JPH11317469A - 導電性要素配列シートおよび導電性要素配列シート製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンプ形成のための導電性ボールを、高精度
かつ容易に半導体素子あるいは回路基板に位置決めす
る。 【解決手段】 導電性要素配列シート１０は、熱可塑性
樹脂を主成分とする絶縁性シート１２を有する。この絶
縁性シート１２の一方の面に転写板に配列された導電性
要素１４を転写し、導電性要素１４の約半分を絶縁性シ
ート１２に埋め込んで、密着固定する。導電性要素配列
シート１０から半導体素子５０の電極５２へ導電性要素
１４を融着させることにより転写する。導電性要素１４
付きの半導体素子５０を、回路基板に実装し、半導体素
子５０の電極５２と回路基板の電極とを導電性要素１４
を介して接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体パッ
ケージにおいて半導体素子や回路基板の電極上にバンプ
を形成するための導電性要素配列シートおよびその製造
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体パッケージにおいて、例え
ば半導体素子は樹脂等により封止され、この封止樹脂の
側面から外側に向かって金属板状の外部端子であるリー
ドフレームが延び、各リードフレームは回路基板の対応
する電極に電気的に接続される。このようなリードフレ
ームを用いた半導体パッケージは、外部端子数の増加に
伴い大型化するため、小型化の要求に対応できない。そ
こで近年ではリードフレームの代わりに、外部端子とし
て封止樹脂の底面に半田による突起電極、即ちバンプを
形成するＢＧＡ（Ball Grid Array ）方式が提案され、
外部端子数の増加と小型化との要求に対処している。ま
た、回路基板および半導体素子にそれぞれバンプを形成
し、バンプをそれぞれ対応づけて半田付けすることによ
り、半導体素子を直接回路基板に接着する、即ち実装す
るフリップチップ方式も提案されている。

【０００３】このようなバンプは、例えば半田ボール等
の導電性要素を半導体素子表面に設けられた多数の電極
上にそれぞれ配列させ、これらの導電性要素を電極に加
熱融着させることにより得られる。導電性要素を電極上
に配列させるために、例えば予め別の基板上に配列させ
た導電性要素を、半導体素子の電極に転写する、あるい
は電極パターンに対応した穴を有するマスクを半導体素
子に被せて、その上から蒔かれた導電性要素を刷毛等に
よって各穴に挿入する、即ちスクイーズすることが行わ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
導電性要素の配列には次のような問題点がある。前者の
ように転写により配列させる場合、転写時において導電
性要素の位置ずれまたは落下が生じる他、転写用の基板
が反りまたは変形を有していると転写が正確に行われな
いことがある。また、導電性要素は基板への加圧によっ
て押圧され、これにより基板から半導体素子へ転写され
るため、導電性要素の変形は避けられない。半導体素子
表面からの導電性要素の高さが不均一であると、回路基
板へ接着しない導電性要素が生じる恐れがある。このた
め半導体パッケージ製造後に、半導体素子の全電極が回
路基板の対応する電極に接続されたかどうかを検査する
工程と、接続不良の電極を修復する工程が必要となり、
生産効率が悪いことが問題である。

【０００５】後者のように穴を有するマスクを用いて配
列させる場合、前者のように導電性要素の位置ずれ、落
下および変形は防止されるが、半導体素子をスクイーズ
する工程と、導電性要素が確実に全穴に入ったかどうか
を確認する工程とが必要であり、この場合も生産効率が
悪いことが問題となる。

【０００６】本発明はこの様な点に鑑みてなされ、導電
性要素配列シートを用いることにより、導電性要素を半
導体素子や回路基板の電極へ容易かつ高精度に配列さ
せ、半導体パッケージの生産性を向上させることが目的
である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による導電性要素
配列シートは、熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層を備
えたシートと、この絶縁層の一方の表面に一部が埋め込
まれていることにより、シートの所定位置に固定される
導電性要素とを備えることを特徴とする。

【０００８】導電性要素配列シートにおいて、好ましく
は導電性要素がシートに対して剥離可能である。

【０００９】導電性要素配列シートにおいて、シートの
絶縁層の導電性要素が設けられていない面に、金属箔が
密着していてもよい。

【００１０】導電性要素配列シートにおいて、導電性要
素の形状が球であってもよいし、円柱であってもよい。

【００１１】導電性要素配列シートにおいて、好ましく
は熱可塑性樹脂が軟化し始める温度より、導電性要素が
軟化し始める温度の方が高い。

【００１２】導電性要素配列シートにおいて、熱可塑性
樹脂がシリコーンで変性されたポリイミドであってもよ
い。

【００１３】導電性要素配列シートにおいて、絶縁層の
成分が熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含んでもよい。
さらにこの熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であってもよ
い。

【００１４】半導体パッケージが、表面に電極を備えた
半導体素子と、半導体素子に対向し、半導体素子に対向
する面に、半導体素子の電極に対応した電極を備えた回
路基板と、半導体素子の電極と回路基板の電極とを接続
する導電性要素とを備える場合、好ましくはこの導電性
要素が導電性要素配列シートから半導体素子の電極に転
写されることにより得られる。

【００１５】また本発明の導電性要素配列シート製造装
置は、所定のパターンに従って導電性要素を転写板の一
方の面に配列させる配列手段と、熱可塑性樹脂を主成分
とする絶縁層を備えたシートを製造するシート製造手段
と、絶縁層の一方の面を転写板の導電性要素が設けられ
た面に対向させ、絶縁層の転写板に対向する面あるいは
転写板に対向する面とは反対側の面の、少なくとも一方
の面側から加熱加圧することにより、導電性要素の一部
を絶縁層に密着固定させる加熱加圧手段とを備えること
を特徴とする。

【００１６】導電性要素配列シート製造装置において、
シート製造手段が、シートの絶縁層の一方の面に金属箔
を密着させてもよく、この場合加熱加圧手段は、絶縁層
の金属箔の設けられていない面を導電性要素に対向さ
せ、金属箔の絶縁層に密着する面とは反対側の面あるい
は絶縁層の金属箔の設けられていない面の少なくとも一
方の面側から加熱加圧を行う。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明による導電性要素配
列シートおよび導電性要素配列シート製造装置の実施形
態について添付図面を参照して説明する。

【００１８】図１には、第１実施形態である導電性要素
配列シートの断面図が示される。導電性要素配列シート
１０は、熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層からなるシ
ート１２と、このシート１２に密着固定された導電性要
素１４とを備える。各導電性要素１４はシート１２の上
面１２ｕに上方から押下され、約下半分がシート１２の
変形と共に埋め込まれる。各導電性要素１４の約上半分
はシート１２の上面１２ｕから突出する。

【００１９】熱可塑性樹脂はシリコーン（オルガノポリ
シロキサン類の総称）で変性されたポリイミドであり、
このシリコーン変性ポリイミドに熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂を混合することによりシート１２が得られ
る。

【００２０】熱可塑性樹脂はシリコーン変性ポリイミド
に限定されず、他にポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系
樹脂、アクリル系樹脂、合成ゴム系樹脂等、熱軟化性の
樹脂であればよい。また第１実施形態では、熱可塑性樹
脂に熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を添加している
が、熱可塑性樹脂のみでシート１２を形成してもよい。
あるいは熱硬化性樹脂の他、必要に応じてさらに着色
料、無機充填剤、各種カップリング剤を添加してもよ
い。

【００２１】導電性要素１４は、例えば錫４０％、鉛６
０％からなる半田ボールである。導電性要素１４の材料
として、その材料の融点（半田の場合は共晶点に相当す
る）がシート１２中の熱可塑性樹脂のガラス転移温度よ
りも高いものが選択される。これにより、導電性要素１
４を変形させることなく熱可塑性樹脂を熱軟化させ、シ
ート１２に埋込むことができる。

【００２２】導電性要素１４の形状はボール状、即ち真
球に限定されることはなく、円柱等の多面体でもよい。
また導電性要素１４の材料は半田に限定されず、他に
金、銀、銅等の金属の単体、あるいはこれら金属の合金
でもよい。さらに、ポリマー粒子に金属メッキを施した
ものや、メタルコアメッキ、即ち金属粒子に別の金属メ
ッキを施したものでもよい。金属メッキに用いられる金
属は主に金であるが、他に銀、銅、半田、およびこれら
の合金を金属メッキに用いてもよい。

【００２３】図２は、図１に示す導電性要素配列シート
を製造するための導電性要素配列シート製造装置の構成
を簡略化して示すブロック図である。図３〜図５は導電
性要素配列シート製造装置における製造工程を模式的に
示す断面図である。導電性要素配列シート製造装置は、
シート製造装置２２、導電性要素配列装置２４、加熱加
圧装置２６、および搬送装置２８とを備える。

【００２４】シート製造装置２２において、液状の熱可
塑性樹脂は必要に応じて他の成分が添加され、所定の厚
みＴｈを有するシート状に成型され、さらに所定の大き
さに切断される。これによりシート１２（図３）が得ら
れる。シート１２はベルトコンベア等の搬送装置２８に
よりシート製造装置２２から加熱加圧装置２６へ搬送さ
れる。

【００２５】一方、導電性要素配列装置２４において、
所定のパターンに従って凹部が形成された転写板２４２
（図４）上に導電性要素１４が配列させられる。転写板
２４２は例えば金属板であり、この転写板２４２の一方
の表面、即ち上面２４２ｕにはレーザ等により半球形状
の凹部２４２ａが形成される。転写板２４２は支持手段
２４４により水平に支持され、このとき凹部２４２ａが
形成された上面２４２ｕが上方に向けられる。支持手段
２４４は転写板２４２を微少振動させることができる。

【００２６】水平に保持された転写板２４２の上面２４
２ｕには、少なくとも凹部の数より多い導電性要素１４
が蒔かれ、その後転写板２４２は微少振動させられる。
これにより転写板２４２の上面２４２ｕ上の導電性要素
１４は、凹部２４２ａに一部が収容されることにより位
置決めされるか、あるいは上面２４２ｕから転がり落ち
る。このようにして、凹部２４２ａの位置に対応して導
電性要素１４が配列される。導電性要素１４が配列され
た転写板２４２は、シート１２と同様、搬送装置２８に
より加熱加圧装置２６へ搬送される。

【００２７】加熱加圧装置２６は、例えば任意の温度に
設定可能な板状のヒートブロック２６２と、被加熱部材
を支持し、このヒートブロック２６２とにより被加熱部
材を挟む冷却台２６４とを備える。ヒートブロック２６
２の表面は、テフロンコート等が施され、これにより加
熱加圧時に樹脂であるシート１２がヒートブロック２６
２の表面に密着することが防止される。なお、ヒートブ
ロック２６２と冷却台２６４との位置を互いに入れ替え
てもよい。

【００２８】転写板２４２は冷却台２６４の所定位置に
水平に搭載される。シート１２は、図３の状態から反転
させた状態、即ち上面１２ｕが転写板２４２の上面２４
２ａに対向するように下方に向けられた状態で、転写板
２４２の上方に搬送される。シート１２は、転写板２４
２に対して位置決めされた後、転写板２４２上に重ねら
れる。

【００２９】ヒートブロック２６２によって、シート１
２のさらに上方から、シート１２を転写板２４２側（図
の白抜き矢印の方向）へ加圧すると共に、シート１２を
加熱することによりシート１２中の熱可塑性樹脂を熱軟
化させ、これにより導電性要素１４がシート１２中に埋
め込まれる。以上の工程により図１に示す導電性要素配
列シート１０が得られる。

【００３０】ヒートブロック２６２の加圧加熱により、
導電性要素１４はシート１２に強固に密着固定させられ
るので、転写板２４２上において遊嵌していた導電性要
素１４の位置が安定し、導電性要素１４の配列位置は高
精度に保たれる。また、ヒートブロック２６２の加熱温
度は、シート１２中の熱可塑性樹脂のガラス転移温度よ
り高く、かつ導電性要素１４の軟化・変形・変質を生じ
させない温度、例えば半田の融点である共晶点より低い
温度に設定される。従って、シート１２が軟化して変形
するので導電性要素１４は変形することがない。またシ
ート１２の上面１２ｕからの各導電性要素１４の突出量
を略均一にできる。

【００３１】図６および図７を参照して、図１に示す導
電性要素配列シート１０を用いた半導体パッケージの製
造について説明する。図６は導電性要素配列シート１０
の導電性要素１４を半導体素子５０に転写する工程を模
式的に示す図であり、図７はバンプである導電性要素１
４を介して半導体素子５０と回路基板７０とを接続した
半導体パッケージを示す図である。

【００３２】まず、半導体素子５０に導電性要素配列シ
ート１０の導電性要素１４が転写される。導電性要素配
列シート１０は冷却台２６４の所定位置に載置され、そ
の上方には半導体素子５０は図示しない支持手段により
所定の距離離れた位置に支持される。半導体素子５０の
下面５０ｂには所定のパターンに従った電極５２が形成
される。導電性要素配列シート１０は上述の処理により
形成されるが、このとき導電性要素１４は電極５２に対
応した位置に配列される。

【００３３】即ち、図示しないカメラ等により半導体素
子５０が導電性要素配列シート１０に対して位置決めさ
れ、このとき各電極５２はそれぞれ対応する導電性要素
１４と対向する。半導体素子５０は位置決めが行われた
後、導電性要素配列シート１０上に重ねられる。

【００３４】半導体素子５０が導電性要素配列シート１
０に載置された後、半導体素子５０がヒートブロック２
６２により加熱加圧される。なお加熱は公知のＩＲリフ
ロー装置（構成の説明は省略する）によって行ってもよ
い。このとき、ヒートブロック２６２の加熱温度は導電
性要素１４の融点より高く設定される。従って、加熱加
圧により導電性要素１４は電極５２に融着する。また、
ヒートブロック２６２の加熱温度は熱可塑性樹脂のガラ
ス転移温度より高いため、シート１２は、常温で反って
いたり変形していても、加熱加圧時には軟化する。従っ
て、導電性要素１４は転写時に略同一平面上にあり、転
写が常に正確に行われる。この加熱加圧処理の後、シー
ト１２は半導体素子５０から引剥がすことにより除去さ
れる。即ち、導電性要素１４のみが半導体素子５０に転
写される。

【００３５】半導体素子５０を導電性要素１４を介して
回路基板７０へ接続する装置として、公知のフリップチ
ップマウンタ（図示せず）が用いられる。フリップチッ
プマウンタにより、導電性要素１４を備えた半導体素子
５０が回路基板７０へ位置決めされ、その後半導体素子
５０の電極５２と回路基板７０の電極７２とが導電性要
素１４を介して接続される。

【００３６】この導電性要素付き半導体素子５０の下面
５０ｂは、回路基板７０の電極７２が形成された面７０
ｕに対向させられ、電極５２と対応する電極７２とが一
致するように、半導体素子５０は回路基板７０に対して
位置決めされた後、回路基板７０に重ねられる。なお回
路基板７０の電極７２は、半導体素子５０の電極パター
ンに対応して形成される。その後、図７に示すように、
半導体素子５０は回路基板７０に向かってヒートブロッ
ク２６２により加熱加圧され、あるいはＩＲリフロー装
置によって加熱され、これにより導電性要素１４が電極
７２へ融着する。なお、冷却台２６４の代わりにヒート
ブロックを設け、上方および下方の両側から加圧加熱を
行ってもよい。

【００３７】以上の処理により図７に示す半導体パッケ
ージが得られる。半導体素子５０の電極５２と回路基板
７０の電極７２とは、導電性要素１４により接続され
る、即ち半田付けされる。導電性要素１４は半導体パッ
ケージにおける半導体素子５０と回路基板７０とのバン
プの役割を果たす。

【００３８】以上のように、第１実施形態では、熱可塑
性樹脂を含むシート１２に導電性要素１４を所定のパタ
ーンに従って密着固定するため、半導体素子５０への導
電性要素１４の転写する際に導電性要素が位置ずれを起
こしたり、落下することがない。またシート１２は、常
温で反っていたり変形していても、転写時には熱により
軟化するので、転写が常に正確に行われる。このように
第１実施形態によると、半導体パッケージのバンプ形成
を容易かつ高精度に行うことを可能にする導電性要素配
列シートが得られる。

【００３９】図８および図９を参照して本発明の第２実
施形態について説明する。第２実施形態において、導電
性要素配列シート１１０は、シート１１２の下面１１２
ｂに金属箔１１６が設けられていること以外は、第１実
施形態と同様の構成および製造工程であり、同じ構成お
よび製造工程の説明は省略する。導電性要素配列シート
１０と同様の構成は、符号に１００が加算されて示され
る。

【００４０】シート製造装置において、金属箔１１６の
一方の面には熱可塑性樹脂の溶液が塗布された後乾燥さ
せられ、これにより金属箔付きのシート１１２が得られ
る。熱可塑性樹脂の溶液を金属箔に塗布する装置とし
て、公知のバーコータ、ドクターブレード、スピンコー
ティング等が使用される。これらの装置については説明
を省略する。

【００４１】金属箔１１６として、例えば銅箔、ニッケ
ル箔、ステンレス箔、チタン箔、アルミ箔が用いられ
る。シート１１２において、絶縁性樹脂層に金属箔１１
６を密着させることにより、加熱冷却時に絶縁性樹脂が
膨張収縮することが軽減され、またシート１１２が補強
される。

【００４２】図９に示すように、加熱加圧装置におい
て、金属箔１１６がヒートブロック２６２に対向するよ
うに、シート１１２は転写板２４２上に載置され、加熱
加圧される。この場合、金属箔１１６がヒートブロック
２６２に接するので、ヒートブロック２６２にテフロン
コート等の熱可塑性樹脂の接着を防止する構成を設けな
くてもよい。なお、ヒートブロック２６２を転写板２４
２の下面側に設け、加圧加熱を下方、即ち転写板２４２
に対向する絶縁性樹脂層側から行ってもよい。

【００４３】第２実施形態においても、シート１１２に
導電性要素１１４を密着固定するため、半導体素子への
導電性要素１１４の転写する際の導電性要素の位置ずれ
および落下が防止される。またシート１１２は、常温で
反っていたり変形していても、転写時には熱により軟化
するので、転写が常に正確に行われる。従って第１実施
形態と同様、第２実施形態の導電性要素配列シートによ
っても、半導体パッケージのバンプ形成を容易かつ高精
度に行うことができる。さらに、金属箔１１６を設ける
ことにより、シ−ト１１２の強度が向上し、膨張収縮に
よる変形が軽減される。

【００４４】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明する。以
下に示す表１、表２、および表３は実施例１〜３におい
て用いられたシート、転写板、および導電性要素の構成
をそれぞれ示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】〔実施例１〕表１に示す実施例シート１が
シートとして、表２に示す転写板１が導電性要素とし
て、また表３に示す実施例要素１が導電性要素として用
いられ、導電性要素配列シートが製造された。実施例シ
ート１に用いられる樹脂Ａは、ガラス転移温度が１４５
℃の熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂と、エポキ
シ樹脂との混合樹脂である。この樹脂Ａの溶液から厚み
１００μｍの実施例シート１が得られた。エッチングに
より、金属板の一方の面に直径２００μｍの、深さ５０
μｍの凹部が、５００μｍの間隔で格子状に形成され、
これにより転写板１が得られた

【００４９】実施例要素１として、共晶点１８３℃の半
田（錫４０％、鉛６０％）から形成された、直径１５０
μｍの半田ボール（千住金属工業株式会社製）が用いら
れた。この実施例要素１が転写板１上に蒔かれ、振動に
より各々の凹部に実施例要素１が配列された。

【００５０】実施例要素１が配列された転写板１は冷却
板に載置され、その上に実施例シート１が重ねられた。
ヒートブロックにより加熱加圧されることにより、実施
例要素１が実施例シート１に密着固定された。ヒートブ
ロックの加熱温度は１６０℃、加圧圧力は１２１半田ボ
ール当たり１〜５ｋｇｆであった。

【００５１】顕微鏡による観察と、公知の非接触測定装
置により、実施例要素１が実施例シート１の厚み方向に
おいて直径の約６割が実施例シート１中に密着固定され
たことが確認された。

【００５２】〔実施例２〕表１に示す実施例シート２、
表２に示す転写板２、および表３に示す実施例要素２が
用いられ、導電性要素配列シートが製造された。実施例
シート２に用いられる樹脂Ｂは、ガラス転移温度が１２
０℃の熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂のみであ
り、金属箔Ｃは厚み５０μｍのステンレス箔である。こ
の金属箔Ｃに樹脂Ｂの溶液が塗布され、乾燥されること
により、熱可塑性樹脂層の厚みが７５μｍの実施例シー
ト２が得られた。転写板２および実施例要素２は、それ
ぞれ転写板１および実施例要素１と同一であり、ここで
は説明を省略する。

【００５３】実施例要素２の実施例シート２上への転写
は、実施例１の場合と同様の手法で行われた。ただし、
転写板２の下方には冷却台の代わりにヒートブロックが
設けられ、実施例シート２および転写板２は２つのヒー
トブロックに挟まれて加熱加圧された。

【００５４】実施例１と同様の測定により、実施例要素
２は実施例シート２中に密着固定され、かつ実施例シー
ト２の厚み方向において実施例要素２の直径の約４割が
実施例シート２へ埋め込まれていたことが確認された。

【００５５】〔実施例３〕実施例シート３（表１）、転
写板３（表２）、および実施例要素３（表２）が用いら
れ、導電性要素配列シートが製造された。実施例シート
３は実施例シート２と同じ材質および厚みである。転写
板３は、金属板の一方の表面に直径１８０μｍ、深さ５
０μｍの円柱状の凹部が形成されることにより得られ
る。実施例要素３は直径１５０μｍ、高さ１００μｍの
円筒形状を呈しており、実施例２と同様の手法で、転写
板３に配列され、さらに実施例シート３へ転写された。

【００５６】実施例１、２と同様の測定により、実施例
要素３は実施例シート３中に密着固定され、かつ実施例
シート３の厚み方向において実施例要素３の高さの約４
〜５割が実施例シート３へ埋め込まれていたことが確認
された。

【００５７】〔実施例４〕実施例１において得られた導
電性要素配列シート、半導体素子および回路基板を用い
て、半導体パッケージを製造した。ただし、転写板の凹
部は格子状ではなく、半導体素子の電極パターンに対応
して形成された。回路基板の電極も半導体素子の電極パ
ターンに対応して形成された。冷却板の上には導電性要
素配列シートが載置され、その上に半導体素子が重ねら
れて、加圧加熱された。このとき凹部上の導電性要素
は、対応する半導体素子の電極に対向していた。シート
は加熱加圧後除去された。全ての導電性要素が半導体素
子の電極に転写され、これにより半導体素子のバンプが
得られた。

【００５８】上記のようにして得られた、導電性要素付
き半導体素子が、公知のフリップチップマウンタを用い
て、回路基板上に実装され、これにより半導体パッケー
ジが製造された。

【００５９】この半導体パッケージにおいて、公知の検
査法により、半導体素子の電極全てが回路基板の対応す
る電極と、電気的に接続されていることが確認された。

【００６０】以上のように、実施例１〜３のいずれにお
いても、導電性要素がシートに良好に接着することが確
認された。導電性要素の形状は真球でも円柱でもよい。
ただし、この場合転写板の凹部の形状が対応した形状、
即ち半球または円筒であることが好ましい。また実施例
４において、実施例１で得られた導電性要素配列シート
を用いると、半導体パッケージのバンプ形成が容易かつ
高精度に行うことができた。

【００６１】

【発明の効果】本発明の導電性要素配列シートによれ
ば、半導体素子および回路基板のバンプ形成が容易かつ
高精度に行え、半導体パッケージの生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態である導電性要素配列シ
ートを示す断面図である。

【図２】導電性要素配列シート製造装置の構成を示すブ
ロック図である。

【図３】シートを示す断面図である。

【図４】導電性要素が配列された転写板を示す図であ
る。

【図５】導電性要素をシートに転写する工程を模式的に
示す図である。

【図６】導電性要素を半導体素子に転写する工程を模式
的に示す図である。

【図７】導電性要素付きの半導体素子を回路基板に転写
する工程を模式的に示す図である。

【図８】本発明の第２実施形態である導電性要素配列シ
ートを示す断面図である。

【図９】導電性要素をシートに転写する工程を模式的に
示す図である。

【符号の説明】

１０ 導電性要素配列シート １２ シート １４ 導電性要素 ２２ シート製造装置 ２４ 導電性要素配列装置 ２６ 加熱加圧装置 ５０ 半導体素子 ５２、７２ 電極 ７０ 回路基板 ２４２ 転写板 ２４４ 保持手段 ２６２ ヒートブロック ２６４ 冷却台

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 信明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 仙波 直治 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層を備
   えたシートと、この絶縁層の一方の表面に一部が埋め込
   まれていることにより、前記シートの所定位置に固定さ
   れる導電性要素とを備えることを特徴とする導電性要素
   配列シート。
2. 【請求項２】 前記導電性要素が前記シートに対して剥
   離可能であることを特徴とする請求項１に記載の導電性
   要素配列シート。
3. 【請求項３】 前記シートにおいて、前記絶縁層の前記
   導電性要素が設けられていない面に、金属箔が密着して
   いることを特徴とする請求項１に記載の導電性要素配列
   シート。
4. 【請求項４】 前記導電性要素の形状が球であることを
   特徴とする請求項１に記載の導電性要素配列シート。
5. 【請求項５】 前記導電性要素の形状が円柱であること
   を特徴とする請求項１に記載の導電性要素配列シート。
6. 【請求項６】 前記熱可塑性樹脂が軟化し始める温度よ
   り、前記導電性要素が軟化し始める温度の方が高いこと
   を特徴とする導電性要素配列シート。
7. 【請求項７】 前記熱可塑性樹脂が、シリコーンで変性
   されたポリイミドであることを特徴とする請求項１に記
   載の導電性要素配列シート。
8. 【請求項８】 前記絶縁層の成分が、前記熱可塑性樹脂
   と熱硬化性樹脂とを含むことを特徴とする請求項１に記
   載の導電性要素配列シート。
9. 【請求項９】 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である
   ことを特徴とする請求項８に記載の導電性要素配列シー
   ト。
10. 【請求項１０】 表面に電極を備えた半導体素子と、前
    記半導体素子に対向し、前記半導体素子に対向する面
    に、前記半導体素子の電極に対応した電極を備えた回路
    基板と、前記半導体素子の電極と前記回路基板の電極と
    を接続する導電性要素とを備え、 この導電性要素が請求項１に記載の導電性要素配列シー
    トから前記半導体素子の電極に転写されることにより得
    られることを特徴とする半導体パッケージ。
11. 【請求項１１】 所定のパターンに従って導電性要素を
    転写板の一方の面に配列させる配列手段と、 熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層を備えたシートを製
    造するシート製造手段と、 前記絶縁層の一方の面を前記転写板の導電性要素が設け
    られた面に対向させ、前記絶縁層の前記転写板に対向す
    る面、あるいは前記転写板に対向する面とは反対側の面
    の少なくともどちらか一方の面側から加熱加圧すること
    により、前記導電性要素の一部を前記絶縁層に密着固定
    させる加熱加圧手段とを備えることを特徴とする導電性
    要素配列シート製造装置。
12. 【請求項１２】 前記シート製造手段が、前記シートの
    前記絶縁層の一方の面に金属箔を密着させ、 前記加熱加圧手段が、前記絶縁層の金属箔の設けられて
    いない面を前記導電性要素に対向させ、前記金属箔の前
    記絶縁層に密着する面とは反対側の面あるいは前記絶縁
    層の金属箔の設けられていない面の少なくともどちらか
    一方の面側から、加熱加圧を行うことを特徴とする請求
    項１１に記載の導電性要素配列シート製造装置。