JPH11330574A - ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 - Google Patents
ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11330574A JPH11330574A JP11028710A JP2871099A JPH11330574A JP H11330574 A JPH11330574 A JP H11330574A JP 11028710 A JP11028710 A JP 11028710A JP 2871099 A JP2871099 A JP 2871099A JP H11330574 A JPH11330574 A JP H11330574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nbti
- rolling
- cold rolling
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title abstract description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 77
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 69
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 46
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N timiperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCC(N2C(NC3=CC=CC=C32)=S)CC1 YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229950000809 timiperone Drugs 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲＩ、超電導リニアモーターカー等用の超
電導多層板の層構造と製造法であり、材料の臨界電流密
度を向上させ、圧延方向異方性を低減する。 【解決手段】 高導電率金属基材中に板状ＮｂＴｉ合金
層がＮｂまたはＴａを介して配置されているＮｂＴｉ超
電導多層板において、ＮｂＴｉ層中に板状に析出し、か
つ厚さが１nm以上、１００nm以下、板厚方向の間隔が１
nm以上、５００nm以下、体積分率が３％以上、５０％以
下の常電導析出物が存在し、かつ板厚方向の断面のＮｂ
Ｔｉ層及び高導電率金属層の厚さの変動係数（％）（＝
（標準偏差／平均）×１００）がそれぞれ３０％以下で
あり、かつ各層の層厚の最も大きいところｄmax と最も
小さいところｄmin の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以
上であることを特徴とする。
電導多層板の層構造と製造法であり、材料の臨界電流密
度を向上させ、圧延方向異方性を低減する。 【解決手段】 高導電率金属基材中に板状ＮｂＴｉ合金
層がＮｂまたはＴａを介して配置されているＮｂＴｉ超
電導多層板において、ＮｂＴｉ層中に板状に析出し、か
つ厚さが１nm以上、１００nm以下、板厚方向の間隔が１
nm以上、５００nm以下、体積分率が３％以上、５０％以
下の常電導析出物が存在し、かつ板厚方向の断面のＮｂ
Ｔｉ層及び高導電率金属層の厚さの変動係数（％）（＝
（標準偏差／平均）×１００）がそれぞれ３０％以下で
あり、かつ各層の層厚の最も大きいところｄmax と最も
小さいところｄmin の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以
上であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲＩ（磁気共鳴
医療画像診断装置）、超電導リニアモーターカー等の超
電導機器において主に磁気シールドとして使用される超
電導多層板の層構造及びその製造方法に関するものであ
り、多層板を構成するＮｂＴｉ層、高導電率金属層の層
厚のばらつきが小さく、臨界電流密度が高く、しかも圧
延方向異方性の少ない超電導多層板及びその製造方法を
提供するものである。
医療画像診断装置）、超電導リニアモーターカー等の超
電導機器において主に磁気シールドとして使用される超
電導多層板の層構造及びその製造方法に関するものであ
り、多層板を構成するＮｂＴｉ層、高導電率金属層の層
厚のばらつきが小さく、臨界電流密度が高く、しかも圧
延方向異方性の少ない超電導多層板及びその製造方法を
提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲＩやリニアモーターカー等で使用さ
れる超電導多層板の超電導特性で最も重要な指標は、臨
界電流密度（以下Ｊｃと記述）である。超電導多層板
は、特開平３−１３６４００号公報で示されたように、
熱間圧延後に３００〜４５０℃の温度で１回当たりの保
持時間が１〜１６８時間の熱処理と１回当たりの加工率
が３０〜９８％の冷間圧延を６回以下交互に繰り返した
後、３００〜４５０℃の温度で１〜１０００時間の最終
熱処理を施してＮｂＴｉ中にα−Ｔｉを析出させる方法
により製造される。超電導多層板はこのＮｂＴｉ中に析
出したα−Ｔｉによる磁束量子のピン止めにより実用レ
ベルのＪｃが得られる（低温工学第３２巻第６号ｐ．２
７１〜２８０）。しかし、特開平３−１３６４００号公
報で示された方法で作製した材料中のα−Ｔｉは、板厚
方向に平たくつぶされたような楕円体の形状をしてお
り、大きさが数百nm大と磁束量子の大きさに比べて大き
いため効率的なピン止め点とはなりえず、Ｊｃ値は超電
導多芯線材のそれには劣る。
れる超電導多層板の超電導特性で最も重要な指標は、臨
界電流密度（以下Ｊｃと記述）である。超電導多層板
は、特開平３−１３６４００号公報で示されたように、
熱間圧延後に３００〜４５０℃の温度で１回当たりの保
持時間が１〜１６８時間の熱処理と１回当たりの加工率
が３０〜９８％の冷間圧延を６回以下交互に繰り返した
後、３００〜４５０℃の温度で１〜１０００時間の最終
熱処理を施してＮｂＴｉ中にα−Ｔｉを析出させる方法
により製造される。超電導多層板はこのＮｂＴｉ中に析
出したα−Ｔｉによる磁束量子のピン止めにより実用レ
ベルのＪｃが得られる（低温工学第３２巻第６号ｐ．２
７１〜２８０）。しかし、特開平３−１３６４００号公
報で示された方法で作製した材料中のα−Ｔｉは、板厚
方向に平たくつぶされたような楕円体の形状をしてお
り、大きさが数百nm大と磁束量子の大きさに比べて大き
いため効率的なピン止め点とはなりえず、Ｊｃ値は超電
導多芯線材のそれには劣る。
【０００３】これに対し特開平９−３１０１６１号公報
に示したように、上記３００〜４５０℃１〜１０００時
間の最終熱処理の後に３０〜９０％の冷間圧延を施すこ
とにより、α−Ｔｉを磁束量子をピン止めするのに適し
た大きさに変え、超電導多芯線材並みのＪｃまで向上さ
せる方法が考案されている。しかし、３００〜４５０℃
１〜１０００時間という熱処理の後に３０〜９０％の比
較的加工率の大きな加工を行うため、高導電率金属層と
超電導層（Ｎｂ，ＮｂＴｉ層）の圧延加工性が異なり、
圧延方向の層構造が特に乱れるという問題を引き起こし
ていた。圧延方向の層構造が乱れるため、時効熱処理後
の圧延による高Ｊｃ化において、圧延方向のＪｃの向上
は幅方向のＪｃの向上に比べて約半分程度と小さく、Ｊ
ｃの圧延方向異方性が助長されてしまうという問題があ
った。
に示したように、上記３００〜４５０℃１〜１０００時
間の最終熱処理の後に３０〜９０％の冷間圧延を施すこ
とにより、α−Ｔｉを磁束量子をピン止めするのに適し
た大きさに変え、超電導多芯線材並みのＪｃまで向上さ
せる方法が考案されている。しかし、３００〜４５０℃
１〜１０００時間という熱処理の後に３０〜９０％の比
較的加工率の大きな加工を行うため、高導電率金属層と
超電導層（Ｎｂ，ＮｂＴｉ層）の圧延加工性が異なり、
圧延方向の層構造が特に乱れるという問題を引き起こし
ていた。圧延方向の層構造が乱れるため、時効熱処理後
の圧延による高Ｊｃ化において、圧延方向のＪｃの向上
は幅方向のＪｃの向上に比べて約半分程度と小さく、Ｊ
ｃの圧延方向異方性が助長されてしまうという問題があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】α−Ｔｉは最終熱処理
後の圧延で薄く引き延ばされ、磁束量子をピン止めする
のに適したサイズ（厚さ数十nm程度）となっているにも
かかわらず、圧延方向の臨界電流密度が期待するほど向
上しないのは、圧延方向の層構造が乱れているために他
ならない。この層構造の乱れは、最終熱処理後のＮｂＴ
ｉ層と高導電性金属層の硬度の差に起因する。実際、最
終熱処理後のＮｂＴｉ層と高導電性金属層の硬度差はビ
ッカース硬度値でおよそ１２０ある場合も確認されてい
る。
後の圧延で薄く引き延ばされ、磁束量子をピン止めする
のに適したサイズ（厚さ数十nm程度）となっているにも
かかわらず、圧延方向の臨界電流密度が期待するほど向
上しないのは、圧延方向の層構造が乱れているために他
ならない。この層構造の乱れは、最終熱処理後のＮｂＴ
ｉ層と高導電性金属層の硬度の差に起因する。実際、最
終熱処理後のＮｂＴｉ層と高導電性金属層の硬度差はビ
ッカース硬度値でおよそ１２０ある場合も確認されてい
る。
【０００５】本発明は、このような硬度差のある複数の
層を有する多層超電導材料の層構造の乱れを抑制する製
造方法及び層構造の乱れが抑制されたＮｂＴｉ超電導多
層板を提供し、Ｊｃが高くしかも圧延方向異方性の小さ
い材料を実現するものである。
層を有する多層超電導材料の層構造の乱れを抑制する製
造方法及び層構造の乱れが抑制されたＮｂＴｉ超電導多
層板を提供し、Ｊｃが高くしかも圧延方向異方性の小さ
い材料を実現するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、高導電率
金属基材中に板状ＮｂＴｉ合金層がＮｂを介して配置さ
れているＮｂＴｉ超電導多層板において、ＮｂＴｉ超電
導多層板中のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出
し、かつ厚さが１nm以上、１００nm以下、板厚方向の間
隔が１nm以上、５００nm以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対
する体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出物が
存在すること、及び板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及び高
導電率金属層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／
平均）×１００）がそれぞれ３０％以下であり、かつ各
層の層厚の最も大きいところｄmax と最も小さいところ
ｄmin の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以上であること
を特徴とするＮｂＴｉ超電導多層板である。高導電率金
属とは、例えばＣｕやＣｕ−１０〜３０重量％Ｎｉ−１
重量％Ｍｎ合金、Ｃｕ−２〜４重量％Ｎｉ−０．５〜
０．８重量％Ｓｉ−０．２〜０．４重量％Ｚｎ合金のよ
うな合金を指す。
金属基材中に板状ＮｂＴｉ合金層がＮｂを介して配置さ
れているＮｂＴｉ超電導多層板において、ＮｂＴｉ超電
導多層板中のＮｂＴｉ層中に、板面に平行に板状に析出
し、かつ厚さが１nm以上、１００nm以下、板厚方向の間
隔が１nm以上、５００nm以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対
する体積分率が３％以上、５０％以下の常電導析出物が
存在すること、及び板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及び高
導電率金属層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／
平均）×１００）がそれぞれ３０％以下であり、かつ各
層の層厚の最も大きいところｄmax と最も小さいところ
ｄmin の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以上であること
を特徴とするＮｂＴｉ超電導多層板である。高導電率金
属とは、例えばＣｕやＣｕ−１０〜３０重量％Ｎｉ−１
重量％Ｍｎ合金、Ｃｕ−２〜４重量％Ｎｉ−０．５〜
０．８重量％Ｓｉ−０．２〜０．４重量％Ｚｎ合金のよ
うな合金を指す。
【０００７】ＮｂＴｉ層中に侵入した磁束量子は、Ｎｂ
Ｔｉ層中に存在する常電導析出物によってピン止めさ
れ、大きな臨界電流密度Ｊｃが得られる。常電導析出物
の厚さを１nm以上としたのは、これより小さいとＮｂＴ
ｉの超電導と常電導界面の領域の大きさよりも小さくな
りすぎて磁束量子のピン止めが充分にできないためであ
り、常電導析出物の厚さを１００nm以下としたのは、こ
れより大きいと磁束量子の間隔よりも析出物の間隔が大
きくなり、常電導析出物中に磁束量子が何本も入って充
分なピン止めができないためである。
Ｔｉ層中に存在する常電導析出物によってピン止めさ
れ、大きな臨界電流密度Ｊｃが得られる。常電導析出物
の厚さを１nm以上としたのは、これより小さいとＮｂＴ
ｉの超電導と常電導界面の領域の大きさよりも小さくな
りすぎて磁束量子のピン止めが充分にできないためであ
り、常電導析出物の厚さを１００nm以下としたのは、こ
れより大きいと磁束量子の間隔よりも析出物の間隔が大
きくなり、常電導析出物中に磁束量子が何本も入って充
分なピン止めができないためである。
【０００８】常電導析出物同士の間隔を１nm以上とした
のは、これより小さいと磁束量子の間隔にピン止めに寄
与しない常電導析出物が多く存在することになって、Ｎ
ｂＴｉ超電導体の断面積をいたずらに減少することにな
るためであり、常電導析出物同士の間隔を５００nm以下
としたのは、これ以上離れるとピン止めされない磁束量
子の数が多くなりすぎるからである。
のは、これより小さいと磁束量子の間隔にピン止めに寄
与しない常電導析出物が多く存在することになって、Ｎ
ｂＴｉ超電導体の断面積をいたずらに減少することにな
るためであり、常電導析出物同士の間隔を５００nm以下
としたのは、これ以上離れるとピン止めされない磁束量
子の数が多くなりすぎるからである。
【０００９】常電導析出物のＮｂＴｉ層中の体積分率を
３％以上としたのは、これよりも小さいと磁束量子を充
分ピン止めできないためであり、５０％以下としたの
は、これよりも大きいと超電導の断面積が小さくなって
臨界電流密度Ｊｃが上昇しても意味がなくなるためであ
る。
３％以上としたのは、これよりも小さいと磁束量子を充
分ピン止めできないためであり、５０％以下としたの
は、これよりも大きいと超電導の断面積が小さくなって
臨界電流密度Ｊｃが上昇しても意味がなくなるためであ
る。
【００１０】板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及び高導電率
金属層の厚さの変動係数（％）は、例えば次のようにし
て求める。まず超電導多層板の任意の場所の断面構造を
数箇所（最低３箇所）写真に撮り、図１のように板厚方
向に３箇所直線を引く。写真の大きさは、各層が充分識
別できる程度の大きさとする（例えば、総板厚１．０mm
のものならば１００倍）。直線の真下にある各高導電率
金属層およびＮｂＴｉ層の層の厚さを測定し、平均値と
標準偏差を計算し、変動係数（＝（標準偏差／平均値）
×１００）を求める。これを超電導多層板の圧延方向の
断面及び幅方向の断面についてそれぞれ行い変動係数
（％）を算出する。
金属層の厚さの変動係数（％）は、例えば次のようにし
て求める。まず超電導多層板の任意の場所の断面構造を
数箇所（最低３箇所）写真に撮り、図１のように板厚方
向に３箇所直線を引く。写真の大きさは、各層が充分識
別できる程度の大きさとする（例えば、総板厚１．０mm
のものならば１００倍）。直線の真下にある各高導電率
金属層およびＮｂＴｉ層の層の厚さを測定し、平均値と
標準偏差を計算し、変動係数（＝（標準偏差／平均値）
×１００）を求める。これを超電導多層板の圧延方向の
断面及び幅方向の断面についてそれぞれ行い変動係数
（％）を算出する。
【００１１】変動係数（％）を３０％以下としたのは３
０％を超えた場合、層の乱れが大きくなり充分高いＪｃ
値が得られないためである。また、各層の層厚の最も大
きいところ（ｄmax ）と最も小さいところ（ｄmin ）の
比（ｄmin ／ｄmax ）を５０％以上としたのは、この比
が５０％よりも小さいと層のくびれによるＪｃ値の低下
が生じるためである。
０％を超えた場合、層の乱れが大きくなり充分高いＪｃ
値が得られないためである。また、各層の層厚の最も大
きいところ（ｄmax ）と最も小さいところ（ｄmin ）の
比（ｄmin ／ｄmax ）を５０％以上としたのは、この比
が５０％よりも小さいと層のくびれによるＪｃ値の低下
が生じるためである。
【００１２】第２の発明は、第１の発明の製造方法に関
するものであって、少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高
導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と
前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が
存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温
度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧
延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３０
０〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間
の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧
延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状または、箔
状とした後、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜
１０００時間の熱処理を施した後、圧延方向に１．５kg
／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら最終の冷間圧
延（加工率３０〜９０％）を施すことを特徴とするＮｂ
Ｔｉ超電導多層板の製造方法である。
するものであって、少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高
導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と
前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が
存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温
度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧
延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３０
０〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間
の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧
延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状または、箔
状とした後、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜
１０００時間の熱処理を施した後、圧延方向に１．５kg
／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら最終の冷間圧
延（加工率３０〜９０％）を施すことを特徴とするＮｂ
Ｔｉ超電導多層板の製造方法である。
【００１３】ＮｂＴｉ合金と高導電率金属を交互に積層
する理由は、超電導安定性を高めるためである。ＮｂＴ
ｉは超電導状態においては電気抵抗はゼロであるが、何
らかの理由で部分的に常電導に転移すると、常電導状態
では逆に電気抵抗が高いため発熱し、常電導部分が拡大
して材料全体の超電導状態が一気に破れる現象が起こる
（クエンチ現象）。ところがＮｂＴｉ材料に高導電性金
属が隣接した複合材料とすると、部分的な常電導転移が
起こっても、超電導材料に流れていた電流は高導電性金
属を経由して流れ、一旦常電導に転移した部分も超電導
状態に復帰することができ、超電導状態が安定に保たれ
るのである。
する理由は、超電導安定性を高めるためである。ＮｂＴ
ｉは超電導状態においては電気抵抗はゼロであるが、何
らかの理由で部分的に常電導に転移すると、常電導状態
では逆に電気抵抗が高いため発熱し、常電導部分が拡大
して材料全体の超電導状態が一気に破れる現象が起こる
（クエンチ現象）。ところがＮｂＴｉ材料に高導電性金
属が隣接した複合材料とすると、部分的な常電導転移が
起こっても、超電導材料に流れていた電流は高導電性金
属を経由して流れ、一旦常電導に転移した部分も超電導
状態に復帰することができ、超電導状態が安定に保たれ
るのである。
【００１４】ＮｂＴｉ合金と高導電率金属の間にＮｂま
たはＴａのバリヤー層を存在させる理由は、製造工程に
おける熱間圧延工程で銅等の高導電金属とＮｂＴｉ中の
Ｔｉが金属間化合物を形成させないようにするためであ
る。
たはＴａのバリヤー層を存在させる理由は、製造工程に
おける熱間圧延工程で銅等の高導電金属とＮｂＴｉ中の
Ｔｉが金属間化合物を形成させないようにするためであ
る。
【００１５】熱間圧延時の加熱温度の下限を５００℃と
したのは、５００℃未満ではＮｂＴｉ及びＮｂまたはＴ
ａが充分軟化せず高導電率金属との密着性が不十分なた
めである。同上限を１０００℃としたのは、１０００℃
を超えると銅の融点に近く軟化しすぎるためである。熱
間圧延の加工率を３０〜９８％としたのは、３０％未満
では温度が高くても充分な密着性が得られにくく、９８
％を超えると以降の冷間加工率が小さくなりすぎるため
である。最初の冷間加工率を３０〜９８％とした理由
は、３０％未満の加工率では充分な転位が導入されず、
最後の熱処理で析出するＴｉ析出物の量が少なくなるた
めであり、上限を９８％としたのは、９８％を超えると
材料の一部または全体が破壊されて加工不良が生じるた
めである。以降の中間熱処理の温度を３００〜４５０℃
としたのは、３００℃未満ではＴｉ析出物の析出速度が
小さすぎて時間がかかりすぎるためであり、４５０℃を
超えると析出物が粗大化して以降の冷間圧延に支障を来
すためである。熱処理１回当たりの保持時間を１〜１６
８時間とするのは、１時間未満では析出量が不十分であ
り、１６８時間を超えると析出物が粗大化し、以降の冷
間加工に支障を来すためである。
したのは、５００℃未満ではＮｂＴｉ及びＮｂまたはＴ
ａが充分軟化せず高導電率金属との密着性が不十分なた
めである。同上限を１０００℃としたのは、１０００℃
を超えると銅の融点に近く軟化しすぎるためである。熱
間圧延の加工率を３０〜９８％としたのは、３０％未満
では温度が高くても充分な密着性が得られにくく、９８
％を超えると以降の冷間加工率が小さくなりすぎるため
である。最初の冷間加工率を３０〜９８％とした理由
は、３０％未満の加工率では充分な転位が導入されず、
最後の熱処理で析出するＴｉ析出物の量が少なくなるた
めであり、上限を９８％としたのは、９８％を超えると
材料の一部または全体が破壊されて加工不良が生じるた
めである。以降の中間熱処理の温度を３００〜４５０℃
としたのは、３００℃未満ではＴｉ析出物の析出速度が
小さすぎて時間がかかりすぎるためであり、４５０℃を
超えると析出物が粗大化して以降の冷間圧延に支障を来
すためである。熱処理１回当たりの保持時間を１〜１６
８時間とするのは、１時間未満では析出量が不十分であ
り、１６８時間を超えると析出物が粗大化し、以降の冷
間加工に支障を来すためである。
【００１６】析出の駆動力となる転位を多数導入し、充
分な量のＴｉを析出させるためには冷間圧延と熱処理を
交互に繰り返すことにより尚一層の効果が得られる。こ
の繰り返しを６回以下としたのは、６回を超えると各熱
処理間の冷間加工率を充分取れず析出量に対する効果が
飽和するためである。各熱処理間及び最終形状に至るま
での冷間加工率を３０〜９８％とする理由は、最初の冷
間圧延の場合と同じである。最後の熱処理は、途中の冷
間圧延と熱処理の繰り返しで析出したＴｉの密度をさら
に増大させるためである。この熱処理の温度範囲を３０
０〜４５０℃としたのは、先に示した熱処理の場合と同
じである。また、保持時間を１〜１０００時間としたの
は、１時間未満では析出量の増大の効果が得られず、１
０００時間を超えると析出が飽和してしまうからであ
る。
分な量のＴｉを析出させるためには冷間圧延と熱処理を
交互に繰り返すことにより尚一層の効果が得られる。こ
の繰り返しを６回以下としたのは、６回を超えると各熱
処理間の冷間加工率を充分取れず析出量に対する効果が
飽和するためである。各熱処理間及び最終形状に至るま
での冷間加工率を３０〜９８％とする理由は、最初の冷
間圧延の場合と同じである。最後の熱処理は、途中の冷
間圧延と熱処理の繰り返しで析出したＴｉの密度をさら
に増大させるためである。この熱処理の温度範囲を３０
０〜４５０℃としたのは、先に示した熱処理の場合と同
じである。また、保持時間を１〜１０００時間としたの
は、１時間未満では析出量の増大の効果が得られず、１
０００時間を超えると析出が飽和してしまうからであ
る。
【００１７】本発明は、最後の熱処理の後の冷間圧延を
長手方向に１．５kg／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛け
ながら圧延を行うことを特徴としている。最後の熱処理
の後に冷間圧延を施すのは、３００〜４５０℃１〜１０
００時間までの熱処理で析出したＴｉの大きさが磁束量
子をピン止めして良好な超電導特性を得るためにはやや
大きすぎるので圧延により析出したＴｉを薄く延ばし磁
束量子の大きさと間隔に相応しくするためである。３０
〜９０％の圧延により、先に析出していた数百nm厚さの
Ｔｉは、数十nmの厚さまで薄くなり磁束量子をピン止め
するのに適したサイズとなる。３００〜４５０℃の温度
で保持時間が１〜１０００時間の熱処理を施した後、Ｎ
ｂＴｉ及びＮｂの層の硬さと高導電率金属層の硬さは、
ビッカース硬度で、それぞれ１８０〜２２０、６５〜８
５と大きく異なるため、その後の工程で加工率３０〜９
０％の冷間圧延を施すと各層の圧延性が異なり、層構造
が大きく乱れる。この冷間圧延の際に張力をかけると高
導電率金属層は弾性変形を受けて硬度が上昇する。張力
はＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層にとっては低い値である
ため、ＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層の硬度の上昇は小さ
く、高導電率金属層の硬度のみ大きく上昇し、各層の硬
度差が縮小して圧延性が近似してくる。このようにして
張力をかけて圧延を行うと層構造の乱れが抑制される。
張力を１．５kg／mm2 以上としたのは、これよりも小さ
いと高導電率金属の硬度が上昇せずＪｃの向上幅がほと
んどないためであり、１５kg／mm2 以下としたのは、こ
れよりも大きいとＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層の硬度の
上昇も大きくなり、高導電率金属層との硬度差が縮小せ
ずＪｃがあまり向上しないためである。
長手方向に１．５kg／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛け
ながら圧延を行うことを特徴としている。最後の熱処理
の後に冷間圧延を施すのは、３００〜４５０℃１〜１０
００時間までの熱処理で析出したＴｉの大きさが磁束量
子をピン止めして良好な超電導特性を得るためにはやや
大きすぎるので圧延により析出したＴｉを薄く延ばし磁
束量子の大きさと間隔に相応しくするためである。３０
〜９０％の圧延により、先に析出していた数百nm厚さの
Ｔｉは、数十nmの厚さまで薄くなり磁束量子をピン止め
するのに適したサイズとなる。３００〜４５０℃の温度
で保持時間が１〜１０００時間の熱処理を施した後、Ｎ
ｂＴｉ及びＮｂの層の硬さと高導電率金属層の硬さは、
ビッカース硬度で、それぞれ１８０〜２２０、６５〜８
５と大きく異なるため、その後の工程で加工率３０〜９
０％の冷間圧延を施すと各層の圧延性が異なり、層構造
が大きく乱れる。この冷間圧延の際に張力をかけると高
導電率金属層は弾性変形を受けて硬度が上昇する。張力
はＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層にとっては低い値である
ため、ＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層の硬度の上昇は小さ
く、高導電率金属層の硬度のみ大きく上昇し、各層の硬
度差が縮小して圧延性が近似してくる。このようにして
張力をかけて圧延を行うと層構造の乱れが抑制される。
張力を１．５kg／mm2 以上としたのは、これよりも小さ
いと高導電率金属の硬度が上昇せずＪｃの向上幅がほと
んどないためであり、１５kg／mm2 以下としたのは、こ
れよりも大きいとＮｂＴｉ、ＮｂまたはＴａ層の硬度の
上昇も大きくなり、高導電率金属層との硬度差が縮小せ
ずＪｃがあまり向上しないためである。
【００１８】本発明が解決しようとする課題は、最終熱
処理後の冷間圧延の際に顕著となる層の乱れを抑制し、
健全な層構造を実現して高いＪｃを得るものである。本
発明者らはこの健全な層構造の実現に当たっては、最終
熱処理後の圧延だけでなく、最終熱処理の直前の冷間圧
延工程で層構造の乱れを抑制しておくことも重要である
ことを見いだし、第３及び第４、第５の発明をするに至
った。
処理後の冷間圧延の際に顕著となる層の乱れを抑制し、
健全な層構造を実現して高いＪｃを得るものである。本
発明者らはこの健全な層構造の実現に当たっては、最終
熱処理後の圧延だけでなく、最終熱処理の直前の冷間圧
延工程で層構造の乱れを抑制しておくことも重要である
ことを見いだし、第３及び第４、第５の発明をするに至
った。
【００１９】第３の発明は、少なくとも１層のＮｂＴｉ
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の熱処理を施すこ
とを特徴とする請求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の
製造方法である。
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の熱処理を施すこ
とを特徴とする請求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の
製造方法である。
【００２０】最後の冷間圧延において、１パス当たりの
圧下率を高めに規定しているのは、硬度の異なる複数種
の金属層を一気に大きく塑性変形させ加工硬化させるこ
とにより各層の硬度差を際だたせなくし、層形状、ひい
てはＪｃを高める効果を得るためと、表面に近い層の層
厚と板厚の中心に近い層の層厚の差を小さくするためで
ある。圧下率を５％以上としたのは、５％未満だと層形
状の乱れが大きくＪｃの向上がほとんどないためであ
り、３０％以下としたのは、３０％を超えると幅方向の
端部と中心部、長手方向のロール入り側と出側等の箇所
で製品の板厚にばらつきが大きくなるためである。
圧下率を高めに規定しているのは、硬度の異なる複数種
の金属層を一気に大きく塑性変形させ加工硬化させるこ
とにより各層の硬度差を際だたせなくし、層形状、ひい
てはＪｃを高める効果を得るためと、表面に近い層の層
厚と板厚の中心に近い層の層厚の差を小さくするためで
ある。圧下率を５％以上としたのは、５％未満だと層形
状の乱れが大きくＪｃの向上がほとんどないためであ
り、３０％以下としたのは、３０％を超えると幅方向の
端部と中心部、長手方向のロール入り側と出側等の箇所
で製品の板厚にばらつきが大きくなるためである。
【００２１】第４の発明は、少なくとも１層のＮｂＴｉ
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の最終熱処理を施
し、さらに１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下で最終熱処理後の冷間圧延を施すことを特徴とする請
求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法である。
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の最終熱処理を施
し、さらに１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下で最終熱処理後の冷間圧延を施すことを特徴とする請
求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法である。
【００２２】最終熱処理後にトータルの加工率３０〜９
０％の冷間圧延を施す理由は、第２の発明の説明と同じ
である。最終熱処理前後の冷間圧延において、１パス当
たりの圧下率を５％以上３０％以下とした理由は第３の
発明の理由で述べた理由と同じである。最終熱処理後の
冷間圧延による層形状を乱さず高いＪｃを得るために
は、最終熱処理に入る前の材料の層形状を良好にしてお
くことが重要であるため、最終熱処理前後の冷間圧延の
際に１パス当たりの圧下率を５％以上３０％以下と大き
く取っている。
０％の冷間圧延を施す理由は、第２の発明の説明と同じ
である。最終熱処理前後の冷間圧延において、１パス当
たりの圧下率を５％以上３０％以下とした理由は第３の
発明の理由で述べた理由と同じである。最終熱処理後の
冷間圧延による層形状を乱さず高いＪｃを得るために
は、最終熱処理に入る前の材料の層形状を良好にしてお
くことが重要であるため、最終熱処理前後の冷間圧延の
際に１パス当たりの圧下率を５％以上３０％以下と大き
く取っている。
【００２３】第５の発明は、少なくとも１層のＮｂＴｉ
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の最終熱処理を施
し、さらに１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下で最終熱処理後の冷間圧延を長手方向に１．５kg／mm
2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら圧延することを特
徴とする請求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方
法である。
合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴ
ｉ合金と前記高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリ
ヤー層が存在するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であ
って、温度５００から１０００℃で加工率３０〜９８％
の熱間圧延を施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延
し、３００〜４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１
６８時間の熱処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％
の冷間圧延を１回以上６回以下交互に繰り返して板状ま
たは箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延
において、１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下であるような冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃
の温度で保持時間が１〜１０００時間の最終熱処理を施
し、さらに１パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以
下で最終熱処理後の冷間圧延を長手方向に１．５kg／mm
2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら圧延することを特
徴とする請求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方
法である。
【００２４】最終熱処理後にトータルの加工率３０〜９
０％の冷間圧延を施す理由は第２の発明の説明で述べた
理由と同じである。最終熱処理前後の冷間圧延におい
て、１パス当たりの圧下率を５％以上３０％以下とした
理由は第４の発明の説明で述べた理由と同じである。
１．５kg／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら圧延
を行う理由は第２の発明に述べた理由と同じである。張
力と１パス当たりの圧下率を同時にコントロールするこ
とにより、層構造が極めて健全でＪｃが高いＮｂＴｉ超
電導多層板を製造することができる。
０％の冷間圧延を施す理由は第２の発明の説明で述べた
理由と同じである。最終熱処理前後の冷間圧延におい
て、１パス当たりの圧下率を５％以上３０％以下とした
理由は第４の発明の説明で述べた理由と同じである。
１．５kg／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら圧延
を行う理由は第２の発明に述べた理由と同じである。張
力と１パス当たりの圧下率を同時にコントロールするこ
とにより、層構造が極めて健全でＪｃが高いＮｂＴｉ超
電導多層板を製造することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】［実施例１］最外層はＣｕ層でそ
の厚さは約５５μｍ、その中に厚さ約５．５μｍのＮｂ
Ｔｉ層３０層と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ０．５μ
ｍのＮｂ層を介して積層されている総厚０．５mmの超電
導多層板の本発明材Ｎｏ．１からＮｏ．７と比較材Ｎ
ｏ．８、Ｎｏ．９を作製した。
の厚さは約５５μｍ、その中に厚さ約５．５μｍのＮｂ
Ｔｉ層３０層と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ０．５μ
ｍのＮｂ層を介して積層されている総厚０．５mmの超電
導多層板の本発明材Ｎｏ．１からＮｏ．７と比較材Ｎ
ｏ．８、Ｎｏ．９を作製した。
【００２６】Ｎｏ．１（Ｃｕマトリクス材）：熱間圧延
（８００℃１時間保定後、圧下率６０％）→冷間圧延１
（圧下率５０％）→熱処理１（４００℃３時間保定）→
冷間圧延２（圧下率５０％）→熱処理２（４００℃３時
間保定）→冷間圧延３（圧下率５０％）→熱処理３（４
００℃３時間保定）→冷間圧延４（圧下率５０％）→熱
処理５（３６０℃３３６時間）→冷間圧延５（圧下率７
５％、張力２kg／mm2） Ｎｏ．２、３、４、５、６、７は上記Ｎｏ．１の製造工
程で冷間圧延５の圧延張力をそれぞれ４、６、８、１
０、１２、１４kg／mm2 と変化させて作製したものであ
る。一方、比較例のＮｏ．８はＮｏ．１の製造工程で冷
間圧延５のとき張力をかけないで製造したもの、Ｎｏ．
９はＮｏ．１の製造工程で冷間圧延５のとき１６kg／mm
2 の張力をかけて製造した材料である。
（８００℃１時間保定後、圧下率６０％）→冷間圧延１
（圧下率５０％）→熱処理１（４００℃３時間保定）→
冷間圧延２（圧下率５０％）→熱処理２（４００℃３時
間保定）→冷間圧延３（圧下率５０％）→熱処理３（４
００℃３時間保定）→冷間圧延４（圧下率５０％）→熱
処理５（３６０℃３３６時間）→冷間圧延５（圧下率７
５％、張力２kg／mm2） Ｎｏ．２、３、４、５、６、７は上記Ｎｏ．１の製造工
程で冷間圧延５の圧延張力をそれぞれ４、６、８、１
０、１２、１４kg／mm2 と変化させて作製したものであ
る。一方、比較例のＮｏ．８はＮｏ．１の製造工程で冷
間圧延５のとき張力をかけないで製造したもの、Ｎｏ．
９はＮｏ．１の製造工程で冷間圧延５のとき１６kg／mm
2 の張力をかけて製造した材料である。
【００２７】それぞれの材料の圧延方向（Ｌ方向）及び
幅方向（Ｃ方向）断面の写真（２００倍）をそれぞれ３
箇所について撮影した。各写真の板厚方向に３本の直線
を引き、直線の真下にある各Ｃｕ層およびＮｂＴｉ層の
層の厚さを測定した後、平均値と標準偏差を計算し、変
動係数を求めた。板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及びＣｕ
層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／平均）×１
００）と各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と最
も小さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）の最
低値を本発明材料の表１にそれぞれ示した。また、Ｎ
ｏ．１からＮｏ．９までの材料について臨界電流密度Ｊ
ｃを測定した。Ｊｃとは各材料より採取した幅０．５m
m、長さ約５０mmの試験片のほぼ中央部に１０mmの間隔
で電圧検出端子を取り付け、端子間電圧が１μＶとなる
まで流すことのできた電流値ＩｃをＮｂＴｉの総断面積
で割った値のことである。５Ｔの磁場中におけるＬ方向
とＣ方向のＪｃの測定値を同じ表１中に示した。表中に
おける記号の意味は次の通りである。
幅方向（Ｃ方向）断面の写真（２００倍）をそれぞれ３
箇所について撮影した。各写真の板厚方向に３本の直線
を引き、直線の真下にある各Ｃｕ層およびＮｂＴｉ層の
層の厚さを測定した後、平均値と標準偏差を計算し、変
動係数を求めた。板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及びＣｕ
層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／平均）×１
００）と各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と最
も小さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）の最
低値を本発明材料の表１にそれぞれ示した。また、Ｎ
ｏ．１からＮｏ．９までの材料について臨界電流密度Ｊ
ｃを測定した。Ｊｃとは各材料より採取した幅０．５m
m、長さ約５０mmの試験片のほぼ中央部に１０mmの間隔
で電圧検出端子を取り付け、端子間電圧が１μＶとなる
まで流すことのできた電流値ＩｃをＮｂＴｉの総断面積
で割った値のことである。５Ｔの磁場中におけるＬ方向
とＣ方向のＪｃの測定値を同じ表１中に示した。表中に
おける記号の意味は次の通りである。
【００２８】ＴＳ：冷間圧延５における張力（kg／m
m2 ）、ＮＴ−Ｖ：ＮｂＴｉ層の変動係数（％）、９本
の直線で測定したものの平均、ＮＴ−Ｒ：ＮｂＴｉ各層
の層厚の最も薄いところと最も厚いところの比（ｄmin
／ｄmax ）の最低値（％）、ＣＵ−Ｖ：Ｃｕ層の変動係
数（％）、９本の直線で測定したものの平均、ＣＵ−
Ｒ：Ｃｕ各層の層厚の最も薄いところと最も厚いところ
の比（ｄmin ／ｄmax ）の最低値（％）、Ｊｃ：５Ｔの
磁場中におけるＪｃ値、単位は、×１０4 A/cm2 、Ｌ：
圧延方向、Ｃ：幅方向。
m2 ）、ＮＴ−Ｖ：ＮｂＴｉ層の変動係数（％）、９本
の直線で測定したものの平均、ＮＴ−Ｒ：ＮｂＴｉ各層
の層厚の最も薄いところと最も厚いところの比（ｄmin
／ｄmax ）の最低値（％）、ＣＵ−Ｖ：Ｃｕ層の変動係
数（％）、９本の直線で測定したものの平均、ＣＵ−
Ｒ：Ｃｕ各層の層厚の最も薄いところと最も厚いところ
の比（ｄmin ／ｄmax ）の最低値（％）、Ｊｃ：５Ｔの
磁場中におけるＪｃ値、単位は、×１０4 A/cm2 、Ｌ：
圧延方向、Ｃ：幅方向。
【００２９】［実施例２］最外層はＣｕ層でその厚さは
約１００μｍ、その中に厚さ約１０μｍのＮｂＴｉ層３
０層と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約１μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚１．０mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１０からＮｏ．１２と比較材Ｎｏ．１３
を作製した。
約１００μｍ、その中に厚さ約１０μｍのＮｂＴｉ層３
０層と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約１μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚１．０mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１０からＮｏ．１２と比較材Ｎｏ．１３
を作製した。
【００３０】Ｎｏ．１０（Ｃｕ−１０％Ｎｉマトリクス
材）：熱間圧延（８６０℃１時間保定後、圧下率５０
％）→冷間圧延１（圧下率６０％）→熱処理１（３４０
℃６時間保定）→冷間圧延２（圧下率６０％）→熱処理
２（３４０℃６時間保定）→冷間圧延３（トータル圧下
率６０％、１パス当たり圧下率５％）→最終熱処理（３
４０℃５００時間保定） Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１２は上記Ｎｏ．１０の冷間圧延３
で１パス当たりの圧下率がそれぞれ１０％、２５％に変
化させて作製したもの。一方、比較例のＮｏ．１３はＮ
ｏ．１０の冷間圧延３で１パス当たりの圧下率が２％の
ものである。これらの材料の評価は、実施例１に述べた
のと同様な方法で行った。結果を表２に示す。
材）：熱間圧延（８６０℃１時間保定後、圧下率５０
％）→冷間圧延１（圧下率６０％）→熱処理１（３４０
℃６時間保定）→冷間圧延２（圧下率６０％）→熱処理
２（３４０℃６時間保定）→冷間圧延３（トータル圧下
率６０％、１パス当たり圧下率５％）→最終熱処理（３
４０℃５００時間保定） Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１２は上記Ｎｏ．１０の冷間圧延３
で１パス当たりの圧下率がそれぞれ１０％、２５％に変
化させて作製したもの。一方、比較例のＮｏ．１３はＮ
ｏ．１０の冷間圧延３で１パス当たりの圧下率が２％の
ものである。これらの材料の評価は、実施例１に述べた
のと同様な方法で行った。結果を表２に示す。
【００３１】［実施例３］最外層はＣｕ層でその厚さは
約３０μｍ、その中に厚さ約３μｍのＮｂＴｉ層３０層
と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約０．３μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚０．３mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１４からＮｏ．１６と比較材Ｎｏ．１７
を作製した。
約３０μｍ、その中に厚さ約３μｍのＮｂＴｉ層３０層
と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約０．３μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚０．３mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１４からＮｏ．１６と比較材Ｎｏ．１７
を作製した。
【００３２】Ｎｏ．１４（Ｃｕマトリクス材）：熱間圧
延（８６０℃１時間保定後、圧下率５０％）→冷間圧延
１（圧下率６０％）→熱処理１（３１０℃１０時間保
定）→冷間圧延２（圧下率６０％）→熱処理２（３１０
℃１０時間保定）→冷間圧延３（トータル圧下率６０
％、１パス当たり圧下率１０％）→最終熱処理（３６０
℃３３６時間保定）→冷間圧延４（トータル圧下率７０
％、１パス当たり圧下率５％） Ｎｏ．１５、Ｎｏ．１６は上記Ｎｏ．１４の冷間圧延４
で１パス当たりの圧下率がそれぞれ１０％、２５％に変
化させて作製したもの。一方、比較例のＮｏ．１７はＮ
ｏ．１４の冷間圧延４で１パス当たりの圧下率が２％の
ものである。これらの材料の評価は、実施例１に述べた
のと同様な方法で行った。結果を表３に示す。
延（８６０℃１時間保定後、圧下率５０％）→冷間圧延
１（圧下率６０％）→熱処理１（３１０℃１０時間保
定）→冷間圧延２（圧下率６０％）→熱処理２（３１０
℃１０時間保定）→冷間圧延３（トータル圧下率６０
％、１パス当たり圧下率１０％）→最終熱処理（３６０
℃３３６時間保定）→冷間圧延４（トータル圧下率７０
％、１パス当たり圧下率５％） Ｎｏ．１５、Ｎｏ．１６は上記Ｎｏ．１４の冷間圧延４
で１パス当たりの圧下率がそれぞれ１０％、２５％に変
化させて作製したもの。一方、比較例のＮｏ．１７はＮ
ｏ．１４の冷間圧延４で１パス当たりの圧下率が２％の
ものである。これらの材料の評価は、実施例１に述べた
のと同様な方法で行った。結果を表３に示す。
【００３３】［実施例４］最外層はＣｕ層でその厚さは
約２０μｍ、その中に厚さ約２μｍのＮｂＴｉ層３０層
と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約０．２μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚０．２mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１８からＮｏ．２０と比較材Ｎｏ．２１
を作製した。
約２０μｍ、その中に厚さ約２μｍのＮｂＴｉ層３０層
と同じ厚さのＣｕ層が交互に厚さ約０．２μｍのＮｂ層
を介して積層されている総厚０．２mmの超電導多層板の
本発明材Ｎｏ．１８からＮｏ．２０と比較材Ｎｏ．２１
を作製した。
【００３４】Ｎｏ．１８（Ｃｕ−３Ｎｉ−０．６Ｓｉ−
０．２Ｚｎマトリクス材）：熱間圧延（８３０℃１時間
保定後、圧下率６０％）→冷間圧延１（圧下率５０％）
→熱処理１（３７０℃５時間保定）→冷間圧延２（圧下
率５０％）→熱処理２（３７０℃５時間保定）→冷間圧
延３（トータル圧下率５０％）→熱処理３（３７０℃５
時間保定）→冷間圧延４（トータル圧下率５０％、１パ
ス当たり圧下率１０％）→最終熱処理（３６０℃３３６
時間保定）→冷間圧延５（トータル圧下率８０％、１パ
ス当たり圧下率５％、張力１０kg／mm2 ） Ｎｏ．１９、Ｎｏ．２０は上記Ｎｏ．１８の冷間圧延５
で１パス当たりの圧下率と張力がそれぞれ１０％と８kg
／mm2 、２５％と６kg／mm2 で作製したもの。一方、比
較例のＮｏ．２１はＮｏ．１８の冷間圧延５で１パス当
たりの圧下率が２％で張力ゼロのものである。これらの
材料の評価は、実施例１に述べたのと同様な方法で行っ
た。結果を表４に示す。
０．２Ｚｎマトリクス材）：熱間圧延（８３０℃１時間
保定後、圧下率６０％）→冷間圧延１（圧下率５０％）
→熱処理１（３７０℃５時間保定）→冷間圧延２（圧下
率５０％）→熱処理２（３７０℃５時間保定）→冷間圧
延３（トータル圧下率５０％）→熱処理３（３７０℃５
時間保定）→冷間圧延４（トータル圧下率５０％、１パ
ス当たり圧下率１０％）→最終熱処理（３６０℃３３６
時間保定）→冷間圧延５（トータル圧下率８０％、１パ
ス当たり圧下率５％、張力１０kg／mm2 ） Ｎｏ．１９、Ｎｏ．２０は上記Ｎｏ．１８の冷間圧延５
で１パス当たりの圧下率と張力がそれぞれ１０％と８kg
／mm2 、２５％と６kg／mm2 で作製したもの。一方、比
較例のＮｏ．２１はＮｏ．１８の冷間圧延５で１パス当
たりの圧下率が２％で張力ゼロのものである。これらの
材料の評価は、実施例１に述べたのと同様な方法で行っ
た。結果を表４に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
【００３９】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、表１に示
すように、最後の圧延で張力をかけることにより、Ｎｂ
Ｔｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏
差／平均）×１００）が３０％以下であり、かつ各層の
層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と小さいところ（ｄ
min ）の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以上であるよう
なＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ方向のＪｃ値
（Ｊｃ（Ｌ））が特に向上したことによって、Ｃ方向の
Ｊｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ（Ｌ）／Ｊｃ
（Ｃ））が、従来の約０．６から本発明では大きな値の
もので０．８までと約３０％向上し、最後の圧延で張力
をかけなかった従来の場合と比較してＪｃ値の圧延方向
異方性が顕著に減少した。
すように、最後の圧延で張力をかけることにより、Ｎｂ
Ｔｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏
差／平均）×１００）が３０％以下であり、かつ各層の
層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と小さいところ（ｄ
min ）の比（ｄmin ／ｄmax ）が５０％以上であるよう
なＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ方向のＪｃ値
（Ｊｃ（Ｌ））が特に向上したことによって、Ｃ方向の
Ｊｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ（Ｌ）／Ｊｃ
（Ｃ））が、従来の約０．６から本発明では大きな値の
もので０．８までと約３０％向上し、最後の圧延で張力
をかけなかった従来の場合と比較してＪｃ値の圧延方向
異方性が顕著に減少した。
【００４０】また、表２に示すように、最終熱処理前の
圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取ることに
より、ＮｂＴｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数（％）
（＝（標準偏差／平均）×１００）が２０％程度であ
り、かつ各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と小
さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）が６０％
前後であるようなＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ
方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｌ））は１万〜２．４万A/cm2 向
上し、Ｃ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ
（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））は約１０〜１４％向上し、最終熱
処理前の圧延の圧下率が小さい従来の場合と比較してＪ
ｃ値の圧延方向異方性が減少した。ただし、最終熱処理
後の圧延を行った場合に比べ元々異方性は大きくないた
め、異方性の減少は表１、表３及び表４の場合に比べて
顕著ではない。
圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取ることに
より、ＮｂＴｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数（％）
（＝（標準偏差／平均）×１００）が２０％程度であ
り、かつ各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax ）と小
さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）が６０％
前後であるようなＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ
方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｌ））は１万〜２．４万A/cm2 向
上し、Ｃ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ
（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））は約１０〜１４％向上し、最終熱
処理前の圧延の圧下率が小さい従来の場合と比較してＪ
ｃ値の圧延方向異方性が減少した。ただし、最終熱処理
後の圧延を行った場合に比べ元々異方性は大きくないた
め、異方性の減少は表１、表３及び表４の場合に比べて
顕著ではない。
【００４１】さらに、表３に示すように、最終熱処理前
後の圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取るこ
とにより、ＮｂＴｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数
（％）（＝（標準偏差／平均）×１００）が約２６％以
下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax
）と小さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）
が５３％以上であるようなＮｂＴｉ超電導多層板が製造
でき、Ｌ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｌ））が特に向上したこ
とによって、Ｃ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊ
ｃ（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））が、従来の０．６４から本発明
では大きな値のもので０．７８までと約２２％向上し、
最終熱処理前後の圧延で大きい圧下率をかけなかった従
来の場合と比較してＪｃ値の圧延方向異方性が顕著に減
少した。
後の圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取るこ
とにより、ＮｂＴｉ層及びＣｕ層の厚さの変動係数
（％）（＝（標準偏差／平均）×１００）が約２６％以
下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ（ｄmax
）と小さいところ（ｄmin ）の比（ｄmin ／ｄmax ）
が５３％以上であるようなＮｂＴｉ超電導多層板が製造
でき、Ｌ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｌ））が特に向上したこ
とによって、Ｃ方向のＪｃ値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊ
ｃ（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））が、従来の０．６４から本発明
では大きな値のもので０．７８までと約２２％向上し、
最終熱処理前後の圧延で大きい圧下率をかけなかった従
来の場合と比較してＪｃ値の圧延方向異方性が顕著に減
少した。
【００４２】また、表４に示すように、最終熱処理前後
の圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取ること
と最後の圧延で張力をかけることにより、ＮｂＴｉ層及
びＣｕ層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／平
均）×１００）が約２４％以下であり、かつ各層の層厚
の最も大きいところ（ｄmax ）と小さいところ（ｄmi
n）の比（ｄmin ／ｄmax ）が５８％以上であるような
ＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ方向のＪｃ値（Ｊ
ｃ（Ｌ））が特に向上したことによって、Ｃ方向のＪｃ
値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））
が、従来の０．５９から本発明では大きな値のもので
０．８までと約３６％向上し、最終熱処理前後の圧延で
大きい圧下率をかけず、かつ張力をかけなかった従来の
場合と比較してＪｃ値の圧延方向異方性が顕著に減少し
た。
の圧延において１パス当たりの圧下率を大きく取ること
と最後の圧延で張力をかけることにより、ＮｂＴｉ層及
びＣｕ層の厚さの変動係数（％）（＝（標準偏差／平
均）×１００）が約２４％以下であり、かつ各層の層厚
の最も大きいところ（ｄmax ）と小さいところ（ｄmi
n）の比（ｄmin ／ｄmax ）が５８％以上であるような
ＮｂＴｉ超電導多層板が製造でき、Ｌ方向のＪｃ値（Ｊ
ｃ（Ｌ））が特に向上したことによって、Ｃ方向のＪｃ
値（Ｊｃ（Ｃ））との比（Ｊｃ（Ｌ）／Ｊｃ（Ｃ））
が、従来の０．５９から本発明では大きな値のもので
０．８までと約３６％向上し、最終熱処理前後の圧延で
大きい圧下率をかけず、かつ張力をかけなかった従来の
場合と比較してＪｃ値の圧延方向異方性が顕著に減少し
た。
【図１】超電導多層板のＬ方向断面構造の写真を撮り、
板厚方向に３箇所直線を引いた例。
板厚方向に３箇所直線を引いた例。
Claims (5)
- 【請求項１】 高導電率金属基材中に板状ＮｂＴｉ合金
層がＮｂまたはＴａを介して配置されているＮｂＴｉ超
電導多層板において、ＮｂＴｉ超電導多層板中のＮｂＴ
ｉ層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが１nm
以上、１００nm以下、板厚方向の間隔が１nm以上、５０
０nm以下、ＮｂＴｉ合金層全体に対する体積分率が３％
以上、５０％以下の常電導析出物が存在すること、及び
板厚方向の断面のＮｂＴｉ層及び高導電率金属層の厚さ
の変動係数（％）（＝（標準偏差／平均）×１００）が
それぞれ３０％以下であり、かつ各層の層厚の最も大き
いところｄmax と最も小さいところｄmin の比（ｄmin
／ｄmax ）が５０％以上であることを特徴とするＮｂＴ
ｉ超電導多層板。 - 【請求項２】 少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高導電
率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温度５
００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を
施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜
４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱
処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を
１回以上６回以下交互に繰り返して板状または箔状とし
た後、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜１００
０時間の熱処理を施した後、圧延方向に１．５kg／mm2
〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら加工率３０〜９０％
の冷間圧延を施すことを特徴とする請求項１記載のＮｂ
Ｔｉ超電導多層板の製造方法。 - 【請求項３】 少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高導電
率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温度５
００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を
施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜
４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱
処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を
１回以上６回以下交互に繰り返して板状または箔状とす
る際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、１
パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以下であるよう
な冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃の温度で保持
時間が１〜１０００時間の熱処理を施すことを特徴とす
る請求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高導電
率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温度５
００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を
施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜
４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱
処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を
１回以上６回以下交互に繰り返して板状または箔状とす
る際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、１
パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以下であるよう
な冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃の温度で保持
時間が１〜１０００時間の熱処理を施し、さらに１パス
当たりの圧下率が５％以上、３０％以下でトータルの加
工率３０〜９０％の冷間圧延を施すことを特徴とする請
求項１記載のＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも１層のＮｂＴｉ合金と高導電
率金属が交互に積層され、かつ前記ＮｂＴｉ合金と前記
高導電率金属の間にＮｂまたはＴａのバリヤー層が存在
するＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法であって、温度５
００から１０００℃で加工率３０〜９８％の熱間圧延を
施した後、加工率３０〜９８％で冷間圧延し、３００〜
４５０℃で１回当たりの保持時間が１〜１６８時間の熱
処理と１回当たりの加工率が３０〜９８％の冷間圧延を
１回以上６回以下交互に繰り返して板状または箔状とす
る際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、１
パス当たりの圧下率が５％以上、３０％以下であるよう
な冷間圧延を施した後、３００〜４５０℃の温度で保持
時間が１〜１０００時間の熱処理を施し、さらに１パス
当たりの圧下率が５％以上、３０％以下で圧延方向に
１．５kg／mm2 〜１５kg／mm2 の張力を掛けながら、最
終の冷間圧延を施すことを特徴とする請求項１記載のＮ
ｂＴｉ超電導多層板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02871099A JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6244698 | 1998-03-13 | ||
| JP10-62446 | 1998-03-13 | ||
| JP02871099A JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330574A true JPH11330574A (ja) | 1999-11-30 |
| JP4516639B2 JP4516639B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=26366854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02871099A Expired - Fee Related JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4516639B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015098934A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-03-23 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136400A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Nippon Steel Corp | Ｎｂ―Ｔｉ系超電導磁気シールド材の製造方法 |
| JPH03283475A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-13 | Osaka Prefecture | 超電導三層箔材の製造方法 |
| JPH09310161A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-12-02 | Nippon Steel Corp | ＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法及びＮｂＴｉ超電導多層板 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02871099A patent/JP4516639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136400A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Nippon Steel Corp | Ｎｂ―Ｔｉ系超電導磁気シールド材の製造方法 |
| JPH03283475A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-13 | Osaka Prefecture | 超電導三層箔材の製造方法 |
| JPH09310161A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-12-02 | Nippon Steel Corp | ＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法及びＮｂＴｉ超電導多層板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015098934A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-03-23 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4516639B2 (ja) | 2010-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6687975B2 (en) | Method for manufacturing MgB2 intermetallic superconductor wires | |
| EP2071590B1 (en) | NbTi SUPERCONDUCTING WIRE ROD | |
| KR20190037365A (ko) | 금속성 초전도성 와이어에 대한 확산 배리어 | |
| EP1033726B1 (en) | Method for producing aluminum-stabilized super conductive wire | |
| JP4516639B2 (ja) | ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 | |
| JP5330725B2 (ja) | 超電導線材用基板およびその製造方法 | |
| JP3433937B2 (ja) | 超伝導性合金を製造する方法 | |
| JP3788839B2 (ja) | ＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法 | |
| JP2000113748A (ja) | Ｎｂ３ Ａｌ化合物系超電導線およびその製造方法 | |
| JPH0471112A (ja) | アルミ安定化超電導々体の製造方法 | |
| JP3178317B2 (ja) | 高強度超電導線材 | |
| JP4571918B2 (ja) | ＮｂＴｉ超電導多層板の製造方法及びＮｂＴｉ超電導多層板 | |
| JPH0714442A (ja) | パルス又は交流用ＮｂＴｉ超電導線 | |
| JP3757141B2 (ja) | Ｎｂ▲３▼Ｓｎ超電導線材の製造方法 | |
| JP3754522B2 (ja) | Ｎｂ▲３▼Ｓｎ超電導線材 | |
| CN118155913B (zh) | 高温环境保持高强度高导电的绞线导体及绞线制造方法 | |
| JP3014512B2 (ja) | ＮｂＴｉ系超電導線の製造方法 | |
| JP5323444B2 (ja) | 酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材 | |
| JP3948291B2 (ja) | Ｎｂ３Ａｌ系化合物超電導線およびその製造方法 | |
| JP3018663B2 (ja) | Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材 | |
| Yoshida et al. | Improvement in high‐field critical currents of in situ processed Nb3Sn by titanium addition | |
| Wong et al. | Development of artificial pinning center NbTi multifilamentary superconductors for commercial applications | |
| JP4113031B2 (ja) | ＮｂＴｉ超電導多層板及びその製造方法 | |
| JP2517867B2 (ja) | Ｖ３ Ｓｉ超電導極細多芯線材の製造法 | |
| JPH11111084A (ja) | 高臨界電流密度が得られるＮｂ▲３▼Ｓｎ超電導線材及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050914 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100517 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |