JPH11292264A - 表面処理装置 - Google Patents
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- JPH11292264A JPH11292264A JP10108670A JP10867098A JPH11292264A JP H11292264 A JPH11292264 A JP H11292264A JP 10108670 A JP10108670 A JP 10108670A JP 10867098 A JP10867098 A JP 10867098A JP H11292264 A JPH11292264 A JP H11292264A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェハを、搬送ベルトに乗せて反応ガス
噴出装置に運び、反応ガス噴出装置から噴出する反応ガ
スによって、半導体ウェハ表面に薄膜を形成する工程に
おいて、反応ガスの流れを妨げることなく、簡易かつ容
易に半導体ウェハに回転運動を与え、表面に成膜される
薄膜の均一性の向上を達成できる半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法の提供。 【解決手段】半導体ウェハに反応ガスを吹き付ける反応
ガス噴射装置と、半導体ウェハを搬送する搬送ベルトと
を備え、搬送ベルトによって運ばれた半導体ウェハの表
面に、反応ガス噴射装置から噴射する反応ガスを用いて
博膜を生成する半導体製造装置において、搬送ベルトが
複数本のベルトから構成され、複数本のベルトの各々を
所定の移動速度にて駆動させる。
噴出装置に運び、反応ガス噴出装置から噴出する反応ガ
スによって、半導体ウェハ表面に薄膜を形成する工程に
おいて、反応ガスの流れを妨げることなく、簡易かつ容
易に半導体ウェハに回転運動を与え、表面に成膜される
薄膜の均一性の向上を達成できる半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法の提供。 【解決手段】半導体ウェハに反応ガスを吹き付ける反応
ガス噴射装置と、半導体ウェハを搬送する搬送ベルトと
を備え、搬送ベルトによって運ばれた半導体ウェハの表
面に、反応ガス噴射装置から噴射する反応ガスを用いて
博膜を生成する半導体製造装置において、搬送ベルトが
複数本のベルトから構成され、複数本のベルトの各々を
所定の移動速度にて駆動させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置及び
半導体装置の製造方法に関し、特に、薄膜の成膜工程に
用いる常圧ＣＶＤ装置及び常圧ＣＶＤ装置を用いた博膜
形成方法に関する。
半導体装置の製造方法に関し、特に、薄膜の成膜工程に
用いる常圧ＣＶＤ装置及び常圧ＣＶＤ装置を用いた博膜
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】被処理部材表面に種々の膜を成膜する技
術領域においては、被処理部材に均一に薄膜を成膜する
ことが重要な要素の一つとなっている。
術領域においては、被処理部材に均一に薄膜を成膜する
ことが重要な要素の一つとなっている。
【０００３】成膜技術の一つとして、半導体ウエハ等の
被処理部材を、その下に加熱装置を備えた搬送部ベルト
で移動させ、反応ガスが噴射される反応ガス噴射装置を
通し、半導体ウェハの表面に反応ガスを吹き付けて成膜
を行う、常圧ＣＶＤ装置を用いた方法があり、以下この
方法について説明する。
被処理部材を、その下に加熱装置を備えた搬送部ベルト
で移動させ、反応ガスが噴射される反応ガス噴射装置を
通し、半導体ウェハの表面に反応ガスを吹き付けて成膜
を行う、常圧ＣＶＤ装置を用いた方法があり、以下この
方法について説明する。
【０００４】図３は、従来の常圧ＣＶＤ装置の搬送部を
模式的に表した斜視図であり、図３に示すように、搬送
部は、その上に半導体ウェハが乗った搬送ベルトと、反
応ガスを噴出する反応ガス噴出装置とによって構成され
る。
模式的に表した斜視図であり、図３に示すように、搬送
部は、その上に半導体ウェハが乗った搬送ベルトと、反
応ガスを噴出する反応ガス噴出装置とによって構成され
る。
【０００５】このような装置を用いた場合には、半導体
ウェハの表面に生成される膜は、半導体ウェハの温度と
反応ガスに接触する時間によって影響を受けるため、半
導体ウェハを均一に加熱し、反応ガスが半導体ウェハ
間、及び半導体ウェハ面内で均一に噴射されなければ、
半導体ウェハの表面に均一な薄膜を成膜する事はできな
い。
ウェハの表面に生成される膜は、半導体ウェハの温度と
反応ガスに接触する時間によって影響を受けるため、半
導体ウェハを均一に加熱し、反応ガスが半導体ウェハ
間、及び半導体ウェハ面内で均一に噴射されなければ、
半導体ウェハの表面に均一な薄膜を成膜する事はできな
い。
【０００６】そこで、反応ガスを均一に半導体ウェハに
噴射するために、反応ガス噴射装置の噴射口の幅や、そ
こから噴射される反応ガスの流速や流れを調整すること
が行われるが、半導体ウェハが反応ガス噴射装置を一定
の方向で横切るだけの構造では、半導体ウェハ間、及び
半導体ウェハ面内での反応ガスによる反応を均一にする
ことは困難である。
噴射するために、反応ガス噴射装置の噴射口の幅や、そ
こから噴射される反応ガスの流速や流れを調整すること
が行われるが、半導体ウェハが反応ガス噴射装置を一定
の方向で横切るだけの構造では、半導体ウェハ間、及び
半導体ウェハ面内での反応ガスによる反応を均一にする
ことは困難である。
【０００７】そこで、例えば特開平８−２０３８３５に
は、トレイ上に半導体ウェハを載せ、このトレイを回転
させるモータが内蔵されたプラテンを、ベルトの替わり
に反応ガス噴射装置の下を通過させることにより、均一
な薄膜を形成するという方法が開示されている。
は、トレイ上に半導体ウェハを載せ、このトレイを回転
させるモータが内蔵されたプラテンを、ベルトの替わり
に反応ガス噴射装置の下を通過させることにより、均一
な薄膜を形成するという方法が開示されている。
【０００８】この方法は、反応ガス噴射装置の下を、半
導体ウェハが回転しながら通過することで、半導体ウェ
ハ間、及び半導体ウェハ面内での反応ガスによる反応を
一定に保つことを目的としている。
導体ウェハが回転しながら通過することで、半導体ウェ
ハ間、及び半導体ウェハ面内での反応ガスによる反応を
一定に保つことを目的としている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述のベルト
の替わりにトレーを回転させるモータとそれを内蔵した
プラテンを使用する方法では、半導体ウェハを加熱する
手段として、ベルトの直下にヒータ等の熱源をおくとい
うもっとも簡便且つ有効な方法を用いることができない
と言う問題がある。
の替わりにトレーを回転させるモータとそれを内蔵した
プラテンを使用する方法では、半導体ウェハを加熱する
手段として、ベルトの直下にヒータ等の熱源をおくとい
うもっとも簡便且つ有効な方法を用いることができない
と言う問題がある。
【００１０】これは、モータ等を内蔵したプラテンが存
在するために、半導体ウェハを搬送ベルトの下に設置さ
れた熱源によっては均一に加熱することができないから
である。
在するために、半導体ウェハを搬送ベルトの下に設置さ
れた熱源によっては均一に加熱することができないから
である。
【００１１】しかも、上方から噴射される反応ガスや、
成膜時に半導体ウェハを高温に加熱するための熱源を有
する半導体製造装置においては、上記構造では、装置の
構造の複雑化や大型化を招き、またトレーを回転させる
ためのモータやプラテンの耐熱性等が要求されるという
問題が生じる。
成膜時に半導体ウェハを高温に加熱するための熱源を有
する半導体製造装置においては、上記構造では、装置の
構造の複雑化や大型化を招き、またトレーを回転させる
ためのモータやプラテンの耐熱性等が要求されるという
問題が生じる。
【００１２】また、反応ガスが半導体ウェハ表面に長く
留まると、反応の促進を妨げることになるため、通常、
搬送ベルトはメッシュで構成され、反応ガスの流れを妨
げないように工夫されているが、搬送ベルトに複雑な機
構を設けると、その部分で反応ガスの流れが乱され、反
応ガスを半導体ウェハに安定して供給することが困難に
なるという問題も生じる。
留まると、反応の促進を妨げることになるため、通常、
搬送ベルトはメッシュで構成され、反応ガスの流れを妨
げないように工夫されているが、搬送ベルトに複雑な機
構を設けると、その部分で反応ガスの流れが乱され、反
応ガスを半導体ウェハに安定して供給することが困難に
なるという問題も生じる。
【００１３】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その主たる目的は、反応ガス
の流れを妨げることなく、半導体ウェハ表面に成膜され
る薄膜の均一性の向上させることができる半導体製造装
置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
てなされたものであって、その主たる目的は、反応ガス
の流れを妨げることなく、半導体ウェハ表面に成膜され
る薄膜の均一性の向上させることができる半導体製造装
置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、その概要を述べれば、
反応ガス噴射装置と搬送ベルトとを備えた半導体製造装
置において、前記搬送ベルトを複数に分割し、各々のベ
ルトの移動速度を変えたものであり、より詳細には、下
記記載の特徴を有する。
め、本発明に係る半導体装置は、その概要を述べれば、
反応ガス噴射装置と搬送ベルトとを備えた半導体製造装
置において、前記搬送ベルトを複数に分割し、各々のベ
ルトの移動速度を変えたものであり、より詳細には、下
記記載の特徴を有する。
【００１５】本発明は、第１の視点において、被処理部
材を搬送する搬送手段と、前記被処理部材に対して表面
処理を行う手段とを備え、前記搬送手段で搬送されたて
きた前記被処理部材の表面の表面処理を行う装置におい
て、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とされ、搬
送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材を含む。
材を搬送する搬送手段と、前記被処理部材に対して表面
処理を行う手段とを備え、前記搬送手段で搬送されたて
きた前記被処理部材の表面の表面処理を行う装置におい
て、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とされ、搬
送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材を含む。
【００１６】また、本発明の製造方法は、被処理部材を
搬送する搬送手段と、前記被処理部材に対して表面処理
を行う手段とを備え、前記搬送手段で搬送されたてきた
前記被処理部材の表面の表面処理を行う表面処理方法に
おいて、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とさ
れ、搬送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材に
より、複数本の前記搬送部材のそれぞれの移動速度を可
変させることで、前記被処理部材が前記搬送部材上で適
宜回転し、その配向を変える。
搬送する搬送手段と、前記被処理部材に対して表面処理
を行う手段とを備え、前記搬送手段で搬送されたてきた
前記被処理部材の表面の表面処理を行う表面処理方法に
おいて、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とさ
れ、搬送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材に
より、複数本の前記搬送部材のそれぞれの移動速度を可
変させることで、前記被処理部材が前記搬送部材上で適
宜回転し、その配向を変える。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係る微細配線形成方法
は、その好ましい一実施の形態において、半導体ウェハ
（図１の２）の表面に反応ガスを吹き付ける反応ガス噴
射装置（図１の３）と、半導体ウェハを搬送する搬送ベ
ルト（図１の１）と、を備えた半導体製造装置におい
て、搬送ベルトが、移動速度の異なる複数のベルト（図
１の１ａから１ｇ）からなる。
は、その好ましい一実施の形態において、半導体ウェハ
（図１の２）の表面に反応ガスを吹き付ける反応ガス噴
射装置（図１の３）と、半導体ウェハを搬送する搬送ベ
ルト（図１の１）と、を備えた半導体製造装置におい
て、搬送ベルトが、移動速度の異なる複数のベルト（図
１の１ａから１ｇ）からなる。
【００１８】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の一実施例について図面を参
照して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の一実施例について図面を参
照して以下に説明する。
【００１９】図１乃至図２は、本発明の半導体製造装置
の一実施例を説明するための図であり、図１は半導体製
造装置のウェハ搬送部を模式的に示す斜視図であり、図
２はウェハ搬送部において半導体ウェハが回転する様子
を模式的に表す斜視図である。
の一実施例を説明するための図であり、図１は半導体製
造装置のウェハ搬送部を模式的に示す斜視図であり、図
２はウェハ搬送部において半導体ウェハが回転する様子
を模式的に表す斜視図である。
【００２０】図１乃至図２を用いて、例えば、常圧ＣＶ
Ｄ装置を用いて半導体ウエハ表面に成膜する方法につい
て説明する。
Ｄ装置を用いて半導体ウエハ表面に成膜する方法につい
て説明する。
【００２１】図２に示した常圧ＣＶＤ装置は、その上に
置かれた複数枚の半導体ウエハ２を、図示していない駆
動装置で矢印の方向（移動方向５）に駆動させる、環状
でメッシュ状の７本の搬送ベルト（１ａ〜１ｇ）によっ
て構成されたウエハ搬送装置と、半導体ウエハ２に反応
ガスを吹き付ける反応ガス噴射装置３によって構成され
るものである。
置かれた複数枚の半導体ウエハ２を、図示していない駆
動装置で矢印の方向（移動方向５）に駆動させる、環状
でメッシュ状の７本の搬送ベルト（１ａ〜１ｇ）によっ
て構成されたウエハ搬送装置と、半導体ウエハ２に反応
ガスを吹き付ける反応ガス噴射装置３によって構成され
るものである。
【００２２】また、この反応ガス噴射装置３は、半導体
ウエハ２に対向する下面において、半導体ウエハ２の直
径よりも長い直線上の噴射口（図示していない）を備え
ており、この噴射口より反応ガス供給源（図示していな
い）から供給されたガスを噴射するように構成されてい
る。
ウエハ２に対向する下面において、半導体ウエハ２の直
径よりも長い直線上の噴射口（図示していない）を備え
ており、この噴射口より反応ガス供給源（図示していな
い）から供給されたガスを噴射するように構成されてい
る。
【００２３】このような構成の常圧ＣＶＤ装置を用いて
半導体ウェハ２表面に薄膜を成膜する場合には、通常、
反応を促進するために半導体ウェハ２を加熱するための
加熱源（図示していない）を搬送ベルト１の下部に備え
ている。
半導体ウェハ２表面に薄膜を成膜する場合には、通常、
反応を促進するために半導体ウェハ２を加熱するための
加熱源（図示していない）を搬送ベルト１の下部に備え
ている。
【００２４】また、ウエハ搬送装置を構成する７本の搬
送ベルト１ａ〜１ｇは、それぞれの移動速度６ａ〜６ｇ
を有しており、その速度は各々調整することができる。
送ベルト１ａ〜１ｇは、それぞれの移動速度６ａ〜６ｇ
を有しており、その速度は各々調整することができる。
【００２５】ここで、搬送ベルトの移動速度６ａ〜６ｇ
をａからｇの順に小さくなるように設定すると、半導体
ウェハ２は、移動方向５に向かって移動しながら、上面
から見た場合に時計回りの回転方向４に回転することに
なる。
をａからｇの順に小さくなるように設定すると、半導体
ウェハ２は、移動方向５に向かって移動しながら、上面
から見た場合に時計回りの回転方向４に回転することに
なる。
【００２６】このように、半導体ウェハ２を反応ガス噴
射装置３下で、回転させながら移動させることにより、
反応ガス噴射装置から噴射される反応ガスを半導体ウェ
ハ２に均一に吹き付けることができ、均一な膜厚の所望
の膜（例えば、ＳｉＯ２薄膜、ＰＳＧ薄膜、ＢＰＳＧ薄
膜等）を半導体ウエハ２表面上に成膜させることができ
る。
射装置３下で、回転させながら移動させることにより、
反応ガス噴射装置から噴射される反応ガスを半導体ウェ
ハ２に均一に吹き付けることができ、均一な膜厚の所望
の膜（例えば、ＳｉＯ２薄膜、ＰＳＧ薄膜、ＢＰＳＧ薄
膜等）を半導体ウエハ２表面上に成膜させることができ
る。
【００２７】本実施例では、搬送ベルトを、従来の１本
から７本とし、それぞれの移動速度を調整することとし
ているが、搬送ベルトの本数は７本に限定されるもので
はなく、半導体ウェハの径、搬送装置の幅に応じて、そ
の本数を増減させても同様の効果を得ることができる。
から７本とし、それぞれの移動速度を調整することとし
ているが、搬送ベルトの本数は７本に限定されるもので
はなく、半導体ウェハの径、搬送装置の幅に応じて、そ
の本数を増減させても同様の効果を得ることができる。
【００２８】また、本実施例では、常圧ＣＶＤ装置を用
いて半導体ウエハ上に均一な薄膜を成膜する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、
搬送部材上に被処理部材を乗せて移動させながら、表面
処理を行うものであれば良い。
いて半導体ウエハ上に均一な薄膜を成膜する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、
搬送部材上に被処理部材を乗せて移動させながら、表面
処理を行うものであれば良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェハ等の被処理部材を搬送するベルト等からな
る搬送手段と、被処理部材に対してガス噴射装置等の表
面処理を行う手段とを備え、搬送手段で搬送されたてき
た前記被処理部材の表面の表面処理を行う装置におい
て、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とされ、搬
送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材を含み、
各々の搬送部材の移動速度を変えることにより、被処理
部材を適宜回転させその配向を変えながら移動させるこ
とができる。
半導体ウェハ等の被処理部材を搬送するベルト等からな
る搬送手段と、被処理部材に対してガス噴射装置等の表
面処理を行う手段とを備え、搬送手段で搬送されたてき
た前記被処理部材の表面の表面処理を行う装置におい
て、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とされ、搬
送方向に沿って複数本並設されてなる搬送部材を含み、
各々の搬送部材の移動速度を変えることにより、被処理
部材を適宜回転させその配向を変えながら移動させるこ
とができる。
【００３０】従って、ガス噴射装置から噴射されるガス
を被処理部材に均一に吹き付けることができ、均一な膜
厚の所望の膜を被処理部材表面上に成膜させることがで
きる効果を奏する。
を被処理部材に均一に吹き付けることができ、均一な膜
厚の所望の膜を被処理部材表面上に成膜させることがで
きる効果を奏する。
【００３１】また、本発明の半導体製造装置は、搬送ベ
ルトを複数のベルトに分割する簡便な構造であり、ベル
トに複雑な構造の装置を付加するものではないため、通
常、搬送ベルトの下部に配置される被処理部材を加熱す
るための熱源をそのまま利用することができ、簡便かつ
容易に均一な薄膜を成膜することができる効果を奏す
る。
ルトを複数のベルトに分割する簡便な構造であり、ベル
トに複雑な構造の装置を付加するものではないため、通
常、搬送ベルトの下部に配置される被処理部材を加熱す
るための熱源をそのまま利用することができ、簡便かつ
容易に均一な薄膜を成膜することができる効果を奏す
る。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体製造装置の搬送
部を模式的に表した斜視図である。
部を模式的に表した斜視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す半導体製造装置の搬送
部を模式的に表した斜視図である。
部を模式的に表した斜視図である。
【図３】従来の技術を示す半導体製造装置の搬送部を模
式的に表した斜視図である。
式的に表した斜視図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ 搬送ベル
ト ２ 半導体ウェハー ３ 反応ガス噴射装置 ４ 回転方向 ５ 移動方向 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ 移動速度
ト ２ 半導体ウェハー ３ 反応ガス噴射装置 ４ 回転方向 ５ 移動方向 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ 移動速度
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 表面処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面処理装置に関す
る。
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その主たる目的は、反応ガス
の流れを妨げることなく、半導体ウェハ表面に成膜され
る薄膜の均一性の向上させることができる表面処理装置
を提供することにある。
てなされたものであって、その主たる目的は、反応ガス
の流れを妨げることなく、半導体ウェハ表面に成膜され
る薄膜の均一性の向上させることができる表面処理装置
を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る表面処理装置は、その概要を述べれ
ば、被処理部材を搬送する搬送手段と、前記被処理部材
に対して表面処理を行う手段とを備え、前記搬送手段で
搬送されたてきた前記被処理部材の表面処理を行う装置
において、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とさ
れ、搬送方向に沿って複数本並設されてなる搬送ベルト
を含み、前記複数本の搬送ベルトの各々が、搬送方向に
直交する方向からみて、一側にある搬送ベルトから他側
の搬送ベルトに向かって順次その移動速度が大となるよ
うに設定され、前記搬送手段に搭載された前記被処理部
材が搬送方向に向かって移動するに際して、前記複数本
の搬送ベルトの移動速度の差によって、前記被処理部材
が前記搬送手段上で連続的に回転し、連続的に回転する
前記被処理部材に対して前記表面処理手段により処理を
行うことにより、前記被処理部材の表面に均一な処理を
施すものである。
め、本発明に係る表面処理装置は、その概要を述べれ
ば、被処理部材を搬送する搬送手段と、前記被処理部材
に対して表面処理を行う手段とを備え、前記搬送手段で
搬送されたてきた前記被処理部材の表面処理を行う装置
において、前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とさ
れ、搬送方向に沿って複数本並設されてなる搬送ベルト
を含み、前記複数本の搬送ベルトの各々が、搬送方向に
直交する方向からみて、一側にある搬送ベルトから他側
の搬送ベルトに向かって順次その移動速度が大となるよ
うに設定され、前記搬送手段に搭載された前記被処理部
材が搬送方向に向かって移動するに際して、前記複数本
の搬送ベルトの移動速度の差によって、前記被処理部材
が前記搬送手段上で連続的に回転し、連続的に回転する
前記被処理部材に対して前記表面処理手段により処理を
行うことにより、前記被処理部材の表面に均一な処理を
施すものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明においては、搬送方向に沿って複数
本並設されてなる前記搬送ベルトが、一様な平面を形成
するように配列され、又は、メッシュ状のベルトで構成
されていることが好ましい。
本並設されてなる前記搬送ベルトが、一様な平面を形成
するように配列され、又は、メッシュ状のベルトで構成
されていることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また、本発明においては、前記表面処理手
段が前記搬送ベルト下部に設置された熱源を含み、該熱
源によって前記被処理部材を加熱しながら表面処理を施
す構成とすることもできる。
段が前記搬送ベルト下部に設置された熱源を含み、該熱
源によって前記被処理部材を加熱しながら表面処理を施
す構成とすることもできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係る表面処理装置は、そ
の好ましい一実施の形態において、半導体ウェハ（図１
の２）の表面に反応ガスを吹き付ける反応ガス噴射装置
（図１の３）と、半導体ウェハを搬送する搬送ベルト
（図１の１）と、を備えた表面処理装置において、搬送
ベルトが、移動速度の異なる複数のベルト（図１の１ａ
から１ｇ）からなり、半導体ウェハを搬送ベルト上で回
転しながら反応ガスを吹き付けることによって、ウェハ
面内の表面処理の均一性を向上させるものである。
の好ましい一実施の形態において、半導体ウェハ（図１
の２）の表面に反応ガスを吹き付ける反応ガス噴射装置
（図１の３）と、半導体ウェハを搬送する搬送ベルト
（図１の１）と、を備えた表面処理装置において、搬送
ベルトが、移動速度の異なる複数のベルト（図１の１ａ
から１ｇ）からなり、半導体ウェハを搬送ベルト上で回
転しながら反応ガスを吹き付けることによって、ウェハ
面内の表面処理の均一性を向上させるものである。
Claims (13)
- 【請求項１】被搬送物を搬送するための装置であって、
搬送方向に沿って並設されてなる複数本のベルトを含
み、前記複数本のベルトの移動及び／又は停止が互いに
独立に制御自在とされ、搬送中に前記被搬送物の搭載向
きが可変されることを特徴とする搬送装置。 - 【請求項２】請求項１記載の搬送装置を、半導体成膜装
置に用いてなる半導体製造装置。 - 【請求項３】被処理部材を搬送する搬送手段と、前記被
処理部材に対して表面処理を行う手段とを備え、前記搬
送手段で搬送されたてきた前記被処理部材の表面の表面
処理を行う装置において、 前記搬送手段が、互いに独立に制御自在とされ、搬送方
向に沿って複数本並設されてなる搬送部材を含む、こと
を特徴とする表面処理装置。 - 【請求項４】前記複数本の搬送部材が、前記被処理部材
の搬送時、それぞれ所定の移動速度で駆動されてなる、
ことを特徴とする請求項３記載の表面処理装置。 - 【請求項５】前記複数本の搬送部材の各々が、搬送方向
に直交する方向からみて、一側にある搬送部材から他側
の搬送部材に向かって順次その移動速度が大となるよう
に設定されている、ことを特徴とする請求項３記載の表
面処理装置。 - 【請求項６】被処理部材にガスを吹き付けるガス噴射手
段と、前記被処理部材を搬送する搬送手段と、を備え、
前記搬送手段で搬送されたてきた前記被処理部材の表面
に前記ガス噴射手段から前記ガスを吹き付けて表面処理
を行う表面処理装置において、前記搬送手段が、互いに
独立に制御自在とされ、搬送方向に沿って複数本並設さ
れてなる搬送部材を含み、ガス吹き付け処理の間、複数
本の前記搬送部材のそれぞれの移動速度を可変させるこ
とで、前記被処理部材が、前記被処理部材を載置する前
記搬送部材の２次元平面上で適宜回転させその配向を変
える、ようにしたことを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項７】前記搬送部材がベルトよりなる請求項３乃
至６のいずれか一に記載の表面処理装置。 - 【請求項８】半導体ウェハに反応ガスを吹き付ける反応
ガス噴射装置と、前記半導体ウェハを搬送するメッシュ
状の搬送ベルトと、を備え、前記メッシュ状の搬送ベル
トによって運ばれた前記半導体ウェハの表面に、前記反
応ガス噴射装置から噴射する前記反応ガスを用いて膜を
生成する、常圧ＣＶＤ型半導体製造装置において、前記
メッシュ状の搬送ベルトが、複数本のメッシュ状のベル
トから構成され、前記複数本のメッシュ状のベルトが、
搬送方向に直交する方向からみて、一側にある搬送部材
から他側の搬送部材に向かって順次その移動速度が大と
なるように設定されている、ことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項９】前記半導体ウェハの表面に生成される前記
膜が、ＳｉＯ２膜またはＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜から
なることを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１０】被処理部材を搬送する搬送手段と、前記
被処理部材に対して表面処理を行う手段とを備え、前記
搬送手段で搬送されたてきた前記被処理部材の表面の表
面処理を行う表面処理方法において、前記搬送手段が、
互いに独立に制御自在とされ、搬送方向に沿って複数本
並設されてなる搬送部材により、複数本の前記搬送部材
のそれぞれの移動速度を可変させることで、前記被処理
部材が前記搬送部材上で適宜回転し、その配向を変え
る、ことを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項１１】前記搬送部材がベルトよりなる請求項１
０に記載の表面処理方法。 - 【請求項１２】半導体ウェハに反応ガスを吹き付ける反
応ガス噴射装置と、前記半導体ウェハを搬送するメッシ
ュ状の搬送ベルトと、を備え、前記メッシュ状の搬送ベ
ルトによって運ばれた前記半導体ウェハの表面に、前記
反応ガス噴射装置から噴射する前記反応ガスを用いて膜
を生成する工程を含む、常圧ＣＶＤ装置を用いた半導体
装置の製造方法において、前記メッシュ状の搬送ベルト
が、複数本のメッシュ状のベルトから構成され、前記複
数本のメッシュ状のベルトが、搬送方向に直交する方向
からみて、一側にあるベルトから他側のベルトに向かっ
て順次その移動速度が大となるように駆動することによ
り、前記半導体ウェハが前記搬送ベルト上で適宜回転
し、その配向を変える、ことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１３】前記半導体ウェハの表面に生成される前
記膜が、ＳｉＯ２膜またはＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜か
らなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108670A JPH11292264A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 表面処理装置 |
| US09/280,638 US6171396B1 (en) | 1998-04-03 | 1999-03-29 | Growing system for uniformly growing thin film over semiconductor wafer through rotation |
| GB9907717A GB2335927A (en) | 1998-04-03 | 1999-04-01 | Method of rotating wafers during CVD process |
| TW088105363A TW417171B (en) | 1998-04-03 | 1999-04-02 | Growing system for uniformly growing thin film over semiconductor wafer through rotation and process used therein |
| KR1019990011724A KR100291225B1 (ko) | 1998-04-03 | 1999-04-03 | 반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게성장시키기 위한 성장 시스템 |
| CN99103598A CN1231502A (zh) | 1998-04-03 | 1999-04-05 | 在半导体晶片上均匀生长薄膜的生长系统及其工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108670A JPH11292264A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11292264A true JPH11292264A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14490713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10108670A Pending JPH11292264A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 表面処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6171396B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11292264A (ja) |
| KR (1) | KR100291225B1 (ja) |
| CN (1) | CN1231502A (ja) |
| GB (1) | GB2335927A (ja) |
| TW (1) | TW417171B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019068A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧ｃｖｄ方法及び装置 |
| JP2015232995A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3656821B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2005-06-08 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンシートの製造装置及び製造方法 |
| JP4111669B2 (ja) | 1999-11-30 | 2008-07-02 | シャープ株式会社 | シート製造方法、シートおよび太陽電池 |
| KR20010083628A (ko) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼 제조용 벨트식 화학기상증착장치 |
| KR100455426B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속 표면처리장비의 2열처리구조 |
| US7193620B2 (en) * | 2003-07-21 | 2007-03-20 | Motorola, Inc. | Wireless device lighting system |
| CN101583463B (zh) * | 2007-12-28 | 2013-03-27 | 新东工业株式会社 | 棱柱状构件的研磨装置 |
| CN103367199A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-23 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种晶体硅太阳电池烧结装置 |
| JP5958092B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-07-27 | ソニー株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN106628816A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-05-10 | 金锋馥（滁州）输送机械有限公司 | 转向水平输送机 |
| CN110092159A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 山东新北洋信息技术股份有限公司 | 物品输送方法及设备 |
| CN108569571A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-25 | 中国国际海运集装箱(集团)股份有限公司 | 一种货物输送装置 |
| CN113121579B (zh) * | 2021-04-19 | 2023-06-06 | 河北松辰医药科技有限公司 | 3-（6-苯基己基）苯硼酸及其衍生物的合成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149951A (en) | 1979-05-10 | 1980-11-21 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic copying method and apparatus |
| JPS57151523A (en) | 1981-03-16 | 1982-09-18 | Hitachi Ltd | Aligning-feeding method of disks with projection |
| JPH03123025A (ja) | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Nec Corp | 常圧ｃｖｄ連続成長形装置 |
| JPH06310438A (ja) | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置 |
| JPH08162416A (ja) | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Sony Corp | ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法 |
| JPH08203835A (ja) | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Sony Corp | ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置 |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10108670A patent/JPH11292264A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-29 US US09/280,638 patent/US6171396B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-01 GB GB9907717A patent/GB2335927A/en not_active Withdrawn
- 1999-04-02 TW TW088105363A patent/TW417171B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-03 KR KR1019990011724A patent/KR100291225B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-04-05 CN CN99103598A patent/CN1231502A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| JP2015232995A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1231502A (zh) | 1999-10-13 |
| TW417171B (en) | 2001-01-01 |
| US6171396B1 (en) | 2001-01-09 |
| GB9907717D0 (en) | 1999-05-26 |
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| GB2335927A (en) | 1999-10-06 |
| KR100291225B1 (ko) | 2001-05-15 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991116 |