JPH11297268A - 高圧水銀ランプ - Google Patents
高圧水銀ランプInfo
- Publication number
- JPH11297268A JPH11297268A JP10111316A JP11131698A JPH11297268A JP H11297268 A JPH11297268 A JP H11297268A JP 10111316 A JP10111316 A JP 10111316A JP 11131698 A JP11131698 A JP 11131698A JP H11297268 A JPH11297268 A JP H11297268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge vessel
- quartz glass
- halogen
- pressure mercury
- mercury lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/82—Lamps with high-pressure unconstricted discharge having a cold pressure > 400 Torr
- H01J61/827—Metal halide arc lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
Abstract
生、およびその成長を良好に防止できる高圧水銀ランプ
を提供して、液晶プロジェクタ等の光源として使ったと
きにスクリーン照度の急激な低下を防止することであ
る。 【解決手段】 石英ガラスからなる放電容器2に一対の
タングステン電極4が対向配置しており、この放電容器
2に、0.16mg/mm3以上の水銀と、希ガスと、
ハロゲンとを封入し、管壁負荷が0.8W/cm2以上
である高圧水銀ランプ1において、前記ハロゲンの封入
量を2×10-4〜7×10-3μmol/mm3の範囲と
したことを特徴とする。
Description
関する。特に、放電容器内に0.16mg/mm3以上
の水銀が封入され点灯時の水銀蒸気圧が110気圧以上
にもなる超高圧な水銀ランプであって、液晶ディスプレ
イ装置などのバックライトとして使用されるものに関す
る。
状のスクリーンに対して均一に、しかも十分な演色性を
もって画像を照明させることが要求され、このため、光
源として、水銀や金属ハロゲン化物を封入させたメタル
ハライドランプが使われる。また、メタルハライドラン
プでも、最近では、より一層の小型化、点光源化が進め
られ、電極間距離の極めて小さいものが実用化されてい
る。
ハライドランプに代わって、極めて高い水銀蒸気圧、例
えば200バール(約197気圧)以上、を持つランプが
提案されている。これは、水銀蒸気圧をより高くするこ
とで、アークの広がりを抑える(絞り込む)とともに、
より一層の光出力の向上を図るというものであり、例え
ば、特開平2−148561号、特開平6−52830
号に開示されている。
5,109,181)には、タングステンからなる一対
の電極を有する放電容器に希ガスと、0.2mg/mm
3以上の水銀と、1×10-6〜1×10-4μmol/m
m3の範囲のハロゲンを封入して、1W/mm2以上の管
壁負荷で動作させる高圧水銀ランプが開示されている。
する理由は、水銀の圧力を高くして可視光領域、特に赤
色領域の連続スペクトルを増加させ演色性を改善するこ
とであり、管壁負荷を1W/mm2以上にする理由は、
水銀の圧力を高くするために最冷部の温度を高くする必
要があるからである。さらに、ハロゲンを封入する理由
については管壁の黒化防止であることが読み取れるが、
1×10-6〜1×10-4μmol/mm3の範囲に規定
する理由は特に記載されていない。また、ハロゲンは臭
化メチレン(CH2Br2)の形で封入することが紹介さ
れている。
第5,497,049)には、上記の水銀量、管壁負荷
値、ハロゲン量に加えて、放電容器の形状や電極間距離
を規定して、さらにハロゲンの種類として臭素を使用す
ることが開示されている。
り、その封入量が10-6μmol/mm3以上で十分な
効果を発揮するとともに、10-4μmol/mm3を超
えると電極が腐食することを示している。また、このラ
ンプはプロジェクタ用の光源に適しているとされ、スク
リーン照度の照度維持率が、従来のランプを使った場合
に比べて優れていることなどが紹介されている。
いる仕様に基づいて多数のランプを製作し、液晶プロジ
ェクタ等に組み込んでスクリーン照度について試験をし
てみると、現実には、数百時間程度の点灯でスクリーン
照度が著しく低下してしまうことが判明された。
とによって、放射光量が低下することによるものであっ
たが、一旦、放電容器の一部に白濁が発生してしまう
と、当該白濁は急激に成長することも原因していた。そ
して、これらの白濁の発生や成長は、放電容器の黒化に
まで発展し、さらに電極の先端形状の変形、損耗も加わ
り、これらが相乗的に影響して、スクリーン照度の低下
をもたらしていることがわかった。
さらには発生した白濁が成長する機構については必ずし
も明らかではないが、本発明者らが試行錯誤の検討を積
み重ねた結果、以下のようであると推測される。
mm3以上に対応する非常に高圧な水銀蒸気と希ガスの
混合ガス中の放電においては、希ガスエキシマ光と水銀
の共鳴線185nmの間の波長領域に水銀−希ガスのエ
キシマ光が発生する。すなわち、希ガスとしてAr、K
r、及びXeを使用した場合、それぞれ126nm、1
46nm及び172nmの付近に希ガスエキシマ光が発
生し、また、水銀の圧力が著しく高いので、水銀原子の
共鳴線185nmの線幅は広がり、この共鳴線の短波長
側の波長の光強度も十分に強くなる。さらに、これらに
加えて、希ガスエキシマ光と185nmの間に水銀希ガ
スエキシマ光が発生する。
では、希ガスによるエキシマ光(波長126nm、14
6nm、172nmの光)、水銀原子の共鳴線185n
mの短波長側の光、および水銀ー希ガスエキシマ光(以
下、この約126nm〜185nmの帯域の光を「短波
長紫外線」という)がきわめて良く放射される。さら
に、この短波長紫外線は、放電容器の管壁負荷が高いの
で、放電容器の内面における放射照度はきわめて大きい
ものである。
放電容器を構成する石英ガラスが吸収する波長帯域が長
波長側にずれる傾向にある。すなわち、管壁負荷が0.
8W/mm2以上もの高い値を有する高圧水銀ランプで
は、石英ガラスの温度は著しく高いので、放射される短
波長紫外線が、石英ガラスに吸収されてしまうことにな
る。
管壁負荷も極めて高い水銀ランプにあっては、通常の水
銀ランプとは比較にならないぐらいの短波長紫外線が放
射され、さらに、この短波長紫外線が石英ガラスに吸収
されやすい状態にあるといえる。
が吸収されると、当該石英ガラスの構成要素であるケイ
素(Si)と酸素(O)の結合を切断し、歪み応力を発
生させ、石英ガラス表面の構造を原理的に変形させてし
まう。また、短波長紫外線の照射によって、石英ガラス
の構成要素であるSiあるいはSiOが蒸発して、直近
の石英ガラスの表面に付着もする。従って、吸収される
短波長紫外線量が多い場合には石英ガラスの表面に微細
な凹凸などが発生し、これらが原因となって白濁を生じ
るものと思われる。
される割合は、石英ガラスの表面がクリーンな状態では
比較的少ないが、汚染状態がひどいほど大きくなる傾向
にある。従って、ランプ点灯中において、石英ガラス内
表面が汚染しないように制御することが好ましいことで
あるが、このためにはランプ製作工程において、汚染の
もとになる物質を可能限り放電容器内に混入させないよ
うにすることが必要となる。ここで、炭素はランプ製作
環境において、種々の有機化合物として存在するので、
最も制御しにくい汚染物である。
ると、赤外線を含む光の多重反射等によって熱が吸収さ
れて、当該白濁部分の温度も上昇させてしまう。この結
果、石英ガラスが吸収する光はより長波長側へと移動し
てしまい、これが原因で、より一層、短波長紫外線の石
英ガラスへの吸収が加速し、結果として、微細な凸凹の
形成反応も加速されるのでは白濁は急激に成長するもの
と思われる
射、吸収によって、石英ガラスの構成要素であるSiと
Oの結合が切断されてしまうと、SiあるいはSiOが
管壁から蒸発し、電極先端に付着してタングステンの融
点を下げて、電極の先端形状の変形、損耗とタングステ
ンによる管壁黒化を引き起こしてしまう。
とする課題は、放電容器を構成する石英ガラスでの白濁
の発生、およびその成長を良好に防止できる高圧水銀ラ
ンプを提供して、液晶プロジェクタ等の光源として使っ
たときにスクリーン照度の急激な低下を防止することで
ある。
に、この発明の高圧水銀ランプは、請求項1において
は、石英ガラスからなる放電容器に一対のタングステン
電極が対向配置しており、この放電容器に、0.16m
g/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとを封入
し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である高圧水銀ラ
ンプにおいて、前記ハロゲンの封入量を2×10-4〜7
×10-3μmol/mm3の範囲としたことを特徴とす
る。
は、石英ガラスからなる放電容器に一対のタングステン
電極が対向配置しており、この放電容器に、0.16m
g/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとを封入
し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である高圧水銀ラ
ンプにおいて、前記ハロゲンは、炭素を含まない化合物
として封入されたものであることを特徴とする。
は、石英ガラスからなる放電容器に一対のタングステン
電極が対向配置しており、この放電容器に、0.16m
g/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンを封入
し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である高圧水銀ラ
ンプにおいて、前記放電容器の内表面から深さ0.2m
mの範囲の平均OH基濃度が20wtppm以下である
ことを特徴とする。
は、請求項1、または請求項2にかかる高圧水銀ランプ
であって、前記放電容器の内表面から深さ0.2mmの
範囲の平均OH基濃度が20wtppm以下であること
を特徴とする。
は、請求項2にかかる高圧水銀ランプであって、前記ハ
ロゲンはハロゲン化水銀で封入したことを特徴とする。
は、請求項5にかかる高圧水銀ランプであって、前記ハ
ロゲン化水銀をランプの構成部材の一部に付着させて放
電容器内に導入したことを特徴とする。
は、請求項1から請求項3にかかる高圧水銀ランプであ
って、前記希ガスは5KPa以上であることを特徴とす
る。
器管壁の白濁の発生、および白濁の成長を良好に防止す
るためには、第1に、管壁表面(石英ガラス)に到達す
る上記短波長紫外線を少なくすること、第2に、短波長
紫外線を吸収しやすい不純物、具体的には炭素を少なく
すること、そして第3に、短波長紫外線に対して十分な
耐性を有するように石英ガラス自体を改質することであ
る。
は、所定量、具体的には、2×10-4〜7×10-3μm
ol/mm3のハロゲンを封入することを特徴として、
上記課題を解決している。すなわち、2×10-4μmo
l/mm3以上のハロゲンを封入することで、上記短波
長紫外線は、これらハロゲン及びハロゲンを含む分子に
よって、良好に吸収されてしまい、結果として放電容器
の管壁(石英ガラス)まで到達する量を減少させること
ができるからである。つまり、前記したように短波長紫
外線が石英ガラスを照射、吸収することで生じる白濁の
発生、成長を良好に防止することができるからである。
また、ハロゲンの封入量を無制限とするのではなく、7
×10-3μmol/mm3以下と制限することで、過剰
ハロゲンによって生じる電極の変形、損耗も実質的に影
響のない範囲に減少させることができる。
入する高圧水銀ランプは、いくつかの先行文献において
も紹介されている。(例えば、特公昭49−5421号
などである。)しかし、このような従来のものは、ハロ
ゲンサイクルを利用して電極構成物質であるタングステ
ンが、放電容器内面(石英ガラス)に付着することを防
止するもの、いわゆる黒化防止である。これに対して、
本願発明におけるハロゲン封入の目的は、放電容器内に
封入したハロゲンによって、短波長紫外線を吸収させて
しまうことにある。そして、放電容器内において、短波
長紫外線を良好に吸収させることによって、短波長紫外
線の石英ガラスへの到達を良好に防止させるているので
ある。
たように非常に高圧力の水銀蒸気と希ガスの混合ガス中
の放電であって、希ガスエキシマ光と水銀の共鳴線(1
85nm)との間の波長領域に水銀―希ガスのエキシマ
光が発生することによって生じるものである。つまり、
上記先行文献などに記載されている水銀ランプの放電条
件とは、全く異なる条件において生じる短波長紫外線を
良好に吸収するためのものといえる。本発明の具体な放
電条件は、水銀の封入量が0.16mg/mm3以上で
あり、管壁負荷が0.8W/cm2以上で、さらに希ガ
スを封入するというものであり、このような特有の条件
のもので生ずる短波長紫外線を良好に吸収させるという
ことは、従来技術には全く存在しえないことである。
は、ハロゲンの放電容器への封入を炭素を含まない化合
物という形で行なうことを特徴としている。すなわち、
従来技術の水銀ランプは、臭化メチレン(CH2Br2)
のように炭素を含むハロゲン化合物として放電容器への
封入を行なうため、放電容器内における炭素の含有量が
多くなり、これがランプ点灯中に石英ガラスに付着する
ことで短波長紫外線の吸収を行なっている。
短波長紫外線の吸収を良好に防止するために、ハロゲン
の封入する形態として、炭素を含まない化合物、例えば
臭化水銀などの形で行なうことを特徴とする。このた
め、放電容器内における炭素の絶対量が少なくなり、ラ
ンプ製造工程でたとえ少量の炭素が、不所望に放電容器
内に混入されたとしても、その炭素が石英ガラスの内面
に付着して吸収する短波長紫外線は微量のものとするこ
とができる。結果として、石英ガラスにおける白濁の発
生、成長を良好に防止できる。
は、放電容器の発光空間側の表面から深さ0.2mmの
範囲の平均OH基濃度が20wtppm以下であること
を特徴とする。このことによる説明は以下のように考え
られる。石英ガラスの白濁は、ガラス状のSiO2が再
配列して微少な結晶が成長することで発生するが、結晶
化は温度が高いほど起こりやすく、また、表面の不純物
に敏感であって、当該表面に結晶核ができることでガラ
スの内部に向って進行する。この場合の結晶成長の速度
はガラス粘度により支配され、酸素の欠乏の度合い、O
H濃度の高低、不純物含有量の多少によって影響を受け
る。すなわち、酸素が欠乏している無水石英ガラスでは
酸素が化学量論比を満足しているものに比較して粘度が
高くなり、また、OH濃度の低いガラスも粘度が高くな
り、何れも同じ温度での失透が進む速度を遅くする働き
がある。また、不純物が混入するとほとんどの場合はガ
ラス粘度を低下させてしまうが、アルミニウムに関して
は共存するアルカリとの比、アルミニウム/(リチウム
+ナトリウム+カリウム)が、高くなるほどガラス粘度
が高くなる。すなわち、結晶成長速度が低くなる。
光空間側の表面から所定の深さの範囲の平均OH濃度を
所定値以下としたので、短波長紫外線の当該石英ガラス
部分における吸収量を著しく少なくすることができ、か
つ、OH濃度を低くすることで石英ガラスの粘度を高く
することが可能となり、たとえ当該石英ガラス内表面に
白濁が発生したとしても、それが内部に進行する速度を
十分に抑えることが可能となる。すなわち、石英ガラス
のOH基濃度を規定することで、短波長紫外線に対する
耐性を改質しているのである。
6mg/mm3以上封入され、管壁負荷が0.8W/c
m2以上という超高圧な条件において、高強度の短波長
紫外線が生成されるというもとにおいて、その高強度の
短波長紫外線によって生じる石英ガラスの白濁の発生を
防止し、かつ、その成長を低下させるというものであ
る。従って、本発明は、上記のような放電条件を有する
超高圧水銀ランプであって、放電容器を形成する石英ガ
ラスの全体におけるOH濃度を規定するのではなく、石
英ガラスの内表面の限られた領域におけるOH濃度を規
定したことに大きな特徴を有する。そして、上記本発明
の解決課題を考慮すると、石英ガラス全体の平均OH基
濃度を規定するということは無意味なことといえる。
記載されるハロゲン封入量の規定とともに、請求項3に
記載されるようにOH基濃度を規定するものである。す
なわち、所定のハロゲンを封入することで石英ガラスの
到達する短波長紫外線を減少させるとともに、石英ガラ
スのOH基濃度を規定することで石英ガラスの耐性の改
質を図ったものである。
項2に記載されるハロゲンの封入形態を規定するととも
に、請求項3に記載されるようにOH基濃度を規定する
ものである。すなわち、ハロゲンの封入を炭素を含まな
い化合物として行なうことで放電容器内の炭素の絶対量
を少なくすることができるとともに、石英ガラスのOH
基濃度を規定することで石英ガラスの耐性の改質を図っ
たものである。
記載される発明であって、ハロゲンをハロゲン化水銀の
形で封入したことを特徴とする。すなわち、これによっ
て放電容器内への炭素の混入量を少なくさせることがで
き、結果的に石英ガラスにおける短波長紫外線の吸収量
を激減させることができ、石英ガラスの白濁を良好に防
止できる。
ので放電容器内に混入させる水分量をも少なくさせるこ
とができ、放電始動において電極に悪影響を与えないと
いう利点や、放電容器がチップレスの場合に封止過程に
おいて、加熱されたランプ構成部材と臭化メチレンなど
が反応し、SiO2が電極に付着して始動性能に悪影響
を与えるということもない。この結果、電極の変形、損
耗をより一層少なくさせることができる。
ン化水銀をランプ構成部材の一部に付着させて放電容器
の中に封入させることを特徴とする。このようにするこ
とで、従来の方法である粒状の形で封入させることに比
較して、小さな放電容器に対して精度良く、ハロゲンを
封入させることができる。具体的には、放電容器の内容
積150mm3以下の場合に極めて有効である。なお、
ランプ構成部材としては電極が適している。この理由は
放電容器の中に挿入する部材であり、放電空間に突出す
る部位に付着させやすいからである。しかし、電極に限
定されるものではなく、放電容器に内表面などに付着さ
せて混入させることもできる。
量が5KPa以上であることを特徴とする。すなわち、
本願発明では点灯時の高圧になるべき量に相当する水銀
を封入することで、より一層の光出力を上げることがで
きるとともに、可視光領域、特に赤色領域の連続スペク
トルを増加できるものであるが、放電を始動するために
希ガスを必要とする。本発明の高圧水銀ランプにおいて
は、水銀の封入量が多いのでランプの消灯時には、電極
の根元に水銀が溜まっている場合が多い。この状態で放
電を始動させると、放電は電極先端間で発生せず、電極
の根元を輝点にして発生することが多くなる。このよう
な異常な放電が発生するとタングステンが蒸発、あるい
はスパッターリングによって飛散し、放電容器の内表面
を黒化させる。本発明のランプは非常に高い管壁負荷で
あるが、これは完璧の面積が小さいことに相当するので
黒化も著しいものとなる。ここで、希ガスの圧力を5K
Pa以上にすると、放電距離が最短である電極先端間で
放電が発生しやすくなり、異常放電が発生しなくなるの
で上記の問題は解決する。そして、本願発明では、上記
のような利点を得る代わり、多量の水銀と希ガスを封入
することで生じる短波長紫外線による石英ガラスの白濁
の発生、成長を防止するものである。希ガスとしては、
例えば、アルゴン、キセノン、クリプトンが封入され、
それらの封入量は5KPa以上であることが上記利点を
得る上で好ましい。
す。放電ランプ1は石英ガラスよりなり、中央の放電容
器2とその両端につながる細長の封止部3より構成され
る。放電容器2の中(以下、これを「発光空間」ともい
う)には、一対の電極4が、1.2mm程度の間隙をも
って配置される。電極4の後端は封止部3の中に埋設さ
れて金属箔5に溶接される。金属箔5の他端は外部リー
ド6が接合される。
され、また、点灯始動ガスとしてアルゴン、キセノン等
の希ガスが封入される。希ガスは定常点灯時においては
水銀ーエキシマ光を発光する発光物質でもある。ここ
で、水銀の封入量は0.16mg/mm3以上であっ
て、これは安定点灯時の蒸気圧が110気圧以上になる
ものである。
ると、最大外径10.5mm、最大内径4.5mm、発
光空間長(ランプの軸方向の長さ)10.0mm、封入
水銀量17mg、発光空間の内容積75mm3、発光空
間の内表面積100mm2、管壁負荷1.5W/mm2、
定格電力150Wである。
光スペクトルを示す。図から明らかなように波長380
〜780nm付近の可視領域に効果的に放射されている
ことが示される。特に、波長600〜780nmの赤色
領域の連続放射が多く、これは水銀封入量0.05mg
/mm3以下のランプに比べてきわめて増加している。
封入ハロゲン量を変化させた場合のスクリーン照度の実
験について説明する。実験は、図3に示すように、8本
の高圧水銀ランプを使って、ハロゲン(臭素)封入量の
みを変化させ、その他の条件は上記一例に示した内容と
ほぼ同一の値で統一させた。つまり、水銀量、発光空間
内容積は、各々のランプについて若干異なるが、これら
は製造上の誤差に過ぎず、いずれのランプも可視光領域
で良好に連続放射するものである。
組み立て前の2次シール側の電極表面に臭化水銀の形で
必要量蒸着させて行い、さらに、現実に封入された量を
イオンクロマトグラフを用いてカラム濃縮法により定量
した。また、発光空間の内容積は、屈折率が溶融石英に
近い溶媒中に浸し、顕微測長器により内表面の座標を読
み取って計算により求めた。
た後15分消灯というモードで点灯させ続けた。一定時間
間隔での放電容器の目視観察と、プロジェクタ光学系に
よって照度維持率を測定した。図3に100時間後の放電
容器の目視観察の結果と、2000時間後の照度維持率を表
している。この結果、ハロゲン封入量が1.2×10-4
μmol/mm3以下の場合は、100時間後において放電
容器の上部に黒化、失透が見られ、また、2000時間後に
おいては照度維持率が50%以下と著しく減少していた。
また、ハロゲン封入量が7.34×10-3μmol/m
m3μの場合は、100時間後において電極の根元に著しい
黒化が発見された。
じさせないためには、一定量のハロゲンを封入すること
が必要であり、具体的には、2.0×10-4μmol/
mm3以上であることが理解できる。液晶プロジェクタ
用の光源としては最低2000時間50%の照度を維持
することが望まれており、テレビユースでは10000
時間が求められている。この条件を満たすためにもハロ
ゲン封入量は上記の下限値以上封入すれば良いことがわ
かる。また、ハロゲンの封入量が多くなると、放電容器
の黒化、失透、スクリーン照度の低下という問題は生じ
ないものの、電極根元付近にタングステンの著しい付着
が見られる。つまり、このような悪影響を防止するため
には、7.0×10-3μmol/mm3以下の封入量と
することが望ましい。
濁の発生、成長を防止する実験について説明する。実験
は、石英ガラスの内表面0.2mmの範囲のOH基濃度
を200wtppm、100wtppm、50wtppm、20wtppm、
10wtppmと変化させた5つの上記超高圧水銀ランプを
上記の仕様で製作し、ハロゲン封入量を1×10-3μm
ol/mm3とした。そして、各々の放電ランプについ
て、石英ガラスの白濁が放電容器の発光空間内面全体の
表面積の20%を超えた時間を測定した。図4にその結
果を示す。縦軸は石英ガラスの白濁した領域が放電容器
の発光管内表面積の20%に達した時間を示し、横軸は
OH基濃度を示す。図より、石英ガラスの内表面0.2
mmの範囲のOH基濃度が20wtppm以下の場合に、
液晶プロジェクタとして必要とされる2000時間を維
持していることがわかる。
点灯型、交流点灯型に限定されずいずれの点灯方式のも
のにも適用できる。
銀ランプは、石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が対向配置しており、この放電容器に、
0.16mg/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲ
ンとを封入し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である
高圧水銀ランプにおいて、以下の効果を有する。第1
に、前記ハロゲンの封入量を2×10-4〜7×10-3μ
mol/mm3の範囲としたことを特徴として、この特
徴によって当該ハロゲン、およびハロゲンを含む分子に
よって良好に短波長紫外線を吸収できるので、放電容器
の管壁内表面(石英ガラス)に到達する短波長紫外線の
照射量をきわめて少なくすることができる。第2に、ハ
ロゲンは炭素を含まない化合物として封入されたもので
あることを特徴として、この特徴によって放電容器内に
封入される炭素の量を極めて少なくすることができるの
で、放電容器の管壁内表面(石英ガラス)において吸収さ
れる短波長紫外線の量を減少させることが可能となる。
第3に、放電容器の内表面から深さ0.2mmの範囲の
平均OH基濃度が20wtppm以下であることを特徴
として、この特徴によって、石英ガラス自体の粘度を高
めることが可能となり、結果として石英ガラスの短波長
紫外線に対する耐性を改質することができる。
を示す。
関する。特に、放電容器内に0.16mg/mm 3以上
の水銀が封入され点灯時の水銀蒸気圧が110気圧以上
にもなる超高圧な水銀ランプであって、液晶ディスプレ
イ装置などのバックライトとして使用されるものに関す
る。
状のスクリーンに対して均一に、しかも十分な演色性を
もって画像を照明させることが要求され、このため、光
源として、水銀や金属ハロゲン化物を封入させたメタル
ハライドランプが使われる。また、メタルハライドラン
プでも、最近では、より一層の小型化、点光源化が進め
られ、電極間距離の極めて小さいものが実用化されてい
る。
ハライドランプに代わって、極めて高い水銀蒸気圧、例
えば200バール(約197気圧)以上、を持つランプが
提案されている。これは、水銀蒸気圧をより高くするこ
とで、アークの広がりを抑える(絞り込む)とともに、
より一層の光出力の向上を図るというものであり、例え
ば、特開平2−148561号、特開平6−52830
号に開示されている。
5,109,181)には、タングステンからなる一対
の電極を有する放電容器に希ガスと、0.2mg/mm
3以上の水銀と、1×10-6〜1×10-4μmol/m
m3の範囲のハロゲンを封入して、1W/mm2以上の管
壁負荷で動作させる高圧水銀ランプが開示されている。
する理由は、水銀の圧力を高くして可視光領域、特に赤
色領域の連続スペクトルを増加させ演色性を改善するこ
とであり、管壁負荷を1W/mm2以上にする理由は、
水銀の圧力を高くするために最冷部の温度を高くする必
要があるからである。さらに、ハロゲンを封入する理由
については管壁の黒化防止であることが読み取れるが、
1×10-6〜1×10 -4μmol/mm3の範囲に規定
する理由は特に記載されていない。また、ハロゲンは臭
化メチレン(CH2Br2)の形で封入することが紹介さ
れている。
第5,497,049)には、上記の水銀量、管壁負荷
値、ハロゲン量に加えて、放電容器の形状や電極間距離
を規定して、さらにハロゲンの種類として臭素を使用す
ることが開示されている。
り、その封入量が10-6μmol/mm3以上で十分な
効果を発揮するとともに、10-4μmol/mm3を超
えると電極が腐食することを示している。また、このラ
ンプはプロジェクタ用の光源に適しているとされ、スク
リーン照度の照度維持率が、従来のランプを使った場合
に比べて優れていることなどが紹介されている。
いる仕様に基づいて多数のランプを製作し、液晶プロジ
ェクタ等に組み込んでスクリーン照度について試験をし
てみると、現実には、数百時間程度の点灯でスクリーン
照度が著しく低下してしまうことが判明された。
とによって、放射光量が低下することによるものであっ
たが、一旦、放電容器の一部に白濁が発生してしまう
と、当該白濁は急激に成長することも原因していた。そ
して、これらの白濁の発生や成長は、放電容器の黒化に
まで発展し、さらに電極の先端形状の変形、損耗も加わ
り、これらが相乗的に影響して、スクリーン照度の低下
をもたらしていることがわかった。
さらには発生した白濁が成長する機構については必ずし
も明らかではないが、本発明者らが試行錯誤の検討を積
み重ねた結果、以下のようであると推測される。
mm3以上に対応する非常に高圧な水銀蒸気と希ガスの
混合ガス中の放電においては、希ガスエキシマ光と水銀
の共鳴線185nmの間の波長領域に水銀−希ガスのエ
キシマ光が発生する。すなわち、希ガスとしてAr、K
r、及びXeを使用した場合、それぞれ126nm、1
46nm及び172nmの付近に希ガスエキシマ光が発
生し、また、水銀の圧力が著しく高いので、水銀原子の
共鳴線185nmの線幅は広がり、この共鳴線の短波長
側の波長の光強度も十分に強くなる。さらに、これらに
加えて、希ガスエキシマ光と185nmの間に水銀希ガ
スエキシマ光が発生する。
では、希ガスによるエキシマ光(波長126nm、14
6nm、172nmの光)、水銀原子の共鳴線185n
mの短波長側の光、および水銀ー希ガスエキシマ光(以
下、この約126nm〜185nmの帯域の光を「短波
長紫外線」という)がきわめて良く放射される。さら
に、この短波長紫外線は、放電容器の管壁負荷が高いの
で、放電容器の内面における放射照度はきわめて大きい
ものである。
放電容器を構成する石英ガラスが吸収する波長帯域が長
波長側にずれる傾向にある。すなわち、管壁負荷が0.
8W/mm2以上もの高い値を有する高圧水銀ランプで
は、石英ガラスの温度は著しく高いので、放射される短
波長紫外線が、石英ガラスに吸収されてしまうことにな
る。
管壁負荷も極めて高い水銀ランプにあっては、通常の水
銀ランプとは比較にならないぐらいの短波長紫外線が放
射され、さらに、この短波長紫外線が石英ガラスに吸収
されやすい状態にあるといえる。
が吸収されると、当該石英ガラスの構成要素であるケイ
素(Si)と酸素(O)の結合を切断し、歪み応力を発
生させ、石英ガラス表面の構造を原理的に変形させてし
まう。また、短波長紫外線の照射によって、石英ガラス
の構成要素であるSiあるいはSiOが蒸発して、直近
の石英ガラスの表面に付着もする。従って、吸収される
短波長紫外線量が多い場合には石英ガラスの表面に微細
な凹凸などが発生し、これらが原因となって白濁を生じ
るものと思われる。
される割合は、石英ガラスの表面がクリーンな状態では
比較的少ないが、汚染状態がひどいほど大きくなる傾向
にある。従って、ランプ点灯中において、石英ガラス内
表面が汚染しないように制御することが好ましいことで
あるが、このためにはランプ製作工程において、汚染の
もとになる物質を可能限り放電容器内に混入させないよ
うにすることが必要となる。ここで、炭素はランプ製作
環境において、種々の有機化合物として存在するので、
最も制御しにくい汚染物である。
ると、赤外線を含む光の多重反射等によって熱が吸収さ
れて、当該白濁部分の温度も上昇させてしまう。この結
果、石英ガラスが吸収する光はより長波長側へと移動し
てしまい、これが原因で、より一層、短波長紫外線の石
英ガラスへの吸収が加速し、結果として、微細な凸凹の
形成反応も加速されるのでは白濁は急激に成長するもの
と思われる
射、吸収によって、石英ガラスの構成要素であるSiと
Oの結合が切断されてしまうと、SiあるいはSiOが
管壁から蒸発し、電極先端に付着してタングステンの融
点を下げて、電極の先端形状の変形、損耗とタングステ
ンによる管壁黒化を引き起こしてしまう。
とする課題は、放電容器を構成する石英ガラスでの白濁
の発生、およびその成長を良好に防止できる高圧水銀ラ
ンプを提供して、液晶プロジェクタ等の光源として使っ
たときにスクリーン照度の急激な低下を防止することで
ある。
に、この発明の高圧水銀ランプは、請求項1において
は、石英ガラスからなる放電容器に一対のタングステン
電極が対向配置しており、この放電容器に、0.16m
g/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとを封入
し、管壁負荷が0.8W/mm2 以上である高圧水銀ラ
ンプにおいて、前記ハロゲンの封入量を2×10-4〜7
×10-3μmol/mm3の範囲としたことを特徴とす
る。
は、石英ガラスからなる放電容器に一対のタングステン
電極が対向配置しており、この放電容器に、0.16m
g/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとを封入
し、管壁負荷が0.8W/mm2 以上である高圧水銀ラ
ンプにおいて、前記ハロゲンは、炭素を含まない化合物
として封入されたものであることを特徴とする。
は、請求項1にかかる高圧水銀ランプであって、前記放
電容器の内表面から深さ0.2mmの範囲の平均OH基
濃度が20wtppm以下であることを特徴とする。
は、請求項2にかかる高圧水銀ランプであって、前記放
電容器の内表面から深さ0.2mmの範囲の平均OH基
濃度が20wtppm以下であることを特徴とする。
は、請求項2にかかる高圧水銀ランプであって、前記ハ
ロゲンはハロゲン化水銀で封入したことを特徴とする。
は、請求項4にかかる高圧水銀ランプであって、前記ハ
ロゲン化水銀をランプの構成部材の一部に付着させて放
電容器内に導入したことを特徴とする。
は、請求項1または請求項2にかかる高圧水銀ランプで
あって、前記希ガスは5KPa以上であることを特徴と
する。
器管壁の白濁の発生、および白濁の成長を良好に防止す
るためには、第1に、管壁表面(石英ガラス)に到達す
る上記短波長紫外線を少なくすること、第2に、短波長
紫外線を吸収しやすい不純物、具体的には炭素を少なく
すること、第3に、このような課題に加えて、短波長紫
外線に対して十分な耐性を有するように石英ガラス自体
を改質することである。
は、所定量、具体的には、2×10 -4〜7×10-3μm
ol/mm3のハロゲンを封入することを特徴として、
上記課題を解決している。すなわち、2×10-4μmo
l/mm3以上のハロゲンを封入することで、上記短波
長紫外線は、これらハロゲン及びハロゲンを含む分子に
よって、良好に吸収されてしまい、結果として放電容器
の管壁(石英ガラス)まで到達する量を減少させること
ができるからである。つまり、前記したように短波長紫
外線が石英ガラスを照射、吸収することで生じる白濁の
発生、成長を良好に防止することができるからである。
また、ハロゲンの封入量を無制限とするのではなく、7
×10-3μmol/mm3以下と制限することで、過剰
ハロゲンによって生じる電極の変形、損耗も実質的に影
響のない範囲に減少させることができる。
入する高圧水銀ランプは、いくつかの先行文献において
も紹介されている。(例えば、特公昭49−5421号
などである。)しかし、このような従来のものは、ハロ
ゲンサイクルを利用して電極構成物質であるタングステ
ンが、放電容器内面(石英ガラス)に付着することを防
止するもの、いわゆる黒化防止である。これに対して、
本願発明におけるハロゲン封入の目的は、放電容器内に
封入したハロゲンによって、短波長紫外線を吸収させて
しまうことにある。そして、放電容器内において、短波
長紫外線を良好に吸収させることによって、短波長紫外
線の石英ガラスへの到達を良好に防止させるているので
ある。
たように非常に高圧力の水銀蒸気と希ガスの混合ガス中
の放電であって、希ガスエキシマ光と水銀の共鳴線(1
85nm)との間の波長領域に水銀―希ガスのエキシマ
光が発生することによって生じるものである。つまり、
上記先行文献などに記載されている水銀ランプの放電条
件とは、全く異なる条件において生じる短波長紫外線を
良好に吸収するためのものといえる。本発明の具体な放
電条件は、水銀の封入量が0.16mg/mm 3以上で
あり、管壁負荷が0.8W/mm2 以上で、さらに希ガ
スを封入するというものであり、このような特有の条件
のもので生ずる短波長紫外線を良好に吸収させるという
ことは、従来技術には全く存在しえないことである。
は、ハロゲンの放電容器への封入を炭素を含まない化合
物という形で行なうことを特徴としている。すなわち、
従来技術の水銀ランプは、臭化メチレン(CH2Br2)
のように炭素を含むハロゲン化合物として放電容器への
封入を行なうため、放電容器内における炭素の含有量が
多くなり、これがランプ点灯中に石英ガラスに付着する
ことで短波長紫外線の吸収を行なっている。
短波長紫外線の吸収を良好に防止するために、ハロゲン
の封入する形態として、炭素を含まない化合物、例えば
臭化水銀などの形で行なうことを特徴とする。このた
め、放電容器内における炭素の絶対量が少なくなり、ラ
ンプ製造工程でたとえ少量の炭素が、不所望に放電容器
内に混入されたとしても、その炭素が石英ガラスの内面
に付着して吸収する短波長紫外線は微量のものとするこ
とができる。結果として、石英ガラスにおける白濁の発
生、成長を良好に防止できる。
は、放電容器の発光空間側の表面から深さ0.2mmの
範囲の平均OH基濃度が20wtppm以下であること
を特徴とする。このことによる説明は以下のように考え
られる。石英ガラスの白濁は、ガラス状のSiO2が再
配列して微少な結晶が成長することで発生するが、結晶
化は温度が高いほど起こりやすく、また、表面の不純物
に敏感であって、当該表面に結晶核ができることでガラ
スの内部に向って進行する。この場合の結晶成長の速度
はガラス粘度により支配され、酸素の欠乏の度合い、O
H濃度の高低、不純物含有量の多少によって影響を受け
る。すなわち、酸素が欠乏している無水石英ガラスでは
酸素が化学量論比を満足しているものに比較して粘度が
高くなり、また、OH濃度の低いガラスも粘度が高くな
り、何れも同じ温度での失透が進む速度を遅くする働き
がある。また、不純物が混入するとほとんどの場合はガ
ラス粘度を低下させてしまうが、アルミニウムに関して
は共存するアルカリとの比、アルミニウム/(リチウム
+ナトリウム+カリウム)が、高くなるほどガラス粘度
が高くなる。すなわち、結晶成長速度が低くなる。
光空間側の表面から所定の深さの範囲の平均OH濃度を
所定値以下としたので、短波長紫外線の当該石英ガラス
部分における吸収量を著しく少なくすることができ、か
つ、OH濃度を低くすることで石英ガラスの粘度を高く
することが可能となり、たとえ当該石英ガラス内表面に
白濁が発生したとしても、それが内部に進行する速度を
十分に抑えることが可能となる。すなわち、石英ガラス
のOH基濃度を規定することで、短波長紫外線に対する
耐性を改質しているのである。
6mg/mm3以上封入され、管壁負荷が0.8W/m
m2 以上という超高圧な条件において、高強度の短波長
紫外線が生成されるというもとにおいて、その高強度の
短波長紫外線によって生じる石英ガラスの白濁の発生を
防止し、かつ、その成長を低下させるというものであ
る。従って、本発明は、上記のような放電条件を有する
超高圧水銀ランプであって、放電容器を形成する石英ガ
ラスの全体におけるOH濃度を規定するのではなく、石
英ガラスの内表面の限られた領域におけるOH濃度を規
定したことに大きな特徴を有する。そして、上記本発明
の解決課題を考慮すると、石英ガラス全体の平均OH基
濃度を規定するということは無意味なことといえる。
求項1に記載されるハロゲン封入量の規定とともに、前
記のようにOH基濃度を規定するものである。すなわ
ち、所定のハロゲンを封入することで石英ガラスの到達
する短波長紫外線を減少させるとともに、石英ガラスの
OH基濃度を規定することで石英ガラスの耐性の改質を
図ったものである。
項2に記載されるハロゲンの封入形態を規定するととも
に、前記のようにOH基濃度を規定するものである。す
なわち、ハロゲンの封入を炭素を含まない化合物として
行なうことで放電容器内の炭素の絶対量を少なくするこ
とができるとともに、石英ガラスのOH基濃度を規定す
ることで石英ガラスの耐性の改質を図ったものである。
記載される発明であって、ハロゲンをハロゲン化水銀の
形で封入したことを特徴とする。すなわち、これによっ
て放電容器内への炭素の混入量を少なくさせることがで
き、結果的に石英ガラスにおける短波長紫外線の吸収量
を激減させることができ、石英ガラスの白濁を良好に防
止できる。
ので放電容器内に混入させる水分量をも少なくさせるこ
とができ、放電始動において電極に悪影響を与えないと
いう利点や、放電容器がチップレスの場合に封止過程に
おいて、加熱されたランプ構成部材と臭化メチレンなど
が反応し、SiO2が電極に付着して始動性能に悪影響
を与えるということもない。この結果、電極の変形、損
耗をより一層少なくさせることができる。
ン化水銀をランプ構成部材の一部に付着させて放電容器
の中に封入させることを特徴とする。このようにするこ
とで、従来の方法である粒状の形で封入させることに比
較して、小さな放電容器に対して精度良く、ハロゲンを
封入させることができる。具体的には、放電容器の内容
積150mm3以下の場合に極めて有効である。なお、
ランプ構成部材としては電極が適している。この理由は
放電容器の中に挿入する部材であり、放電空間に突出す
る部位に付着させやすいからである。しかし、電極に限
定されるものではなく、放電容器に内表面などに付着さ
せて混入させることもできる。
量が5KPa以上であることを特徴とする。すなわち、
本願発明では点灯時の高圧になるべき量に相当する水銀
を封入することで、より一層の光出力を上げることがで
きるとともに、可視光領域、特に赤色領域の連続スペク
トルを増加できるものであるが、放電を始動するために
希ガスを必要とする。本発明の高圧水銀ランプにおいて
は、水銀の封入量が多いのでランプの消灯時には、電極
の根元に水銀が溜まっている場合が多い。この状態で放
電を始動させると、放電は電極先端間で発生せず、電極
の根元を輝点にして発生することが多くなる。このよう
な異常な放電が発生するとタングステンが蒸発、あるい
はスパッターリングによって飛散し、放電容器の内表面
を黒化させる。本発明のランプは非常に高い管壁負荷で
あるが、これは完璧の面積が小さいことに相当するので
黒化も著しいものとなる。ここで、希ガスの圧力を5K
Pa以上にすると、放電距離が最短である電極先端間で
放電が発生しやすくなり、異常放電が発生しなくなるの
で上記の問題は解決する。そして、本願発明では、上記
のような利点を得る代わり、多量の水銀と希ガスを封入
することで生じる短波長紫外線による石英ガラスの白濁
の発生、成長を防止するものである。希ガスとしては、
例えば、アルゴン、キセノン、クリプトンが封入され、
それらの封入量は5KPa以上であることが上記利点を
得る上で好ましい。
す。放電ランプ1は石英ガラスよりなり、中央の放電容
器2とその両端につながる細長の封止部3より構成され
る。放電容器2の中(以下、これを「発光空間」ともい
う)には、一対の電極4が、1.2mm程度の間隙をも
って配置される。電極4の後端は封止部3の中に埋設さ
れて金属箔5に溶接される。金属箔5の他端は外部リー
ド6が接合される。
され、また、点灯始動ガスとしてアルゴン、キセノン等
の希ガスが封入される。希ガスは定常点灯時においては
水銀ーエキシマ光を発光する発光物質でもある。ここ
で、水銀の封入量は0.16mg/mm3以上であっ
て、これは安定点灯時の蒸気圧が110気圧以上になる
ものである。
ると、最大外径10.5mm、最大内径4.5mm、発
光空間長(ランプの軸方向の長さ)10.0mm、封入
水銀量17mg、発光空間の内容積75mm3、発光空
間の内表面積100mm2、管壁負荷1.5W/mm2、
定格電力150Wである。
光スペクトルを示す。図から明らかなように波長380
〜780nm付近の可視領域に効果的に放射されている
ことが示される。特に、波長600〜780nmの赤色
領域の連続放射が多く、これは水銀封入量0.05mg
/mm3以下のランプに比べてきわめて増加している。
封入ハロゲン量を変化させた場合のスクリーン照度の実
験について説明する。実験は、図3に示すように、8本
の高圧水銀ランプを使って、ハロゲン(臭素)封入量の
みを変化させ、その他の条件は上記一例に示した内容と
ほぼ同一の値で統一させた。つまり、水銀量、発光空間
内容積は、各々のランプについて若干異なるが、これら
は製造上の誤差に過ぎず、いずれのランプも可視光領域
で良好に連続放射するものである。
組み立て前の2次シール側の電極表面に臭化水銀の形で
必要量蒸着させて行い、さらに、現実に封入された量を
イオンクロマトグラフを用いてカラム濃縮法により定量
した。また、発光空間の内容積は、屈折率が溶融石英に
近い溶媒中に浸し、顕微測長器により内表面の座標を読
み取って計算により求めた。
た後15分消灯というモードで点灯させ続けた。一定時間
間隔での放電容器の目視観察と、プロジェクタ光学系に
よって照度維持率を測定した。図3に100時間後の放電
容器の目視観察の結果と、2000時間後の照度維持率を表
している。この結果、ハロゲン封入量が1.2×10-4
μmol/mm3以下の場合は、100時間後において放電
容器の上部に黒化、失透が見られ、また、2000時間後に
おいては照度維持率が50%以下と著しく減少していた。
また、ハロゲン封入量が7.34×10- 3μmol/m
m3μの場合は、100時間後において電極の根元に著しい
黒化が発見された。
じさせないためには、一定量のハロゲンを封入すること
が必要であり、具体的には、2.0×10-4μmol/
mm 3以上であることが理解できる。液晶プロジェクタ
用の光源としては最低2000時間50%の照度を維持
することが望まれており、テレビユースでは10000
時間が求められている。この条件を満たすためにもハロ
ゲン封入量は上記の下限値以上封入すれば良いことがわ
かる。また、ハロゲンの封入量が多くなると、放電容器
の黒化、失透、スクリーン照度の低下という問題は生じ
ないものの、電極根元付近にタングステンの著しい付着
が見られる。つまり、このような悪影響を防止するため
には、7.0×10- 3μmol/mm3以下の封入量と
することが望ましい。
濁の発生、成長を防止する実験について説明する。実験
は、石英ガラスの内表面0.2mmの範囲のOH基濃度
を200wtppm、100wtppm、50wtppm、20wtppm、
10wtppmと変化させた5つの上記超高圧水銀ランプを
上記の仕様で製作し、ハロゲン封入量を1×10-3μm
ol/mm 3とした。そして、各々の放電ランプについ
て、石英ガラスの白濁が放電容器の発光空間内面全体の
表面積の20%を超えた時間を測定した。図4にその結
果を示す。縦軸は石英ガラスの白濁した領域が放電容器
の発光管内表面積の20%に達した時間を示し、横軸は
OH基濃度を示す。図より、石英ガラスの内表面0.2
mmの範囲のOH基濃度が20wtppm以下の場合に、
液晶プロジェクタとして必要とされる2000時間を維
持していることがわかる。
点灯型、交流点灯型に限定されずいずれの点灯方式のも
のにも適用できる。
銀ランプは、石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が対向配置しており、この放電容器に、
0.16mg/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲ
ンとを封入し、管壁負荷が0.8W/mm2 以上である
高圧水銀ランプにおいて、以下の効果を有する。第1
に、前記ハロゲンの封入量を2×10-4〜7×10-3μ
mol/mm3の範囲としたことを特徴として、この特
徴によって当該ハロゲン、およびハロゲンを含む分子に
よって良好に短波長紫外線を吸収できるので、放電容器
の管壁内表面(石英ガラス)に到達する短波長紫外線の
照射量をきわめて少なくすることができる。第2に、ハ
ロゲンは炭素を含まない化合物として封入されたもので
あることを特徴として、この特徴によって放電容器内に
封入される炭素の量を極めて少なくすることができるの
で、放電容器の管壁内表面(石英ガラス)において吸収さ
れる短波長紫外線の量を減少させることが可能となる。
第3に、放電容器の内表面から深さ0.2mmの範囲の
平均OH基濃度が20wtppm以下であることを特徴
として、この特徴によって、石英ガラス自体の粘度を高
めることが可能となり、結果として石英ガラスの短波長
紫外線に対する耐性を改質することができる。
を示す。
Claims (7)
- 【請求項1】石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が対向配置しており、この放電容器に、
0.16mg/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲ
ンとを封入し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である
高圧水銀ランプにおいて、 前記ハロゲンの封入量を2×10-4〜7×10-3μmo
l/mm3の範囲としたことを特徴とする高圧水銀ラン
プ。 - 【請求項2】石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が対向配置しており、この放電容器に、
0.16mg/mm3以上の水銀と、希ガスと、ハロゲ
ンとを封入し、管壁負荷が0.8W/cm2以上である
高圧水銀ランプにおいて、 前記ハロゲンは、炭素を含まない化合物として封入され
たものであることを特徴とする高圧水銀ランプ。 - 【請求項3】石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が対向配置しており、 この放電容器に、0.16mg/mm3以上の水銀と、
希ガスと、ハロゲンとを封入し、管壁負荷が0.8W/
cm2以上である高圧水銀ランプにおいて、 前記放電容器の内表面から深さ0.2mmの範囲の平均
OH基濃度が20wtppm以下であることを特徴とす
る高圧水銀ランプ。 - 【請求項4】前記放電容器の内表面から深さ0.2mm
の範囲の平均OH基濃度が20wtppm以下であるこ
とを特徴とする請求項1、または請求項2に記載する高
圧水銀ランプ。 - 【請求項5】前記ハロゲンはハロゲン化水銀で封入した
ことを特徴とする請求項2に記載する高圧水銀ランプ。 - 【請求項6】前記ハロゲン化水銀をランプの構成部材の
一部に付着させて放電容器内に導入したことを特徴とす
る請求項5に記載する高圧水銀ランプ。 - 【請求項7】前記希ガスは5KPa以上であることを特
徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載する高
圧水銀ランプ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10111316A JP2980882B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 高圧水銀ランプ |
US09/089,412 US6271628B1 (en) | 1998-04-08 | 1998-06-03 | High pressure lamp with specific amount of mercury, halogen and wall loading |
EP99106450A EP0949657B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-03-29 | High pressure mercury lamp |
DE69921222T DE69921222T2 (de) | 1998-04-08 | 1999-03-29 | Quecksilberhochdrucklampe |
TW088105238A TW417135B (en) | 1998-04-08 | 1999-04-01 | High-pressure mercury lamp |
KR10-1999-0012354A KR100515253B1 (ko) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 고압 수은 램프 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10111316A JP2980882B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 高圧水銀ランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11297268A true JPH11297268A (ja) | 1999-10-29 |
JP2980882B2 JP2980882B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=14558141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10111316A Expired - Lifetime JP2980882B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 高圧水銀ランプ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6271628B1 (ja) |
EP (1) | EP0949657B1 (ja) |
JP (1) | JP2980882B2 (ja) |
KR (1) | KR100515253B1 (ja) |
DE (1) | DE69921222T2 (ja) |
TW (1) | TW417135B (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002352772A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Phoenix Denki Kk | 超高圧放電灯 |
JP2002352768A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Ushio Inc | 超高圧水銀ランプ |
US6538383B1 (en) | 1998-10-13 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure mercury lamp |
US6545430B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp, and manufacturing method, lighting method, and lighting device for the same |
US6570329B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-05-27 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing thereof |
US6583565B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-06-24 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp |
US6608440B2 (en) | 2000-07-04 | 2003-08-19 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method of production therefor |
EP1416516A2 (en) | 2002-11-01 | 2004-05-06 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp and method to produce it |
JP2004221069A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高圧放電ランプの製造方法、高圧放電ランプおよびランプユニット |
US6815895B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-11-09 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Ultra-high pressure mercury lamp |
US6867544B2 (en) | 2001-09-04 | 2005-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing the same |
US6890236B2 (en) | 2001-12-05 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Producing high pressure discharge lamp of plural glass members having different softening points producing high pressure |
US6911776B2 (en) | 2001-08-03 | 2005-06-28 | Nec Corporation | High-pressure discharge lamp |
US6979960B2 (en) | 2002-12-25 | 2005-12-27 | Seiko Epson Corporation | Circuit for driving light source, projector, method for controlling lighting of light source, and computer readable program for executing the same |
JP2006278907A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Ushio Inc | 光照射装置および光照射装置における光源ユニットの交換方法 |
JP2008110049A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toyomaru Industry Co Ltd | スロットマシン |
EP2073251A2 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-24 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | High pressure discharge lamp |
JP2009302218A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Ushio Inc | 光照射装置 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6479946B2 (en) * | 1999-03-05 | 2002-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and system for driving high pressure mercury discharge lamp, and image projector |
JP3655126B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2005-06-02 | 株式会社小糸製作所 | メタルハライドランプ |
US6759806B2 (en) * | 2000-03-13 | 2004-07-06 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method for sealing a bulb thereof |
JP3327896B2 (ja) | 2000-05-12 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 高圧放電ランプ |
JP3565137B2 (ja) | 2000-05-26 | 2004-09-15 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプの製造方法および放電ランプ並びにハロゲン導入用担体 |
JP3570370B2 (ja) | 2000-10-31 | 2004-09-29 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
KR100411132B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2003-12-12 | 유니램 주식회사 | 초고압 수은등의 실링부에 적용 가능한 접합제의 조성물 |
EP1437761A4 (en) * | 2001-09-28 | 2006-12-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | METAL-HALF-LAMP, METAL-HALF-LAMP-OPERATING DEVICE AND HEADLAMP-EQUIPMENT FOR MOTOR VEHICLES |
JP4244747B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2009-03-25 | ウシオ電機株式会社 | 高圧放電ランプ点灯装置 |
US7097528B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a high pressure discharge lamp, with sealing portion having first and second glass members |
US7097529B2 (en) * | 2003-01-14 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a high pressure discharge lamp, with sealing portion having first and second glass members |
JP2004303573A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高圧水銀ランプ、この高圧水銀ランプを用いたランプユニット、およびこのランプユニットを用いた画像表示装置 |
JP2005019262A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Ushio Inc | ショートアーク型放電ランプ点灯装置 |
JP4206038B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2009-01-07 | 株式会社小糸製作所 | 放電ランプ装置用水銀フリーアークチューブ |
JP2005197191A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Ushio Inc | 超高圧水銀ランプおよび該超高圧水銀ランプを用いた光照射装置 |
US20050168148A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | General Electric Company | Optical control of light in ceramic arctubes |
JP4329632B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2009-09-09 | ウシオ電機株式会社 | 紫外光照射装置 |
JP4244914B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2009-03-25 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型放電ランプ点灯装置 |
JP4661311B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-30 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプの製造方法及び放電ランプ |
US20070085478A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | General Electric Company | High pressure alkali metal discharge lamp |
AR058881A1 (es) * | 2006-12-28 | 2008-02-27 | Curtiembres Fonseca S A | Aparato para predeterminacion del envejecimiento de materiales ante la exposicion luminica |
KR101226226B1 (ko) | 2010-04-22 | 2013-01-28 | 주식회사 엘지화학 | 프라이버시 보호필터 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL291092A (ja) * | 1963-04-03 | |||
JPS5243214B2 (ja) | 1972-05-08 | 1977-10-28 | ||
JPS51148991A (en) * | 1975-06-17 | 1976-12-21 | Iwasaki Electric Co Ltd | Metal steam discharge lamp |
HU174715B (hu) * | 1977-04-22 | 1980-03-28 | Egyesuelt Izzolampa | Sposob dlja izgotovlenija metallo-galogennoj lampi |
DE3813421A1 (de) | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Philips Patentverwaltung | Hochdruck-quecksilberdampfentladungslampe |
JPH05144413A (ja) | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属蒸気放電発光管、金属蒸気放電灯、金属蒸気放電発光管の製造方法および金属蒸気放電灯を用いた投写型デイスプレイ |
US5497049A (en) | 1992-06-23 | 1996-03-05 | U.S. Philips Corporation | High pressure mercury discharge lamp |
JPH06203795A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-07-22 | Ushio Inc | 金属蒸気放電ランプ |
JP3216877B2 (ja) | 1997-11-18 | 2001-10-09 | 松下電子工業株式会社 | 高圧放電ランプ、この高圧放電ランプを光源とした照明光学装置、およびこの照明光学装置を用いた画像表示装置 |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP10111316A patent/JP2980882B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-03 US US09/089,412 patent/US6271628B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-29 DE DE69921222T patent/DE69921222T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-29 EP EP99106450A patent/EP0949657B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-01 TW TW088105238A patent/TW417135B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-08 KR KR10-1999-0012354A patent/KR100515253B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6538383B1 (en) | 1998-10-13 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure mercury lamp |
US6570329B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-05-27 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing thereof |
US6583565B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-06-24 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp |
US6669522B2 (en) | 2000-03-10 | 2003-12-30 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing thereof |
US6545430B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp, and manufacturing method, lighting method, and lighting device for the same |
US6608440B2 (en) | 2000-07-04 | 2003-08-19 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method of production therefor |
US6913503B2 (en) | 2000-07-04 | 2005-07-05 | Nec Microwave Tube, Ltd. | High pressure discharge lamp and method of production therefor |
JP2002352768A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Ushio Inc | 超高圧水銀ランプ |
JP2002352772A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Phoenix Denki Kk | 超高圧放電灯 |
US6911776B2 (en) | 2001-08-03 | 2005-06-28 | Nec Corporation | High-pressure discharge lamp |
US6867544B2 (en) | 2001-09-04 | 2005-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High pressure discharge lamp and method for producing the same |
US6890236B2 (en) | 2001-12-05 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Producing high pressure discharge lamp of plural glass members having different softening points producing high pressure |
US6815895B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-11-09 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Ultra-high pressure mercury lamp |
US6965202B2 (en) | 2001-12-05 | 2005-11-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High pressure discharge lamp and lamp unit |
EP1416516A2 (en) | 2002-11-01 | 2004-05-06 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp and method to produce it |
EP1416516A3 (en) * | 2002-11-01 | 2006-04-12 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Discharge lamp and method to produce it |
US6979960B2 (en) | 2002-12-25 | 2005-12-27 | Seiko Epson Corporation | Circuit for driving light source, projector, method for controlling lighting of light source, and computer readable program for executing the same |
JP2004221069A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高圧放電ランプの製造方法、高圧放電ランプおよびランプユニット |
JP4606019B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 高圧放電ランプの製造方法、高圧放電ランプおよびランプユニット |
JP2006278907A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Ushio Inc | 光照射装置および光照射装置における光源ユニットの交換方法 |
JP4577064B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-11-10 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置および光照射装置における光源ユニットの交換方法 |
JP2008110049A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toyomaru Industry Co Ltd | スロットマシン |
EP2073251A2 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-24 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | High pressure discharge lamp |
JP2009302218A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Ushio Inc | 光照射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69921222D1 (de) | 2004-11-25 |
EP0949657A3 (en) | 2000-03-22 |
US6271628B1 (en) | 2001-08-07 |
EP0949657B1 (en) | 2004-10-20 |
DE69921222T2 (de) | 2006-03-09 |
KR19990083058A (ko) | 1999-11-25 |
TW417135B (en) | 2001-01-01 |
EP0949657A2 (en) | 1999-10-13 |
JP2980882B2 (ja) | 1999-11-22 |
KR100515253B1 (ko) | 2005-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2980882B2 (ja) | 高圧水銀ランプ | |
CA2106130A1 (en) | Quartz glass with reduced ultraviolet radiation transmissivity, method of its manufacture, and electrical discharge lamp using such glass | |
WO1999043020A1 (fr) | Lampe a iodures metalliques exempte de mercure | |
JP3582500B2 (ja) | 超高圧水銀ランプ | |
JP2948200B1 (ja) | 高圧水銀ランプ | |
JP2006089342A (ja) | 蛍光ランプ用ガラス | |
US6249078B1 (en) | Microwave-excited discharge lamp | |
EP0389907A2 (en) | Lighting lamp | |
EP0543169B1 (en) | Metallic vapour discharge lamp | |
US7116050B2 (en) | Metal halide lamp, headlight apparatus for vehicle using the same, and method of manufacturing metal halide lamp | |
JP3575114B2 (ja) | コバール封着用ガラス | |
JP3678212B2 (ja) | 超高圧水銀ランプ | |
JP2886077B2 (ja) | 前面カバー・反射鏡一体型金属蒸気放電ランプ | |
JP3178460B2 (ja) | 高圧水銀ランプ、および高圧水銀ランプ発光装置 | |
JP3243812B2 (ja) | 金属蒸気放電灯 | |
JP2003173759A (ja) | 超高圧水銀ランプ | |
JP2919109B2 (ja) | 放電灯 | |
EP0377899A2 (en) | Lighting discharge lamp | |
JP2915256B2 (ja) | カドミウム金属蒸気放電ランプ | |
JP3506133B2 (ja) | 高圧放電ランプ及びその結晶化・黒化抑制方法 | |
EP1548797A1 (en) | Metal halide lamp, headlight apparatus for vehicle using the same and methods of manufacturing a metal halide lamp | |
JP2003217505A (ja) | ランプ | |
JPH06168701A (ja) | メタルハライドランプ | |
JPH09139188A (ja) | メタルハライドランプ | |
JPH06168700A (ja) | メタルハライドランプ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120917 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140917 Year of fee payment: 15 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |