JP4208675B2 - 基板の洗浄評価方法 - Google Patents
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Description
第1に、モニタ基板を研磨する前に、研磨パッドの研磨面をドレッシング(コンディショニング)すると、研磨面上に残留するダミー基板の金属の削り屑(以下、金属汚染物質という)がある程度除去されるため、次に研磨されるモニタ基板の表面に付着する金属汚染物質の量が減少する。このため、モニタ基板の表面における金属汚染物質の存在状態が、パターン基板研磨時の金属汚染物質の存在状態と異なってしまう。すなわち、本来、パターン基板を研磨すると、パターンを構成する金属の削り屑がパターン基板の表面に存在することになるが、酸化膜のみが形成されたモニタ基板を研磨する前にドレッシング処理を行うと、金属汚染物質の量が少ない状態でモニタ基板が研磨されることになる。このため、研磨後のモニタ基板の表面にはパターン基板とは異なった金属汚染物質の存在状態が形成され、洗浄評価装置において正しい洗浄評価ができないという問題がある。
本発明の好ましい一態様は、前記モニタ基板の表面には、洗浄評価の対象となる絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい一態様は、前記モニタ基板を研磨した後、洗浄評価の対象となる金属膜が表面に形成されているモニタ基板を研磨し、研磨された、前記金属膜が形成されているモニタ基板を洗浄し、洗浄された、前記金属膜が形成されているモニタ基板の表面清浄度を評価することを特徴とする。
図1は、一般的なポリッシング装置を模式的に示す平面図である。図1に示すように、ポリッシング装置40は、半導体ウェハを研磨する一対の研磨部1a,1bと、研磨された半導体ウェハを洗浄する一対の洗浄機7a,7bと、洗浄機7a,7bにより洗浄された半導体ウェハを更に洗浄し、乾燥させる洗浄機8a,8bを備えている。このポリッシング装置40では、全体が長方形をなす床上のスペースの一端側に研磨部1a,1bが対向して配置され、他端側に複数の半導体ウェハを収納するためのカセット(図示せず)が載置される一対のロード・アンロードユニット2a,2bが配置されている。研磨部1a,1bとロード・アンロードユニットと2a,2bを結ぶ線上には、半導体ウェハを搬送する搬送ロボット4a,4bが配置されて搬送ラインが形成されている。この搬送ラインの両側には、半導体ウェハの上下を反転させる反転機5,6と、この反転機5,6を挟んで洗浄機7a,7b及び洗浄機8a,8bとが配置されている。
図1において、配線材料としてCu及び絶縁膜としてのLow−k膜からなるパターンが形成された複数の半導体ウェハをカセットに収納し、このカセットをロード・アンロードユニット2a(及び/又はロード・アンロードユニット2b)に載置する。ロード・アンロードユニット2aからは1枚の半導体ウェハが搬送ロボット4aにより取り出され、この半導体ウェハを反転機5に搬送して必要に応じて反転させて、半導体ウェハのパターンが形成された表面が下を向くようにする。次に、この半導体ウェハを搬送ロボット4bにより反転機5から研磨部1aのプッシャー14まで搬送してプッシャー14上に載置する。そして、揺動アーム21を揺動させて、トップリング23をプッシャー14の直上方に移動させ、プッシャー14を上昇させて、プッシャー14上の半導体ウェハをトップリング23の下面に吸着保持させる。その後、トップリング23で半導体ウェハを保持した状態で、揺動アーム21を揺動させて、トップリング23を研磨テーブル11の上方に移動させる。
図3に示すように、ポリッシング装置40により研磨、洗浄、及び乾燥された半導体ウェハは、図示しない搬送装置により2台の洗浄評価装置41,42のいずれか一方に搬送される。2台の洗浄評価装置41,42のうち1台はレーザ光の散乱光を利用した光学式検査装置41であり、もう1一台は試料(汚染物質)から放射される蛍光X線を利用した蛍光X線分光分析装置42である。
図4は本発明に係る洗浄評価方法を説明するための模式図である。
本来洗浄評価すべき半導体ウェハは、CuとLow−k材からなるパターンが形成されたパターン基板であるが、本発明に係る洗浄評価方法では、洗浄評価すべき半導体ウェハとして表面(被研磨面)にLow−k膜のみが形成された半導体ウェハ(以下、モニタ基板Mという)が使用される。本実施形態に係る洗浄評価方法では、洗浄後のモニタ基板MのLow−k膜上に残留する汚染物質の量を測定して洗浄評価を行うことを目的とする。また、モニタ基板と共に、表面(被研磨面)にCu膜のみが形成された2枚のダミー基板D1,D2が使用される。ここで、ダミー基板とは、パターン基板に形成される配線材料と同種の金属膜が表面(被研磨面)に成膜された基板をいう。なお、本発明に係る洗浄評価方法に使用されるダミー基板は2枚に限られず、例えば1枚のみ、又は3枚以上でもよい。
2a,2b ロード・アンロードユニット
4a,4b 搬送ロボット
5,6 反転機
7a,7b 洗浄機
8a,8b 洗浄機(乾燥機)
9 研磨パッド
10 研磨面
11 研磨テーブル
11a テーブル軸
12 トップリングユニット
13 ドレッシングユニット
14 プッシャー
15 研磨液供給ノズル
16 ドレッシング液供給ノズル
18 ドレッサー洗浄装置
20,30 支軸
21,31 揺動アーム
22 トップリングシャフト
23 トップリング
32 ドレッサーシャフト
33 ドレッサー
34 ドレッシング部材
40 ポリッシング装置
41 光学式検査装置(洗浄評価装置)
42 蛍光X線分光分析装置(洗浄評価装置)
300 研磨パッド
301 研磨面
302 研磨テーブル
304 トップリング
306 研磨液供給ノズル
308 ドレッサー
310 ドレッシング部材
W 半導体ウェハ
D1,D2,D3 ダミー基板
M,M1,M2 Low−k膜モニタ基板
M−C Cu膜モニタ基板
Claims (3)
- 研磨後に洗浄された基板の表面清浄度を評価する基板の洗浄評価方法であって、
金属膜が表面に形成されたダミー基板と、洗浄評価の対象となるモニタ基板とを用意し、
前記ダミー基板を研磨し、
前記ダミー基板を研磨した後、研磨テーブルの研磨面をドレッシングせずに前記モニタ基板を研磨し、
研磨された前記モニタ基板を洗浄し、
洗浄された前記モニタ基板の表面清浄度を評価することを特徴とする基板の洗浄評価方法。 - 前記モニタ基板の表面には、洗浄評価の対象となる絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板の洗浄評価方法。
- 前記モニタ基板を研磨した後、洗浄評価の対象となる金属膜が表面に形成されているモニタ基板を研磨し、
研磨された、前記金属膜が形成されているモニタ基板を洗浄し、
洗浄された、前記金属膜が形成されているモニタ基板の表面清浄度を評価することを特徴とする請求項2に記載の基板の洗浄評価方法。
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