JP3788839B2 - NbTi超電導多層板の製造方法 - Google Patents
NbTi超電導多層板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3788839B2 JP3788839B2 JP02863697A JP2863697A JP3788839B2 JP 3788839 B2 JP3788839 B2 JP 3788839B2 JP 02863697 A JP02863697 A JP 02863697A JP 2863697 A JP2863697 A JP 2863697A JP 3788839 B2 JP3788839 B2 JP 3788839B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- hours
- cold rolling
- temperature
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MRI(磁気共鳴医療画像診断装置)、超電導リニアモーターカー等の超電導機器において主として磁気シールドで使用される超電導多層板の製造方法に関するものであり、特にNbTi中のα−Ti析出相を高密度に分散させる加工熱処理法及び常電導析出物の析出形態に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
MRIやリニアモーターカー等で使用される超電導多層板の製造方法については、特開平3−136400号公報で示されたように、熱間圧延後に300〜450℃の温度で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延を6回以下交互に繰り返した後、300〜450℃の温度で1〜1000時間の最終熱処理を施してNbTi中に超電導のピン止め点としてα−Tiを析出させる方法がある。析出の駆動力となる転位や空孔等の格子欠陥を冷間加工によって導入し、熱処理と組み合わせて充分な析出を生じさせる方法である。
【0003】
超電導多芯線においても、同様の加工と熱処理の組み合わせによりα−Tiを析出させ良好な臨界電流密度が得られている(特開昭57−210516、特開平7−141937号公報)が、線材の場合は加工率を線径の二乗で大きく取れるのに対し、超電導多層板では板厚の変化率分のみしか取れないため、超電導多芯線材の場合よりも増して加工・熱処理方法に工夫が必要となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の製造方法で作製した材料では、5テスラの強磁場下で臨界電流密度は10万〜12万A/cm2であるが、一般的な超電導多芯線の臨界電流密度は同じ磁場環境で27万A/cm2程度(「金属学会セミナーテキスト ナノ・メゾ組織制御と高機能材料開発」p.93)と超電導板と比べて約倍近い値となっている。超電導多層板を磁気シールド材として使用する場合、磁気シールド可能な磁場の大きさは臨界電流密度と磁気シールド材の板厚にほぼ比例する(「電気学会大学講座 超電導工学 電気学会編」p.52)。従って、臨界電流密度が低いと材料を多く使わざるを得ないため、重量の割にはシールド性能の低いコストパフォーマンスの悪い材料となる問題がある。
【0005】
また、従来法のJc(臨界電流密度)は、5テスラの磁場下で10万〜12万A/cm2と小さい割に熱処理の時間は長く要するという問題がある。従来法のJcと同等レベルのJcを得る場合に熱処理時間が低減できるということも、製造コストの低減という観点から非常に意味がある。
【0006】
NbTi超電導多層板は、良電導体であるCuまたはCu合金基材中に板状のNbTi層が1層以上Nb層を介して存在する超電導板である。このような超電導板の臨界電流密度を決定しているのはNbTi層中に析出した常電導のTiである。特開平2−94498号公報に示すような従来のNbTi超電導多層板のNbTi層中に存在するTi析出物は、長径200nm〜2μm、短径100nm〜1μm程度の楕円体のような形をしていた。これらの析出物は、圧延と熱処理の繰り返しの結果として析出する(特開平3−136400号公報)。NbTi層中の常電導析出物は、上部臨界磁場Hc2以上の磁場で超電導体中に規則的に並んだ配列(三角配列)で侵入した磁束量子をピン止めすることにより超電導状態を保つ(これを中間状態という)。磁束量子の格子間隔は、1テスラの磁場中で約49nm、5テスラの磁場中で約22nmである。最も効率的に磁束量子をピン止めできる常電導析出物の大きさは、中間状態における超電導常電導領域の界面の大きさ(コヒーレンス長に相当。NbTiの場合5.5nm)と同程度でかつ磁束量子の格子間隔と同程度(数十nm)に分散したものであるといわれている。本観点から見て、従来のNbTi合金系超電導板のNbTi層中のTi析出物は、短径100〜200nm、長径200nm〜500nmの楕円体形状をしており、理想のTi析出物の大きさに比べてかなり大きく、臨界電流密度は、前述したように5テスラにおいて10〜12万A/cm2と市販のNbTi合金系超電導線にくらべ低い値であった(磁場を板に対して平行に印加した場合)。
【0007】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、超電導多層板の製造法を最適化し、臨界電流密度の大きい材料の製造方法及びこうした材料をできるだけ短時間の熱処理で低コストに製造する方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1の発明は、少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在する超電導多層板の製造方法であって、温度500〜1000℃で加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、加工率30〜70%で冷間圧延し、次に温度600〜800℃で30分〜5時間保持した後、加工率30〜98%の冷間圧延を施し、300〜450℃の温度で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延を6回以下交互に繰り返し施して板状または、箔状とした後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の最終熱処理を施す方法である。高導電率金属とは銅、アルミニウム等を指す。
【0009】
本発明材料は直流強磁場中で使用されるため、超電導的に安定であることが必要である。磁気シールド材料として、超電導材料と高導電率金属の複合材料を用いる理由は、この超電導安定性を高めるためである。超電導材料は超電導状態においては、電気抵抗がゼロであるが、何らかの理由で部分的に常電導に転移すると、常電導状態では電気抵抗が大きいため発熱し、常電導部分が拡大して材料全体の超電導状態が一気に破れる現象が起こる(クエンチ現象)。
【0010】
一方、超電導材料に高導電率材料が隣接した複合材料では、部分的な常電導転移が起こっても、超電導材料に流れていた電流は高導電性金属を経由して流れ、一旦常電導に転移した部分も超電導状態に復帰することができ、超電導状態が安定に保たれる。1テスラ以上の直流の強磁場下においても超電導状態を保つためには、超電導材料として臨界磁場Hc2が高い(1テスラ以上)材料であることが必要であることと、圧延などの加工性が良好なことから、超電導材料としてNbTi合金を選定した。NbTi層と高導電率材料層の間にNbまたはTaのバリヤー層を配したのは、製造工程における熱間圧延工程で銅等の高導電金属とNbTi中のTiとが金属間化合物を形成させないようにするためである。
【0011】
熱間圧延の後、30〜70%の冷間圧延を施し600〜800℃で30分〜5時間保持した後再び冷間圧延を継続する理由は、NbTiの結晶粒を細粒化するためである。NbTiのような第2種超電導体が磁場中におかれると磁場は磁束量子φ0を持つ量子化磁束線に分割されて超電導体に侵入する。この状態で超電導体に電流を流すと量子化磁束線にはローレンツ力が働く。ここでもし量子化磁束線が動くと起電力が生じ、最終的には電気抵抗ゼロの超電導状態が破れてしまう。ローレンツ力に抗して量子化磁束線の運動をくい止めるのが、NbTiの場合、合金中に析出したチタン(α−Ti)の析出物である。この量子化磁束線の運動をくい止める役割をするものとして、α−Tiなどの析出物の他に材料中の欠陥、不純物等があり、これらを総称して磁束ピン止め点という。本発明者によるこれまでの研究により、NbTi中のα−Tiは結晶粒界に析出しやすいことが分かっている。そこで、NbTiの結晶粒径が小さくなれば量的に多くの析出物が得られるためピン止めの効率が良く大きな臨界電流密度が得られる。
【0012】
熱間圧延時の加熱温度の下限を500℃としたのは、500℃未満ではNbTi及びNbまたはTaが充分軟化せず銅との密着性が不十分なためである。同上限を1000℃としたのは1000℃を超えると銅の融点に近く軟化しすぎるためである。熱間圧延の加工率を30〜98%としたのは、30%未満では温度が高くても充分な密着性が得られにくく、98%を超えると以降の冷間加工率が小さくなりすぎるためである。最初の冷間圧延の圧下率を30〜70%とした理由は、30%未満の圧下率では再結晶の駆動力が材料中に残らないため加熱温度をかなり高くしなければ再結晶しないためであり、上限を70%としたのは再結晶後の冷間加工で材料中に充分転位を導入できる圧下代を充分に残すためである。最初の熱処理温度の下限を600℃としたのはこれに満たない温度では材料中に転位等が多く入っている場合でも再結晶しないためであり、上限を800℃としたのはこれを超える温度では再結晶粒が粗大化する危険が大きいためである。
【0013】
再結晶後の冷間圧延により結晶粒は微細となる。最終的に析出するα−Tiは粒界に多く析出するため、結晶粒の微細化により析出の密度は大いに向上する。再結晶後の冷間圧延の圧下率を30〜98%としたのは、30%未満では導入される格子欠陥の量が不十分で熱処理の効果を活かすことができず、98%を超えると材料の一部または全体が破壊されて加工不良が生じるためである。以降の中間熱処理の温度を300〜450℃とするのは、300℃未満では磁束ピン止め点のα−Tiの析出速度が小さすぎて時間がかかりすぎるためであり、450℃を超えると析出物が粗大化し、以降の冷間加工に支障を来すためである。熱処理1回当たりの保持時間を1〜168時間とするのは、1時間未満では析出量が不十分であるためであり、168時間を超えた場合析出物が粗大化し、以降の冷間加工に支障を来すためである。
【0014】
析出の駆動力となる転位や空孔を導入し、充分な量のα−Tiを析出させるためには冷間加工と熱処理を交互に繰り返すことにより尚いっそうの効果がある。この繰り返しを6回以下としたのは、6回を超えると各熱処理間の冷間圧下率を充分に取れず析出量に対する効果が飽和するためである。各熱処理間及び最終形状に至るまでの冷間加工率を30〜98%とする理由は、再結晶後の冷間圧延の場合と同じである。最終板厚で最終熱処理をするのは、途中の冷間加工と熱処理の繰り返しで析出したα−Tiの密度をさらに増大させるためである。この熱処理の温度範囲を300〜450℃としたのは、先に記した熱処理の場合と同じである。また、保持時間を1〜1000時間とするのは、1時間未満では析出量の増大の効果が得られず、1000時間を超えると析出が飽和してしまうためである。
【0015】
第2の発明について説明する前に従来の発明(特開平3−136400号公報)の範囲内での工夫について述べる。前述した従来の発明(特開平3−136400号公報)における最終熱処埋での300〜450℃、1〜1000時間の保持を前半を300℃以上、350℃未満の温度で10〜500時間を施し、続けて後半の熱処理を350℃以上、450℃以下の温度でトータルの時間が1000時間以下になるように施すと、一定温度で同じ時間だけ熱処理した場合に比べて高いJcが得られる。例えば、800℃で1時間保持後、50%の圧下率で熱間圧延した後、380℃で5時間の熱処理と圧下率50%の冷間圧延を4回繰り返した後、最終熱処理として350℃で700時間保持したものと、最終熱処理を310℃で400時間保持した後、連続して360℃で300時間保持した材料のJcは、前者が5Tでおよそ1200A/mm2であるのに対し、後者は、およそ1600A/mm2と30%以上向上する。
【0016】
最終熱処理を前半を比較的低温で、後半を比較的高温で行うとJcが向上する理由は以下の通りである。NbTi合金の状態図(L.Kaufman and B.Bemstein:Computer calculatin of Phase Diagrams,Academic Press 1970)を見ると、α−Tiはβ固溶域で過飽和したTiが低温のα+β域における保持により析出するが、比較的低温の方が析出核の発生量は多い。そこで最終熱処理過程において前半を比較的低温で熱処理して析出核を多く出し、次に比較的高温で熱処理することにより先の過程で析出したα−Tiを成長させる方法である。前半の熱処理温度の下限を300℃としたのは、それ以下の温度では析出速度が小さすぎるため析出の核の発生が妨げられるためであり、上限を350℃未満としたのはこれ以上の温度ではα−Tiの成長が早く粗大化する危険があるためである。前半の熱処理時間を10〜500時間としたのは、10時間未満では充分な量の析出核が生じないためであり、500時間を超えると析出核の量が飽和するためである。後半の熱処理温度を350℃以上、450℃以下としたのは350℃未満では析出核の成長を進展させるには低すぎるためであり、450℃を超えると析出物が粗大化してしまうからである。第2の発明は、NbTiを細粒化させる第1の発明と前述した従来の発明における最終熱処理の工夫による製造法を組み合わせ、α−Tiの析出量を多く、かつ緻密に分散させる方法である。
【0017】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
表1に本発明により製造した超電導多層板と従来の方法で製造した超電導多層板の臨界電流密度(Jc)の測定結果と熱間圧延以後の中間熱処理と最終熱処理のトータル時間に対するJc(8T)の比を示した。この比が大きいほど熱処理のコストをかけずに高いJcが得られることになる。Jcは5T(テスラ)における値及び8T(テスラ)における値である。実施例に示した超電導多層板は、いずれも多層構造は同じである。1mmの板厚の材料についてJcを測定した。総厚1mmの超電導多層板の構造は以下の通りである。最外層は銅層でおよそ0.11mm、その中に約11μmのNbTi層が30層、同じ厚さの銅層と交互に積層きれている。さらに、NbTi層と銅層の間には約1μmのNb層が挿入されている。
【0018】
臨界電流密度は、板厚は供試材ままで幅0.5mmの試験片に10mm間隔で電圧端子を付け、端子間電圧が1μVとなるまで流すことのできた電流値を臨界電流値(Ic)とし、これをNbTiの総断面積で割った値を臨界電流密度(Jc)とした。熱間及び冷間圧延とも圧延の方向は一定方向とし、臨界電流密度測定用の試料は圧延方向と垂直な方向に採取した。液体ヘリウム中に浸漬した状態で試料に電流を流し臨界電流を測定した。本発明のNo.1〜No.6及びNo.9、No.10の製造工程及び比較例のNo.7、No.8の製造工程は以下の通りである。
【0019】
No.1(本発明1):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率60%)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(750℃30分保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率75%)→熱処理(350℃336時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:346.5時間。
【0020】
No.2(本発明1):熱間圧延(550℃3時間保持後、圧下率35%)→冷間圧延(圧下率30%)→熱処理(700℃1時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃168時間保持)→冷間圧延(圧下率95%)→熱処理(370℃168時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:337時間。
【0021】
No.3(本発明1):熱間圧延(950℃1時間保持後、圧下率85%)→冷間圧延(圧下率30%)→熱処理(600℃4時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(430℃10時間)→冷間圧延(圧下率75%)→熱処理(330℃500時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:514時間。
【0022】
No.4(本発明2):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率50%)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(750℃30分保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(430℃1時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率80%)→熱処理(300℃168時間→370℃168時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:342.5時間。
【0023】
No.5(本発明2):熱間圧延(550℃3時間保持後、圧下率35%)→冷間圧延(圧下率30%)→熱処理(700℃1時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃168時間保持)→冷間圧延(圧下率95%)→熱処理(340℃72時間→380℃264時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:505時間。
【0024】
No.6(本発明2):熱間圧延(950℃1時間保持後、圧下率85%)→冷間圧延(圧下率30%)→熱処理(600℃4時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(320℃168時間)→冷間圧延(圧下率75%)→熱処理(320℃264時間→440℃72時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:508時間。
【0025】
No.7(比較例1):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率85%)→熱処理(350℃700時間)、最終板厚1.0mm。熱延後トータル熱処理時間:720時間。
【0026】
No.8(比較例2):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)・熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率85%)→熱処理(310℃400時間→360℃300時間)、最終板厚1.0mm。熱延後トータル熱処理時間:720時間。
【0027】
No.9(本発明1):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率50%)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(750℃30分保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率85%)→熱処理(350℃720時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:730.5時間。
【0028】
No.10(本発明2):熱間圧延(800℃1時間保持後、圧下率50%)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(750℃30分保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(430℃1時間保持)→冷間圧延(圧下率50%)→熱処理(380℃5時間保持)→冷間圧延(圧下率80%)→熱処理(300℃168時間→370℃504時間)、最終板厚1mm。熱延後トータル熱処理時間:678.5時間。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】
本発明の製造工程で製造した超電導多層板は、従来の製造工程で作られたものに比べて最大2倍の臨界電流密度を有しており、同じ磁場をシールドする場合に使用する板の厚さを低減することができ、磁気シールドの軽量化と製造コストの大幅な低減が実現できた。単位熱処理時間当たりのJc(8Tにおける)を比較して分かるとおり、従来技術に比べ、効率の良い製造方法となり、製造コストの低減が実現できた。
Claims (2)
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在する超電導多層板の製造方法であって、温度500〜1000℃で加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、加工率30〜70%で冷間圧延し、次に温度600〜800℃で30分〜5時間保持した後、加工率30〜98%の冷間圧延を施し、300〜450℃の温度で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延を6回以下交互に繰り返し施して板状または、箔状とした後、300〜450℃の温度で保持時間が1〜1000時間の最終熱処理を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法。
- 少なくとも1層のNbTi合金と高導電率金属が交互に積層され、かつ前記NbTi合金と前記高導電率金属の間にNbまたはTaのバリヤー層が存在する超電導多層板の製造方法であって、温度500〜1000℃で加工率30〜98%の熱間圧延を施した後、加工率30〜70%で冷間圧延し、次に温度600〜800℃で30分〜5時間保持した後、加工率30〜98%の冷間圧延を施し、300〜450℃の温度で1回当たりの保持時間が1〜168時間の熱処理と1回当たりの加工率が30〜98%の冷間圧延を6回以下交互に繰り返し施して板状または、箔状とした後、300℃以上350℃未満の温度で10〜500時間施した後引き続き350℃以上450℃未満の温度で保持時間が1〜1000時間の最終熱処理を施すことを特徴とするNbTi超電導多層板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02863697A JP3788839B2 (ja) | 1996-03-19 | 1997-02-13 | NbTi超電導多層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6227796 | 1996-03-19 | ||
JP8-62277 | 1996-03-19 | ||
JP02863697A JP3788839B2 (ja) | 1996-03-19 | 1997-02-13 | NbTi超電導多層板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006049793A Division JP4571918B2 (ja) | 1996-03-19 | 2006-02-27 | NbTi超電導多層板の製造方法及びNbTi超電導多層板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09310161A JPH09310161A (ja) | 1997-12-02 |
JP3788839B2 true JP3788839B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=26366774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02863697A Expired - Fee Related JP3788839B2 (ja) | 1996-03-19 | 1997-02-13 | NbTi超電導多層板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3788839B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4571918B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2010-10-27 | 新日本製鐵株式会社 | NbTi超電導多層板の製造方法及びNbTi超電導多層板 |
JP4516639B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2010-08-04 | 新日本製鐵株式会社 | NbTi超電導多層板及びその製造方法 |
JP4495426B2 (ja) | 2003-08-29 | 2010-07-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 超伝導膜およびその製造方法 |
CN115652139B (zh) * | 2022-10-31 | 2023-11-24 | 宁夏中色金航钛业有限公司 | 铌钛合金精密带材及其制造方法 |
CN117619883A (zh) * | 2023-12-01 | 2024-03-01 | 北京理工大学 | 一种三维砖砌复合材料及其工艺制备方法 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP02863697A patent/JP3788839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09310161A (ja) | 1997-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tachikawa et al. | High‐field superconducting properties of the composite‐processed Nb3Sn with Nb‐Ti alloy cores | |
Suenaga et al. | Superconducting properties of multifilamentary V3Ga wires | |
Tsuei | Superconducting composite of copper and niobium—a metallurgical approach | |
Lee et al. | Niobium-titanium superconducting wires: Nanostructures by extrusion and wiredrawing | |
JPS5913036A (ja) | Cu−4族元素合金を用いたNb↓3Sn超電導線材の製造法 | |
JP3788839B2 (ja) | NbTi超電導多層板の製造方法 | |
JP6247813B2 (ja) | NbTi系超電導線材 | |
Suenaga et al. | The fabrication and properties of Nb 3 Sn superconductors by the solid diffusion process | |
Cooley et al. | Processing of Low T c Conductors: The Alloy Nb–Ti | |
McInturff et al. | Effect of metallurgical history on critical current density in NbTi alloys | |
Larbalestier | Nb-Ti Alloy Superconductors—Present Status and Potential for Improvement | |
Sekine et al. | Studies on the composite processed Nb-Hf/Cu-Sn-Ga high-field superconductors | |
Tsuei | Ductile superconducting Cu-rich alloys containing A-15 filaments | |
Dietderich et al. | The critical current density and microstructural state of an internal tin multifilamentary superconducting wire | |
JP4571918B2 (ja) | NbTi超電導多層板の製造方法及びNbTi超電導多層板 | |
Takeuchi et al. | Effect of flat-roll forming on critical current density characteristics and microstructure of Nb/sub 3/Al multifilamentary conductors | |
Kreilick | Niobium-titanium superconductors | |
JP3945600B2 (ja) | Nb 3 Sn超伝導線材の製造方法 | |
Witcomb et al. | Effect of microstructure on superconducting properties of Mo/34 at.% Re alloy | |
Sharma et al. | Superconducting properties of a copper-ternary alloy | |
Li et al. | Improved critical current density of Cu-doped Nb3Al wire through optimized Rapid-Heating Quenching and Transformation method | |
Luhman et al. | Improvements in Critical Current Densities of Nb3Sn by Solid Solution Additions of Sn in Nb | |
JPS62110207A (ja) | ニオブ・チタン極細多芯超電導線 | |
JP2011214124A (ja) | 合金超伝導体生成方法、及び合金超伝導体 | |
JP4516639B2 (ja) | NbTi超電導多層板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060324 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120407 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 7 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140407 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |