JPH11306708A - 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク装置 - Google Patents
浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク装置Info
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- JPH11306708A JPH11306708A JP10141052A JP14105298A JPH11306708A JP H11306708 A JPH11306708 A JP H11306708A JP 10141052 A JP10141052 A JP 10141052A JP 14105298 A JP14105298 A JP 14105298A JP H11306708 A JPH11306708 A JP H11306708A
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- Japan
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- disk
- head element
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- Pending
Links
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドスライダの姿勢変化が予想される場合
でも、ヘッドスライダに支持されるヘッド素子を可能な
限りディスク面に近づけることができる浮上ヘッドスラ
イダを提供する。 【解決手段】 浮上ヘッドスライダ１５には、磁気ヘッ
ド素子が埋め込まれるアウターレール２６ｂのＡＢＳ面
に切り欠き３６が形成される。浮上ヘッドスライダ１５
がディスク面１２から浮上すると、保護膜２２がディス
ク面１２に最接近した前傾姿勢を呈する。このとき、浮
上ヘッドスライダ１５がロール角Ｂでロールしても、切
り欠き３６によって保護膜２２がディスク面１２に接近
しない。その結果、ディスク面１２に磁気ヘッド素子を
極力接近させることが可能となる。
でも、ヘッドスライダに支持されるヘッド素子を可能な
限りディスク面に近づけることができる浮上ヘッドスラ
イダを提供する。 【解決手段】 浮上ヘッドスライダ１５には、磁気ヘッ
ド素子が埋め込まれるアウターレール２６ｂのＡＢＳ面
に切り欠き３６が形成される。浮上ヘッドスライダ１５
がディスク面１２から浮上すると、保護膜２２がディス
ク面１２に最接近した前傾姿勢を呈する。このとき、浮
上ヘッドスライダ１５がロール角Ｂでロールしても、切
り欠き３６によって保護膜２２がディスク面１２に接近
しない。その結果、ディスク面１２に磁気ヘッド素子を
極力接近させることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ（ＨＤＤ）に代表される記録ディスク装置に用い
られる浮上ヘッドに関し、特に、ディスク面に対して姿
勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディスク回転
時にスライダ本体に沿って発生する気流の下流側でスラ
イダ本体端面に支持されるヘッド素子とを備える浮上ヘ
ッドスライダに関する。
ライブ（ＨＤＤ）に代表される記録ディスク装置に用い
られる浮上ヘッドに関し、特に、ディスク面に対して姿
勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディスク回転
時にスライダ本体に沿って発生する気流の下流側でスラ
イダ本体端面に支持されるヘッド素子とを備える浮上ヘ
ッドスライダに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＨＤＤでは、磁気ディスク面に接
触せずに磁気ディスク面の磁界の向きを変更させたり磁
界の向きを検出したりする浮上ヘッドが広く用いられて
いる。こうした浮上ヘッドでは、回転する磁気ディスク
の表面に発生する気流がヘッドスライダを浮上させる。
ヘッドスライダの浮上量が小さければ小さいほど、ヘッ
ドスライダに搭載された磁気ヘッド素子がディスク面に
接近し、高密度の情報記録を実現することができる。
触せずに磁気ディスク面の磁界の向きを変更させたり磁
界の向きを検出したりする浮上ヘッドが広く用いられて
いる。こうした浮上ヘッドでは、回転する磁気ディスク
の表面に発生する気流がヘッドスライダを浮上させる。
ヘッドスライダの浮上量が小さければ小さいほど、ヘッ
ドスライダに搭載された磁気ヘッド素子がディスク面に
接近し、高密度の情報記録を実現することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】浮上ヘッドでは、例え
ば特開平９−２９３２２３号公報に開示されるように、
磁気ヘッド素子が保護膜によって覆われる。したがっ
て、浮上したヘッドスライダの姿勢が変化すると、磁気
ヘッド素子よりも保護膜がディスク面に接近してしまう
ことがある。こうした姿勢変化時に保護膜がディスク面
に衝突することを回避するには、姿勢変化時に保護膜が
過度にディスク面に接近することを考慮して、ヘッドス
ライダの浮上量に余分なマージンを設定しなければなら
ない。その結果、ヘッドスライダが良好な姿勢を保持し
ている場合でも、マージンの大きさだけ磁気ヘッド素子
がディスク面から遠ざかってしまうことになる。
ば特開平９−２９３２２３号公報に開示されるように、
磁気ヘッド素子が保護膜によって覆われる。したがっ
て、浮上したヘッドスライダの姿勢が変化すると、磁気
ヘッド素子よりも保護膜がディスク面に接近してしまう
ことがある。こうした姿勢変化時に保護膜がディスク面
に衝突することを回避するには、姿勢変化時に保護膜が
過度にディスク面に接近することを考慮して、ヘッドス
ライダの浮上量に余分なマージンを設定しなければなら
ない。その結果、ヘッドスライダが良好な姿勢を保持し
ている場合でも、マージンの大きさだけ磁気ヘッド素子
がディスク面から遠ざかってしまうことになる。
【０００４】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、ヘッドスライダの姿勢変化が予想される場合でも、
ヘッドスライダに支持されるヘッド素子を可能な限りデ
ィスク面に近づけることができる浮上ヘッドスライダを
提供することを目的とする。
で、ヘッドスライダの姿勢変化が予想される場合でも、
ヘッドスライダに支持されるヘッド素子を可能な限りデ
ィスク面に近づけることができる浮上ヘッドスライダを
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１発明によれば、ディスク面に対して姿勢変化可
能に支持されるスライダ本体と、ディスク回転時にスラ
イダ本体に沿って発生する気流の下流側でスライダ本体
端面に支持されるヘッド素子と、スライダ本体端面に形
成されてヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ本
体および保護膜の境界より前記下流側で保護膜のＡＢＳ
面に切り欠きが形成されることを特徴とする浮上ヘッド
スライダが提供される。
に、第１発明によれば、ディスク面に対して姿勢変化可
能に支持されるスライダ本体と、ディスク回転時にスラ
イダ本体に沿って発生する気流の下流側でスライダ本体
端面に支持されるヘッド素子と、スライダ本体端面に形
成されてヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ本
体および保護膜の境界より前記下流側で保護膜のＡＢＳ
面に切り欠きが形成されることを特徴とする浮上ヘッド
スライダが提供される。
【０００６】また、第２発明によれば、ディスク面に対
して姿勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディス
ク面に対向する浮上面に配列される２筋のレールと、デ
ィスク回転時にスライダ本体に沿って発生する気流の下
流側で少なくとも１筋のレール端面に支持されるヘッド
素子と、レール端面に形成されてヘッド素子を覆う保護
膜とを備え、スライダ本体および保護膜の境界より前記
下流側で保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成されること
を特徴とする浮上ヘッドスライダが提供される。
して姿勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディス
ク面に対向する浮上面に配列される２筋のレールと、デ
ィスク回転時にスライダ本体に沿って発生する気流の下
流側で少なくとも１筋のレール端面に支持されるヘッド
素子と、レール端面に形成されてヘッド素子を覆う保護
膜とを備え、スライダ本体および保護膜の境界より前記
下流側で保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成されること
を特徴とする浮上ヘッドスライダが提供される。
【０００７】第１および第２発明のいずれの浮上ヘッド
スライダを用いても、スライダ本体の姿勢が変化する際
にヘッド素子よりもディスクに近づいてしまう保護膜の
大きさが切り欠きによって最小限に抑えられる。その結
果、スライダ本体の姿勢変化を考慮しても、ヘッド素子
を可能な限りディスクのディスク面に接近させることが
可能となる。しかも、スライダ本体および保護膜の境界
で切り欠きが途切れるので、スライダ本体を削り取るこ
とがなく、ＡＢＳ面が発生すべき浮上力に大きな変化を
生じさせることもない。
スライダを用いても、スライダ本体の姿勢が変化する際
にヘッド素子よりもディスクに近づいてしまう保護膜の
大きさが切り欠きによって最小限に抑えられる。その結
果、スライダ本体の姿勢変化を考慮しても、ヘッド素子
を可能な限りディスクのディスク面に接近させることが
可能となる。しかも、スライダ本体および保護膜の境界
で切り欠きが途切れるので、スライダ本体を削り取るこ
とがなく、ＡＢＳ面が発生すべき浮上力に大きな変化を
生じさせることもない。
【０００８】前記切り欠きは、前記ヘッド素子から離れ
るに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保護膜端面からの
深さを大きくさせることが望ましい。その結果、スライ
ダ本体がロール（気流方向に沿った軸回りで回転）して
も、常時、保護膜とディスク面との間に良好な間隔を持
たせることができる。
るに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保護膜端面からの
深さを大きくさせることが望ましい。その結果、スライ
ダ本体がロール（気流方向に沿った軸回りで回転）して
も、常時、保護膜とディスク面との間に良好な間隔を持
たせることができる。
【０００９】前記スライダ本体は、スライダ本体のＡＢ
Ｓ面に、ディスク面とスライダ本体との吸着を防止する
吸着防止突起を備えてもよい。こうした吸着防止突起を
備える場合、吸着防止突起とディスク面との衝突を回避
するために、浮上ヘッドスライダを前傾させたりロール
させたりすることが求められる。したがって、こうした
場合に本発明に係る切り欠きは特に良好な効果を発揮す
ることができる。
Ｓ面に、ディスク面とスライダ本体との吸着を防止する
吸着防止突起を備えてもよい。こうした吸着防止突起を
備える場合、吸着防止突起とディスク面との衝突を回避
するために、浮上ヘッドスライダを前傾させたりロール
させたりすることが求められる。したがって、こうした
場合に本発明に係る切り欠きは特に良好な効果を発揮す
ることができる。
【００１０】さらに、第３発明によれば、ディスク面に
対して姿勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディ
スク面に対向する浮上面に配列される２筋のレールと、
ディスク回転時にスライダ本体に沿って発生する気流の
下流側で少なくとも１筋のレール端面に支持されるヘッ
ド素子と、２筋のレール端面を含むスライダ本体端面に
形成されてヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ
本体および保護膜の境界より前記下流側で前記２筋のレ
ールでは保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成されること
を特徴とする浮上ヘッドスライダが提供される。
対して姿勢変化可能に支持されるスライダ本体と、ディ
スク面に対向する浮上面に配列される２筋のレールと、
ディスク回転時にスライダ本体に沿って発生する気流の
下流側で少なくとも１筋のレール端面に支持されるヘッ
ド素子と、２筋のレール端面を含むスライダ本体端面に
形成されてヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ
本体および保護膜の境界より前記下流側で前記２筋のレ
ールでは保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成されること
を特徴とする浮上ヘッドスライダが提供される。
【００１１】かかる浮上ヘッドスライダによれば、スラ
イダ本体の姿勢変化だけでなく、スライダ本体のそりと
いった要因による浮上量変化の影響をできる限り抑制さ
せることができる。例えば、スライダ本体の正ぞりによ
ってスライダ本体幅方向の外側で浮上量が大きい場合、
前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平面を形成す
る２つのレール内側面に臨めばよい。その結果、正ぞり
の影響によってヘッド素子よりもディスクに近づいてし
まうスライダ本体幅方向内側の保護膜の大きさが切り欠
きによって最小限に抑えられる。その結果、スライダ本
体の正ぞりを考慮しても、ヘッド素子を可能な限りディ
スクのディスク面に接近させることが可能となる。しか
も、スライダ本体および保護膜の境界で切り欠きが途切
れるので、スライダ本体を削り取ることがなく、ＡＢＳ
面が発生すべき浮上力に大きな変化を生じさせることも
ない。こうした場合、前記切り欠きは、前記スライダ本
体の内側に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保
護膜端面からの深さを大きくさせることが望ましい。
イダ本体の姿勢変化だけでなく、スライダ本体のそりと
いった要因による浮上量変化の影響をできる限り抑制さ
せることができる。例えば、スライダ本体の正ぞりによ
ってスライダ本体幅方向の外側で浮上量が大きい場合、
前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平面を形成す
る２つのレール内側面に臨めばよい。その結果、正ぞり
の影響によってヘッド素子よりもディスクに近づいてし
まうスライダ本体幅方向内側の保護膜の大きさが切り欠
きによって最小限に抑えられる。その結果、スライダ本
体の正ぞりを考慮しても、ヘッド素子を可能な限りディ
スクのディスク面に接近させることが可能となる。しか
も、スライダ本体および保護膜の境界で切り欠きが途切
れるので、スライダ本体を削り取ることがなく、ＡＢＳ
面が発生すべき浮上力に大きな変化を生じさせることも
ない。こうした場合、前記切り欠きは、前記スライダ本
体の内側に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保
護膜端面からの深さを大きくさせることが望ましい。
【００１２】その一方で、例えば、スライダ本体の逆ぞ
りによってスライダ本体幅方向の内側で浮上量が大きい
場合、前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平面を
形成する２つのレール外側面に臨めばよい。その結果、
逆ぞりの影響によってヘッド素子よりもディスクに近づ
いてしまうスライダ本体幅方向外側の保護膜の大きさが
切り欠きによって最小限に抑えられる。その結果、スラ
イダ本体の逆ぞりを考慮しても、ヘッド素子を可能な限
りディスクのディスク面に接近させることが可能とな
る。しかも、スライダ本体および保護膜の境界で切り欠
きが途切れるので、スライダ本体を削り取ることがな
く、ＡＢＳ面が発生すべき浮上力に大きな変化を生じさ
せることもない。こうした場合、前記切り欠きは、前記
スライダ本体の外側に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に
交差する保護膜端面からの深さを大きくさせることが望
ましい。
りによってスライダ本体幅方向の内側で浮上量が大きい
場合、前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平面を
形成する２つのレール外側面に臨めばよい。その結果、
逆ぞりの影響によってヘッド素子よりもディスクに近づ
いてしまうスライダ本体幅方向外側の保護膜の大きさが
切り欠きによって最小限に抑えられる。その結果、スラ
イダ本体の逆ぞりを考慮しても、ヘッド素子を可能な限
りディスクのディスク面に接近させることが可能とな
る。しかも、スライダ本体および保護膜の境界で切り欠
きが途切れるので、スライダ本体を削り取ることがな
く、ＡＢＳ面が発生すべき浮上力に大きな変化を生じさ
せることもない。こうした場合、前記切り欠きは、前記
スライダ本体の外側に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に
交差する保護膜端面からの深さを大きくさせることが望
ましい。
【００１３】前述した浮上ヘッドスライダでは、ヘッド
素子は、コイル中心に向かって偏倚した偏倚コイルパタ
ーンを備えてもよい。こうした偏倚コイルパターンによ
れば、前述した切り欠きに対してコイルパターンを偏倚
させることによって、切り欠きとコイルパターンとの干
渉を容易に避けることが可能となる。その結果、コイル
パターンの破損や露出を回避しつつ切り欠きを大きくす
ることができる。切り欠きを大きくすることによって、
浮上ヘッドスライダの浮上量を一層低減させることがで
きることとなる。
素子は、コイル中心に向かって偏倚した偏倚コイルパタ
ーンを備えてもよい。こうした偏倚コイルパターンによ
れば、前述した切り欠きに対してコイルパターンを偏倚
させることによって、切り欠きとコイルパターンとの干
渉を容易に避けることが可能となる。その結果、コイル
パターンの破損や露出を回避しつつ切り欠きを大きくす
ることができる。切り欠きを大きくすることによって、
浮上ヘッドスライダの浮上量を一層低減させることがで
きることとなる。
【００１４】以上の浮上ヘッドスライダは、回転するデ
ィスクと、このディスクのディスク面に対して姿勢変化
可能にスライダ本体を支持するキャリッジとを備える記
録ディスク装置に適用されることができる。例えば、キ
ャリッジの揺動によれば、スライダ本体はディスク上の
記録トラックに位置決めされることとなる。記録ディス
ク装置には、ハードディスク装置（ＨＤＤ）に代表され
る磁気ディスクのほか、コンタクトスタートストップ方
式の光磁気ディスク装置といったものが含まれてもよ
い。
ィスクと、このディスクのディスク面に対して姿勢変化
可能にスライダ本体を支持するキャリッジとを備える記
録ディスク装置に適用されることができる。例えば、キ
ャリッジの揺動によれば、スライダ本体はディスク上の
記録トラックに位置決めされることとなる。記録ディス
ク装置には、ハードディスク装置（ＨＤＤ）に代表され
る磁気ディスクのほか、コンタクトスタートストップ方
式の光磁気ディスク装置といったものが含まれてもよ
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ本発
明の実施形態を説明する。
明の実施形態を説明する。
【００１６】図１は、記録ディスク装置としてのハード
ディスク装置（ＨＤＤ）１０を示す。こうしたＨＤＤ１
０は、例えばコンピュータの中央演算装置ＣＰＵといっ
た上位ホスト１１から供給される書き込み／読み出し指
令に基づいて、磁気ディスク１２に対して情報の記録／
再生を実行する。ＨＤＤ１０は、例えばコンピュータに
内蔵されてもよく、外部記憶装置としてコンピュータに
外付けされてもよい。
ディスク装置（ＨＤＤ）１０を示す。こうしたＨＤＤ１
０は、例えばコンピュータの中央演算装置ＣＰＵといっ
た上位ホスト１１から供給される書き込み／読み出し指
令に基づいて、磁気ディスク１２に対して情報の記録／
再生を実行する。ＨＤＤ１０は、例えばコンピュータに
内蔵されてもよく、外部記憶装置としてコンピュータに
外付けされてもよい。
【００１７】ＨＤＤ１０は、情報の記録／再生にあたっ
てディスク面の磁界の向きを変えたり磁界の向きを検出
したりする磁気ヘッド素子が搭載される浮上ヘッドスラ
イダ１５を備える。この浮上ヘッドスライダ１５は、キ
ャリッジ１６の揺動を通じて磁気ディスク１２半径方向
に駆動されることができる。こうした駆動の結果、浮上
ヘッドスライダ１５はディスク面上のデータ記録シリン
ダ（円形トラック）１７を追従することができる。キャ
リッジ１６の揺動は、磁気回路によって構成されるアク
チュエータ１８によって制御される。
てディスク面の磁界の向きを変えたり磁界の向きを検出
したりする磁気ヘッド素子が搭載される浮上ヘッドスラ
イダ１５を備える。この浮上ヘッドスライダ１５は、キ
ャリッジ１６の揺動を通じて磁気ディスク１２半径方向
に駆動されることができる。こうした駆動の結果、浮上
ヘッドスライダ１５はディスク面上のデータ記録シリン
ダ（円形トラック）１７を追従することができる。キャ
リッジ１６の揺動は、磁気回路によって構成されるアク
チュエータ１８によって制御される。
【００１８】浮上ヘッドスライダ１５は、図２に示され
るように、磁気ディスク１２のディスク面に対して姿勢
変化可能に支持されるスライダ本体２０を備える。この
スライダ本体２０は、柔軟な板ばね（図示せず）を通じ
てキャリッジ１６の先端に取り付けられる。スライダ本
体２０のディスク回転方向Ｒ下流側端面には、磁気ヘッ
ド素子２１が埋め込まれた保護膜２２が形成される。磁
気ヘッド素子２１は、例えば磁気抵抗素子や巨大磁気抵
抗素子によって構成されればよい。スライダ本体２０側
でディスク面に対向する面２３と、保護膜２２側でディ
スク面に対向する面２４とが協働して浮上ヘッドスライ
ダ１５の浮上面２５を形成する。
るように、磁気ディスク１２のディスク面に対して姿勢
変化可能に支持されるスライダ本体２０を備える。この
スライダ本体２０は、柔軟な板ばね（図示せず）を通じ
てキャリッジ１６の先端に取り付けられる。スライダ本
体２０のディスク回転方向Ｒ下流側端面には、磁気ヘッ
ド素子２１が埋め込まれた保護膜２２が形成される。磁
気ヘッド素子２１は、例えば磁気抵抗素子や巨大磁気抵
抗素子によって構成されればよい。スライダ本体２０側
でディスク面に対向する面２３と、保護膜２２側でディ
スク面に対向する面２４とが協働して浮上ヘッドスライ
ダ１５の浮上面２５を形成する。
【００１９】浮上面２５には２筋のレールすなわちイン
ナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂが配列さ
れる。これらのレール２６ａ、２６ｂは、スライダ本体
２０にＡＢＳ面（空気軸受け面）２７を形成するととも
に、このＡＢＳ面２７に連続するＡＢＳ面２８を保護膜
２２に形成する。２筋のレール２６ａ、２６ｂの間に
は、ディスク回転方向Ｒ下流側で極端に幅広となる流通
路３０が形成される。ＡＢＳ面２７には４つの吸着防止
突起３１が形成される。
ナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂが配列さ
れる。これらのレール２６ａ、２６ｂは、スライダ本体
２０にＡＢＳ面（空気軸受け面）２７を形成するととも
に、このＡＢＳ面２７に連続するＡＢＳ面２８を保護膜
２２に形成する。２筋のレール２６ａ、２６ｂの間に
は、ディスク回転方向Ｒ下流側で極端に幅広となる流通
路３０が形成される。ＡＢＳ面２７には４つの吸着防止
突起３１が形成される。
【００２０】こうした浮上ヘッドスライダ１５は、磁気
ディスク１２の静止時にディスク面に着座し、磁気ディ
スク１２の回転時にディスク面から浮上する。磁気ディ
スク１２が回転を始めると、ディスク面ではディスク回
転方向に沿って気流３２が発生する。この気流３２は、
スライダ本体２０に沿って流れＡＢＳ面２７、２８に作
用し、浮上ヘッドスライダ１５の浮力を発生させる。そ
の一方で、スライダ本体２０に沿って流れる気流３２が
流通路３０を通過すると、流通路３０に負圧が発生す
る。ＡＢＳ面２７、２８が発生させる浮力と、流通路３
０が発生させる負圧とのバランスが浮上ヘッドスライダ
１５の浮上量やスライダ本体２０の姿勢を決定すること
となる。
ディスク１２の静止時にディスク面に着座し、磁気ディ
スク１２の回転時にディスク面から浮上する。磁気ディ
スク１２が回転を始めると、ディスク面ではディスク回
転方向に沿って気流３２が発生する。この気流３２は、
スライダ本体２０に沿って流れＡＢＳ面２７、２８に作
用し、浮上ヘッドスライダ１５の浮力を発生させる。そ
の一方で、スライダ本体２０に沿って流れる気流３２が
流通路３０を通過すると、流通路３０に負圧が発生す
る。ＡＢＳ面２７、２８が発生させる浮力と、流通路３
０が発生させる負圧とのバランスが浮上ヘッドスライダ
１５の浮上量やスライダ本体２０の姿勢を決定すること
となる。
【００２１】この実施形態では、気流３２の上流側で下
流側よりも浮上量が大きな前傾姿勢をスライダ本体２０
にとらせるようにしている。このような姿勢によれば、
気流３２下流側でスライダ本体２０端面に支持される磁
気ヘッド素子２１をディスク面に近づけても、ＡＢＳ面
２７から突出する吸着防止突起３１がディスク面に誤っ
て衝突することが回避される。したがって、吸着防止突
起３１の存在に拘わらず磁気ヘッド素子２１をディスク
面に極力接近させることが可能となる。スライダ本体２
０の姿勢は、ＡＢＳ面２７、２８や流通路３０の形状等
を調整することによって制御される。
流側よりも浮上量が大きな前傾姿勢をスライダ本体２０
にとらせるようにしている。このような姿勢によれば、
気流３２下流側でスライダ本体２０端面に支持される磁
気ヘッド素子２１をディスク面に近づけても、ＡＢＳ面
２７から突出する吸着防止突起３１がディスク面に誤っ
て衝突することが回避される。したがって、吸着防止突
起３１の存在に拘わらず磁気ヘッド素子２１をディスク
面に極力接近させることが可能となる。スライダ本体２
０の姿勢は、ＡＢＳ面２７、２８や流通路３０の形状等
を調整することによって制御される。
【００２２】磁気ディスク１２の静止時には、ＡＢＳ面
２７に形成された吸着防止突起３１がディスク面上の潤
滑油膜に接触する。その結果、ＡＢＳ面２７、２８が直
接に潤滑油膜に接触することがなく、潤滑油膜の吸着力
が弱められて浮上ヘッドスライダ１５に作用することと
なる。したがって、磁気ディスク１２が回転を始める
と、浮上ヘッドスライダ１５は即座に浮上することがで
きる。
２７に形成された吸着防止突起３１がディスク面上の潤
滑油膜に接触する。その結果、ＡＢＳ面２７、２８が直
接に潤滑油膜に接触することがなく、潤滑油膜の吸着力
が弱められて浮上ヘッドスライダ１５に作用することと
なる。したがって、磁気ディスク１２が回転を始める
と、浮上ヘッドスライダ１５は即座に浮上することがで
きる。
【００２３】図３は、本発明の第１実施形態に係る浮上
ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッド
スライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２２
の境界３５より気流３２の下流側で保護膜２２のアウタ
ーレール２６ｂ側ＡＢＳ面２８に切り欠き３６が形成さ
れる。この切り欠き３６では、磁気ヘッド素子２１のギ
ャップから遠ざかるにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する
保護膜端面３７からの深さｄが大きくなっている。
ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッド
スライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２２
の境界３５より気流３２の下流側で保護膜２２のアウタ
ーレール２６ｂ側ＡＢＳ面２８に切り欠き３６が形成さ
れる。この切り欠き３６では、磁気ヘッド素子２１のギ
ャップから遠ざかるにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する
保護膜端面３７からの深さｄが大きくなっている。
【００２４】図４から明らかなように、保護膜端面３７
には、磁気ヘッド素子２１で読み取られた情報信号が出
力される１対の書き込み用端子パッド４０と、磁気ヘッ
ド素子２１によって書き込まれる情報信号を供給する１
対の読み取り用端子パッド４１とが設けられる。各端子
パッド４０、４１は、金ボール４２を通じて、フレキシ
ブル配線パターン４３に形成された入出力パッド４４に
電気的に接続される。
には、磁気ヘッド素子２１で読み取られた情報信号が出
力される１対の書き込み用端子パッド４０と、磁気ヘッ
ド素子２１によって書き込まれる情報信号を供給する１
対の読み取り用端子パッド４１とが設けられる。各端子
パッド４０、４１は、金ボール４２を通じて、フレキシ
ブル配線パターン４３に形成された入出力パッド４４に
電気的に接続される。
【００２５】図５から明らかなように、磁気ヘッド素子
２１は、情報の読み取り時に磁気ディスク１２表面の磁
界を検出する磁気抵抗（ＭＲ）層４６と、情報の書き込
み時に磁気ディスク１２表面に向けて磁界を発生する書
き込み用ギャップ４７とを備える。ＭＲ層４６は、上部
シールド層４８と下部シールド層４９との間に配置され
る。書き込み用ギャップ４７は、コイル５０の働きによ
って上部磁極層５１に生成される磁界を磁気ディスク１
２表面に作用させる。こうした磁気ヘッド素子２１は、
アルチック（Ａｌ2Ｏ3ＴｉＣ）製のスライダ本体２０表
面に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜５２と、このア
ルミナ膜５２表面に形成されるアルミナ膜５３とによっ
て挟み込まれる。アルミナ膜５２、５３は保護膜２２を
構成することとなる。
２１は、情報の読み取り時に磁気ディスク１２表面の磁
界を検出する磁気抵抗（ＭＲ）層４６と、情報の書き込
み時に磁気ディスク１２表面に向けて磁界を発生する書
き込み用ギャップ４７とを備える。ＭＲ層４６は、上部
シールド層４８と下部シールド層４９との間に配置され
る。書き込み用ギャップ４７は、コイル５０の働きによ
って上部磁極層５１に生成される磁界を磁気ディスク１
２表面に作用させる。こうした磁気ヘッド素子２１は、
アルチック（Ａｌ2Ｏ3ＴｉＣ）製のスライダ本体２０表
面に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜５２と、このア
ルミナ膜５２表面に形成されるアルミナ膜５３とによっ
て挟み込まれる。アルミナ膜５２、５３は保護膜２２を
構成することとなる。
【００２６】図６に示されるように、コイル５０は、コ
イル中心に配置された磁極５５後端結合部から渦巻き状
に外方に延びる配線パターン５６によって形成される。
配線パターン５６は、コイル中心に向かって偏倚した偏
倚コイルパターン５７を備える。この偏倚コイルパター
ン５７は切り欠き３６に対して配置される。こうした偏
倚コイルパターン５７の配置に応じて、上部シールド層
４８および下部シールド層４９の広がりには、コイル中
心に向かって偏倚した窪み４８ａ、４９ａが形成され
る。こうしたコイル５０によれば、切り欠き３６によっ
て保護膜２２が削り取られる場合に、配線パターン５６
の破損を極力回避することが可能となる。加えて、上部
および下部シールド層４８、４９が保護膜２２から露出
することを回避することができる。
イル中心に配置された磁極５５後端結合部から渦巻き状
に外方に延びる配線パターン５６によって形成される。
配線パターン５６は、コイル中心に向かって偏倚した偏
倚コイルパターン５７を備える。この偏倚コイルパター
ン５７は切り欠き３６に対して配置される。こうした偏
倚コイルパターン５７の配置に応じて、上部シールド層
４８および下部シールド層４９の広がりには、コイル中
心に向かって偏倚した窪み４８ａ、４９ａが形成され
る。こうしたコイル５０によれば、切り欠き３６によっ
て保護膜２２が削り取られる場合に、配線パターン５６
の破損を極力回避することが可能となる。加えて、上部
および下部シールド層４８、４９が保護膜２２から露出
することを回避することができる。
【００２７】前述した切り欠き３６は、図７に示される
ように、様々な形態をとることができる。例えば図７
（ａ）に示すように、アウターレール２６ｂが流通路３
０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き３６ａが形
成されてもよく、図７（ｂ）に示すように、流通路３０
の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り欠き３
６ｂが形成されてもよい。また、図７（ｃ）に示すよう
に、流通路３０の深さよりも深く切り欠き３６ｃが形成
されてもよく、図７（ｄ）に示すように、切り欠き３６
ｄに傾斜を持たせてもよい。
ように、様々な形態をとることができる。例えば図７
（ａ）に示すように、アウターレール２６ｂが流通路３
０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き３６ａが形
成されてもよく、図７（ｂ）に示すように、流通路３０
の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り欠き３
６ｂが形成されてもよい。また、図７（ｃ）に示すよう
に、流通路３０の深さよりも深く切り欠き３６ｃが形成
されてもよく、図７（ｄ）に示すように、切り欠き３６
ｄに傾斜を持たせてもよい。
【００２８】いま、図８に示されるように、ディスク面
に対してロール角Ｂで浮上ヘッドスライダ１５が傾斜し
ている場合を考える。ロール角Ｂとは、スライダ本体２
０が気流３２方向に沿った軸回りで回転する角度をいう
ものとする。こうしたロール角Ｂの傾斜は、例えば浮上
ヘッドスライダ１５がディスク半径方向に移動し、スラ
イダ本体２０に対する気流３２の向きが変わった際など
に生じることがある。加えて、例えば本実施形態のよう
にアウターレール２６ｂにのみ磁気ヘッド素子２１が埋
め込まれる場合には、常時スライダ本体２０にロール角
Ｂの傾斜姿勢をとらせ、インナーレール２６ａ側に比べ
てアウターレール２６ｂ側を磁気ディスク１２のディス
ク面に接近させることが望ましい。流出端に一番近い、
すなわち、気流の一番下流側に配置されたインナーレー
ル２６ａ上の吸着防止突起３１の衝突を避けつつ磁気ヘ
ッド素子２１をディスク面に極力接近させることができ
るからである。反対にインナーレール２６ａにのみ磁気
ヘッド素子が埋め込まれる場合には、アウターレール２
６ｂ側に比べてインナーレール２６ａ側をディスク面に
接近させることもできる。インナーレール２６ａおよび
アウターレール２６ｂのいずれをディスク面により接近
させるかはインナーレール２６ａおよびアウターレール
２６ｂの浮上面の面積によって左右される。面積の小さ
いレール側がディスク面により接近することとなる。
に対してロール角Ｂで浮上ヘッドスライダ１５が傾斜し
ている場合を考える。ロール角Ｂとは、スライダ本体２
０が気流３２方向に沿った軸回りで回転する角度をいう
ものとする。こうしたロール角Ｂの傾斜は、例えば浮上
ヘッドスライダ１５がディスク半径方向に移動し、スラ
イダ本体２０に対する気流３２の向きが変わった際など
に生じることがある。加えて、例えば本実施形態のよう
にアウターレール２６ｂにのみ磁気ヘッド素子２１が埋
め込まれる場合には、常時スライダ本体２０にロール角
Ｂの傾斜姿勢をとらせ、インナーレール２６ａ側に比べ
てアウターレール２６ｂ側を磁気ディスク１２のディス
ク面に接近させることが望ましい。流出端に一番近い、
すなわち、気流の一番下流側に配置されたインナーレー
ル２６ａ上の吸着防止突起３１の衝突を避けつつ磁気ヘ
ッド素子２１をディスク面に極力接近させることができ
るからである。反対にインナーレール２６ａにのみ磁気
ヘッド素子が埋め込まれる場合には、アウターレール２
６ｂ側に比べてインナーレール２６ａ側をディスク面に
接近させることもできる。インナーレール２６ａおよび
アウターレール２６ｂのいずれをディスク面により接近
させるかはインナーレール２６ａおよびアウターレール
２６ｂの浮上面の面積によって左右される。面積の小さ
いレール側がディスク面により接近することとなる。
【００２９】図８から明らかなように、切り欠き３６の
存在によって、従来の形状（点線部分）に比べ、磁気ヘ
ッド素子２１の高さレベルから下方に広がる保護膜２２
が除去されたことが理解される。一般に、浮上ヘッドス
ライダ１５の浮上量を設定するにあたっては、最大ロー
ル角Ｂで保護膜２２がディスク面に最接近する位置に対
して最低浮上量が設定される。本実施形態によれば、切
り欠き３６によって保護膜２２が除去された分、最低浮
上量が設定された位置でディスク面に磁気ヘッド素子２
１が従来以上に近づくことが可能となる。その結果、ロ
ール角Ｂの大小に拘わらず、磁気ヘッド素子２１がディ
スク面に接近することができる。すなわち、磁気ヘッド
素子２１の再生感度が向上することとなる。
存在によって、従来の形状（点線部分）に比べ、磁気ヘ
ッド素子２１の高さレベルから下方に広がる保護膜２２
が除去されたことが理解される。一般に、浮上ヘッドス
ライダ１５の浮上量を設定するにあたっては、最大ロー
ル角Ｂで保護膜２２がディスク面に最接近する位置に対
して最低浮上量が設定される。本実施形態によれば、切
り欠き３６によって保護膜２２が除去された分、最低浮
上量が設定された位置でディスク面に磁気ヘッド素子２
１が従来以上に近づくことが可能となる。その結果、ロ
ール角Ｂの大小に拘わらず、磁気ヘッド素子２１がディ
スク面に接近することができる。すなわち、磁気ヘッド
素子２１の再生感度が向上することとなる。
【００３０】いま、図９に示すように、アウターレール
２６ｂのエッジから直線距離Ｌ＝１５０μｍ、保護膜端
面３７すなわちレール端面から直線距離Ｄ＝２８μｍの
位置に磁気ヘッド素子２１のギャップが配置された浮上
ヘッドスライダ１５を用意する。アウターレール２６ｂ
には、レール端面からの最大深さｄ＝１５μｍの切り欠
き３６が形成されている。ここで、例えば図１０に示す
ように、浮上ヘッドスライダ１５がピッチ角θの前傾姿
勢をとってディスク面から浮上する場合を仮定する。図
１１は、ロール角Ｂ＝３．２５ｘ１０-5ｒａｄを維持し
つつピッチ角θを変化させた際の保護膜２２の浮上量を
示すグラフである。
２６ｂのエッジから直線距離Ｌ＝１５０μｍ、保護膜端
面３７すなわちレール端面から直線距離Ｄ＝２８μｍの
位置に磁気ヘッド素子２１のギャップが配置された浮上
ヘッドスライダ１５を用意する。アウターレール２６ｂ
には、レール端面からの最大深さｄ＝１５μｍの切り欠
き３６が形成されている。ここで、例えば図１０に示す
ように、浮上ヘッドスライダ１５がピッチ角θの前傾姿
勢をとってディスク面から浮上する場合を仮定する。図
１１は、ロール角Ｂ＝３．２５ｘ１０-5ｒａｄを維持し
つつピッチ角θを変化させた際の保護膜２２の浮上量を
示すグラフである。
【００３１】図１１には、磁気ヘッド素子２１のギャッ
プをレベル「０（ゼロ）」に維持した際に、そのギャッ
プレベルからディスク面に近づく保護膜２２の最低レベ
ルの位置がプロットされる。図１１から明らかなよう
に、切り欠きのない従来の浮上ヘッドスライダ（下側の
プロット線）では、ピッチ角θが大きくなればなるほ
ど、言い換えれば、スライダ本体２０の前傾姿勢が強ま
れば強まるほど、ギャップと保護膜２２の最低レベルと
の距離が大きくなる。すなわち、ギャップに比べて保護
膜２２がディスク面に近づきすぎることが分かる。これ
に対し、切り欠きを設けた本実施形態（上側のプロット
線）では、スライダ本体２０の前傾姿勢が強まっても、
従来のものに比べて保護膜２２がディスク面に近づかな
い。その傾向は、スライダ本体２０の前傾姿勢が強まる
ほど強くなることが分かる。例えば、ピッチ角θ＝３．
１０ｘ１０-4ｒａｄでは、従来のものと本実施形態との
差は約４ｎｍにも及ぶことが分かる。したがって、例え
ばピッチ角θ＝３．１０ｘ１０-4ｒａｄで最低浮上量を
設定する場合には、従来よりも約４ｎｍの距離だけ磁気
ヘッド素子２１のギャップをディスク面に近づけること
ができることとなる。
プをレベル「０（ゼロ）」に維持した際に、そのギャッ
プレベルからディスク面に近づく保護膜２２の最低レベ
ルの位置がプロットされる。図１１から明らかなよう
に、切り欠きのない従来の浮上ヘッドスライダ（下側の
プロット線）では、ピッチ角θが大きくなればなるほ
ど、言い換えれば、スライダ本体２０の前傾姿勢が強ま
れば強まるほど、ギャップと保護膜２２の最低レベルと
の距離が大きくなる。すなわち、ギャップに比べて保護
膜２２がディスク面に近づきすぎることが分かる。これ
に対し、切り欠きを設けた本実施形態（上側のプロット
線）では、スライダ本体２０の前傾姿勢が強まっても、
従来のものに比べて保護膜２２がディスク面に近づかな
い。その傾向は、スライダ本体２０の前傾姿勢が強まる
ほど強くなることが分かる。例えば、ピッチ角θ＝３．
１０ｘ１０-4ｒａｄでは、従来のものと本実施形態との
差は約４ｎｍにも及ぶことが分かる。したがって、例え
ばピッチ角θ＝３．１０ｘ１０-4ｒａｄで最低浮上量を
設定する場合には、従来よりも約４ｎｍの距離だけ磁気
ヘッド素子２１のギャップをディスク面に近づけること
ができることとなる。
【００３２】次に浮上ヘッドスライダ１５の製造方法を
説明する。まず、アルチックの表面にアルミナ膜が形成
されたウェハー基板６０を用意する。このウェハー基板
６０では、例えば図１２に示すように、アルミナ膜６１
表面が複数の格子ブロック６２に区分けされてる。各格
子ブロック６２に磁気ヘッド素子２１が形成されると、
図１３に示されるように、浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向に連続する一連の格子ブロック６２がウェハーバー
６３として切り出される。
説明する。まず、アルチックの表面にアルミナ膜が形成
されたウェハー基板６０を用意する。このウェハー基板
６０では、例えば図１２に示すように、アルミナ膜６１
表面が複数の格子ブロック６２に区分けされてる。各格
子ブロック６２に磁気ヘッド素子２１が形成されると、
図１３に示されるように、浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向に連続する一連の格子ブロック６２がウェハーバー
６３として切り出される。
【００３３】図１４には、１つの格子ブロック６２にお
けるウェハーバー６３の切り出し面６３ａに平行な断面
図が示される。各磁気ヘッド素子２１の形成にあたって
は、まず、下部シールド層（ＦｅＮ）４９やＭＲ層（Ｎ
ｉＦｅ）４６、上部シールド層（ＮｉＦｅ）４８がアル
ミナ膜５２表面に順次形成される。続いて、上部シール
ド層４８表面に前述したコイル５０がプリント形成され
る。絶縁層によって覆われたコイル５０の上に上部磁極
層（ＮｉＦｅ）５１が積層される。上部シールド層４８
と上部磁極層５１との間にはギャップが形成される。磁
気ヘッド素子２１の形成が完了すると、磁気ヘッド素子
２１を覆うようにアルミナ膜５２上にアルミナ膜５３が
積層される。その結果、アルミナ膜５２、５３が保護膜
２２を形成する。保護膜２２の厚みは例えば３５μｍに
設定される。保護膜２２が薄すぎると、保護膜２２がは
がれやすくなってしまう。
けるウェハーバー６３の切り出し面６３ａに平行な断面
図が示される。各磁気ヘッド素子２１の形成にあたって
は、まず、下部シールド層（ＦｅＮ）４９やＭＲ層（Ｎ
ｉＦｅ）４６、上部シールド層（ＮｉＦｅ）４８がアル
ミナ膜５２表面に順次形成される。続いて、上部シール
ド層４８表面に前述したコイル５０がプリント形成され
る。絶縁層によって覆われたコイル５０の上に上部磁極
層（ＮｉＦｅ）５１が積層される。上部シールド層４８
と上部磁極層５１との間にはギャップが形成される。磁
気ヘッド素子２１の形成が完了すると、磁気ヘッド素子
２１を覆うようにアルミナ膜５２上にアルミナ膜５３が
積層される。その結果、アルミナ膜５２、５３が保護膜
２２を形成する。保護膜２２の厚みは例えば３５μｍに
設定される。保護膜２２が薄すぎると、保護膜２２がは
がれやすくなってしまう。
【００３４】切り出されたウェハーバー６３の切り出し
面６３ａには、図１５（ａ）に示されるように、厚さ約
２ｎｍのＳｉＣ（炭化珪素）密着層７０がスパッタリン
グによって形成される。密着層７０の表面には、厚さ約
３０ｎｍのＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）層７
１がプラズマＣＶＤ法によってさらに形成される。
面６３ａには、図１５（ａ）に示されるように、厚さ約
２ｎｍのＳｉＣ（炭化珪素）密着層７０がスパッタリン
グによって形成される。密着層７０の表面には、厚さ約
３０ｎｍのＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）層７
１がプラズマＣＶＤ法によってさらに形成される。
【００３５】続いて図１５（ｂ）に示されるように、Ｄ
ＬＣ層７１表面にフォトレジスト７２が塗布される。フ
ォトレジスト７２は、図１５（ｃ）に示されるように、
所定パターンのマスクを用いて露光現像される。フォト
レジスト７２が露光現像された後、図１５（ｄ）に示さ
れるように、イオンミリングといった加工処理を施し
て、各格子ブロック６２ごとにインナーレール２６ａや
アウターレール２６ｂを形成する。
ＬＣ層７１表面にフォトレジスト７２が塗布される。フ
ォトレジスト７２は、図１５（ｃ）に示されるように、
所定パターンのマスクを用いて露光現像される。フォト
レジスト７２が露光現像された後、図１５（ｄ）に示さ
れるように、イオンミリングといった加工処理を施し
て、各格子ブロック６２ごとにインナーレール２６ａや
アウターレール２６ｂを形成する。
【００３６】インナーレール２６ａやアウターレール２
６ｂが形成されたら、フォトレジストを再び塗布し、図
１５（ｅ）に示すように露光現像を通じて吸着防止突起
３１のフォトレジストパターン７４を形成する。続いて
図１５（ｆ）に示すように、プラズマエッチングといっ
た加工処理を施してＤＬＣ層７１を除去し、インナーレ
ール２６ａやアウターレール２６ｂ上に吸着防止突起３
１を形成する。最後に、図１５（ｇ）に示されるよう
に、各格子ブロック６２ごとにウェハーバー６３を切断
すると、図２に示されるような浮上ヘッドスライダ１５
が得られることとなる。
６ｂが形成されたら、フォトレジストを再び塗布し、図
１５（ｅ）に示すように露光現像を通じて吸着防止突起
３１のフォトレジストパターン７４を形成する。続いて
図１５（ｆ）に示すように、プラズマエッチングといっ
た加工処理を施してＤＬＣ層７１を除去し、インナーレ
ール２６ａやアウターレール２６ｂ上に吸着防止突起３
１を形成する。最後に、図１５（ｇ）に示されるよう
に、各格子ブロック６２ごとにウェハーバー６３を切断
すると、図２に示されるような浮上ヘッドスライダ１５
が得られることとなる。
【００３７】吸着防止突起３１の形成には、前述したＤ
ＬＣ膜に代えて、スパッタリング法によって膜形成され
るカーボン膜や水素化カーボン膜、シリコン添加カーボ
ン膜といったアモルファスカーボン膜を用いてもよい。
こういったアモルファスカーボン膜を用いれば、硬度が
大きいことから、吸着防止突起３１が磁気ディスク面に
接触しても十分な耐摩耗性を提供することができる。ま
た、吸着防止突起３１は、ＳｉＯ2 膜やＡｌ2Ｏ3膜とい
った酸化物薄膜であってもよい。こうした酸化物薄膜は
緻密で硬いことから、同様に、吸着防止突起３１が磁気
ディスク面に接触しても十分な耐摩耗性を提供すること
ができる。
ＬＣ膜に代えて、スパッタリング法によって膜形成され
るカーボン膜や水素化カーボン膜、シリコン添加カーボ
ン膜といったアモルファスカーボン膜を用いてもよい。
こういったアモルファスカーボン膜を用いれば、硬度が
大きいことから、吸着防止突起３１が磁気ディスク面に
接触しても十分な耐摩耗性を提供することができる。ま
た、吸着防止突起３１は、ＳｉＯ2 膜やＡｌ2Ｏ3膜とい
った酸化物薄膜であってもよい。こうした酸化物薄膜は
緻密で硬いことから、同様に、吸着防止突起３１が磁気
ディスク面に接触しても十分な耐摩耗性を提供すること
ができる。
【００３８】図７（ａ）に示す切り欠き３６ａは、イン
ナーレール２６ａやアウターレール２６ｂの形成時に同
時に形成されることができる。すなわち、図１５（ｃ）
に示す工程で用いられるマスクで、切り欠き３６ａに相
当する部分が切り欠かれたパターンを形成すればよい。
こうしたパターンによれば、切り欠き３６ａに相当する
部分でフォトレジスト７２が消失し、その結果、イオン
ミリングといった加工処理を施すことによってアウター
レール２６ｂの一角が削り落とされ切り欠き３６ａが形
成されることとなる。したがって、レール２６ａ、２６
ｂの形成と同一の工程で切り欠き３６ａを形成すること
ができることから、工数を増やすことなく切り欠き３６
ａを形成することができる。
ナーレール２６ａやアウターレール２６ｂの形成時に同
時に形成されることができる。すなわち、図１５（ｃ）
に示す工程で用いられるマスクで、切り欠き３６ａに相
当する部分が切り欠かれたパターンを形成すればよい。
こうしたパターンによれば、切り欠き３６ａに相当する
部分でフォトレジスト７２が消失し、その結果、イオン
ミリングといった加工処理を施すことによってアウター
レール２６ｂの一角が削り落とされ切り欠き３６ａが形
成されることとなる。したがって、レール２６ａ、２６
ｂの形成と同一の工程で切り欠き３６ａを形成すること
ができることから、工数を増やすことなく切り欠き３６
ａを形成することができる。
【００３９】その一方で、図７（ｂ）や（ｃ）に示す切
り欠き３６ｂ、３６ｃを形成するには、流通路３０と異
なる深さにアウターレール２６ｂを削り取らなければな
らないことから、フォトレジストの塗布やマスク、露
光、エッチングといった一連の処理工程が別途必要とさ
れる。例えば、レール２６ａ、２６ｂの形成前あるいは
形成後に、処理表面にフォトレジストを塗布し、マスク
工程、露光工程、イオンミリングによるエッチング工程
を施して所望深さの切り欠き３６ｂ、３６ｃを形成する
のである。また、図７（ｄ）に示す切り欠き３６ｄを形
成するには、格子ブロック６２ごとにウェハーバー６３
から切り出された浮上ヘッドスライダ１５に研磨加工を
加えればよい。研磨によってテーパ状にアウターレール
２６ｂの一角が削り取られれば切り欠き３６ｄが得られ
ることとなる。
り欠き３６ｂ、３６ｃを形成するには、流通路３０と異
なる深さにアウターレール２６ｂを削り取らなければな
らないことから、フォトレジストの塗布やマスク、露
光、エッチングといった一連の処理工程が別途必要とさ
れる。例えば、レール２６ａ、２６ｂの形成前あるいは
形成後に、処理表面にフォトレジストを塗布し、マスク
工程、露光工程、イオンミリングによるエッチング工程
を施して所望深さの切り欠き３６ｂ、３６ｃを形成する
のである。また、図７（ｄ）に示す切り欠き３６ｄを形
成するには、格子ブロック６２ごとにウェハーバー６３
から切り出された浮上ヘッドスライダ１５に研磨加工を
加えればよい。研磨によってテーパ状にアウターレール
２６ｂの一角が削り取られれば切り欠き３６ｄが得られ
ることとなる。
【００４０】図１６は、本発明の第２実施形態に係る浮
上ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッ
ドスライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２
２の境界３５より気流３２の下流側で２筋のレール２６
ａ、２６ｂの保護膜２２側ＡＢＳ面２８に切り欠き７０
が形成される。しかも、２つの切り欠き７０は、流通路
３０を形成する２つのレール内側面７１に臨んでいる。
レール内側面７１は、ＡＢＳ面２８に対して交差する平
面を形成する。各切り欠き７０では、スライダ本体２０
の内側に向かうにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する保護
膜端面３７からの深さが大きくなっている。なお、前述
した第１実施形態と同様な機能を発揮する構成には第１
実施形態と同一の参照符号が付される。
上ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッ
ドスライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２
２の境界３５より気流３２の下流側で２筋のレール２６
ａ、２６ｂの保護膜２２側ＡＢＳ面２８に切り欠き７０
が形成される。しかも、２つの切り欠き７０は、流通路
３０を形成する２つのレール内側面７１に臨んでいる。
レール内側面７１は、ＡＢＳ面２８に対して交差する平
面を形成する。各切り欠き７０では、スライダ本体２０
の内側に向かうにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する保護
膜端面３７からの深さが大きくなっている。なお、前述
した第１実施形態と同様な機能を発揮する構成には第１
実施形態と同一の参照符号が付される。
【００４１】こうした切り欠き７０は、図１７に示され
るように、様々な形態をとることができる。例えば図１
７（ａ）に示すように、各レール２６ａ、２６ｂが流通
路３０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き７０ａ
が形成されてもよく、図１７（ｂ）に示すように、流通
路３０の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り
欠き７０ｂが形成されてもよい。また、図１７（ｃ）に
示すように、流通路３０の深さよりも深く切り欠き７０
ｃが形成されてもよく、図１７（ｄ）に示すように、切
り欠き７０ｄに傾斜を持たせてもよい。いずれの形態で
あっても、前述した浮上ヘッドスライダの製造方法と同
様な処理工程によって切り欠き７０は形成されることが
できる。
るように、様々な形態をとることができる。例えば図１
７（ａ）に示すように、各レール２６ａ、２６ｂが流通
路３０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き７０ａ
が形成されてもよく、図１７（ｂ）に示すように、流通
路３０の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り
欠き７０ｂが形成されてもよい。また、図１７（ｃ）に
示すように、流通路３０の深さよりも深く切り欠き７０
ｃが形成されてもよく、図１７（ｄ）に示すように、切
り欠き７０ｄに傾斜を持たせてもよい。いずれの形態で
あっても、前述した浮上ヘッドスライダの製造方法と同
様な処理工程によって切り欠き７０は形成されることが
できる。
【００４２】いま、図１８に示されるように、スライダ
本体２０の正ぞりによって浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向外側の浮上量が大きくなった場合を考える。この場
合、インナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂ
では、磁気ヘッド素子２１に比べて保護膜２２の最低レ
ベル７２が極端に磁気ディスク１２のディスク面に接近
する。しかしながら、本実施形態によれば、切り欠き７
０によって磁気ヘッド素子２１のレベルから下方に広が
る保護膜２２が除去される。その結果、保護膜２２が除
去された分だけ、磁気ヘッド素子２１をディスク面に近
づけることが可能となる。すなわち、磁気ヘッド素子２
１の再生感度が向上することとなる。
本体２０の正ぞりによって浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向外側の浮上量が大きくなった場合を考える。この場
合、インナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂ
では、磁気ヘッド素子２１に比べて保護膜２２の最低レ
ベル７２が極端に磁気ディスク１２のディスク面に接近
する。しかしながら、本実施形態によれば、切り欠き７
０によって磁気ヘッド素子２１のレベルから下方に広が
る保護膜２２が除去される。その結果、保護膜２２が除
去された分だけ、磁気ヘッド素子２１をディスク面に近
づけることが可能となる。すなわち、磁気ヘッド素子２
１の再生感度が向上することとなる。
【００４３】図１９は、本発明の第３実施形態に係る浮
上ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッ
ドスライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２
２の境界３５より気流３２の下流側で２筋のレール２６
ａ、２６ｂの保護膜２２側ＡＢＳ面２８に切り欠き７５
が形成される。しかも、２つの切り欠き７５は、前述し
た第２実施形態とは反対に、ＡＢＳ面２８に対して交差
する平面を形成する２つのレール外側面７６に臨んでい
る。各切り欠き７５では、スライダ本体２０の外側に向
かうにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する保護膜端面３７
からの深さが大きくなっている。なお、前述した第１実
施形態と同様な機能を発揮する構成には第１実施形態と
同一の参照符号が付される。
上ヘッドスライダ１５の細部構造を示す。この浮上ヘッ
ドスライダ１５では、スライダ本体２０および保護膜２
２の境界３５より気流３２の下流側で２筋のレール２６
ａ、２６ｂの保護膜２２側ＡＢＳ面２８に切り欠き７５
が形成される。しかも、２つの切り欠き７５は、前述し
た第２実施形態とは反対に、ＡＢＳ面２８に対して交差
する平面を形成する２つのレール外側面７６に臨んでい
る。各切り欠き７５では、スライダ本体２０の外側に向
かうにつれて、ＡＢＳ面２８に交差する保護膜端面３７
からの深さが大きくなっている。なお、前述した第１実
施形態と同様な機能を発揮する構成には第１実施形態と
同一の参照符号が付される。
【００４４】こうした切り欠き７５は、図２０に示され
るように、様々な形態をとることができる。例えば図２
０（ａ）に示すように、各レール２６ａ、２６ｂが流通
路３０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き７５ａ
が形成されてもよく、図２０（ｂ）に示すように、流通
路３０の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り
欠き７５ｂが形成されてもよい。また、図２０（ｃ）に
示すように、流通路３０の深さよりも深く切り欠き７５
ｃが形成されてもよく、図２０（ｄ）に示すように、切
り欠き７５ｄに傾斜を持たせてもよい。いずれの形態で
あっても、前述した浮上ヘッドスライダの製造方法と同
様な処理工程によって切り欠き７５は形成されることが
できる。
るように、様々な形態をとることができる。例えば図２
０（ａ）に示すように、各レール２６ａ、２６ｂが流通
路３０の深さまでそっくり切り取られて切り欠き７５ａ
が形成されてもよく、図２０（ｂ）に示すように、流通
路３０の深さに達する以前に切り取りを終了させて切り
欠き７５ｂが形成されてもよい。また、図２０（ｃ）に
示すように、流通路３０の深さよりも深く切り欠き７５
ｃが形成されてもよく、図２０（ｄ）に示すように、切
り欠き７５ｄに傾斜を持たせてもよい。いずれの形態で
あっても、前述した浮上ヘッドスライダの製造方法と同
様な処理工程によって切り欠き７５は形成されることが
できる。
【００４５】いま、図２１に示されるように、スライダ
本体２０の逆ぞりによって浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向内側の浮上量が大きくなった場合を考える。この場
合、インナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂ
では、磁気ヘッド素子２１に比べて保護膜２２の最低レ
ベル７７が極端に磁気ディスク１２のディスク面に接近
する。しかしながら、本実施形態によれば、切り欠き５
５によって磁気ヘッド素子２１のレベルから下方に広が
る保護膜２２が除去される。その結果、保護膜２２が除
去された分だけ、磁気ヘッド素子２１をディスク面に近
づけることが可能となる。すなわち、磁気ヘッド素子２
１の再生感度が向上することとなる。
本体２０の逆ぞりによって浮上ヘッドスライダ１５の幅
方向内側の浮上量が大きくなった場合を考える。この場
合、インナーレール２６ａおよびアウターレール２６ｂ
では、磁気ヘッド素子２１に比べて保護膜２２の最低レ
ベル７７が極端に磁気ディスク１２のディスク面に接近
する。しかしながら、本実施形態によれば、切り欠き５
５によって磁気ヘッド素子２１のレベルから下方に広が
る保護膜２２が除去される。その結果、保護膜２２が除
去された分だけ、磁気ヘッド素子２１をディスク面に近
づけることが可能となる。すなわち、磁気ヘッド素子２
１の再生感度が向上することとなる。
【００４６】一般に、スライダ本体２０の正ぞりや逆ぞ
りを事前に予測することは難しい。したがって、例えば
図２２（ａ）〜（ｄ）に示されるように、インナーレー
ル２６ａやアウターレール２６ｂのレール内側面７１お
よびレール外側面７６に切り欠き７０ａ〜７０ｄ（図１
７参照）や切り欠き７５ａ〜７５ｄ（図２０参照）を適
宜に組み合わせて形成してもよい。
りを事前に予測することは難しい。したがって、例えば
図２２（ａ）〜（ｄ）に示されるように、インナーレー
ル２６ａやアウターレール２６ｂのレール内側面７１お
よびレール外側面７６に切り欠き７０ａ〜７０ｄ（図１
７参照）や切り欠き７５ａ〜７５ｄ（図２０参照）を適
宜に組み合わせて形成してもよい。
【００４７】なお、前述した浮上ヘッドスライダは、Ｈ
ＤＤ以外の磁気ディスク装置に適用されてもよく、コン
タクトスタートストップ方式の光磁気ディスク装置とい
った記録ディスク装置に適用されてもよい。
ＤＤ以外の磁気ディスク装置に適用されてもよく、コン
タクトスタートストップ方式の光磁気ディスク装置とい
った記録ディスク装置に適用されてもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、浮上ヘッ
ドスライダの姿勢変化が予想される場合でも、ヘッド素
子からディスク面側に位置する保護膜が切り欠きによっ
て削除されるので、浮上ヘッドスライダに支持されるヘ
ッド素子を可能な限りディスクのディスク面に接近させ
ることができる。その結果、ヘッド素子の磁力感度が向
上することとなる。
ドスライダの姿勢変化が予想される場合でも、ヘッド素
子からディスク面側に位置する保護膜が切り欠きによっ
て削除されるので、浮上ヘッドスライダに支持されるヘ
ッド素子を可能な限りディスクのディスク面に接近させ
ることができる。その結果、ヘッド素子の磁力感度が向
上することとなる。
【図１】 ハードディスク装置（ＨＤＤ）の構造を示す
図である。
図である。
【図２】 浮上ヘッドスライダの構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】 本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスラ
イダの細部構造を示す浮上面の平面図である。
イダの細部構造を示す浮上面の平面図である。
【図４】 浮上ヘッドスライダの気流下流側端面を示す
一部拡大図である。
一部拡大図である。
【図５】 図４の５−５線に沿った磁気ヘッド素子の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】 浮上ヘッドスライダの気流下流側端面から見
たコイルの拡大平面図である。
たコイルの拡大平面図である。
【図７】 第１実施形態に係る切り欠きの複数の形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図８】 ロール角Ｂを示す浮上ヘッドスライダの概略
端面斜視図である。
端面斜視図である。
【図９】 アウターレールのＡＢＳ面の平面図である。
【図１０】 ピッチ角θを示す浮上ヘッドスライダの概
略側面図である。
略側面図である。
【図１１】 ロール角Ｂを一定に維持しつつピッチ角θ
を変化させた際に生じるギャップレベルに対する保護膜
最低レベルの位置変化を示すグラフである。
を変化させた際に生じるギャップレベルに対する保護膜
最低レベルの位置変化を示すグラフである。
【図１２】 ウェハー基板を示す拡大斜視図である。
【図１３】 ウェハー基板から切り出されたウェハーバ
ーの斜視図である。
ーの斜視図である。
【図１４】 ウェハー基板上に形成された磁気ヘッド素
子の構造を示す図である。
子の構造を示す図である。
【図１５】 浮上ヘッドスライダの製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図１６】 本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドス
ライダの細部構造を示す斜視図である。
ライダの細部構造を示す斜視図である。
【図１７】 第２実施形態に係る切り欠きの複数の形態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１８】 正ぞりを示す浮上ヘッドスライダの概略端
面斜視図である。
面斜視図である。
【図１９】 本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドス
ライダの細部構造を示す斜視図である。
ライダの細部構造を示す斜視図である。
【図２０】 第３実施形態に係る切り欠きの複数の形態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２１】 逆ぞりを示す浮上ヘッドスライダの概略端
面斜視図である。
面斜視図である。
【図２２】 第２および第３実施形態に係る切り欠きを
適宜に組み合わせた浮上ヘッドスライダの細部構造を示
す斜視図である。
適宜に組み合わせた浮上ヘッドスライダの細部構造を示
す斜視図である。
１０ ハードディスク装置（ＨＤＤ）、１２ ディスク
としての磁気ディスク、２０ スライダ本体、２１ ヘ
ッド素子としての磁気ヘッド素子、２２ 保護膜、２６
ａ レールとしてのインナーレール、２６ｂ レールと
してのアウターレール、２７ スライダ本体のＡＢＳ
面、２８ 保護膜のＡＢＳ面、３１ 吸着防止突起、３
２ 気流、３５ 境界、３６，７０，７５ 切り欠き、
３７ 保護膜端面、５７ 偏倚コイルパターン、７１
レール内側面、７６ レール外側面。
としての磁気ディスク、２０ スライダ本体、２１ ヘ
ッド素子としての磁気ヘッド素子、２２ 保護膜、２６
ａ レールとしてのインナーレール、２６ｂ レールと
してのアウターレール、２７ スライダ本体のＡＢＳ
面、２８ 保護膜のＡＢＳ面、３１ 吸着防止突起、３
２ 気流、３５ 境界、３６，７０，７５ 切り欠き、
３７ 保護膜端面、５７ 偏倚コイルパターン、７１
レール内側面、７６ レール外側面。
Claims (14)
- 【請求項１】 ディスク面に対して姿勢変化可能に支持
されるスライダ本体と、ディスク回転時にスライダ本体
に沿って発生する気流の下流側でスライダ本体端面に支
持されるヘッド素子と、スライダ本体端面に形成されて
ヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ本体および
保護膜の境界より前記下流側で保護膜のＡＢＳ面に切り
欠きが形成されることを特徴とする浮上ヘッドスライ
ダ。 - 【請求項２】 ディスク面に対して姿勢変化可能に支持
されるスライダ本体と、ディスク面に対向する浮上面に
配列される２筋のレールと、ディスク回転時にスライダ
本体に沿って発生する気流の下流側で少なくとも１筋の
レール端面に支持されるヘッド素子と、レール端面に形
成されてヘッド素子を覆う保護膜とを備え、スライダ本
体および保護膜の境界より前記下流側で保護膜のＡＢＳ
面に切り欠きが形成されることを特徴とする浮上ヘッド
スライダ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の浮上ヘッドス
ライダにおいて、前記切り欠きは、前記ヘッド素子から
離れるに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保護膜端面か
らの深さを大きくさせることを特徴とする浮上ヘッドス
ライダ。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の浮上ヘ
ッドスライダにおいて、前記スライダ本体は、スライダ
本体のＡＢＳ面に、ディスク面とスライダ本体との吸着
を防止する吸着防止突起を備えることを特徴とする浮上
ヘッドスライダ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の浮上ヘ
ッドスライダにおいて、前記ヘッド素子は、コイル中心
に向かって偏倚した偏倚コイルパターンを備えることを
特徴とする浮上ヘッドスライダ。 - 【請求項６】 ディスクと、スライダ本体と、ディスク
面に対して姿勢変化可能にスライダ本体を支持するキャ
リッジと、ディスク回転時にスライダ本体に沿って発生
する気流の下流側でスライダ本体端面に支持されるヘッ
ド素子と、スライダ本体端面に形成されてヘッド素子を
覆う保護膜とを備え、スライダ本体および保護膜の境界
より前記下流側で保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成さ
れることを特徴とする記録ディスク装置。 - 【請求項７】 ディスクと、スライダ本体と、ディスク
面に対して姿勢変化可能にスライダ本体を支持するキャ
リッジと、ディスク面に対向するスライダ本体の浮上面
に配列される２筋のレールと、ディスク回転時にスライ
ダ本体に沿って発生する気流の下流側で少なくとも１筋
のレール端面に支持されるヘッド素子と、レール端面を
含むスライダ本体端面に形成されてヘッド素子を覆う保
護膜とを備え、スライダ本体および保護膜の境界より前
記下流側で保護膜のＡＢＳ面に切り欠きが形成されるこ
とを特徴とする記録ディスク装置。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載の記録ディスク
装置において、前記ヘッド素子は、コイル中心に向かっ
て偏倚した偏倚コイルパターンを備えることを特徴とす
る記録ディスク装置。 - 【請求項９】 ディスク面に対して姿勢変化可能に支持
されるスライダ本体と、ディスク面に対向する浮上面に
配列される２筋のレールと、ディスク回転時にスライダ
本体に沿って発生する気流の下流側で少なくとも１筋の
レール端面に支持されるヘッド素子と、２筋のレール端
面を含むスライダ本体端面に形成されてヘッド素子を覆
う保護膜とを備え、スライダ本体および保護膜の境界よ
り前記下流側で前記２筋のレールでは保護膜のＡＢＳ面
に切り欠きが形成されることを特徴とする浮上ヘッドス
ライダ。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の浮上ヘッドスライダ
において、前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平
面を形成する２つのレール内側面に臨むことを特徴とす
る浮上ヘッドスライダ。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の浮上ヘッドスライ
ダにおいて、前記切り欠きは、前記スライダ本体の内側
に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保護膜端面
からの深さを大きくさせることを特徴とする浮上ヘッド
スライダ。 - 【請求項１２】 請求項９に記載の浮上ヘッドスライダ
において、前記切り欠きは、前記ＡＢＳ面に交差する平
面を形成する２つのレール外側面に臨むことを特徴とす
る浮上ヘッドスライダ。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の浮上ヘッドスライ
ダにおいて、前記切り欠きは、前記スライダ本体の外側
に向かうに従って、前記ＡＢＳ面に交差する保護膜端面
からの深さを大きくさせることを特徴とする浮上ヘッド
スライダ。 - 【請求項１４】 請求項９〜１３のいずれかに記載の浮
上ヘッドスライダにおいて、前記ヘッド素子は、コイル
中心に向かって偏倚した偏倚コイルパターンを備えるこ
とを特徴とする浮上ヘッドスライダ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141052A JPH11306708A (ja) | 1998-02-23 | 1998-05-22 | 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク装置 |
| US09/116,377 US6301079B1 (en) | 1998-02-23 | 1998-07-16 | Flying head slider having a splay formed on a flying surface enabling a lower flying height while avoiding collision with a surface of a recording disk |
| KR1019980030591A KR100290105B1 (ko) | 1998-02-23 | 1998-07-29 | 부상헤드슬라이더및기록디스크장치 |
| DE19834261A DE19834261A1 (de) | 1998-02-23 | 1998-07-30 | Fliegender Kopfgleiter und Aufzeichnungsplattenvorrichtung |
| CNB981166741A CN1155000C (zh) | 1998-02-23 | 1998-07-30 | 浮动的磁头滑块和磁盘记录装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3996898 | 1998-02-23 | ||
| JP10-39968 | 1998-02-23 | ||
| JP10141052A JPH11306708A (ja) | 1998-02-23 | 1998-05-22 | 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11306708A true JPH11306708A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=26379377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141052A Pending JPH11306708A (ja) | 1998-02-23 | 1998-05-22 | 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6301079B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11306708A (ja) |
| KR (1) | KR100290105B1 (ja) |
| CN (1) | CN1155000C (ja) |
| DE (1) | DE19834261A1 (ja) |
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| US20020057531A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Seagate Technology Llc | HGA ballbond assembly with wafer process assembly features |
| US6731464B2 (en) * | 2002-01-10 | 2004-05-04 | Headway Technologies, Inc. | Slider of thin-film magnetic head |
| JP2003308669A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-31 | Sony Corp | 浮上型ヘッドスライダおよび情報記録再生装置 |
| JP2004164685A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Sony Corp | 浮上ヘッドスライダおよびこれを用いたディスク記憶装置 |
| JP2005032325A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Shinka Jitsugyo Kk | 浮上型磁気ヘッドスライダの製造方法 |
| JP2005235290A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドスライダ |
| CN1925001B (zh) * | 2005-08-31 | 2010-04-14 | 新科实业有限公司 | 具有微纹的磁性读/写磁头及其制造方法 |
| JP2007116263A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Orion Denki Kk | 電子装置及びデータ通信制御方法 |
| KR100919246B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2009-09-30 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장매체 및 이를 구비한 하드디스크 드라이브 |
| US8201319B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-06-19 | Seagate Technology Llc | Method for forming slider pad for contact mitigation |
| WO2013130418A1 (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Graphitic substrates with ceramic dielectric layers |
| CN112420081B (zh) * | 2020-11-05 | 2021-11-19 | 杭州职业技术学院 | 具有碰撞保护功能的计算机机械硬盘及其碰撞保护方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63113989A (ja) | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 浮動ヘツドスライダ |
| JPH0254486A (ja) | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Nec Corp | 浮動型磁気ヘッドスライダ |
| US5072322A (en) * | 1988-10-17 | 1991-12-10 | National Micronetics, Inc. | Monolithic ferrite recording head with glass-protected, self-aligned, machined track |
| JPH03105778A (ja) | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドスライダ |
| JPH03232173A (ja) | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Nec Corp | 磁気ヘッドスライダの製造方法 |
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| JPH07169222A (ja) | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 浮上式磁気ヘッド |
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