動が可能であるとともに、本体３２
の周辺部から内部中央への移動、及び内部中央から周辺
部への移動とによる往復運動が可能である。そして、ウ
ェーハキャリア３６は、圧力差を利用してウェーハを吸
着することができるようになっている。
２に示した従来のウェーハポリシング装置に使用したウ
ェーハ移送装置３０が配設されている。従って、本実施
の形態においても図２を参照してウェーハ移送装置３０
の説明をする。待機ステージ４６の上部には、図２に示
した従来のウェーハポリシングと同様に、所定間隔の高
さに配設した円柱形状の本体３２と、この本体３２から
下部の待機ステージ４６に向かって延長する５つのスピ
ンドル３４と、このスピンドル３４の一端に各々装着さ
れた５つのウェーハキャリア３６とを備えたウェーハ移
送装置３０を設けている。このウェーハ移送装置３０
は、水平運動及び垂直運動が可能である。また、スピン
ドル３４は、回転運動が可能であるとともに、本体３２
の周辺部から内部中央への移動、及び内部中央から周辺
部への移動とによる往復運動が可能である。そして、ウ
ェーハキャリア３６は、圧力差を利用してウェーハを吸
着することができるようになっている。
【００３３】次に、このように本発明によるウェーハポ
リシング装置４０を使用する場合、まず、ポリシング装
置４０のローディングカセット６２に収納された複数の
ウェーハ中、５枚のウェーハをローディング用ロボット
アーム５７により待機ステージ４６に移送する。この
際、ウェーハは、待機ステージ４６に裏返しに設置す
る。また待機ステージ４６は、ローディング用ロボット
アーム５７が第１設置部５２にウェーハを設置すると、
回転して次の第１設置部５２の位置にウェーハが移送さ
れるのを待機する。このようにローディング用ロボット
アーム５７は、反復的なウェーハ移送動作を複数回行う
ことにより第１設置部５２に５枚のウェーハを移送す
る。
リシング装置４０を使用する場合、まず、ポリシング装
置４０のローディングカセット６２に収納された複数の
ウェーハ中、５枚のウェーハをローディング用ロボット
アーム５７により待機ステージ４６に移送する。この
際、ウェーハは、待機ステージ４６に裏返しに設置す
る。また待機ステージ４６は、ローディング用ロボット
アーム５７が第１設置部５２にウェーハを設置すると、
回転して次の第１設置部５２の位置にウェーハが移送さ
れるのを待機する。このようにローディング用ロボット
アーム５７は、反復的なウェーハ移送動作を複数回行う
ことにより第１設置部５２に５枚のウェーハを移送す
る。
【００３４】続いて、待機ステージ４６の上部に設けた
ウェーハ移送装置３０が下降した後、このウェーハ移送
装置３０の５つのウェーハキャリア３６が第１設置部５
０に設置した５枚のウェーハの裏面を吸着する。次に、
ウェーハを吸着したウェーハ移送装置３０は、上昇した
後、水平運動をすることによりポリシングテーブル４４
の上部に移動し、再び下降してポリシングテーブル４４
の上部表面とウェーハの前面とを密着させる。
ウェーハ移送装置３０が下降した後、このウェーハ移送
装置３０の５つのウェーハキャリア３６が第１設置部５
０に設置した５枚のウェーハの裏面を吸着する。次に、
ウェーハを吸着したウェーハ移送装置３０は、上昇した
後、水平運動をすることによりポリシングテーブル４４
の上部に移動し、再び下降してポリシングテーブル４４
の上部表面とウェーハの前面とを密着させる。
【００３５】ポリシングテーブル４４とウェーハの前面
とが密着すると、ポリシングテーブル４４が回転する。
また、ウェーハを吸着したウェーハキャリア３６は、ス
ピンドル３４により本体３２の内部中心及び周辺部に往
復運動するとともに回転する。この時、ポリシングテー
ブル４４の上部に設けたノズル（図示しない）は、所定
量のスラリを放出する。これによって、ポリシングテー
ブル４４上部のパッドと接触したウェーハの前面は、化
学的及び物理的な作用によってポリシングされる。
とが密着すると、ポリシングテーブル４４が回転する。
また、ウェーハを吸着したウェーハキャリア３６は、ス
ピンドル３４により本体３２の内部中心及び周辺部に往
復運動するとともに回転する。この時、ポリシングテー
ブル４４の上部に設けたノズル（図示しない）は、所定
量のスラリを放出する。これによって、ポリシングテー
ブル４４上部のパッドと接触したウェーハの前面は、化
学的及び物理的な作用によってポリシングされる。
【００３６】次に、ポリシングされたウェーハは、ウェ
ーハ移送装置３０によって脱イオン水洗浄装置４８に移
送されて脱イオン水を使用した洗浄工程が実行される。
そして、洗浄工程を終えたウェーハは、再びウェーハ移
送装置３０によって待機ステージ４６上部の５つの第２
設置部５２にそれぞれ配置される。待機ステージ４６の
第２設置部５２に配置されたウェーハは、アンローディ
ング用ロボットアーム５５の反復的なウェーハ移送動作
によってアンローディングカセット５６に移送して収納
する。そして、アンローディングカセット５６に収納さ
れたウェーハは、ロボットアーム５９によって測定装置
５４の分析位置に移送され、ポリシング工程によるウェ
ーハ表面の膜質の厚さ測定、またはウェーハの表面に残
存する所定の大きさのパーティクル数の測定のいずれか
による分析工程が実行される。
ーハ移送装置３０によって脱イオン水洗浄装置４８に移
送されて脱イオン水を使用した洗浄工程が実行される。
そして、洗浄工程を終えたウェーハは、再びウェーハ移
送装置３０によって待機ステージ４６上部の５つの第２
設置部５２にそれぞれ配置される。待機ステージ４６の
第２設置部５２に配置されたウェーハは、アンローディ
ング用ロボットアーム５５の反復的なウェーハ移送動作
によってアンローディングカセット５６に移送して収納
する。そして、アンローディングカセット５６に収納さ
れたウェーハは、ロボットアーム５９によって測定装置
５４の分析位置に移送され、ポリシング工程によるウェ
ーハ表面の膜質の厚さ測定、またはウェーハの表面に残
存する所定の大きさのパーティクル数の測定のいずれか
による分析工程が実行される。
【００３７】このような分析工程によって正常判定を受
けたウェーハは、正常待機カセット６４に収納された
後、ケミカル洗浄装置４２の内部に浸漬する。このケミ
カル洗浄装置４２の内部では、ケミカル洗浄液を利用し
てウェーハの表面に残存する異物質を除去する洗浄工程
が実行され、その後、このウェーハを乾燥させる乾燥工
程が実行される。一方、測定装置５４での分析工程によ
る測定結果が異常判定を受けたウェーハは、ロボットア
ーム５９によって第１非常待機カセット６０に収納され
た後、ローディング用ロボットアーム５７によって再び
待機ステージ４６の第２設置部５２に移送されて再ポリ
シング処理を実行する。また、工程中にポリシング装置
４０またはケミカル洗浄装置４２に異常が発生すると、
測定装置５４により分析工程を実行したウェーハをロボ
ットアーム５９によって第２非常待機カセット５８に移
送して一定時間待機させる。
けたウェーハは、正常待機カセット６４に収納された
後、ケミカル洗浄装置４２の内部に浸漬する。このケミ
カル洗浄装置４２の内部では、ケミカル洗浄液を利用し
てウェーハの表面に残存する異物質を除去する洗浄工程
が実行され、その後、このウェーハを乾燥させる乾燥工
程が実行される。一方、測定装置５４での分析工程によ
る測定結果が異常判定を受けたウェーハは、ロボットア
ーム５９によって第１非常待機カセット６０に収納され
た後、ローディング用ロボットアーム５７によって再び
待機ステージ４６の第２設置部５２に移送されて再ポリ
シング処理を実行する。また、工程中にポリシング装置
４０またはケミカル洗浄装置４２に異常が発生すると、
測定装置５４により分析工程を実行したウェーハをロボ
ットアーム５９によって第２非常待機カセット５８に移
送して一定時間待機させる。
【００３８】ここで、アンローディングカセット５６、
第１非常待機カセット６０、および第２非常待機カセッ
ト５８は、脱イオン水を貯留できように設けてあり、好
ましいくは、脱イオン水の中に移送されたウェーハを浸
漬させて待機または収納させることが望ましい。
第１非常待機カセット６０、および第２非常待機カセッ
ト５８は、脱イオン水を貯留できように設けてあり、好
ましいくは、脱イオン水の中に移送されたウェーハを浸
漬させて待機または収納させることが望ましい。
【００３９】また、前述したポリシング装置４０を初め
て駆動させる時には、ポリシング装置４０内部に実験用
ダミーウェーハ（Ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）を投入して
実験を行い確認をする。この時、実験用ダミーウェーハ
は、ポリシング装置４０内部に投入してポリシング工程
を実行した後、すぐに測定装置５４に移送させて分析工
程が実行される。このように分析工程の測定結果により
ポリシング装置４０に異常が発生した場合、ポリシング
装置４０の動作環境を再調整する。
て駆動させる時には、ポリシング装置４０内部に実験用
ダミーウェーハ（Ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）を投入して
実験を行い確認をする。この時、実験用ダミーウェーハ
は、ポリシング装置４０内部に投入してポリシング工程
を実行した後、すぐに測定装置５４に移送させて分析工
程が実行される。このように分析工程の測定結果により
ポリシング装置４０に異常が発生した場合、ポリシング
装置４０の動作環境を再調整する。
【００４０】以上、本発明によってなされたウェーハポ
リシング装置及びウェーハポリシング方法の実施の形態
を詳細に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更
可能である。例えば、待機ステージ及びウェーハ移送装
置にウェーハを５枚、設置または吸着する実施の形態を
説明したが、これに限定するものではなく、ウェーハを
複数枚、設置または吸着することで生産効率を向上させ
ても良い。
リシング装置及びウェーハポリシング方法の実施の形態
を詳細に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更
可能である。例えば、待機ステージ及びウェーハ移送装
置にウェーハを５枚、設置または吸着する実施の形態を
説明したが、これに限定するものではなく、ウェーハを
複数枚、設置または吸着することで生産効率を向上させ
ても良い。
【００４１】
【発明の効果】このように、本発明によるウェーハポリ
シング装置及びウェーハポリシング方法によると、ポリ
シング工程後に膜質の厚さを測定する分析工程がすぐに
実行できるため、従来技術のようにポリシング工程後に
実行する洗浄工程により発生していたロスタイムを低減
できるとともに、洗浄前に分析工程で不良ウェーハを短
時間で検出して再ポリシングすることで人的、時間的損
失を減少させるという効果がある。また、ポリシング装
置を初めて駆動させる時にポリシング装置内部に実験用
ダミーウェーハを投入して実験する場合にも、ポリシン
グ工程を実行した後、すぐに分析工程による測定が実行
できるため、ロスタイムを低減でき、生産効率を向上す
ることができる。また、ポリシング装置と一体にケミカ
ル洗浄装置が設けてあるため、設備間でウェーハを移送
する際に、ロスタイムを減少させることができ、産効率
を向上させることができる。
シング装置及びウェーハポリシング方法によると、ポリ
シング工程後に膜質の厚さを測定する分析工程がすぐに
実行できるため、従来技術のようにポリシング工程後に
実行する洗浄工程により発生していたロスタイムを低減
できるとともに、洗浄前に分析工程で不良ウェーハを短
時間で検出して再ポリシングすることで人的、時間的損
失を減少させるという効果がある。また、ポリシング装
置を初めて駆動させる時にポリシング装置内部に実験用
ダミーウェーハを投入して実験する場合にも、ポリシン
グ工程を実行した後、すぐに分析工程による測定が実行
できるため、ロスタイムを低減でき、生産効率を向上す
ることができる。また、ポリシング装置と一体にケミカ
ル洗浄装置が設けてあるため、設備間でウェーハを移送
する際に、ロスタイムを減少させることができ、産効率
を向上させることができる。
【図１】本発明によるウェーハポリシング装置の実施の
形態を示す平面図。
形態を示す平面図。
【図２】従来のウェーハポリシング装置を示す平面図。
【図３】従来及び本発明によるウェーハポリシング装置
の待機ステージ上部に配設されるウェーハ移送装置を示
す斜視図。
の待機ステージ上部に配設されるウェーハ移送装置を示
す斜視図。
４０ ポリシング装置 ４２ ケミカル洗浄装置 ４４ ポリシングテーブル ４６ 待機ステージ ４８ 脱イオン水洗浄装置 ５０ 第１設置部 ５２ 第２設置部 ５４ 測定装置 ５５ アンローディング用ロボットアーム ５６ アンローディングカセット ５７ ローディング用ロボットアーム ５８ 第２非常待機カセット ５９ ロボットアーム ６０ 第１非常待機カセット ６２ ローディングカセット ６４ 正常待機カセット
Claims (15)
- 【請求項１】 ポリシング工程を実行する複数のウェー
ハを収納したローディングカセットと、前記ローディン
グカセットに収納したウェーハを所定位置に移送するロ
ーディング用ロボットアームとを備えたローディング部
と、 前記ローディング用ロボットアームによって前記ポリシ
ング工程前のウェーハが設置される複数の第１設置部
と、前記ポリシング工程を終えた前記ウェーハを設置す
る複数の第２設置部とを備えた待機ステージと、 前記待機ステージの第１設置部に設置されたウェーハに
対してポリシング工程を実行するポリシングテーブル
と、 前記待機ステージの第２設置部に設置されたウェーハを
所定位置に移送するアンローディング用ロボットアーム
と、前記アンローディング用ロボットアームによって前
記第２設置部から移送したウェーハを収納するアンロー
ディングカセットとを備えたアンローディング部と、 前記アンローディングカセットの近傍に設けられ、前記
ポリシング工程を終えたウェーハに対して洗浄前に前記
ポリシング工程による不良状態を分析する測定装置と、 前記測定装置で分析工程が完了したウェーハを洗浄する
洗浄装置とを備えることを特徴とするウェーハポリシン
グ装置。 - 【請求項２】 前記測定装置は、前記ウェーハの表面に
形成された所定の膜質の厚さを測定する厚さ測定装置で
あることを特徴とする請求項１に記載のウェーハポリシ
ング装置。 - 【請求項３】 前記測定装置の近傍には、前記ポリシン
グされたウェーハの表面に残存する所定の大きさを有し
たパーティクルの数を測定するパーティクルカウンター
をさらに設けたことを特徴とする請求項２に記載のウェ
ーハポリシング装置。 - 【請求項４】 前記測定装置と洗浄装置との間には、前
記測定装置で測定を終えたウェーハを前記洗浄装置で洗
浄する前に待機させておく正常待機カセットをさらに設
けたことを特徴とする請求項１に記載のウェーハポリシ
ング装置。 - 【請求項５】 前記測定装置の近傍には、ポリシング状
態の測定結果が不良であるウェーハを非常待機させる第
１非常待機カセットをさらに設けたことを特徴とする請
求項１に記載のウェーハポリシング装置。 - 【請求項６】 前記ローディング部のローディング用ロ
ボットアームは、前記ウェーハを前記第１非常待機カセ
ットから前記待機ステージに移送するように設けたこと
を特徴とする請求項５に記載のウェーハポリシング装
置。 - 【請求項７】 前記第１非常待機カセットから前記測定
装置を介して反対側に、ポリシング装置の故障時、ウェ
ーハを臨時的に収納することができる第２非常待機カセ
ットをさらに設けたことを特徴とする請求項５に記載の
ウェーハポリシング装置。 - 【請求項８】 前記アンローディングカセット及び第
１、第２非常待機カセットでは、前記ウェーハが脱イオ
ン水の中に浸漬させていることを特徴とする請求項１に
記載のウェーハポリシング装置。 - 【請求項９】 ポリシング工程を終えたウェーハをアン
ローディングして待機ステージからアンローディングカ
セットに移送して収納する収納段階と、前記ポリシング
工程を終えたウェーハに対してポリシング工程による不
良状態を測定する測定段階と、 前記測定段階で測定したポリシング工程による不良状態
の測定結果が正常であるウェーハを正常待機カセットに
移送する移送段階と、 前記正常待機カセットに収納されたウェーハを洗浄する
洗浄段階とを備えたことを特徴とするウェーハポリシン
グ方法。 - 【請求項１０】 前記アンローディングカセットに前記
ポリシング工程を終えて収納したウェーハは、脱イオン
水の中に浸漬させていることを特徴とする請求項９に記
載のウェーハポリシング方法。 - 【請求項１１】 前記測定段階は、ポリシング工程を終
えたウェーハの厚さを測定することを特徴とする請求項
９に記載のウェーハポリシング方法。 - 【請求項１２】 前記測定段階は、ポリシング工程を終
えたウェーハの表面に残存したパーティクルの数をカウ
ントする段階をさらに備えたことを特徴とする請求項１
１に記載のウェーハポリシング方法。 - 【請求項１３】 前記測定段階においてポリシング工程
による不良状態の測定結果が不良であるウェーハは、前
記測定装置の近傍に設けた第１非常待機カセットに移送
して収納することを特徴とする請求項９に記載のウェー
ハポリシング方法。 - 【請求項１４】 前記第１非常待機カセットに収納した
ポリシング工程により不良状態にあるウェーハは、再び
前記待機ステージに移送されることを特徴とする請求項
１３に記載のウェーハポリシング方法。 - 【請求項１５】 前記待機ステージの近傍にポリシング
工程前のウェーハをローディングするローディング用ロ
ボットアームを設け、このローディング用ロボットアー
ムが前記ポリシング工程により不良状態にあるウェーハ
を前記待機ステージに移送させることを特徴とする請求
項１４に記載のウェーハポリシング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970032127A KR100253085B1 (ko) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법 |
| KR1997P-32127 | 1997-07-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140537A true JPH1140537A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3615932B2 JP3615932B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=19514108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9923598A Expired - Fee Related JP3615932B2 (ja) | 1997-07-10 | 1998-04-10 | ウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6149507A (ja) |
| JP (1) | JP3615932B2 (ja) |
| KR (1) | KR100253085B1 (ja) |
| TW (1) | TW376352B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203786A (ja) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| JP2015136775A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001064391A2 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Applied Materials, Inc. | Planarization system with a wafer transfer corridor and multiple polishing modules |
| US20020004358A1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-01-10 | Krishna Vepa | Cluster tool systems and methods to eliminate wafer waviness during grinding |
| JP3510177B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-03-22 | 株式会社東京精密 | ウェハ研磨装置 |
| KR100386449B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 표면 측정을 위한 방법 |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US6949158B2 (en) * | 2001-05-14 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers |
| JP2002343756A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ平面加工装置 |
| KR100470230B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2005-02-05 | 두산디앤디 주식회사 | 화학기계적 연마장치 |
| TWI280177B (en) * | 2004-02-02 | 2007-05-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Dummy process of chemical mechanical polishing process and polishing pad conditioning method |
| CN100363152C (zh) * | 2004-03-23 | 2008-01-23 | 力晶半导体股份有限公司 | 化学机械研磨制作工艺的假制作工艺与研磨垫调节方法 |
| JP6486757B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2019-03-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| JP6465015B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-02-06 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法 |
| CN114833716B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-07-14 | 北京晶亦精微科技股份有限公司 | 化学机械研磨设备及研磨方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498199A (en) * | 1992-06-15 | 1996-03-12 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| US5658183A (en) * | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
| US5679059A (en) * | 1994-11-29 | 1997-10-21 | Ebara Corporation | Polishing aparatus and method |
| US5649854A (en) * | 1994-05-04 | 1997-07-22 | Gill, Jr.; Gerald L. | Polishing apparatus with indexing wafer processing stations |
| US5655954A (en) * | 1994-11-29 | 1997-08-12 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus |
| US6012966A (en) * | 1996-05-10 | 2000-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus with detecting means |
| US5904611A (en) * | 1996-05-10 | 1999-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus |
| US5679055A (en) * | 1996-05-31 | 1997-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Automated wafer lapping system |
| US5865901A (en) * | 1997-12-29 | 1999-02-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Wafer surface cleaning apparatus and method |
-
1997
- 1997-07-10 KR KR1019970032127A patent/KR100253085B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-20 TW TW087104194A patent/TW376352B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-10 JP JP9923598A patent/JP3615932B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-08 US US09/111,746 patent/US6149507A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203786A (ja) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| JP2015136775A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| KR20150088193A (ko) * | 2014-01-23 | 2015-07-31 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 및 연마 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW376352B (en) | 1999-12-11 |
| KR100253085B1 (ko) | 2000-04-15 |
| KR19990009659A (ko) | 1999-02-05 |
| US6149507A (en) | 2000-11-21 |
| JP3615932B2 (ja) | 2005-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1140537A (ja) | ウェーハポリシング装置及びウェーハポリシング方法 | |
| US6887124B2 (en) | Method of polishing and cleaning substrates | |
| CN107818928B (zh) | 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法 | |
| JP4772679B2 (ja) | 研磨装置及び基板処理装置 | |
| CN107627201B (zh) | 研磨基板的表面的装置和方法 | |
| CN107818929B (zh) | 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法 | |
| KR20070091001A (ko) | 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 시스템, 및기록 매체 | |
| TWI681449B (zh) | 研磨方法及研磨裝置 | |
| JP7034880B2 (ja) | 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法 | |
| KR20190141587A (ko) | 기판 처리 방법 | |
| KR102074269B1 (ko) | 기판의 표면을 연마하는 장치 및 방법 | |
| US9613797B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method and computer-readable storage medium | |
| KR20220100772A (ko) | 슬라이스된 웨이퍼의 세척, 분리 및 적재 장치 | |
| JP6726575B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 | |
| CN107799442B (zh) | 基板清洗装置及具备该基板清洗装置的基板处理装置 | |
| US7235135B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| TWI654036B (zh) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JP2001230185A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
| KR20190140840A (ko) | 기판 반송 시스템을 위한 티칭 장치 및 티칭 방법 | |
| CN117157741A (zh) | 具有整合基板对准台的干燥系统 | |
| JP4208675B2 (ja) | 基板の洗浄評価方法 | |
| JP3999540B2 (ja) | スクラブ洗浄装置におけるブラシクリーニング方法及び処理システム | |
| KR20030067391A (ko) | 화학기계적 연마장치 | |
| JP3822745B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| US20050069399A1 (en) | Apparatus and method for dry-loading of substrates in scrubber cleaner |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041019 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |