JPH11307708A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH11307708A JPH11307708A JP10112920A JP11292098A JPH11307708A JP H11307708 A JPH11307708 A JP H11307708A JP 10112920 A JP10112920 A JP 10112920A JP 11292098 A JP11292098 A JP 11292098A JP H11307708 A JPH11307708 A JP H11307708A
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アウターリードの長さを長くして各部の熱膨
張係数の差に起因する半田の金属疲労を防止し、アウタ
ーリードの半田剥離が起こらないようにする。 【構成】 アウターリード１ａのリード長が従来のガル
ウイング形状のアウターリードより長くなるようにす
る。例えば、アウターリードを“Ｚ”字形状にし、樹脂
封止体１ｂの側面から第１の屈曲点までの長さが第３の
屈曲点からリード端部に至るまでの長さより長くなるよ
うにする。そして、各部の寸法及び角度１ｃ〜１ｈが、
従来のガルウイング型リードを有するフラットパッケー
ジの規格を満たしているようにする。
張係数の差に起因する半田の金属疲労を防止し、アウタ
ーリードの半田剥離が起こらないようにする。 【構成】 アウターリード１ａのリード長が従来のガル
ウイング形状のアウターリードより長くなるようにす
る。例えば、アウターリードを“Ｚ”字形状にし、樹脂
封止体１ｂの側面から第１の屈曲点までの長さが第３の
屈曲点からリード端部に至るまでの長さより長くなるよ
うにする。そして、各部の寸法及び角度１ｃ〜１ｈが、
従来のガルウイング型リードを有するフラットパッケー
ジの規格を満たしているようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型の半導体
装置に関し、特に、表面実装型の半導体装置のアウター
リードの構造に関する。
装置に関し、特に、表面実装型の半導体装置のアウター
リードの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を使用した携帯電話、ノート
型パーソナルコンピュータ等の電子装置におけるダウン
サイジングの潮流から、半導体装置の実装密度を向上さ
せるために、半導体装置自身のパッケージの小型化が要
求されている。この要求に応える半導体装置の従来例の
一つとして、フラットパッケージ型で薄型のＴＳＯＰ
（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）がある。図１１に従来のＴＳＯＰの斜視図を示
す。同図において、１１ａはアウターリード、１１ｂは
エポキシ樹脂等からなる樹脂封止体である。
型パーソナルコンピュータ等の電子装置におけるダウン
サイジングの潮流から、半導体装置の実装密度を向上さ
せるために、半導体装置自身のパッケージの小型化が要
求されている。この要求に応える半導体装置の従来例の
一つとして、フラットパッケージ型で薄型のＴＳＯＰ
（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）がある。図１１に従来のＴＳＯＰの斜視図を示
す。同図において、１１ａはアウターリード、１１ｂは
エポキシ樹脂等からなる樹脂封止体である。
【０００３】このような半導体装置は、一般的に、次の
ような手順で製造される。まず、半導体素子をリードフ
レームの半導体素子搭載部に接着し、その後、半導体素
子上に形成された電極（パッド）と、リードフレームの
インナーリード部とを、金線などのボンデイングワイヤ
で接続し、それらをエポキシ樹脂等の樹脂封止体によっ
て封止する。樹脂封止された半導体装置は、半田付けに
よってプリント基板等の実装基板上へ実装し易いよう
に、アウターリード表面に半田メッキ等が施される。次
に、リレドフレームの不要部分を切り離した後、アウタ
ーリードを所定の寸法で規定されるガルウイング形状に
加工する。最後に樹脂封止体の表面にマーキングを施し
て、半導体装置の組み立て工程が終了する。
ような手順で製造される。まず、半導体素子をリードフ
レームの半導体素子搭載部に接着し、その後、半導体素
子上に形成された電極（パッド）と、リードフレームの
インナーリード部とを、金線などのボンデイングワイヤ
で接続し、それらをエポキシ樹脂等の樹脂封止体によっ
て封止する。樹脂封止された半導体装置は、半田付けに
よってプリント基板等の実装基板上へ実装し易いよう
に、アウターリード表面に半田メッキ等が施される。次
に、リレドフレームの不要部分を切り離した後、アウタ
ーリードを所定の寸法で規定されるガルウイング形状に
加工する。最後に樹脂封止体の表面にマーキングを施し
て、半導体装置の組み立て工程が終了する。
【０００４】この工程によって製造された半導体装置
は、半田によってプリント基板等の実装基板上に実装さ
れる。リードフレームの樹脂封止体１１ｂより外部に導
出されたアウターリード１１ａは、樹脂封止体１１ｂの
内部でインナーリード（図示せず）とつながっており、
従って、半導体素子上に形成された電極は、ボンディン
グワイヤ、インナーリード、アウターリード１１ａを介
して実装基板上の配線に電気的に接続されることにな
る。図１２は、図１１に示したＴＳＯＰの樹脂封止体の
周辺部からアウターリードにかけての部分拡大断面図で
ある。樹脂封止体１１ｂより導出されるアウターリード
１１ａに関して、以下の５項目が規格により所定の寸
法、角度に規定されている。
は、半田によってプリント基板等の実装基板上に実装さ
れる。リードフレームの樹脂封止体１１ｂより外部に導
出されたアウターリード１１ａは、樹脂封止体１１ｂの
内部でインナーリード（図示せず）とつながっており、
従って、半導体素子上に形成された電極は、ボンディン
グワイヤ、インナーリード、アウターリード１１ａを介
して実装基板上の配線に電気的に接続されることにな
る。図１２は、図１１に示したＴＳＯＰの樹脂封止体の
周辺部からアウターリードにかけての部分拡大断面図で
ある。樹脂封止体１１ｂより導出されるアウターリード
１１ａに関して、以下の５項目が規格により所定の寸
法、角度に規定されている。
【０００５】１１ｃは、樹脂封止体１１ｂから、ガルウ
イング形状に加工されたアウターリード１１ａの終端部
までの水平距離を規定する項目である。１１ｄは、ガル
ウイング形状に加工されたアウターリード１１ａの底面
から、樹止封止体１１ｂの底面までの垂直距離を規定す
る項目である。１１ｅは、ガルウイング形状に加工され
たアウターリード１１ａの底面の平坦性（角度）を規定
する項目である。１１ｆは、ガルウイング形状に加工さ
れたアウターリード１１ａの第２の屈曲点から、アウタ
ーリードの終端部までの底面長さを規定する項目であ
る。１１ｇは、アウターリード１１ａの厚みを規定する
項目である。また、１１ｈは、直接アウターリード１１
ａの外形、寸法を規定するものではないが、アウターリ
ードの底面からみた樹脂封止体１１ｂの上面の高さを規
定する項目である。
イング形状に加工されたアウターリード１１ａの終端部
までの水平距離を規定する項目である。１１ｄは、ガル
ウイング形状に加工されたアウターリード１１ａの底面
から、樹止封止体１１ｂの底面までの垂直距離を規定す
る項目である。１１ｅは、ガルウイング形状に加工され
たアウターリード１１ａの底面の平坦性（角度）を規定
する項目である。１１ｆは、ガルウイング形状に加工さ
れたアウターリード１１ａの第２の屈曲点から、アウタ
ーリードの終端部までの底面長さを規定する項目であ
る。１１ｇは、アウターリード１１ａの厚みを規定する
項目である。また、１１ｈは、直接アウターリード１１
ａの外形、寸法を規定するものではないが、アウターリ
ードの底面からみた樹脂封止体１１ｂの上面の高さを規
定する項目である。
【０００６】而して、特開平２−１４５５８号公報によ
り、図１３、図１４に示されるように、封止樹脂２３よ
り導出され、ガルウイング形状に加工されたアウターリ
ード２２の遊端部２２ａを、半導体集積回路装置２１が
実装されるプリント基板２４から離反する方向に湾曲さ
せることが提案されている。アウターリード２２をこの
ように加工することにより、その遊端部２２ａにおいて
十分な“半田２５に対する濡れ”が得られ、半田付け強
度が確保できる、とされる。
り、図１３、図１４に示されるように、封止樹脂２３よ
り導出され、ガルウイング形状に加工されたアウターリ
ード２２の遊端部２２ａを、半導体集積回路装置２１が
実装されるプリント基板２４から離反する方向に湾曲さ
せることが提案されている。アウターリード２２をこの
ように加工することにより、その遊端部２２ａにおいて
十分な“半田２５に対する濡れ”が得られ、半田付け強
度が確保できる、とされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＴＳＯＰなどのように
小型化された半導体装置では、ガルウイング状に加工さ
れるアウターリードも極めて短く形成される。アウター
リードが短く形成された場合の問題点について以下に述
べる。半導体装置においては、樹脂封止体１１ｂ内に封
止された半導体素子の電気的な動作によって、半導体素
子自身が発熱する。半導体素子が発生した熱の一部は、
半導体素子を封止している樹脂封止体１１ｂを介して半
導体装置の周囲に直接放散される。他の一部は、半導体
素子の上に形成された電極からボンディングワイヤ、イ
ンナーリード、樹脂封止体１１ｂより導出されるアウタ
ーリード１１ａを介して、雰囲気中および半導体装置が
実装された実装基板上へ放散される。そして、この実装
基板はこの半導体装置および他の電子部品の発熱によっ
て加熱され、また、実装基板自身にパターニングされた
金属配線層を流れる電流によって発熱が起こる。
小型化された半導体装置では、ガルウイング状に加工さ
れるアウターリードも極めて短く形成される。アウター
リードが短く形成された場合の問題点について以下に述
べる。半導体装置においては、樹脂封止体１１ｂ内に封
止された半導体素子の電気的な動作によって、半導体素
子自身が発熱する。半導体素子が発生した熱の一部は、
半導体素子を封止している樹脂封止体１１ｂを介して半
導体装置の周囲に直接放散される。他の一部は、半導体
素子の上に形成された電極からボンディングワイヤ、イ
ンナーリード、樹脂封止体１１ｂより導出されるアウタ
ーリード１１ａを介して、雰囲気中および半導体装置が
実装された実装基板上へ放散される。そして、この実装
基板はこの半導体装置および他の電子部品の発熱によっ
て加熱され、また、実装基板自身にパターニングされた
金属配線層を流れる電流によって発熱が起こる。
【０００８】このような半導体装置や実装基板の発熱と
熱放散に伴い、樹脂封止体、アウターリード、および実
装基板は、わずかであるが伸長しまた収縮する。伸長と
収縮の長さは、樹脂封止体、アウターリードおよび実装
基板の線膨張係数の差および各部の温度によって、それ
ぞれ異なっている。
熱放散に伴い、樹脂封止体、アウターリード、および実
装基板は、わずかであるが伸長しまた収縮する。伸長と
収縮の長さは、樹脂封止体、アウターリードおよび実装
基板の線膨張係数の差および各部の温度によって、それ
ぞれ異なっている。
【０００９】そのため、半導体装置の発熱と放熱に伴っ
て、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板が、伸
長と収縮を繰り返すと半導体装置を実装基板に接続して
いる半田付けの接着強度が低下し、最悪の場合、半導体
装置アウターリードが実装基板から剥離する事故が発生
する。以上の半導体装置自身の発熱に起因する伸長と収
縮以外にも、半導体装置とこれが実装される実装基板が
設置あるいは放置されている環境の温度変化によって
も、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板は、わ
ずかであるが伸長または収縮する。前記説明と同様に、
これによってもあるいはこれと上記した半導体装置自身
の発熱／放熱の相乗効果により、アウターリードの半田
付けの接着強度が低下し、最悪の場合、アウターリード
が実装基板より剥離する事故が発生する。
て、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板が、伸
長と収縮を繰り返すと半導体装置を実装基板に接続して
いる半田付けの接着強度が低下し、最悪の場合、半導体
装置アウターリードが実装基板から剥離する事故が発生
する。以上の半導体装置自身の発熱に起因する伸長と収
縮以外にも、半導体装置とこれが実装される実装基板が
設置あるいは放置されている環境の温度変化によって
も、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板は、わ
ずかであるが伸長または収縮する。前記説明と同様に、
これによってもあるいはこれと上記した半導体装置自身
の発熱／放熱の相乗効果により、アウターリードの半田
付けの接着強度が低下し、最悪の場合、アウターリード
が実装基板より剥離する事故が発生する。
【００１０】ガルウイング形状に加工されたアウターリ
ード１１ａを有する従来のフラットパッケージ型半導体
装置においては、平面実装性を高くするために、半導体
装置の高さ、アウターリード１１ａの外形寸法をそれぞ
れ規定している前記１１ｃから１１ｈの値が、小さな値
に設定されている。特に、半導体装置側の第１の屈曲点
から第２の屈曲点に至るまでのリード長が短くなされて
いるため、上記した、半導体装置自身の発熱／放熱、お
よび／または、半導体装置と半導体装置が実装されてい
る実装基板が設置あるいは放置されている環境の温度変
化によって樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板
それぞれに生じる伸長／収縮の長さが相違することに対
して、アウターリード１１ａが、緩衝材としての機能を
十分に果たし得なくなってきている。その結果、半導体
装置を実装基板に接続している半田付けの接着強度が低
下し、最悪の場合、半導体装置のアウターリードが実装
基板より剥離する問題が一段と深刻になってきている。
ード１１ａを有する従来のフラットパッケージ型半導体
装置においては、平面実装性を高くするために、半導体
装置の高さ、アウターリード１１ａの外形寸法をそれぞ
れ規定している前記１１ｃから１１ｈの値が、小さな値
に設定されている。特に、半導体装置側の第１の屈曲点
から第２の屈曲点に至るまでのリード長が短くなされて
いるため、上記した、半導体装置自身の発熱／放熱、お
よび／または、半導体装置と半導体装置が実装されてい
る実装基板が設置あるいは放置されている環境の温度変
化によって樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板
それぞれに生じる伸長／収縮の長さが相違することに対
して、アウターリード１１ａが、緩衝材としての機能を
十分に果たし得なくなってきている。その結果、半導体
装置を実装基板に接続している半田付けの接着強度が低
下し、最悪の場合、半導体装置のアウターリードが実装
基板より剥離する問題が一段と深刻になってきている。
【００１１】また、図１３に示した特開平２−１４５５
８号公報に記載された従来例では、ガルウイング形状に
加工されたアウターリードの終端部を湾曲させているこ
とにより、半田付け自体の強度は高められているが、第
１の屈曲点から第２の屈曲点に至るまでのアウターリー
ドの長さが短いという点は図１２の従来例と変わらない
ため、アウターリードが、伸長と収縮に対する緩衝材と
して十分に機能せず、各部が伸長と収縮を繰り返すこと
によって半導体装置を実装基板に接続している半田付け
の接着強度が低下し、最悪の場合、半導体装置のアウタ
ーリードが実装基板より剥離するという問題点は、依然
として解決されていない。したがって、本発明の課題
は、上述した従来例の問題点を解決することであって、
その目的は、アウターリードが各部の伸長と収縮に対す
る緩衝材として十分に機能し得るようにすることであ
る。
８号公報に記載された従来例では、ガルウイング形状に
加工されたアウターリードの終端部を湾曲させているこ
とにより、半田付け自体の強度は高められているが、第
１の屈曲点から第２の屈曲点に至るまでのアウターリー
ドの長さが短いという点は図１２の従来例と変わらない
ため、アウターリードが、伸長と収縮に対する緩衝材と
して十分に機能せず、各部が伸長と収縮を繰り返すこと
によって半導体装置を実装基板に接続している半田付け
の接着強度が低下し、最悪の場合、半導体装置のアウタ
ーリードが実装基板より剥離するという問題点は、依然
として解決されていない。したがって、本発明の課題
は、上述した従来例の問題点を解決することであって、
その目的は、アウターリードが各部の伸長と収縮に対す
る緩衝材として十分に機能し得るようにすることであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、従来より
規定されている１１ｃないし１１ｈの６項目を全て遵守
した上で、アウターリードの樹脂封止体の側面から半田
付け部までの長さをより長くすることにより解決するこ
とができる。
規定されている１１ｃないし１１ｈの６項目を全て遵守
した上で、アウターリードの樹脂封止体の側面から半田
付け部までの長さをより長くすることにより解決するこ
とができる。
【００１３】
【作用】本発明によれば、樹脂封止体側面のアウターリ
ード導出部から半田付け部までのアウターリードの長さ
が、従来例の場合より長くなされているため、半導体装
置の発熱／放熱、および、半導体装置が実装される実装
基板が設置あるいは放置されている環境の温度変化等に
よって起こされる樹脂封止体、アウターリードおよび実
装基板それぞれの伸長／収縮長さが相違することに対し
て、アウターリードが緩衝材として機能するようにな
る。その結果、半導体装置を実装基板に接続している半
田付けの接続強度が低下することがなくなり、半導体装
置のアウターリードが実装基板より剥離する事故も回避
することができる。
ード導出部から半田付け部までのアウターリードの長さ
が、従来例の場合より長くなされているため、半導体装
置の発熱／放熱、および、半導体装置が実装される実装
基板が設置あるいは放置されている環境の温度変化等に
よって起こされる樹脂封止体、アウターリードおよび実
装基板それぞれの伸長／収縮長さが相違することに対し
て、アウターリードが緩衝材として機能するようにな
る。その結果、半導体装置を実装基板に接続している半
田付けの接続強度が低下することがなくなり、半導体装
置のアウターリードが実装基板より剥離する事故も回避
することができる。
【００１４】さらに、本発明によるアウターリードを有
する半導体装置の高さ、アウターリードの外形寸法は、
規格化されている従来からの半導体装置の高さ、アウタ
ーリードの外形寸法の規格値を全て満たしていることよ
り、本発明の半導体装置を、実装基板にパターニングさ
れた従来の電極部の配置を変えることなく、その電極部
に半田付けすることが可能であり、かつ、従来の半導体
装置の実装密度と同じ実装密度で、本発明の半導体装置
を実装することができる。
する半導体装置の高さ、アウターリードの外形寸法は、
規格化されている従来からの半導体装置の高さ、アウタ
ーリードの外形寸法の規格値を全て満たしていることよ
り、本発明の半導体装置を、実装基板にパターニングさ
れた従来の電極部の配置を変えることなく、その電極部
に半田付けすることが可能であり、かつ、従来の半導体
装置の実装密度と同じ実装密度で、本発明の半導体装置
を実装することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態の半導体装
置では、アウターリードが樹脂封止体に近い第１の屈曲
点と半田付け部に連なる第２の屈曲点の２つの屈曲点を
有し、樹脂封止体から第１の屈曲点に至るまでの長さ
が、第２の屈曲点からリード先端部に至るまでの長さよ
り長いことを特徴としている。この場合、アウターリー
ドの側面形状を“Ｚ”字状若しくは“コ”字状とするこ
とができる。他の実施の形態では、アウターリードが樹
脂封止体に近い第１の屈曲点と半田付け部に連なる第３
の屈曲点を含む３つの屈曲点を有し、第１の屈曲点にお
いてアウターリードが上方に向かって折り曲げられ、第
２の屈曲点において、アウターリードが鋭角に折り曲げ
られるか、若しくは、円弧状に（逆“Ｕ”字状に）折り
曲げられていることを特徴としている。更に、もう一つ
の実施の形態では、アウターリードが、４つ若しくはそ
れ以上の屈曲点を有している。更に、他の実施の形態で
は、アウターリードが、少なくとも１個の螺旋形状部を
有している。
置では、アウターリードが樹脂封止体に近い第１の屈曲
点と半田付け部に連なる第２の屈曲点の２つの屈曲点を
有し、樹脂封止体から第１の屈曲点に至るまでの長さ
が、第２の屈曲点からリード先端部に至るまでの長さよ
り長いことを特徴としている。この場合、アウターリー
ドの側面形状を“Ｚ”字状若しくは“コ”字状とするこ
とができる。他の実施の形態では、アウターリードが樹
脂封止体に近い第１の屈曲点と半田付け部に連なる第３
の屈曲点を含む３つの屈曲点を有し、第１の屈曲点にお
いてアウターリードが上方に向かって折り曲げられ、第
２の屈曲点において、アウターリードが鋭角に折り曲げ
られるか、若しくは、円弧状に（逆“Ｕ”字状に）折り
曲げられていることを特徴としている。更に、もう一つ
の実施の形態では、アウターリードが、４つ若しくはそ
れ以上の屈曲点を有している。更に、他の実施の形態で
は、アウターリードが、少なくとも１個の螺旋形状部を
有している。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示
す斜視図である。同図において、１ａはアウターリー
ド、１ｂはエポキシ樹脂等からなる樹脂封止体である。
リードフレームの樹脂封止体１ｂより外部に導出された
アウターリード１ａは、樹脂封止体１ｂの内部でインナ
ーリード（図示せず）とつながっている。すなわち、図
示されてはいないが、アウターリード１ａは、インナー
リード、ボンディングワイヤを介して半導体素子上に形
成された電極に接続されている。図２に、図１に示した
第１の実施例の半導体装置の樹脂封止体の端部からアウ
ターリードにかけての部分拡大断面図を示す。そして、
同図に、半導体装置の特にアウターリード１ａに係る、
寸法、角度を示す。本実施例の半導体装置と従来の半導
体装置とで、大きく異なる点を図２、図１２を参照して
説明する。
て詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示
す斜視図である。同図において、１ａはアウターリー
ド、１ｂはエポキシ樹脂等からなる樹脂封止体である。
リードフレームの樹脂封止体１ｂより外部に導出された
アウターリード１ａは、樹脂封止体１ｂの内部でインナ
ーリード（図示せず）とつながっている。すなわち、図
示されてはいないが、アウターリード１ａは、インナー
リード、ボンディングワイヤを介して半導体素子上に形
成された電極に接続されている。図２に、図１に示した
第１の実施例の半導体装置の樹脂封止体の端部からアウ
ターリードにかけての部分拡大断面図を示す。そして、
同図に、半導体装置の特にアウターリード１ａに係る、
寸法、角度を示す。本実施例の半導体装置と従来の半導
体装置とで、大きく異なる点を図２、図１２を参照して
説明する。
【００１７】本発明の第１の実施例の半導体装置におい
ては、樹脂封止体１ｂの側面から導出されたアウターリ
ード１ａは、樹脂封止体の側面から第１の屈曲点に至る
部分のアウターリードの長さが、第２の屈曲点から終端
部に至る部分のアウターリードの長さよりも長いＺ型の
形状に加工されている。このアウターリード１ａでは、
樹脂封止体１ｂの側面から第１の屈曲点までの長さを長
くし、そして第１の屈曲点の曲がりを鋭角にすることに
よってアウターリード１ａの長さを図１１、図１２に示
した従来例のアウターリード１１ａよりも長くしてい
る。
ては、樹脂封止体１ｂの側面から導出されたアウターリ
ード１ａは、樹脂封止体の側面から第１の屈曲点に至る
部分のアウターリードの長さが、第２の屈曲点から終端
部に至る部分のアウターリードの長さよりも長いＺ型の
形状に加工されている。このアウターリード１ａでは、
樹脂封止体１ｂの側面から第１の屈曲点までの長さを長
くし、そして第１の屈曲点の曲がりを鋭角にすることに
よってアウターリード１ａの長さを図１１、図１２に示
した従来例のアウターリード１１ａよりも長くしてい
る。
【００１８】さらに、本実施例の半導体装置において、
１ｃから１ｇで示されるアウターリードに係る寸法と角
度は、項目１１ｃから１１ｇにて規定されるアウターリ
ードに係る従来の規格値を全て満たしている。すなわ
ち、１ｃは、樹止封止体１ｂの側面からアウターリード
の先端部までの水平距離を示しており、その値は図１２
の従来の半導体装置で水平距離規定項目１１ｃとして規
定された規格値を満たしている。また、１ｄは、アウタ
ーリード１ａの底面から樹止封止体１ｂの底面までの垂
直距離を示しており、その値は図１２の従来の半導体装
置で垂直距離規定項目１１ｄとして規定された規格値を
満たしている。また、１ｅは、アウターリード１ａ底面
の水平面とのなす角度を示しており、その値は、図１２
の従来の半導体装置で平坦性規定項目１１ｅとして規定
された規格値を満たしている。また、１ｆは、アウター
リード１ａの第２の屈曲点からアウターリード１ａの終
端部までの長さを示しており、その値は、図１２の従来
の半導体装置で長さ規定項目１１ｆとして規定された規
格値を満たしている。また、１ｇは、アウターリードの
厚みを示しており、その値は、図１２の従来の半導体装
置で厚さ規定項目１１ｇとして規定された規格値を満た
している。また、半導体装置の高さ１ｈは、図１２の従
来の半導体装置で高さ規定項目１１ｈとして規定された
規格値を満たしている。
１ｃから１ｇで示されるアウターリードに係る寸法と角
度は、項目１１ｃから１１ｇにて規定されるアウターリ
ードに係る従来の規格値を全て満たしている。すなわ
ち、１ｃは、樹止封止体１ｂの側面からアウターリード
の先端部までの水平距離を示しており、その値は図１２
の従来の半導体装置で水平距離規定項目１１ｃとして規
定された規格値を満たしている。また、１ｄは、アウタ
ーリード１ａの底面から樹止封止体１ｂの底面までの垂
直距離を示しており、その値は図１２の従来の半導体装
置で垂直距離規定項目１１ｄとして規定された規格値を
満たしている。また、１ｅは、アウターリード１ａ底面
の水平面とのなす角度を示しており、その値は、図１２
の従来の半導体装置で平坦性規定項目１１ｅとして規定
された規格値を満たしている。また、１ｆは、アウター
リード１ａの第２の屈曲点からアウターリード１ａの終
端部までの長さを示しており、その値は、図１２の従来
の半導体装置で長さ規定項目１１ｆとして規定された規
格値を満たしている。また、１ｇは、アウターリードの
厚みを示しており、その値は、図１２の従来の半導体装
置で厚さ規定項目１１ｇとして規定された規格値を満た
している。また、半導体装置の高さ１ｈは、図１２の従
来の半導体装置で高さ規定項目１１ｈとして規定された
規格値を満たしている。
【００１９】図３は、本発明の第２の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード３ａ
の樹脂封止体３ｂの側面から第１の屈曲点までの長さ
は、水平距離の規格を示す項目１１ｃを満たす寸法にま
で延ばされ、そして、この樹脂封止体の側面から第１の
屈曲点に至る部分のアウターリードの長さが、第２の屈
曲点から終端部に至る部分のアウターリードの長さより
も長くなされ、アウターリードは全体で略“コ”の字形
状に加工されている。そして、本実施例の半導体装置に
おいて、３ｃから３ｇで示されるアウターリードに係る
寸法および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置
において項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウ
ターリードに係る寸法および角度の規格値を全て満たし
ている。さらに、半導体装置の高さ３ｈは、図１２の従
来の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満
たしている。
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード３ａ
の樹脂封止体３ｂの側面から第１の屈曲点までの長さ
は、水平距離の規格を示す項目１１ｃを満たす寸法にま
で延ばされ、そして、この樹脂封止体の側面から第１の
屈曲点に至る部分のアウターリードの長さが、第２の屈
曲点から終端部に至る部分のアウターリードの長さより
も長くなされ、アウターリードは全体で略“コ”の字形
状に加工されている。そして、本実施例の半導体装置に
おいて、３ｃから３ｇで示されるアウターリードに係る
寸法および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置
において項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウ
ターリードに係る寸法および角度の規格値を全て満たし
ている。さらに、半導体装置の高さ３ｈは、図１２の従
来の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満
たしている。
【００２０】図４は、本発明の第３の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード４ａ
は４つの屈曲点を有しており、アウターリード４ａの樹
脂封止体４ｂの側面から第１の屈曲点までの長さは、水
平距離規定項目１１ｃにて規定される規格値を満たす寸
法にまで延ばされ、そして、樹脂封止体４ｂの側面から
導出されたアウターリード４ａは、第１、第２、第３お
よび第４の屈曲点を経て終端部に至る略“己”の字形状
に加工されている。そして、本実施例の半導体装置にお
いて、４ｃから４ｇで示されるアウターリードに係る寸
法および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置に
おいて項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウタ
ーリードに係る寸法および角度の規格値を全て満たして
いる。さらに、半導体装置の高さ４ｈは、図１２の従来
の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満た
している。
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード４ａ
は４つの屈曲点を有しており、アウターリード４ａの樹
脂封止体４ｂの側面から第１の屈曲点までの長さは、水
平距離規定項目１１ｃにて規定される規格値を満たす寸
法にまで延ばされ、そして、樹脂封止体４ｂの側面から
導出されたアウターリード４ａは、第１、第２、第３お
よび第４の屈曲点を経て終端部に至る略“己”の字形状
に加工されている。そして、本実施例の半導体装置にお
いて、４ｃから４ｇで示されるアウターリードに係る寸
法および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置に
おいて項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウタ
ーリードに係る寸法および角度の規格値を全て満たして
いる。さらに、半導体装置の高さ４ｈは、図１２の従来
の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満た
している。
【００２１】図５は、本発明の第４の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例でも、アウターリード５ａ
は４つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点で上方に向
けて折り曲げられ、第２の屈曲点で水平に折り曲げら
れ、さらに第３の屈曲点において下方に向けて折り曲げ
られ、最後に第４の屈曲点において内側に向けて水平方
向に折り曲げられている。第２の屈曲点から第３の屈曲
点までのアウターリード５ａの上面は樹脂封止体５ｂの
上面と一致しており、そして、アウターリード５ａの樹
脂封止体５ｂの側面から第２の屈曲点までの水平距離５
ｃは、水平距離規定項目１１ｃにて規定される規格値を
満たす寸法になされている。そして、本実施例の半導体
装置において、５ｃから５ｇで示されるアウターリード
に係る寸法および角度の値は、図１２に示す従来の半導
体装置において項目１１ｃから１１ｇにて規定されてい
るアウターリードに係る寸法および角度の規格値を全て
満たしている。さらに、半導体装置の高さ５ｈは、図１
２の従来の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規
格を満たしている。
拡大断面図である。本実施例でも、アウターリード５ａ
は４つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点で上方に向
けて折り曲げられ、第２の屈曲点で水平に折り曲げら
れ、さらに第３の屈曲点において下方に向けて折り曲げ
られ、最後に第４の屈曲点において内側に向けて水平方
向に折り曲げられている。第２の屈曲点から第３の屈曲
点までのアウターリード５ａの上面は樹脂封止体５ｂの
上面と一致しており、そして、アウターリード５ａの樹
脂封止体５ｂの側面から第２の屈曲点までの水平距離５
ｃは、水平距離規定項目１１ｃにて規定される規格値を
満たす寸法になされている。そして、本実施例の半導体
装置において、５ｃから５ｇで示されるアウターリード
に係る寸法および角度の値は、図１２に示す従来の半導
体装置において項目１１ｃから１１ｇにて規定されてい
るアウターリードに係る寸法および角度の規格値を全て
満たしている。さらに、半導体装置の高さ５ｈは、図１
２の従来の半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規
格を満たしている。
【００２２】図６は、本発明の第５の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、３つの屈曲点を有
し、第１の屈曲点では、鈍角をもって上方へ向かって折
り曲げられ、第２の屈曲点では鋭角に下方へ折り曲げら
れ、第３の屈曲点で外側に水平方向に折り曲げられてい
る。そして、第２の屈曲点でのアウターリード６ａの高
さは、樹脂封止体６ｂの上面の高さと一致している。そ
して、本実施例の半導体装置において、６ｃから６ｇで
示されるアウターリードに係る寸法および角度の値は、
図１２に示す従来の半導体装置において項目１１ｃから
１１ｇにて規定されているアウターリードに係る寸法お
よび角度の規格値を全て満たしている。さらに、半導体
装置の高さ６ｈは、図１２の従来の半導体装置の高さを
規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
拡大断面図である。本実施例では、３つの屈曲点を有
し、第１の屈曲点では、鈍角をもって上方へ向かって折
り曲げられ、第２の屈曲点では鋭角に下方へ折り曲げら
れ、第３の屈曲点で外側に水平方向に折り曲げられてい
る。そして、第２の屈曲点でのアウターリード６ａの高
さは、樹脂封止体６ｂの上面の高さと一致している。そ
して、本実施例の半導体装置において、６ｃから６ｇで
示されるアウターリードに係る寸法および角度の値は、
図１２に示す従来の半導体装置において項目１１ｃから
１１ｇにて規定されているアウターリードに係る寸法お
よび角度の規格値を全て満たしている。さらに、半導体
装置の高さ６ｈは、図１２の従来の半導体装置の高さを
規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
【００２３】図７は、本発明の第６の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード７ａ
は４つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点で下方に向
けて垂直に折り曲げられ、第２の屈曲点で鋭角をもって
上方へ向けて折り曲げられ、さらに第３の屈曲点におい
て鋭角をもってかつ垂直方向に下方に向けて折り曲げら
れ、最後に第４の屈曲点において内側に向けて水平方向
に折り曲げられている。ここで、第３の屈曲点での高さ
は樹脂封止体７ｂの上面と一致しており、そして、アウ
ターリード７ａの樹脂封止体７ｂの側面から第３の屈曲
点に至るまでの水平距離７ｃは、水平距離規定項目１１
ｃにて規定される規格値を満たす寸法になされている。
そして、本実施例の半導体装置において、７ｄから７ｇ
で示されるアウターリードに係る寸法および角度の値
は、図１２に示す従来の半導体装置において項目１１ｄ
から１１ｇにて規定されているアウターリードに係る寸
法および角度の規格値を全て満たしている。さらに、半
導体装置の高さ７ｈは、図１２の従来の半導体装置の高
さを規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード７ａ
は４つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点で下方に向
けて垂直に折り曲げられ、第２の屈曲点で鋭角をもって
上方へ向けて折り曲げられ、さらに第３の屈曲点におい
て鋭角をもってかつ垂直方向に下方に向けて折り曲げら
れ、最後に第４の屈曲点において内側に向けて水平方向
に折り曲げられている。ここで、第３の屈曲点での高さ
は樹脂封止体７ｂの上面と一致しており、そして、アウ
ターリード７ａの樹脂封止体７ｂの側面から第３の屈曲
点に至るまでの水平距離７ｃは、水平距離規定項目１１
ｃにて規定される規格値を満たす寸法になされている。
そして、本実施例の半導体装置において、７ｄから７ｇ
で示されるアウターリードに係る寸法および角度の値
は、図１２に示す従来の半導体装置において項目１１ｄ
から１１ｇにて規定されているアウターリードに係る寸
法および角度の規格値を全て満たしている。さらに、半
導体装置の高さ７ｈは、図１２の従来の半導体装置の高
さを規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
【００２４】図８は、本発明の第７の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード８ａ
は３つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点において上
方に向けて垂直折り曲げられ、第２の屈曲点で逆“Ｕ”
字状に折り曲げられ、最後に第３の屈曲点において外側
に向けて水平方向に折り曲げられている。アウターリー
ド８ａの第２の屈曲点での高さは樹脂封止体８ｂの上面
と一致している。そして、本実施例の半導体装置におい
て、８ｃから８ｇで示されるアウターリードに係る寸法
および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置にお
いて項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウター
リードに係る寸法および角度の規格値を全て満たしてい
る。さらに、半導体装置の高さ８ｈは、図１２の従来の
半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たし
ている。
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード８ａ
は３つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点において上
方に向けて垂直折り曲げられ、第２の屈曲点で逆“Ｕ”
字状に折り曲げられ、最後に第３の屈曲点において外側
に向けて水平方向に折り曲げられている。アウターリー
ド８ａの第２の屈曲点での高さは樹脂封止体８ｂの上面
と一致している。そして、本実施例の半導体装置におい
て、８ｃから８ｇで示されるアウターリードに係る寸法
および角度の値は、図１２に示す従来の半導体装置にお
いて項目１１ｃから１１ｇにて規定されているアウター
リードに係る寸法および角度の規格値を全て満たしてい
る。さらに、半導体装置の高さ８ｈは、図１２の従来の
半導体装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たし
ている。
【００２５】図９は、本発明の第８の実施例を示す部分
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード９ａ
は３つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点において上
方に向けて垂直折り曲げられ、第２の屈曲点で逆“Ｕ”
字状に下方に向けて折り曲げられ、最後に第３の屈曲点
において内側に向けて水平方向に折り曲げられている。
アウターリード９ａの第２の屈曲点の最高点での高さは
樹脂封止体９ｂの高さと一致しており、そして、アウタ
ーリード９ａの樹脂封止体９ｂの側面から第２の屈曲点
の曲がり切った点までの水平距離９ｃは、水平距離規定
項目１１ｃにて規定された規格値を満たす寸法になされ
ている。そして、本実施例の半導体装置において、９ｃ
から９ｇで示されるアウターリードに係る寸法および角
度の値は、図１２に示す従来の半導体装置において項目
１１ｃから１１ｇにて規定されているアウターリードに
係る寸法および角度の規格値を全て満たしている。さら
に、半導体装置の高さ９ｈは、図１２の従来の半導体装
置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
拡大断面図である。本実施例では、アウターリード９ａ
は３つの屈曲点を有しており、第１の屈曲点において上
方に向けて垂直折り曲げられ、第２の屈曲点で逆“Ｕ”
字状に下方に向けて折り曲げられ、最後に第３の屈曲点
において内側に向けて水平方向に折り曲げられている。
アウターリード９ａの第２の屈曲点の最高点での高さは
樹脂封止体９ｂの高さと一致しており、そして、アウタ
ーリード９ａの樹脂封止体９ｂの側面から第２の屈曲点
の曲がり切った点までの水平距離９ｃは、水平距離規定
項目１１ｃにて規定された規格値を満たす寸法になされ
ている。そして、本実施例の半導体装置において、９ｃ
から９ｇで示されるアウターリードに係る寸法および角
度の値は、図１２に示す従来の半導体装置において項目
１１ｃから１１ｇにて規定されているアウターリードに
係る寸法および角度の規格値を全て満たしている。さら
に、半導体装置の高さ９ｈは、図１２の従来の半導体装
置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たしている。
【００２６】図１０は、本発明の第９の実施例を示す部
分拡大側面図である。本実施例では、２つの屈曲点と２
つの螺旋形状部とを有している。すなわち、アウターリ
ード１０ａは、第１の屈曲点において上方に向けて折り
曲げられ、２つの螺旋形状部を経て垂直に垂下した後、
第２の屈曲点にて内側に向けて水平に折り曲げられてい
る。そして、アウターリード１０ａの螺旋形状部での最
高点の高さが樹脂封止体１０ｂの表面高さと一致してお
り、またアウターリード１０ａの樹脂封止体側面から垂
直垂下部までの水平距離１０ｃは、水平距離規定項目１
１ｃにて規定された規格値を満たす寸法になされてい
る。そして、本実施例の半導体装置において、１０ｃか
ら１０ｇで示されるアウターリードに係る寸法および角
度の値は、図１２に示す従来の半導体装置において項目
１１ｃから１１ｇにて規定されているアウターリードに
係る寸法および角度の規格値を全て満たしている。さら
に、半導体装置の高さ１０ｈは、図１２の従来の半導体
装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たしてい
る。
分拡大側面図である。本実施例では、２つの屈曲点と２
つの螺旋形状部とを有している。すなわち、アウターリ
ード１０ａは、第１の屈曲点において上方に向けて折り
曲げられ、２つの螺旋形状部を経て垂直に垂下した後、
第２の屈曲点にて内側に向けて水平に折り曲げられてい
る。そして、アウターリード１０ａの螺旋形状部での最
高点の高さが樹脂封止体１０ｂの表面高さと一致してお
り、またアウターリード１０ａの樹脂封止体側面から垂
直垂下部までの水平距離１０ｃは、水平距離規定項目１
１ｃにて規定された規格値を満たす寸法になされてい
る。そして、本実施例の半導体装置において、１０ｃか
ら１０ｇで示されるアウターリードに係る寸法および角
度の値は、図１２に示す従来の半導体装置において項目
１１ｃから１１ｇにて規定されているアウターリードに
係る寸法および角度の規格値を全て満たしている。さら
に、半導体装置の高さ１０ｈは、図１２の従来の半導体
装置の高さを規定する項目１１ｈの規格を満たしてい
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、表面実
装型の半導体装置において、アウターリードが、従来の
ガルウイング型のアウターリードの寸法規格を満たしつ
つ従来のガルウイング型のアウターリードより長い長さ
を持つようにしたものであるので、半導体装置の電気的
な動作によって引き起こされる発熱と放熱、および／ま
たは、半導体装置と半導体装置が実装される実装基板が
設置あるいは放置されている環境の温度変化によって起
こされる、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板
それぞれの伸長／収縮の長さが相違することに対して、
アウターリードを十分な緩衝材として機能させることが
可能になる。そのため、半導体装置を実装基板に接続し
ている半田の接着強度が低下することがなくなり、半導
体装置が実装基板より剥離する事故を防止することが可
能になる。そして、本発明に係るアウターリードは、半
導体装置に係る従来の規格を全て満たしているので、実
装基板に変更を加えることなく、また、実装密度を犠牲
にすることなく上記の効果を得ることができる。
装型の半導体装置において、アウターリードが、従来の
ガルウイング型のアウターリードの寸法規格を満たしつ
つ従来のガルウイング型のアウターリードより長い長さ
を持つようにしたものであるので、半導体装置の電気的
な動作によって引き起こされる発熱と放熱、および／ま
たは、半導体装置と半導体装置が実装される実装基板が
設置あるいは放置されている環境の温度変化によって起
こされる、樹脂封止体、アウターリードおよび実装基板
それぞれの伸長／収縮の長さが相違することに対して、
アウターリードを十分な緩衝材として機能させることが
可能になる。そのため、半導体装置を実装基板に接続し
ている半田の接着強度が低下することがなくなり、半導
体装置が実装基板より剥離する事故を防止することが可
能になる。そして、本発明に係るアウターリードは、半
導体装置に係る従来の規格を全て満たしているので、実
装基板に変更を加えることなく、また、実装密度を犠牲
にすることなく上記の効果を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図。
【図２】本発明の第１の実施例の部分拡大断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の部分拡大断面図。
【図４】本発明の第３の実施例の部分拡大断面図。
【図５】本発明の第４の実施例の部分拡大断面図。
【図６】本発明の第５の実施例の部分拡大断面図。
【図７】本発明の第６の実施例の部分拡大断面図。
【図８】本発明の第７の実施例の部分拡大断面図。
【図９】本発明の第８の実施例の部分拡大断面図。
【図１０】本発明の第９の実施例の部分拡大側面図。
【図１１】従来のＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視図。
ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視図。
【図１２】従来のＴＳＯＰの部分拡大断面図。
【図１３】特開平２−１４５５８号公報で提案された半
導体集積回路装置の斜視図。
導体集積回路装置の斜視図。
【図１４】特開平２−１４５５８号公報で提案された半
導体集積路装置をプリント基板に半田によって実装した
状態を示す部分拡大断面図。
導体集積路装置をプリント基板に半田によって実装した
状態を示す部分拡大断面図。
１ａ、３ａ、４ａ、５ａ、６ａ、７ａ、８ａ、９ａ、１
１ａ アウターリード １ｂ、３ｂ、４ｂ、５ｂ、６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂ、１
１ｂ 樹脂封止体 １ｃ、３ｃ、４ｃ、５ｃ、６ｃ、７ｃ、８ｃ、９ｃ 水
平距離 １ｄ、３ｄ、４ｄ、５ｄ、６ｄ、７ｄ、８ｄ、９ｄ 垂
直距離 １ｅ、３ｅ、４ｅ、５ｅ、６ｅ、７ｅ、８ｅ、９ｅ 角
度 １ｆ、３ｆ、４ｆ、５ｆ、６ｆ、７ｆ、８ｆ、９ｆ 底
面長さ １ｇ、３ｇ、４ｇ、５ｇ、６ｇ、７ｇ、８ｇ、９ｇ 厚
さ １ｈ、３ｈ、４ｈ、５ｈ、６ｈ、７ｈ、８ｈ、９ｈ 高
さ １１ｃ 水平距離規定項目 １１ｄ 垂直距離規定項目 １１ｅ 平坦性規定項目 １１ｆ 底面長さ規定項目 １１ｇ 厚さ規定項目 １１ｈ 高さ規定項目 ２１ 半導体集積回路装置 ２２ アウターリード ２２ａ 遊端部 ２３ 封止樹脂 ２４ プリント基板 ２５ 半田
１ａ アウターリード １ｂ、３ｂ、４ｂ、５ｂ、６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂ、１
１ｂ 樹脂封止体 １ｃ、３ｃ、４ｃ、５ｃ、６ｃ、７ｃ、８ｃ、９ｃ 水
平距離 １ｄ、３ｄ、４ｄ、５ｄ、６ｄ、７ｄ、８ｄ、９ｄ 垂
直距離 １ｅ、３ｅ、４ｅ、５ｅ、６ｅ、７ｅ、８ｅ、９ｅ 角
度 １ｆ、３ｆ、４ｆ、５ｆ、６ｆ、７ｆ、８ｆ、９ｆ 底
面長さ １ｇ、３ｇ、４ｇ、５ｇ、６ｇ、７ｇ、８ｇ、９ｇ 厚
さ １ｈ、３ｈ、４ｈ、５ｈ、６ｈ、７ｈ、８ｈ、９ｈ 高
さ １１ｃ 水平距離規定項目 １１ｄ 垂直距離規定項目 １１ｅ 平坦性規定項目 １１ｆ 底面長さ規定項目 １１ｇ 厚さ規定項目 １１ｈ 高さ規定項目 ２１ 半導体集積回路装置 ２２ アウターリード ２２ａ 遊端部 ２３ 封止樹脂 ２４ プリント基板 ２５ 半田
Claims (8)
- 【請求項１】 表面実装型の半導体装置において、アウ
ターリードが、ガルウイング形状のアウターリードを有
する半導体装置のアウターリードに係る寸法規格を満た
すと共に、アウターリードのリード長が、鈍角の２つの
屈曲点を有するガルウイング状のアウターリードのリー
ド長より長いことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 アウターリードが樹脂封止体に近い第１
の屈曲点と半田付け部に連なる第２の屈曲点の２つの屈
曲点を有し、樹脂封止体から第１の屈曲点に至るまでの
長さが、第２の屈曲点からリード先端部に至るまでの長
さより長いことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 アウターリードの断面形状が、“Ｚ”字
状若しくは“コ”字状をなしていることを特徴とする請
求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 アウターリードが樹脂封止体に近い第１
の屈曲点と半田付け部に連なる第３の屈曲点を含む３つ
の屈曲点を有し、第１の屈曲点においてアウターリード
が上方に向かって折り曲げられていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 第３の屈曲点において、アウターリード
が内側に向かって折り曲げられていることを特徴とする
請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 第２の屈曲点において、アウターリード
が鋭角に折り曲げられるか、若しくは、円弧状に折り曲
げられていることを特徴とする請求項４または５記載の
半導体装置。 - 【請求項７】 アウターリードが、４つ若しくはそれ以
上の屈曲点を有していることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項８】 アウターリードが、少なくとも１個の螺
旋形状部を有していることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。
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| JP10112920A JPH11307708A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体装置 |
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| JP10112920A JPH11307708A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体装置 |
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| JPH11307708A true JPH11307708A (ja) | 1999-11-05 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671268B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-01-19 | 삼성전자주식회사 | Ｚ자형 외부리드를 구비하는 반도체 패키지 및 이를 이용한패키지 적층 구조와 방법 |
| JP2009297904A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 液体噴射装置 |
| US7868447B2 (en) | 2008-03-06 | 2011-01-11 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image sensing apparatus and package of same |
| JP2016149441A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770184B1 (en) | 2001-02-13 | 2004-08-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated de-ionized water pressure monitoring system for solder plating machines |
| US7057273B2 (en) * | 2001-05-15 | 2006-06-06 | Gem Services, Inc. | Surface mount package |
| US20060008939A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Abnet Chen | Image sensor package |
| KR20090059391A (ko) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | 삼성전자주식회사 | 패키지 구조 및 그의 제조 방법 |
| WO2009153850A1 (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-23 | 三菱電機株式会社 | 車両用交流発電機の整流装置 |
| KR101722100B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2017-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 모듈 및 이를 포함하는 광 공급 어셈블리 |
| GB2505634B (en) * | 2012-05-04 | 2020-03-04 | Nidec Control Techniques Ltd | Component leg arrangement |
| DE102014100110A1 (de) * | 2014-01-07 | 2015-07-09 | Infineon Technologies Ag | Package mit Anschlusspins mit lateralem Umkehrpunkt und lateral freigelegtem freien Ende |
| CN103956423A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-07-30 | 安徽红叶节能电器科技有限公司 | 一种功率led热电分离封装结构及方法 |
| US9647363B2 (en) * | 2014-09-19 | 2017-05-09 | Intel Corporation | Techniques and configurations to control movement and position of surface mounted electrical devices |
| CN105702835A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-22 | 格力电器（合肥）有限公司 | 极管及发光设备 |
| CN107221524B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-07-23 | 西安微电子技术研究所 | 一种针对底部引出器件非倒置成形的工艺方法 |
| CN113414314B (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-19 | 常州协和光电器件有限公司 | 线路板总成用折线机及其工作方法 |
| JP2023037195A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | Tdk株式会社 | 金属端子付き電子部品、接続構造体、及び接続構造体の製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214558A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH03101156A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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| JPH04261054A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージのリード |
| JPH04343257A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路のパッケージ |
| JPH05144996A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Toshiba Corp | 表面実装型半導体装置 |
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| JPH05206361A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH05315520A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Sony Corp | 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 |
| JP3416172B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2003-06-16 | エフ・ディ−・ケイ株式会社 | 電気二重層コンデンサの製造方法 |
| JPH06163791A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Kawasaki Steel Corp | リード端子付表面実装部品 |
| JPH0831686A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Eng Ltd | 電気部品、そのリード、及び、リードの取付方法 |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP10112920A patent/JPH11307708A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-05 US US09/285,681 patent/US6114759A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671268B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-01-19 | 삼성전자주식회사 | Ｚ자형 외부리드를 구비하는 반도체 패키지 및 이를 이용한패키지 적층 구조와 방법 |
| US7868447B2 (en) | 2008-03-06 | 2011-01-11 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image sensing apparatus and package of same |
| JP2009297904A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 液体噴射装置 |
| JP2016149441A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| US10886199B1 (en) | 2019-07-17 | 2021-01-05 | Infineon Technologies Ag | Molded semiconductor package with double-sided cooling |
| US11302613B2 (en) | 2019-07-17 | 2022-04-12 | Infineon Technologies Ag | Double-sided cooled molded semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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