JPH11338155A - 化学的に補強されたレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感受性でかつコントラストを増強し潜像を
安定化する新規の化学的に補強されたレジストを提供す
る。 【解決手段】 少なくとも２つのポリマー成分から成る
酸に不安定な基を有するポリマー、露光時又は電子ビー
ム照射時にｐＫａ値≦０を有するスルホン酸を遊離させ
る第１の光活性オニウム化合物（Ａ）、露光時又は電子
ビーム照射時にｐＫａ値≦３（このｐＫａ値はオニウム
化合物（Ａ）のｐＫａ値よりも少なくとも１だけ大き
い）を有するスルホン酸を遊離させる第１の光活性オニ
ウム化合物（Ｂ）、及び溶媒を含んでいる化学的に補強
されたレジストを生成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は化学的に補強された
レジストに関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロエレクトロニクス分野では光学
リソグラフィ用にフォトレジスト、特にいわゆる化学的
に補強されたレジスト（化学増幅レジスト）も使用され
る。このようなレジストでは光化学的に発生させられた
プロトンの触媒作用が酸に不安定な保護基の分解に利用
される。しかしこの化学的に補強されたレジストもしく
はフォトレジストのメカニズムは照射構造の現像時に生
じる以下に記載する欠点を含んでいる。即ち―空気又は
使用された基板からの塩基性不純物に対する高感受性。
それにより構造に多大の不均一性が生じる。プロフィル
は基板との界面に沿って幅広になる（脚部の形成＝フッ
ティング）。空気との界面に一般にＴ形トップ（Ｔ形プ
ロフィル）として知られている拡張部が形成される（こ
れに関しては［Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ」第１４６６巻（１
９９１）、第２〜１２頁及び第１３〜２５頁参照）。―
露光後の潜像の著しい不安定性。これはマスク上の名目
上の構造寸法がレジストの異なる待機時間で異なって再
現されることを意味する。露光後の待機時間が長ければ
長いほどレジスト材料の溶解は少なくなる。例えば欧州
特許出願公開第０４９２２５６号明細書から公知である
ように無水物基含有レジストでは数分後に初めて２５０
ｎｍ以上の大きさの構造が溶解できるに過ぎない。

【０００３】上記の欠点を排除するには既に種々の方法
が公知である（これに関しては「Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌ
ｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．」第８巻（１９９
５）、第５０５〜５１８頁参照）。その際空気の浄化に
活性炭クラスタを使用する他に有機性保護層及び自由容
積の少ないポリマーが提案されている。もう１つの方法
は比較的容易に分解可能の保護基の使用である。それに
は特にｔ‐ブトキシカルボニル及びテトラヒドロピラニ
ル‐保護基が使用される。しかしこの種のレジスト系の
欠点は塗布及び露光前の貯蔵安定性が低いことである。

【０００４】更に塩基性添加剤の使用も推奨されてい
る。その際感光性添加剤と化学線照射に非感受性の物質
とを区別する必要がある。例えば後者の例はＮ‐メチル
ピロリドン（「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」第
３３巻（１９９４）第１部、第７０２３〜７０２７頁参
照）及び第四級アンモニウム塩（米国特許第５６０９９
８９号及び欧州特許出願公開第０７６２２０７号明細書
参照）である。これらの塩基が遊離プロトンと反応する
と緩衝平衡が生じる。この平衡は熱処理（ＰＥＢ工程＝
露光後熱処理）中の固有の分解反応の際にレジストの露
光範囲に一定の酸濃度を保証する。しかしこのレジスト
系の欠点は線量値の比較的高い上昇にある。

【０００５】光に不安定な塩基として例えばジアリール
ヨウドニウム及びトリアリールスルホニウム水酸化物並
びに相応するアルコキシド（アルコラート）及び酢酸が
使用される（欧州特許出願公開第０６１１９９８号及び
同第０７５６２０３号明細書参照）。その場合フォトレ
ジストの露光範囲では塩基は分解されるのに対し、未露
光範囲では塩基は拡散により侵入する酸を捕獲する。上
記の系では、緩衝作用がなくても塩基性の空気の汚染に
対して比較的安定した挙動を示す易分解性保護基（アセ
タール）が使用される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高感
受性でありかつコントラストを増強し潜像を安定化する
新規の化学的に補強されたレジストを提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、以下に記載する成分、即ち少なくとも２つのポリマ
ー成分から成る酸不安定性基を有するポリマー、露光時
又は電子ビーム照射時にｐＫａ値≦０のスルホン酸を遊
離させる第１の光活性オニウム化合物（Ａ）、露光時又
は電子ビーム照射時にｐＫａ値≦３（このｐＫａ値はオ
ニウム化合物（Ａ）のｐＫａ値よりも少なくとも１だけ
大きい）のスルホン酸を遊離する第２の光活性オニウム
化合物（Ｂ）及び溶媒を含んでいるレジストにより解決
される。

【０００８】本発明による化学的に補強されたレジスト
は、特に深紫外線、例えば１９３〜２４８ｎｍにおける
露光に適しているが、しかし電子ビーム記録にも使用で
き、即ち電子で照射することもできる。このレジストで
は特に高温で初めて酸触媒により分解されるような、例
えばｔ‐ブチルエステル基のような保護基が使用され
る。その際ベースポリマーとしては基本的に、露光波長
で十分に高い透明性を有し適当な酸不安定性保護基を有
する、ビ‐、ター‐、クォーター‐ポリマーの形の全て
のコポリマーが使用される。

【０００９】本発明によるレジストの主な特徴は、光活
性化合物、即ち光酸素化物質として、露光もしくは電子
ビーム照射時に２つの異なる強いスルホン酸を遊離させ
る２種類の光活性オニウム化合物を使用することにあ
る。即ち驚くべきことには２つの異なるオニウム‐光酸
素化物質を使用した場合露光後（２４時間までの）比較
的長い耐久時間でも汚染された実験雰囲気下にフッティ
ング欠陥及びＴ形トップ欠陥のない構造が得られること
が発見された。更にポジ型用レジスト系では−４〜−８
の明らかなコントラスト強度が生じる。

【００１０】ｐＫａ値≦３を有するスルホン酸としては
ｐ‐トルオールスルホン酸（ｐＫａ＝−７）、ヘキサデ
シルスルホン酸（ｐＫａ＝−２）、シクロヘキサンスル
ホン酸（ｐＫａ＝２．４）及びショウノウスルホン酸
（ｐＫａ＝−１）のような酸が挙げられ、ｐＫａ値≦０
を有するスルホン酸としてはトリフルオルメタンスルホ
ン酸（ｐＫａ＝−２０）のような一部フッ化された又は
過フッ化されたアルカンスルホン酸が挙げられる。この
場合発生した酸のｐＫａ値が明瞭に異なることが重要で
ある。一般に、そのｐＫａ値が−２０〜３の範囲のスル
ホン酸を遊離させる光活性オニウム化合物が使用され
る。ちなみにｐＫａ値とはいわゆる酸指数（酸の定数Ｋ
ａの負の常用対数）のことである。

【００１１】本発明によるレジストに使用される光酸素
化物質は特にスルホニウム塩Ｒ３Ｓ＋Ｘ−及びヨウドニ
ウム塩Ｒ２Ｉ＋Ｘ−の形のイオン化合物である。同じで
あるか又は異なっているこれらの基Ｒは１個の脂肪族又
は１個の芳香族基本構造を有していてもよい。その際こ
れらの芳香族基は脂肪族又は別の芳香族基と置換可能で
あり、その際化合物の可溶性を高める脂肪族基、例えば
ｔ‐ブチル基が有利である。同じカチオンを有する光酸
素化物質を使用すると有利であるが、しかし異なるカチ
オンが別々に存在していてもよい。

【００１２】本発明による有利なレジストには以下のこ
とが適用される。 １） オニウム化合物（Ａ）及び／又は（Ｂ）はＲ３Ｓ
＋Ｘ−又はＲ２Ｉ＋Ｘ−構造のオニウム塩であり、その
際基Ｒは同じであるか異なっていてもよく、それぞれ脂
肪族、芳香族又はアリール‐カルボニル‐アルキレン基
を表し又は２つの基Ｒは一緒にアルキレン基を形成す
る。ＲがＣ１〜Ｃ１２‐アルキル、（Ｃ６〜Ｃ１４
‐アリール）−ＣＯ−ＣＨ２−又はＣ６〜１２‐ア
リールであると特に有利であり、その際アリール基はＮ
−、Ｏ−又はＳ原子を有していてもよく、又は２つの基
は一緒にテトラメチレン‐（ＣＨ２）４を表していても
よい。芳香族基Ｒは単独又は多重にＯＨ‐、ＮＯ２
‐、ハロゲン又はアルコキシ基と、特にＣ１〜Ｃ４
‐アルキル基と置換可能である。更に芳香族基Ｒは場
合によっては脂肪族又は別の芳香族基と、特にＣ１〜Ｃ
１２‐アルキル又はＣ６〜Ｃ１４‐アリールと置換可
能である。 ２） オニウム化合物（Ａ）はＲ３Ｓ＋Ｘ−又はＲ２Ｉ
＋Ｘ−構造のオニウム塩であり、その際Ｘ−は以下の意
味を有していてもよい、即ち単独、多重又は過ハロゲン
化脂肪族スルホン酸塩基、特にＣ１〜Ｃ１２‐アルキ
ルスルホン酸塩基、例えばトリフルオルメタン又はノナ
フルオルブタンスルホン酸塩基、単独、多重又は過ハロ
ゲン化芳香族スルホン酸塩基、特にＣ６〜Ｃ１４‐ア
リールスルホン酸塩、例えばペンタフルオルベンゾール
スルホン酸塩、電子受容体と単独又は多重置換された芳
香族スルホン酸塩、特にＮＯ２、ＣＮ又はハロゲン置換
されたＣ６〜Ｃ１４‐アリールスルホン酸塩基、例えば
ジニトロベンゾールスルホン酸塩基、置換されない又は
単独又は多重にアルキル置換された芳香族スルホン酸塩
基、特にＣ１〜Ｃ４‐アルキルと置換されたＣ６〜Ｃ
１４‐アリールスルホン酸塩基、例えばトルオール又は
ナフタリンスルホン酸塩基。 ３） オニウム化合物（Ｂ）はＲ３Ｓ＋Ｘ−又はＲ２Ｉ
＋Ｘ−構造のオニウム塩であり、その際Ｘ−は以下の意
味を有していてもよい、即ち線状又は分枝状の脂肪族又
は環状のスルホン酸塩基、特にＣ１〜Ｃ１６‐アルキル
もしくはシクロアルキルスルホン酸塩基、例えばヘキサ
デシル、シクロヘキサン又はショウノウスルホン酸塩基
（Ｃ１０Ｈ１５Ｏ−ＳＯ３−）；置換されない又は単独
又は多重にアルキル置換された芳香族スルホン酸塩基、
特にＣ１〜Ｃ４‐アルキル置換されたＣ６〜Ｃ１４‐
アリールスルホン酸塩基、例えばトルオール又はナフタ
リンスルホン酸塩基。 ４） ポリマー成分の１つもしくは（コポリマーの）構
造単位の１つが酸不安定性基、特にテトラヒドロフラニ
ルエステル、テトラヒドロピラニルエステル又はｔ‐ア
ルキルエステル基、有利にはＣ４〜Ｃ１０‐アルキ
ル、例えばｔ‐ブチルエステル基を有する。 ５） ポリマーが以下のポリマー成分、即ちメタクリル
酸、メタクリル酸アルキルエステル、特にＣ１〜Ｃ１２
‐アルキル、例えばｔ‐ブチルメタクリレート、フマ
ル酸‐モノ‐ｔ‐ブチルエステル、無水マレイン酸、シ
リコン含有モノマー、特にアリルトリメチルシランの少
なくとも１つを基礎とする。 ６） 溶媒が酢酸メトキシプロピル、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、γ‐ブチロラクトン、乳酸エチ
ル又はこれらの化合物の少なくとも２つから成る混合物
である。しかし一般に慣用の全てのフォトレジスト溶媒
を使用することができる。

【００１３】本発明によるレジストは現像後直ちにエッ
チングマスクとして基板の構造化の際に使用可能であり
（一層レジスト）、又は適当な後続工程で２層レジスト
法で公知のような更なる処理を行うことも可能である。
これらのレジストは特にＣＡＲＬ二層レジスト（これに
関しては「Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒ．Ｅｎｇ．」第１１
巻、（１９９０）第５３１〜５３４頁参照）として適し
ている。この場合湿式化学によるシリル化工程で既に現
像された構造を補強し（ＣＡＲＬ＝Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔ
Ｌｉｎｅ、化学増幅レジスト線）、引続き初めて酸素プ
ラズマ中でその下にある抗反射層を異方性に乾式エッチ
ングする。それにより極めて急峻な側面と高いアスペク
ト比を有する構造が形成される。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を実施例に基づき以下に詳
述する。

【００１５】例 １（比較実験） 深紫外線中露光用フォトレジストの合成 無水マレイン酸とメタクリル酸‐ｔ‐ブチルエステル及
びアリルトリメチルシランとのラジカル共重合により生
成された（分子量１５０００ｇ／モル）ポリマー７．６
重量部をトリフェニルスルホニウム‐トリフルオルメタ
ンスルホン酸塩０．４重量部と共にシクロヘキサノン９
２重量部に溶解する。引続きこの溶液を０．２μm超微
細フィルタを介して濾過することにより深紫外線、例え
ば２４８又は１９３ｎｍでの露光に耐久性のあるフォト
レジスト混合物が得られる。

【００１６】例 ２ 深紫外線中露光用高感受性フォトレジストの合成 無水マレイン酸とメタクリル酸‐ｔ‐ブチルエステル及
びアリルトリメチルシランとの共重合により生成された
（分子量１５０００ｇ／モル）ポリマー７．６重量部を
トリフェニルスルホニウム‐トリフルオルメタンスルホ
ン酸塩０．４重量部及びトリフェニルスルホニウム‐ト
シラート０．０４重量部と共にシクロヘキサノン９２重
量部に溶解する。引続きこの溶液を０．２μm超微細フ
ィルタを介して濾過することにより深紫外線、例えば２
４８又は１９３ｎｍでの露光に耐久性のあるフォトレジ
スト混合物が得られる。

【００１７】例 ３（比較実験） 深紫外線中露光用フォトレジストの合成 無水マレイン酸とメタクリル酸‐ｔ‐ブチルエステル及
びメタクリル酸とのラジカル共重合により生成された
（分子量１５０００ｇ／モル）ポリマー７．６重量部を
ビス‐（４‐ｔ‐ブチルフェニル）‐ヨウドニウム‐ノ
ナフルオルブタンスルホン酸塩０．４重量部と共にシク
ロヘキサノン９２重量部に溶解する。引続きこの溶液を
０．２μm超微細フィルタを介して濾過することにより
深紫外線、例えば２４８又は１９３ｎｍでの露光に耐久
性のあるフォトレジスト混合物が得られる。

【００１８】例 ４ 深紫外線中露光用高感受性フォトレジストの合成 無水マレイン酸とメタクリル酸‐ｔ‐ブチルエステル及
びメタクリル酸とのラジカル共重合により生成された
（分子量１５０００ｇ／モル）ポリマー７．６重量部を
ビス‐（４‐ｔ‐ブチルフェニル）‐ヨウドニウム‐ノ
ナフルオルブタンスルホン酸塩０．４重量部及びトリフ
ェニルスルフォニウム‐ショウノウスルホン酸塩０．０
４重量部と共にシクロヘキサノン９２重量部に溶解す
る。引続きこの溶液を０．２μm超微細フィルタを介し
て濾過することにより深紫外線、例えば２４８又は１９
３ｎｍでの露光に耐久性のあるフォトレジスト混合物が
得られる。

【００１９】例 ５ 感光性フォトレジストの合成 シリコンウェハ上に４５００回転／ｍｉｎでプロピレン
グリコール酢酸モノメチルエーテル７５重量部に入れた
ノボラック１２．５重量部の溶液を遠心塗布し、引続き
２２５℃で２分間ホットプレート上で熱する。その際得
られた厚さ０．６μmの光吸収性層上に例１〜４による
フォトレジスト混合物を２５００回転／ｍｉｎの遠心分
離及び１４０℃／６０秒間ホットプレート上で乾燥する
ことにより厚さ０．２μmの感光性層を施す。

【００２０】例 ６（比較実験） ポジ型フォトレジスト構造の製造（二層法） 例１によるフォトレジスト混合物で例５に相応して生成
された感光性フォトレジスト層上に２４８ｎｍ投影露光
装置により２０ｍＪ／ｃｍ２の線量で０．４０μm〜
０．１４μmラスタにウェブ／トレンチ構造を有するマ
スク像を投射する。引続きホットプレート上で１３０℃
／６０秒間熱処理する。この層を更に０．２６Ｎのテト
ラメチル水酸化アンモニウム現像剤で６０秒間パドル法
で現像し、その後１００℃／６０秒間ホットプレート上
で熱処理する。０．２０μmまでのラスタに高さ０．２
μmのウェブ／トレンチ構造が溶解される。レジストウ
ェブの断面はラスタ電子顕微鏡に明瞭なフッティング及
びＴ−トップの形成を示す。得られたウェブ／トレンチ
構造は同じ線量で異なる日数で再現不可能となる。構造
の幅及び形は清浄室内でその時の空気特性に左右され
る。塗布又は露光後３０分以上の耐久時間は溶解挙動を
低下させる。

【００２１】例 ７ ポジ型フォトレジスト構造の製造（二層法） 例２によるフォトレジスト混合物で例５に相応して生成
された感光性フォトレジスト層上に２４８ｎｍ投影露光
装置により２５ｍＪ／ｃｍ２の線量で０．４０μm〜
０．１４μmラスタにウェブ／トレンチ構造を有するマ
スク像を投射する。引続きホットプレート上で１３０℃
／６０秒間熱処理する。この層を更に０．２６Ｎのテト
ラメチル水酸化アンモニウム現像剤で６０秒間パドル法
で現像し、その後１００℃／６０秒間ホットプレート上
で熱処理する。０．１５μmまでのラスタに高さ０．２
μmのウェブ／トレンチ構造が溶解される。レジストウ
ェブの断面はラスタ電子顕微鏡に急峻な側面を示す。得
られたウェブ／トレンチ構造は同じ線量で清浄室内で比
較的長い耐久時間でも（＞１時間）再現可能である。構
造の幅及び形は清浄空間でその時の空気特性に左右され
ることはない。

【００２２】例 ８（比較実験） ポジ型フォトレジスト構造の製造（二層法） 例３によるフォトレジスト混合物で例５に相応して生成
された感光性フォトレジスト層上に２４８ｎｍ投影露光
装置により２８ｍＪ／ｃｍ２の線量で０．４０μm〜
０．１４μmラスタにウェブ／トレンチ構造を有するマ
スク像を投射する。引続きホットプレート上で１３０℃
／６０秒間熱処理する。この層を更に０．２６Ｎのテト
ラメチル水酸化アンモニウム現像剤で６０秒間パドル法
で現像し、その後１００℃／６０秒間ホットプレート上
で熱処理する。０．２２μmまでのラスタに高さ０．２
μmのウェブ／トレンチ構造が溶解される。レジストウ
ェブの断面はラスタ電子顕微鏡に明瞭なフッティング及
びＴ−トップの形成を示す。得られたウェブ／トレンチ
構造は同じ線量で異なる日数で再現不可能となる。構造
の幅及び形は清浄室内でその時の空気特性に左右され
る。塗布又は露光後３０分以上の耐久時間は溶解挙動を
低下させる。

【００２３】例 ９ ポジ型フォトレジスト構造の製造（二層法） 例４によるフォトレジスト混合物で例５に相応して生成
された感光性フォトレジスト層上に２４８ｎｍ投影露光
装置により３３ｍＪ／ｃｍ２の線量で０．４０μm〜
０．１４μmラスタにウェブ／トレンチ構造を有するマ
スク像を投射する。引続きホットプレート上で１３０℃
／６０秒間熱処理する。この層を更に０．２６Ｎのテト
ラメチル水酸化アンモニウム現像剤で６０秒間パドル法
で現像し、その後１００℃／６０秒間ホットプレート上
で熱処理する。０．１５μmまでのラスタに高さ０．２
μmのウェブ／トレンチ構造が溶解される。レジストウ
ェブの断面はラスタ電子顕微鏡に急峻な側面を示す。得
られたウェブ／トレンチ構造は同じ線量で清浄室内で比
較的長い耐久時間でも（＞１時間）再現可能である。構
造の幅及び形は清浄室内でその時の空気特性に左右され
ることはない。

【００２４】例 １０ ポジ型フォトレジスト構造の製造（一層法） メタクリル酸とメタクリル酸‐ｔ‐ブチルエステル及び
アリルトリメチルシランとのラジカル共重合により生成
された（分子量１５０００ｇ／モル）ポリマー２４．６
重量部をトリフェニルスルホニウム‐トリフルオルメタ
ンスルホン酸塩１．２重量部及びトリフェニルスルホニ
ウム‐トシラート０．１２重量部と共にシクロヘキサノ
ン７５重量部に溶解する。引続きこの溶液を０．２μm
超微細フィルタを介して濾過することにより深紫外線、
例えば２４８又は１９３ｎｍでの露光に耐久性のあるフ
ォトレジスト混合物が得られる。

【００２５】基板上にフォトレジスト混合物を２５００
回転／ｍｉｎで遠心塗布し、１４０℃／６０秒間ホット
プレート上で乾燥することにより厚さ０．８μmの感光
性層を生成する。この層上に２４８ｎｍ投影露光装置に
より３５ｍＪ／ｃｍ２の線量で０．４０μm〜０．１４
μmラスタにウェブ／トレンチ構造を有するマスク像を
投射する。引続きホットプレート上で１３０℃／６０秒
間熱処理する。この層を更に０．２６Ｎのテトラメチル
水酸化アンモニウム現像剤で６０秒間パドル法で現像す
る。０．１８μmまでのラスタに高さ０．８μmのウェブ
／トレンチ構造が溶解される。得られたウェブ／トレン
チ構造は同じ線量で清浄室内で比較的長い耐久時間でも
（＞１時間）再現可能である。構造の幅及び形は清浄室
でその時の空気特性に左右されることはない。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも２つのポリマー成分から成る
   酸に不安定な基を有するポリマー、 露光時又は電子ビーム照射時にｐＫａ値≦０を有するス
   ルホン酸を遊離させる第１の光活性オニウム化合物
   （Ａ）、 露光時又は電子ビーム照射時にｐＫａ値≦３（このｐＫ
   ａ値はオニウム化合物（Ａ）のｐＫａ値よりも少なくと
   も１だけ大きい）を有するスルホン酸を遊離させる第２
   の光活性オニウム化合物（Ｂ）、及び溶媒を含んでいる
   ことを特徴とする化学的に補強されたレジスト。
2. 【請求項２】 オニウム化合物（Ａ）及び／又は（Ｂ）
   がＲ３Ｓ＋Ｘ−又はＲ２Ｉ＋Ｘ−構造のオニウム塩であ
   り、その際これらの基Ｒは同じであるか又は異なってい
   てもよく、それぞれ脂肪族、芳香族又はアリール‐カル
   ボニル‐アルキレン基を表し、或いは２つの基Ｒが一緒
   にアルキレン基を形成することを特徴とする請求項１記
   載のレジスト。
3. 【請求項３】 オニウム化合物（Ａ）がＲ３Ｓ＋Ｘ−又
   はＲ２Ｉ＋Ｘ−構造のオニウム塩であり、その際Ｘ−は
   単独、多重又は過ハロゲン化された脂肪族スルホン酸塩
   の基、 単独、多重又は過ハロゲン化された芳香族スルホン酸塩
   の基、 単独又は多重に電子受容体と置換された芳香族スルホン
   酸塩の基、 置換されない又は単独又は多重にアルキル置換された芳
   香族スルホン酸塩の基を表すことを特徴とする請求項２
   記載のレジスト。
4. 【請求項４】 オニウム化合物（Ｂ）がＲ３Ｓ＋Ｘ−又
   はＲ２Ｉ＋Ｘ−構造のオニウム塩であり、その際Ｘ−は
   線状又は分枝状の脂肪族又は環状のスルホン酸塩の基、 置換されていない又は単独又は多重にアルキル置換され
   た芳香族スルホン酸塩の基を表すことを特徴とする請求
   項２又は３記載のレジスト。
5. 【請求項５】 ポリマー成分の１つが酸不安定性の基、
   特にｔ‐アルキルエステル基、テトラヒドロフラニルエ
   ステル基又はテトラヒドロピラニルエステル基を有する
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載
   のレジスト。
6. 【請求項６】 ポリマーが以下に記載するポリマー成
   分、即ちメタクリル酸、 メタクリル酸アルキルエステル、 フマル酸‐モノ‐ｔ‐ブチルエステル、 無水マレイン酸、 シリコン含有モノマーの少なくとも１つを基礎とするこ
   とを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
   レジスト。
7. 【請求項７】 溶媒が酢酸メトキシプロピル、シクロペ
   ンタノン、シクロヘキサノン、γ‐ブチロラクトン、乳
   酸エチル又はこれらの化合物の少なくとも２つから成る
   混合物であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
   か１つに記載のレジスト。