JP4516639B2 - NbTi超電導多層板及びその製造方法 - Google Patents
NbTi超電導多層板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4516639B2 JP4516639B2 JP02871099A JP2871099A JP4516639B2 JP 4516639 B2 JP4516639 B2 JP 4516639B2 JP 02871099 A JP02871099 A JP 02871099A JP 2871099 A JP2871099 A JP 2871099A JP 4516639 B2 JP4516639 B2 JP 4516639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nbti
- layer
- plate
- rolling
- cold rolling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MRI(磁気共鳴医療画像診断装置)、超電導リニアモーターカー等の超電導機器において主に磁気シールドとして使用される超電導多層板の層構造及びその製造方法に関するものであり、多層板を構成するNbTi層、高導電率金属層の層厚のばらつきが小さく、臨界電流密度が高く、しかも圧延方向異方性の少ない超電導多層板及びその製造方法を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
MRIやリニアモーターカー等で使用される超電導多層板の超電導特性で最も重要な指標は、臨界電流密度(以下Jcと記述)である。超電導多層板は、特開平3−136400号公報で示されたように、熱間圧延後に300〜450℃の温度で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延を6回以下交互に繰り返した後、300〜450℃の温度で1〜1000時間の最終熱処理を施してNbTi中にα−Tiを析出させる方法により製造される。超電導多層板はこのNbTi中に析出したα−Tiによる磁束量子のピン止めにより実用レベルのJcが得られる(低温工学第32巻第6号p.271〜280)。しかし、特開平3−136400号公報で示された方法で作製した材料中のα−Tiは、板厚方向に平たくつぶされたような楕円体の形状をしており、大きさが数百nm大と磁束量子の大きさに比べて大きいため効率的なピン止め点とはなりえず、Jc値は超電導多芯線材のそれには劣る。
【0003】
これに対し特開平9−310161号公報に示したように、上記300〜450℃1〜1000時間の最終熱処理の後に30〜90%の冷間圧延を施すことにより、α−Tiを磁束量子をピン止めするのに適した大きさに変え、超電導多芯線材並みのJcまで向上させる方法が考案されている。しかし、300〜450℃1〜1000時間という熱処理の後に30〜90%の比較的加工率の大きな加工を行うため、高導電率金属層と超電導層(Nb,NbTi層)の圧延加工性が異なり、圧延方向の層構造が特に乱れるという問題を引き起こしていた。圧延方向の層構造が乱れるため、時効熱処理後の圧延による高Jc化において、圧延方向のJcの向上は幅方向のJcの向上に比べて約半分程度と小さく、Jcの圧延方向異方性が助長されてしまうという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
α−Tiは最終熱処理後の圧延で薄く引き延ばされ、磁束量子をピン止めするのに適したサイズ(厚さ数十nm程度)となっているにもかかわらず、圧延方向の臨界電流密度が期待するほど向上しないのは、圧延方向の層構造が乱れているために他ならない。この層構造の乱れは、最終熱処理後のNbTi層と高導電性金属層の硬度の差に起因する。実際、最終熱処理後のNbTi層と高導電性金属層の硬度差はビッカース硬度値でおよそ120ある場合も確認されている。
【0005】
本発明は、このような硬度差のある複数の層を有する多層超電導材料の層構造の乱れを抑制する製造方法及び層構造の乱れが抑制されたNbTi超電導多層板を提供し、Jcが高くしかも圧延方向異方性の小さい材料を実現するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高導電率金属基材中に板状NbTi合金層がNbを介して配置されているNbTi超電導多層板において、NbTi超電導多層板中のNbTi層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが1nm以上、100nm以下、板厚方向の間隔が1nm以上、500nm以下、NbTi合金層全体に対する体積分率が3%以上、50%以下の常電導析出物が存在すること、及び板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)がそれぞれ30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところdmaxと最も小さいところdminの比(dmin/dmax)が50%以上であることを特徴とするNbTi超電導多層板が得られものである。高導電率金属とは、例えばCuやCu−10〜30重量%Ni−1重量%Mn合金、Cu−2〜4重量%Ni−0.5〜0.8重量%Si−0.2〜0.4重量%Zn合金のような合金を指す。
【0007】
NbTi層中に侵入した磁束量子は、NbTi層中に存在する常電導析出物によってピン止めされ、大きな臨界電流密度Jcが得られる。常電導析出物の厚さを1nm以上としたのは、これより小さいとNbTiの超電導と常電導界面の領域の大きさよりも小さくなりすぎて磁束量子のピン止めが充分にできないためであり、常電導析出物の厚さを100nm以下としたのは、これより大きいと磁束量子の間隔よりも析出物の間隔が大きくなり、常電導析出物中に磁束量子が何本も入って充分なピン止めができないためである。
【0008】
常電導析出物同士の間隔を1nm以上としたのは、これより小さいと磁束量子の間隔にピン止めに寄与しない常電導析出物が多く存在することになって、NbTi超電導体の断面積をいたずらに減少することになるためであり、常電導析出物同士の間隔を500nm以下としたのは、これ以上離れるとピン止めされない磁束量子の数が多くなりすぎるからである。
【0009】
常電導析出物のNbTi層中の体積分率を3%以上としたのは、これよりも小さいと磁束量子を充分ピン止めできないためであり、50%以下としたのは、これよりも大きいと超電導の断面積が小さくなって臨界電流密度Jcが上昇しても意味がなくなるためである。
【0010】
板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)は、例えば次のようにして求める。まず超電導多層板の任意の場所の断面構造を数箇所(最低3箇所)写真に撮り、図1のように板厚方向に3箇所直線を引く。写真の大きさは、各層が充分識別できる程度の大きさとする(例えば、総板厚1.0mmのものならば100倍)。直線の真下にある各高導電率金属層およびNbTi層の層の厚さを測定し、平均値と標準偏差を計算し、変動係数(=(標準偏差/平均値)×100)を求める。これを超電導多層板の圧延方向の断面及び幅方向の断面についてそれぞれ行い変動係数(%)を算出する。
【0011】
変動係数(%)を30%以下としたのは30%を超えた場合、層の乱れが大きくなり充分高いJc値が得られないためである。また、各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と最も小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )を50%以上としたのは、この比が50%よりも小さいと層のくびれによるJc値の低下が生じるためである。
【0012】
第1の発明は、前記NbTi超電導多層板の製造方法に関するものであって、少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または、箔状とした後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施した後、圧延方向に1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながら最終の冷間圧延(トータル加工率30〜90%)を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法である。
【0013】
NbTi合金と高導電率金属を交互に積層する理由は、超電導安定性を高めるためである。NbTiは超電導状態においては電気抵抗はゼロであるが、何らかの理由で部分的に常電導に転移すると、常電導状態では逆に電気抵抗が高いため発熱し、常電導部分が拡大して材料全体の超電導状態が一気に破れる現象が起こる(クエンチ現象)。ところがNbTi材料に高導電性金属が隣接した複合材料とすると、部分的な常電導転移が起こっても、超電導材料に流れていた電流は高導電性金属を経由して流れ、一旦常電導に転移した部分も超電導状態に復帰することができ、超電導状態が安定に保たれるのである。
【0014】
NbTi合金と高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層を存在させる理由は、製造工程における熱間圧延工程で銅等の高導電金属とNbTi中のTiが金属間化合物を形成させないようにするためである。
【0015】
熱間圧延時の加熱温度の下限を500℃としたのは、500℃未満ではNbTi及びNbまたはTaが充分軟化せず高導電率金属との密着性が不十分なためである。同上限を1000℃としたのは、1000℃を超えると銅の融点に近く軟化しすぎるためである。熱間圧延のトータル加工率を30〜98%としたのは、30%未満では温度が高くても充分な密着性が得られにくく、98%を超えると以降の冷間加工率が小さくなりすぎるためである。最初の冷間トータル加工率を30〜98%とした理由は、30%未満の加工率では充分な転位が導入されず、最後の熱処理で析出するTi析出物の量が少なくなるためであり、上限を98%としたのは、98%を超えると材料の一部または全体が破壊されて加工不良が生じるためである。以降の中間熱処理の温度を300〜450℃としたのは、300℃未満ではTi析出物の析出速度が小さすぎて時間がかかりすぎるためであり、450℃を超えると析出物が粗大化して以降の冷間圧延に支障を来すためである。熱処理1回当たりの保持時間を1〜168時間とするのは、1時間未満では析出量が不十分であり、168時間を超えると析出物が粗大化し、以降の冷間加工に支障を来すためである。
【0016】
析出の駆動力となる転位を多数導入し、充分な量のTiを析出させるためには冷間圧延工程と熱処理工程を交互に繰り返すことにより尚一層の効果が得られる。この繰り返しを6回以下としたのは、6回を超えると各熱処理間の冷間トータル加工率を充分取れず析出量に対する効果が飽和するためである。各熱処理間及び最終形状に至るまでの冷間トータル加工率を30〜98%とする理由は、最初の冷間圧延の場合と同じである。最後の熱処理は、途中の冷間圧延と熱処理の繰り返しで析出したTiの密度をさらに増大させるためである。この熱処理の温度範囲を300〜450℃としたのは、先に示した熱処理の場合と同じである。また、保持時間を1〜1000時間としたのは、1時間未満では析出量の増大の効果が得られず、1000時間を超えると析出が飽和してしまうからである。
【0017】
本発明は、最後の熱処理の後の冷間圧延を長手方向に1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながら圧延を行うことを特徴としている。最後の熱処理の後に冷間圧延を施すのは、300〜450℃1〜1000時間までの熱処理で析出したTiの大きさが磁束量子をピン止めして良好な超電導特性を得るためにはやや大きすぎるので圧延により析出したTiを薄く延ばし磁束量子の大きさと間隔に相応しくするためである。トータル30〜90%の圧延により、先に析出していた数百nm厚さのTiは、数十nmの厚さまで薄くなり磁束量子をピン止めするのに適したサイズとなる。300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施した後、NbTi及びNbの層の硬さと高導電率金属層の硬さは、ビッカース硬度で、それぞれ180〜220、65〜85と大きく異なるため、その後の工程でトータル加工率30〜90%の冷間圧延を施すと各層の圧延性が異なり、層構造が大きく乱れる。この冷間圧延の際に張力をかけると高導電率金属層は弾性変形を受けて硬度が上昇する。張力はNbTi、NbまたはTa層にとっては低い値であるため、NbTi、NbまたはTa層の硬度の上昇は小さく、高導電率金属層の硬度のみ大きく上昇し、各層の硬度差が縮小して圧延性が近似してくる。このようにして張力をかけて圧延を行うと層構造の乱れが抑制される。
張力を1.5kg/mm2以上としたのは、これよりも小さいと高導電率金属の硬度が上昇せずJcの向上幅がほとんどないためであり、15kg/mm2以下としたのは、これよりも大きいとNbTi、NbまたはTa層の硬度の上昇も大きくなり、高導電率金属層との硬度差が縮小せずJcがあまり向上しないためである。
【0018】
本発明が解決しようとする課題は、最終熱処理後の冷間圧延の際に顕著となる層の乱れを抑制し、健全な層構造を実現して高いJcを得るものである。本発明者らはこの健全な層構造の実現に当たっては、最終熱処理後の圧延だけでなく、最終熱処理の直前の冷間圧延工程で層構造の乱れを抑制しておくことも重要であることを見いだし、第2及び第3、第4の発明をするに至った。
【0019】
第2の発明は、少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法である。
【0020】
最後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率を高めに規定しているのは、硬度の異なる複数種の金属層を一気に大きく塑性変形させ加工硬化させることにより各層の硬度差を際だたせなくし、層形状、ひいてはJcを高める効果を得るためと、表面に近い層の層厚と板厚の中心に近い層の層厚の差を小さくするためである。圧下率を5%以上としたのは、5%未満だと層形状の乱れが大きくJcの向上がほとんどないためであり、30%以下としたのは、30%を超えると幅方向の端部と中心部、長手方向のロール入り側と出側等の箇所で製品の板厚にばらつきが大きくなるためである。
【0021】
第3の発明は、少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の最終熱処理を施し、さらに1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下で最終熱処理後の冷間圧延を施すことを特徴とする請求項1記載のNbTi超電導多層板の製造方法である。
【0022】
最終熱処理後にトータルの加工率30〜90%の冷間圧延を施す理由は、第1の発明の説明と同じである。最終熱処理前後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率を5%以上30%以下とした理由は第2の発明の理由で述べた理由と同じである。最終熱処理後の冷間圧延による層形状を乱さず高いJcを得るためには、最終熱処理に入る前の材料の層形状を良好にしておくことが重要であるため、最終熱処理前後の冷間圧延の際に1パス当たりの圧下率を5%以上30%以下と大きく取っている。
【0023】
第4の発明は、少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の最終熱処理を施し、さらに1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下で最終熱処理後の冷間圧延を長手方向に1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながら圧延することを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法である。
【0024】
最終熱処理後にトータルの加工率30〜90%の冷間圧延を施す理由は第1の発明の説明で述べた理由と同じである。最終熱処理前後の冷間圧延において、1パス当たりの圧下率を5%以上30%以下とした理由は第3の発明の説明で述べた理由と同じである。1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながら圧延を行う理由は第1の発明に述べた理由と同じである。張力と1パス当たりの圧下率を同時にコントロールすることにより、層構造が極めて健全でJcが高いNbTi超電導多層板を製造することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
最外層はCu層でその厚さは約55μm、その中に厚さ約5.5μmのNbTi層30層と同じ厚さのCu層が交互に厚さ0.5μmのNb層を介して積層されている総厚0.5mmの超電導多層板の本発明材No.1からNo.7と比較材No.8、No.9を作製した。
【0026】
No.1(Cuマトリクス材):熱間圧延(800℃1時間保定後、圧下率60%)→冷間圧延1(圧下率50%)→熱処理1(400℃3時間保定)→冷間圧延2(圧下率50%)→熱処理2(400℃3時間保定)→冷間圧延3(圧下率50%)→熱処理3(400℃3時間保定)→冷間圧延4(圧下率50%)→熱処理5(360℃336時間)→冷間圧延5(圧下率75%、張力2kg/mm2 )
No.2、3、4、5、6、7は上記No.1の製造工程で冷間圧延5の圧延張力をそれぞれ4、6、8、10、12、14kg/mm2 と変化させて作製したものである。一方、比較例のNo.8はNo.1の製造工程で冷間圧延5のとき張力をかけないで製造したもの、No.9はNo.1の製造工程で冷間圧延5のとき16kg/mm2 の張力をかけて製造した材料である。
【0027】
それぞれの材料の圧延方向(L方向)及び幅方向(C方向)断面の写真(200倍)をそれぞれ3箇所について撮影した。各写真の板厚方向に3本の直線を引き、直線の真下にある各Cu層およびNbTi層の層の厚さを測定した後、平均値と標準偏差を計算し、変動係数を求めた。板厚方向の断面のNbTi層及びCu層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)と各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と最も小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )の最低値を本発明材料の表1にそれぞれ示した。また、No.1からNo.9までの材料について臨界電流密度Jcを測定した。Jcとは各材料より採取した幅0.5mm、長さ約50mmの試験片のほぼ中央部に10mmの間隔で電圧検出端子を取り付け、端子間電圧が1μVとなるまで流すことのできた電流値IcをNbTiの総断面積で割った値のことである。5Tの磁場中におけるL方向とC方向のJcの測定値を同じ表1中に示した。表中における記号の意味は次の通りである。
【0028】
TS:冷間圧延5における張力(kg/mm2 )、NT−V:NbTi層の変動係数(%)、9本の直線で測定したものの平均、NT−R:NbTi各層の層厚の最も薄いところと最も厚いところの比(dmin /dmax )の最低値(%)、CU−V:Cu層の変動係数(%)、9本の直線で測定したものの平均、CU−R:Cu各層の層厚の最も薄いところと最も厚いところの比(dmin /dmax )の最低値(%)、Jc:5Tの磁場中におけるJc値、単位は、×104 A/cm2 、L:圧延方向、C:幅方向。
【0029】
[実施例2]
最外層はCu層でその厚さは約100μm、その中に厚さ約10μmのNbTi層30層と同じ厚さのCu層が交互に厚さ約1μmのNb層を介して積層されている総厚1.0mmの超電導多層板の本発明材No.10からNo.12と比較材No.13を作製した。
【0030】
No.10(Cu−10%Niマトリクス材):熱間圧延(860℃1時間保定後、圧下率50%)→冷間圧延1(圧下率60%)→熱処理1(340℃6時間保定)→冷間圧延2(圧下率60%)→熱処理2(340℃6時間保定)→冷間圧延3(トータル圧下率60%、1パス当たり圧下率5%)→最終熱処理(340℃500時間保定)
No.11、No.12は上記No.10の冷間圧延3で1パス当たりの圧下率がそれぞれ10%、25%に変化させて作製したもの。一方、比較例のNo.13はNo.10の冷間圧延3で1パス当たりの圧下率が2%のものである。
これらの材料の評価は、実施例1に述べたのと同様な方法で行った。結果を表2に示す。
【0031】
[実施例3]
最外層はCu層でその厚さは約30μm、その中に厚さ約3μmのNbTi層30層と同じ厚さのCu層が交互に厚さ約0.3μmのNb層を介して積層されている総厚0.3mmの超電導多層板の本発明材No.14からNo.16と比較材No.17を作製した。
【0032】
No.14(Cuマトリクス材):熱間圧延(860℃1時間保定後、圧下率50%)→冷間圧延1(圧下率60%)→熱処理1(310℃10時間保定)→冷間圧延2(圧下率60%)→熱処理2(310℃10時間保定)→冷間圧延3(トータル圧下率60%、1パス当たり圧下率10%)→最終熱処理(360℃336時間保定)→冷間圧延4(トータル圧下率70%、1パス当たり圧下率5%)
No.15、No.16は上記No.14の冷間圧延4で1パス当たりの圧下率がそれぞれ10%、25%に変化させて作製したもの。一方、比較例のNo.17はNo.14の冷間圧延4で1パス当たりの圧下率が2%のものである。
これらの材料の評価は、実施例1に述べたのと同様な方法で行った。結果を表3に示す。
【0033】
[実施例4]
最外層はCu層でその厚さは約20μm、その中に厚さ約2μmのNbTi層30層と同じ厚さのCu層が交互に厚さ約0.2μmのNb層を介して積層されている総厚0.2mmの超電導多層板の本発明材No.18からNo.20と比較材No.21を作製した。
【0034】
No.18(Cu−3Ni−0.6Si−0.2Znマトリクス材):熱間圧延(830℃1時間保定後、圧下率60%)→冷間圧延1(圧下率50%)→熱処理1(370℃5時間保定)→冷間圧延2(圧下率50%)→熱処理2(370℃5時間保定)→冷間圧延3(トータル圧下率50%)→熱処理3(370℃5時間保定)→冷間圧延4(トータル圧下率50%、1パス当たり圧下率10%)→最終熱処理(360℃336時間保定)→冷間圧延5(トータル圧下率80%、1パス当たり圧下率5%、張力10kg/mm2 )
No.19、No.20は上記No.18の冷間圧延5で1パス当たりの圧下率と張力がそれぞれ10%と8kg/mm2 、25%と6kg/mm2 で作製したもの。一方、比較例のNo.21はNo.18の冷間圧延5で1パス当たりの圧下率が2%で張力ゼロのものである。
これらの材料の評価は、実施例1に述べたのと同様な方法で行った。結果を表4に示す。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【表3】
【0038】
【表4】
【0039】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、表1に示すように、最後の圧延で張力をかけることにより、NbTi層及びCu層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)が30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )が50%以上であるようなNbTi超電導多層板が製造でき、L方向のJc値(Jc(L))が特に向上したことによって、C方向のJc値(Jc(C))との比(Jc(L)/Jc (C))が、従来の約0.6から本発明では大きな値のもので0.8までと約30%向上し、最後の圧延で張力をかけなかった従来の場合と比較してJc値の圧延方向異方性が顕著に減少した。
【0040】
また、表2に示すように、最終熱処理前の圧延において1パス当たりの圧下率を大きく取ることにより、NbTi層及びCu層の厚さの変動係数(%)(= (標準偏差/平均)×100)が20%程度であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )が60%前後であるようなNbTi超電導多層板が製造でき、L方向のJc値(Jc(L))は1万〜2.4万A/cm2 向上し、C方向のJc値(Jc(C))との比(Jc(L)/Jc(C))は約10〜14%向上し、最終熱処理前の圧延の圧下率が小さい従来の場合と比較してJc値の圧延方向異方性が減少した。ただし、最終熱処理後の圧延を行った場合に比べ元々異方性は大きくないため、異方性の減少は表1、表3及び表4の場合に比べて顕著ではない。
【0041】
さらに、表3に示すように、最終熱処理前後の圧延において1パス当たりの圧下率を大きく取ることにより、NbTi層及びCu層の厚さの変動係数(%) (=(標準偏差/平均)×100)が約26%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )が53%以上であるようなNbTi超電導多層板が製造でき、L方向のJc値(Jc(L))が特に向上したことによって、C方向のJc値(Jc(C))との比(Jc(L)/Jc(C))が、従来の0.64から本発明では大きな値のもので0.78までと約22%向上し、最終熱処理前後の圧延で大きい圧下率をかけなかった従来の場合と比較してJc値の圧延方向異方性が顕著に減少した。
【0042】
また、表4に示すように、最終熱処理前後の圧延において1パス当たりの圧下率を大きく取ることと最後の圧延で張力をかけることにより、NbTi層及びCu層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)が約24%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところ(dmax )と小さいところ(dmin )の比(dmin /dmax )が58%以上であるようなNbTi超電導多層板が製造でき、L方向のJc値(Jc(L))が特に向上したことによって、C方向のJc値(Jc(C))との比(Jc(L)/Jc(C))が、従来の0.59から本発明では大きな値のもので0.8までと約36%向上し、最終熱処理前後の圧延で大きい圧下率をかけず、かつ張力をかけなかった従来の場合と比較してJc値の圧延方向異方性が顕著に減少した。
【図面の簡単な説明】
【図1】超電導多層板のL方向断面構造の写真を撮り、板厚方向に3箇所直線を引いた例。
Claims (4)
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とした後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施した後、圧延方向に1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながらトータル加工率30〜90%の冷間圧延を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法であって、高導電率金属基材中に板状NbTi合金層がNbまたはTaを介して配置されているNbTi超電導多層板において、NbTi超電導多層板中のNbTi層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが1nm以上、100nm以下、板厚方向の間隔が1nm以上、500nm以下、NbTi合金層全体に対する体積分率が3%以上、50%以下の常電導析出物が存在すること、及び板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)がそれぞれ30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところdmaxと最も小さいところdminの比(dmin/dmax)が50%以上であるNbTi超電導多層板の製造方法。
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延工程において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法であって、高導電率金属基材中に板状NbTi合金層がNbまたはTaを介して配置されているNbTi超電導多層板において、NbTi超電導多層板中のNbTi層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが1nm以上、100nm以下、板厚方向の間隔が1nm以上、500nm以下、NbTi合金層全体に対する体積分率が3%以上、50%以下の常電導析出物が存在すること、及び板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)がそれぞれ30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところdmaxと最も小さいところdminの比(dmin/dmax)が50%以上であるNbTi超電導多層板の製造方法。
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延工程において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施し、さらに1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下でトータルの加工率30〜90%の冷間圧延を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法であって、高導電率金属基材中に板状NbTi合金層がNbまたはTaを介して配置されているNbTi超電導多層板において、NbTi超電導多層板中のNbTi層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが1nm以上、100nm以下、板厚方向の間隔が1nm以上、500nm以下、NbTi合金層全体に対する体積分率が3%以上、50%以下の常電導析出物が存在すること、及び板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)がそれぞれ30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところdmaxと最も小さいところdminの比(dmin/dmax)が50%以上であるNbTi超電導多層板の製造方法。
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在するNbTi超電導多層板の製造方法であって、温度500から1000℃でトータル加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、トータル加工率30〜98%で冷間圧延し、300〜450℃で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理工程と1回当たりのトータル加工率が30〜98%の冷間圧延工程を1回以上6回以下交互に繰り返して板状または箔状とする際、該繰り返しにおける最後の冷間圧延工程において、1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下であるような冷間圧延を施した後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の熱処理を施し、さらに1パス当たりの圧下率が5%以上、30%以下で圧延方向に1.5kg/mm2〜15kg/mm2の張力を掛けながら、最終の冷間圧延を施すことを特徴とする、高導電率金属基材中に板状NbTi合金層がNbまたはTaを介して配置されているNbTi超電導多層板において、NbTi超電導多層板中のNbTi層中に、板面に平行に板状に析出し、かつ厚さが1nm以上、100nm以下、板厚方向の間隔が1nm以上、500nm以下、NbTi合金層全体に対する体積分率が3%以上、50%以下の常電導析出物が存在すること、及び板厚方向の断面のNbTi層及び高導電率金属層の厚さの変動係数(%)(=(標準偏差/平均)×100)がそれぞれ30%以下であり、かつ各層の層厚の最も大きいところdmaxと最も小さいところdminの比(dmin/dmax)が50%以上であるNbTi超電導多層板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02871099A JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | NbTi超電導多層板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6244698 | 1998-03-13 | ||
JP10-62446 | 1998-03-13 | ||
JP02871099A JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | NbTi超電導多層板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330574A JPH11330574A (ja) | 1999-11-30 |
JP4516639B2 true JP4516639B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=26366854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02871099A Expired - Fee Related JP4516639B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-02-05 | NbTi超電導多層板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4516639B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3089172B1 (en) * | 2013-12-25 | 2019-05-01 | Fujikura Ltd. | Oxide superconducting wire material and oxide superconducting wire material manufacturing method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736479B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1995-04-19 | 新日本製鐵株式会社 | Nb―Ti系超電導磁気シールド材の製造方法 |
JP2893039B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1999-05-17 | 大阪府 | 超電導三層箔材の製造方法 |
JP3788839B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2006-06-21 | 新日本製鐵株式会社 | NbTi超電導多層板の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02871099A patent/JP4516639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11330574A (ja) | 1999-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69737533T2 (de) | Verbesserte struktur für laminierte supraleitende keramische verbundleiter und herstellungsverfahren | |
Lee et al. | Niobium-titanium superconducting wires: Nanostructures by extrusion and wiredrawing | |
US6470564B1 (en) | Method of manufacturing aluminum-stabilized superconducting wire | |
JP4516639B2 (ja) | NbTi超電導多層板及びその製造方法 | |
JP2006219705A (ja) | 高強度高導電性銅合金の製造方法及び高強度高導電性銅合金 | |
JP5330725B2 (ja) | 超電導線材用基板およびその製造方法 | |
JP3788839B2 (ja) | NbTi超電導多層板の製造方法 | |
US5374320A (en) | Nb-Ti alloy type superconducting wire | |
JP4571918B2 (ja) | NbTi超電導多層板の製造方法及びNbTi超電導多層板 | |
JP3178317B2 (ja) | 高強度超電導線材 | |
JPH06509675A (ja) | 超伝導性合金を製造する方法 | |
JP3754522B2 (ja) | Nb▲3▼Sn超電導線材 | |
JP3757141B2 (ja) | Nb▲3▼Sn超電導線材の製造方法 | |
JP5323444B2 (ja) | 酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材 | |
JP3544781B2 (ja) | Nb−Ti系超電導多層板の製造方法 | |
JP2517867B2 (ja) | V3 Si超電導極細多芯線材の製造法 | |
JPS62110207A (ja) | ニオブ・チタン極細多芯超電導線 | |
Inoue et al. | New superconducting Nb3Al MF wire made by Nb/Al Mg composite process | |
JP4699200B2 (ja) | Nb3Sn超電導線材製造用前駆体およびその製造方法 | |
Wong et al. | Development of artificial pinning center NbTi multifilamentary superconductors for commercial applications | |
JP3948291B2 (ja) | Nb3Al系化合物超電導線およびその製造方法 | |
JP3603565B2 (ja) | 高臨界電流密度が得られるNb▲3▼Sn超電導線材及びその製造方法 | |
JPH0636331B2 (ja) | Nb▲下3▼A1化合物超電導線材の製造法 | |
JP4113031B2 (ja) | NbTi超電導多層板及びその製造方法 | |
JPH0594722A (ja) | Nb−Ti合金超電導線材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100517 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |