KR19990082919A - 반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게 성장시키기 위한 성장 시스템 - Google Patents

반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게 성장시키기 위한 성장 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR19990082919A
KR19990082919A KR1019990011724A KR19990011724A KR19990082919A KR 19990082919 A KR19990082919 A KR 19990082919A KR 1019990011724 A KR1019990011724 A KR 1019990011724A KR 19990011724 A KR19990011724 A KR 19990011724A KR 19990082919 A KR19990082919 A KR 19990082919A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
growth
conveying members
wafer
conveying
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
KR1019990011724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100291225B1 (ko
Inventor
다하라게이이찌로
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR19990082919A publication Critical patent/KR19990082919A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100291225B1 publication Critical patent/KR100291225B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Attitude Control For Articles On Conveyors (AREA)

Abstract

간격이 떨어져 있는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 이송하기 위해 평행하게 연장된 복수의 메시 반송 벨트 (12a-12g), 반송 벨트 상에 반응 영역을 생성하기 위한 복수의 메시 반송 벨트 (12a-12g) 상에 배치된 반응 가스 분사기 (13b) 및 복수의 반송 벨트를 이동시키기 위한 구동 장치 (12h) 를 구비하는 대기압 화학 기상 증착 시스템에 있어서, 구동 장치 (12h) 는 반송 벨트 (12a-12g) 를 상이한 속도로 이동시켜, 반응 영역에서 각 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 회전시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 전면을 반응 가스에 균일하게 노출시키고, 이는 반응 영역에서 상이한 증착 조건을 생성시킨다.

Description

반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게 성장시키기 위한 성장 시스템 {GROWING SYSTEM FOR UNIFORMLY GROWING THIN FILM OVER SEMICONDUCTOR WAFER THROUGH ROTATION AND PROCESS USED THEREIN}
본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로 특히, 반도체 웨이퍼 상에 박막을 성장시키기 위한 성장 시스템 및 이를 이용한 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 상에 집적 회로를 제조하는 동안, 여러 가지 재료를 반도체 웨이퍼 상에 연속하여 성장시키고, 박막을 패터닝하여 콘택홀 및 전기 신호를 위한 도전띠를 갖는 층간 절연막을 형성한다. 박막 성장의 기술적 목적 중 하나는 반도체 웨이퍼 상에 균일한 두께를 갖도록 성장시키는 것이다.
대기압 화학 기상 증착 시스템은 박막 성장 장치의 통상적인 예이다. 대기압 화학 기상 증착 시스템은 반응기를 갖고, 반응 챔버는 반응기 내부에 형성된다. 반응 챔버 내에 반송 벨트가 설치되고, 반송 벨트 상에 반도체 웨이퍼를 배치한다. 반송 벨트 밑에 히터가 설치되어, 반송 벨트 상의 반도체 웨이퍼를 가열한다. 반응 챔버 내에서 반도체 웨이퍼가 통과하는 동안, 가스 분사 장치가 반응 가스를 반도체 웨이퍼에 분사한다. 반응 가스가 차례로 반응하여, 반도체 웨이퍼 상에 재료가 피착된다.
도 1 은 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템을 도시한다. 반응 챔버 (2) 내에 반송 벨트 (1) 를 설치하고, 반송 벨트 (1) 상에 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 를 간격을 두고 배치한다. 반송 벨트 (1) 밑에 히터를 설치하여, 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 유지한다. 도 1 에 도시되지 않았지만, 적절한 구동 장치가 반송 벨트 (1) 에 연결되어 있어서, 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 를 화살표 (AR1) 로 표시된 방향으로 이동시킨다. 반송 벨트는 단일체이며, 반송 벨트 (1) 의 전면은 일정한 속도로 이동한다. 따라서, 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 는 반송 벨트 (1) 상에서 움직이지 않는다.
반송 벨트 (1) 상에 가스 분사 장치 (4) 가 설치되고, 가스 분사 장치 (4) 밑을 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 가 통과한다. 가스 분사 장치 (4) 로부터 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 로 반응 가스가 분사되며, 그 반응 생성물이 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 의 전면 상에서 성장한다.
그러나, 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 상면 상에서 성장 속도가 일정하지 않다는 문제점에 직면하게 된다. 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 상에서 온도 및 성장 시간이 정확하게 일정하지 않기 때문이다. 가스 분사 영역과, 반송 벨트 (1) 의 수평 방향으로 가스 유속을 변화시켜도, 종래의 대기압 화학 기상 증착 방법에서는 반도체 웨이퍼 (3a/3b) 상에 균일한 박막을 형성할 수 없다.
일본 특개평 8-203835 호에서는 대기압 화학 기상 증착 시스템이 개시되어 있다. 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템은 가이드를 따라 직진하는 반송 벨트와, 반송 벨트에 의해 반송된 반도체 웨이퍼에 반응 가스를 분사하기 위해 반송 벨트 상에 설치된 반응 가스 분사 장치를 구비한다. 반송 벨트의 상면 상에 반도체 웨이퍼를 직접 배치하지 않는다. 반송 벨트 상에 복수의 플래턴 (platen) 이 배치되고, 각 플래턴은 회전대 및, 회전용 회전대를 구동시키는 모터를 구비한다. 반도체 웨이퍼들은 회전대 상에 각각 배치되어, 반송 벨트 상에서 회전도 하게 된다. 반도체 웨이퍼가 반응 가스 분사 장치 밑의 성장 영역을 통과하는 동안, 모터는 회전대를 회전시키고, 따라서, 반도체 웨이퍼도 그 위에 놓여 있기 때문에 회전되고, 반도체 웨이퍼 표면 상에 박막이 각각 형성된다.
일본 특개평에서는, 회전 때문에 박막의 두께가 일정하다고 주장한다. 그러나, 플래턴은 모터 및 회전대를 포함하는 복잡한 기계 장치이기 때문에, 반도체 웨이퍼 주위에 유해한 환경을 생성시킨다. 먼저, 플래턴 때문에 반송 벨트 밑에 있는 히터가 반도체 웨이퍼를 직접 가열할 수 없다. 히터가 플래턴을 가열하고, 플래턴이 반도체 웨이퍼에 열을 전달한다. 결과적으로, 반도체 웨이퍼 상에서 온도가 상이하기 때문에, 화학 반응이 반도체 웨이퍼 상에서 안정되지 못한다. 또한, 반송 벨트 상의 플래턴이 반응 가스 흐름에 방해 작용을 한다. 성장 속도를 일정하게 만들기 위해서, 반도체 웨이퍼 상의 반응 영역 전체에 걸쳐서, 반응 가스 조성이 안정적이어야 한다. 이러한 이유로, 반송 벨트는 통상적으로 적합한 메시망 (net of suitable meshes) 이며, 메시 반송 벨트는 반응 가스를 통과시킨다. 즉, 메시 반송 벨트는 반응 영역에서 반응 가스를 새롭게 한다. 반송 벨트 상에 플래턴을 배치한 경우에는, 반응 가스가 반응 영역에서 정체되어, 반응 가스 조성이 불안정하게 된다. 따라서, 반송 벨트 상의 플래턴이 화학 반응을 방해하게 되어, 반도체 웨이퍼 상에 박막을 균일하게 성장시키기 어렵게 된다.
또한, 모터 및 회전대가 고온으로 가열되는 문제점이 있지만, 이를 위해 내열재로 만들어진 내열 모터 및 회전대들은 매우 비싸다. 따라서, 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템은 적합하지 않다.
다른 관련된 종래 기술들은 일본 실용 신안 출원 54-50227 호 및 일본 특개평 57-151523, 3-123025 및 8-162416 호에 기재되어 있다. 이들에 기재된 종래 기술이 본 발명과 대조되지는 않지만, 이 종래 기술들을 하기에 설명한다.
일본 실용 신안 출원 54-50227 호는 반도체 웨이퍼를 다음 스테이지로 이송시키기 위해 사용되는 반송 장치를 기재한다. 이 일본 실용 신안 출원에 기재된 반송 장치는 반도체 웨이퍼를 다음 처리 시스템으로 반송하기 위해 평행하게 연장된 2 개의 고무 벨트를 포함하고, 이 2 개의 고무 벨트는 개별적으로 상이한 속도로 구동된다. 공지된 바와 같이, 반도체 웨이퍼는 "오리엔테이션 플랫 (orientation flat)" 이라고 불리는 직선 에지를 갖는다. 검출기는 2 개의 고무 벨트 상의 반도체 웨이퍼의 직선 에지가 소정의 방향으로 배향되어 있는지를 모니터링한다. 직선 에지가 소정의 방향으로 배향되지 않은 경우에는, 2 개의 고무 벨트들이 상이한 속도로 이동하여, 반도체 웨이퍼을 소정의 방향으로 회전시킨다. 한편, 직선 에지가 소정의 방향으로 배향되었을 경우에, 2 개의 고무 벨트가 동일한 속도로 이동되고, 종래의 반송 장치는 2 개의 고무 벨트 상에서 반도체 웨이퍼의 자세를 유지한다.
종래의 반송 장치는 고무 벨트의 이동 속도를 개별적으로 변경시키고, 상이한 속도로 이동하는 고무 벨트들은 반도체 웨이퍼를 회전시킨다. 그러나, 종래의 반송 장치는 한 장치에서 다음 장치로 이동시키는데 이용되고, 고무 벨트 사이의 상대 이동 속도는 자세 제어를 위해 변경된다. 즉, 이 일본 실용 신안 출원에서는 반도체 웨이퍼를 반응 영역 내에서 연속적으로 회전시키지는 못한다.
일본 특개평 57-151523 호는 디스크형 부재를 위한 반송 장치를 기재한다. 이 일본 특개평에 기재된 종래의 반송 장치도 디스크형 부재의 자세 제어를 목적으로 한다. 종래의 반송 장치는 상이한 속도로 이동하는 2 개의 일직선 반송기와 그 일직선 반송기들을 따라 연장된 가이드 부재를 구비한다. 디스크형 부재는 디스크형 부재의 주변에서 방사상으로 돌출된 돌출부를 갖고, 2 개의 일직선 반송기 상에 배치된다.
2 개의 일직선 반송기는 상이한 속도로 이동하고, 이들 사이의 상대 속도는 2 개의 반송기 상에서 디스크형 부재를 회전시킨다. 돌출부는 가이드 부재와 접촉하게 되어, 디스크형 부재가 반송기 상에서 회전하는 것을 중지시킨다. 최종적으로, 모든 디스크형 부재는 반송기 상에서 동일한 자세로 조정되어, 반송 장치의 단부에 도착하게 된다.
종래의 반송 장치는 디스크형 부재를 회전시키고, 회전은 자세 제어를 목적으로 한다. 이 일본 특개평은 반도체 제조 기법에의 응용을 개시하지도 않았고, 제안하지도 않았다. 이것은, 반도체 웨이퍼가 종래의 자세 제어에서의 필수 구성 요소로서 돌출부를 갖지 않기 때문에 분명히 이해될 수 있다.
일본 특개평 3-123025 호는 대기압 화학 기상 증착 시스템을 기재한다. 이 일본 특개평에 기재된 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템은 루프를 형성하기 위해 서로 링크된 핫플레이트에 의해 실행되는 반송기를 구비한다. 반도체 웨이퍼는 핫플레이트 상에 배치되고, 반응 가스 분사기 밑에 있는 반응 영역을 연속하여 통과한다.
핫플레이트가 루프를 따라서 이동 방향을 변경시켰을 때, 핫플레이트는 자체가 회전하고, 핫플레이트 상의 반도체 웨이퍼도 또한 회전한다. 그러나, 반응 가스 분사기는 루프의 일직선부 상에 배치되어 있고, 핫플레이트도, 반도체 웨이퍼도 반응 가스 분사기 밑에서 회전하지 않는다.
일본 특개평 8-162416 호는 대기압 화학 기상 증착 시스템을 기재한다. 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템은 또한 반응 가스 분사기 및, 반송 벨트 상에 있는 반도체 웨이퍼 사이의 상대적인 이동을 통한 균일한 성장을 목적으로 한다.
이 일본 특개평은 2 가지의 상대 이동을 제안한다. 제 1 상대 이동은 반응 가스 분사기의 왕복 운동으로 제공된다. 반응 가스 분사기는 반송 벨트 이동 방향의 수직 방향으로 왕복 운동한다. 제 2 상대 이동은 반송 벨트 상에서 반도체 웨이퍼를 회전시킴으로써 제공된다. 이 일본 특개평은 단지 간격을 두고 반송 벨트에 형성된 홀에 회전대가 설치된 것을 설명한다. 이 일본 특개평은 홀에서 회전대가 회전하는 방법에 대해서는 설명하지 않았다. 그러나, 일본 특개평 8-203835 호에 기재된 종래의 대기압 화학 기상 증착에서는, 회전대가 안정된 화학 반응에 유해한 환경을 발생시킨다.
이러한 경우에, 반응 가스 분사기 및 반도체 웨이퍼 사이의 상대적인 이동에서 자세 제어를 통한 균일한 배향이 요구되지 않기 때문에, 당업자가 일본 실용 신안 출원 54-50227 호 및 일본 특개평 57-151523 호에 기재된 종래 기술과, 일본 특개평 8-162416 호 및 8-203835 호에 기재된 대기압 화학 기상 증착 시스템을 결합시키기는 것은 어려운 일이다.
따라서, 본 발명의 중요한 목적은 안정된 환경에서 반도체 웨이퍼 상에 재료를 균일하게 성장시키는 성장 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 중요한 목적은 성장 시스템에서 사용되는 프로세스를 제공하는 것이다.
도 1 은 종래의 대기압 화학 기상 증착 시스템을 도시한 사시도.
도 2 는 본 발명에 따른 대기압 화학 기상 증착 시스템을 도시한 개략 사시도.
도 3 은 도 1 에서 도시된 대기압 화학 기상 증착 시스템에 합체된 반송기 상에서 반도체 웨이퍼를 회전시키는 것을 도시한 개략도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 반응기
12 : 반송기
12a/12b/12c/12d/12e/12f/12g : 반송 벨트
13 : 반응 가스 분사기
14 : 히터
15a/15b : 반도체 웨이퍼
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 상이한 속도로 이동하는 반송기 상에서 반도체 웨이퍼를 회전시키는 것을 제안한다.
본 발명의 한 태양에 따르면, 웨이퍼 상에 재료를 성장시키기 위한 성장 영역을 생성시키는 성장 수단, 성장 영역을 통과하고 웨이퍼를 성장 영역을 거쳐 목적지에 이송하는 복수의 반송 부재, 및 복수의 이동 부재에 연결되어 있으며, 복수의 반송 부재들을 서로 상이한 각각의 이동 속도로 조정하여, 성장 영역을 통과하는 동안 복수의 반송 부재 상에서 각각의 웨이퍼들을 회전시키는 제어기를 구비한 성장 시스템이 제안된다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, a) 상이한 속도로 이동하는 복수의 반송 부재상에 웨이퍼 각각을 배치시키는 단계, b) 웨이퍼 각각을 목적지를 향해 이송시켜서, 복수의 반송 부재 상에 상기 웨이퍼 각각을 회전시키는 단계, 및 c) 복수의 반송 부재가 상기 웨이퍼 각각을 회전시키는 동안, 상기 웨이퍼 각각 상에 재료를 성장시키는 단계를 구비한, 웨이퍼 상에 재료를 성장시키는 프로세스가 제안된다.
성장 시스템 및 프로세스의 특징 및 장점들은 첨부 도면들을 참조한 하기의 설명으로 명확해질 것이다.
도 2 에서, 본 발명을 구현하는 대기압 화학 기상 증착 시스템은 반응기 (11) 및 이 반응기 (11) 내에 한정된 반응 챔버 (11a) 를 구비한다. 반응 영역은 하기에 설명된 바와 같이, 반응 챔버 (11) 내에 생성된다.
대기압 화학 기상 증착 시스템은 반송기 (12), 반응 가스 분사기 (13) 및 히터 (14) 를 구비한다. 반응 가스 분사기 (13) 는 반송기 (12) 에 반응 가스를 분사하여, 반송기 (12) 상에 반응 영역을 생성한다. 반응 가스는 반응 영역 내에 소정의 재료를 생성시킨다. 소정의 재료는 예를 들면, 이산화 실리콘, 포스포실리케이트 유리 (phosphosilicate glass) 또는 보로-포스포실리케이트 유리 (boro-phosphosilicate glass) 등과 같은 일종의 반도체, 도체 또는 유전체일 수도 있다.
반도체 웨이퍼 (15a/15b) 는 반송기 (12) 상에 배치되고, 반송기 (12) 는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 반응 영역을 통해 단부로 이송한다. 히터 (14) 는 반송기 (12) 밑에 배치되며, 반송기 (12) 를 거쳐서 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 에 열을 복사한다. 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 가 목표 온도까지 승온되고, 화학 반응이 반응 영역에서 촉진된다. 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 가 반응 영역을 통과하는 동안, 소정의 재료가 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 상에 피착되고 성장하여, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 상에 층을 형성한다.
반송기 (12) 는 적합한 메시망으로 이루어진 복수의 반송 벨트 (12a/12b/12c/12d/12e/12f/12g) 및 이 반송 벨트 (12a 내지 12g) 를 구동하기 위한 구동 장치 (12h) 를 구비한다. 반송 벨트 (12a 내지 12g) 는 루프를 형성하고, 구동 샤프트 (도시되지 않음) 사이에서 당겨진다. 구동 장치 (12h) 는 반송 벨트 (12a 내지 12g) 를 상이한 속도로 회전시키고, 반송 벨트 (12a 내지 12g) 는 상이한 속도 (Va, Vb, Vc, Vd, Ve, Vf 및 Vg) 로 이동한다. 이러한 경우에, 구동 장치 (12h) 는 반송 벨트 (12a/12b/12c/12d/12e/12f/12g) 를 Va > Vb > Vc > Vd > Ve > Vf > Vg 로 조정한다. 따라서, 도 3 에서 도시된 바와 같이, 구동 장치 (12h) 는 반송 벨트들 (12a 내지 12g) 사이에 속도차를 만들어서 이러한 상대 속도가 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 반송 벨트 (12a 내지 12g) 상에서 회전 (R) 하게 만든다. 이러한 경우에, 반송 벨트는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 시계 방향으로 회전시킨다. 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 는, P1 에서 P2 및 P3 를 통해 P4 로 이동되고, 회전 (R) 을 통해 반송 벨트 (12a 내지 12g) 상에서 자세를 변경한다. 반응 영역 내에서 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 들을 회전시키고, 이 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 상에 소정의 재료가 균일하게 성장한다.
도 2 로 돌아가서, 반응 가스 분사기 (13) 는 반응 가스원 (13a) 및 분사 장치 (13b) 를 구비한다. 반응 가스원 (13a) 는 가스관 (13c) 을 통해 분사 장치 (13b) 에 연결되어 있고, 분사 장치 (13b) 의 하부 플레이트 내에 개구 (13d) 가 형성되어 있다. 개구 (13d) 는 횡으로 길게 연장되어 있으며, 반도체 웨이퍼 (15a/15d) 의 지름보다 더 길게 연장되어 있다. 반응 기체들이 개구 (13d) 로부터 하방으로 분사되어, 반도체 웨이퍼 (15a/15d) 상에 반응 영역을 생성한다. 분사된 반응 가스는 메시 반송 벨트 (12a 내지 12g) 를 통과하고, 신규 반응 가스가 항상 반응 영역을 형성한다.
반응 영역의 반응 세부 영역 (reacting sub-zone) 에서 반응 조건이 상이한 경우에도, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 회전시켜 전면을 반응 세부 영역에 노출시키기 때문에, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 의 전면에서 성장 속도가 평균화된다. 결과적으로, 소정의 재료층은 전면 상에 일정한 두께를 갖게 된다.
히터 (14) 는 반송 벨트 (12a 내지 12g) 밑에 있는 열 발생 장치 (14a) 및 열 발생 장치 (14a) 와 연결된 전원 (14b) 을 구비한다. 전원 (14b) 은 열 발생 장치 (14a) 에 전력을 공급하고, 열 발생 장치 (14a) 는 메시 반송 벨트 (12a 내지 12g) 를 통해 열을 복사한다. 결과적으로, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 는 확실하게 목표 온도까지 승온된다.
동작시에, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 는 반송 벨트 (12a 내지 12g) 상에 간격을 두고 배치되어, 반응 영역을 거쳐 반송 벨트 (12a 내지 12g) 의 단부로 이동된다. 열 발생 장치 (14a) 는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 목표 온도까지 가열하고, 분사 장치 (13b) 는 신규 반응 가스를 반응 영역을 통해 유입시킨다. 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 가 단부를 향해 이동되는 동안, 반송 벨트 (12a 내지 12g) 는 상대 속도를 이용하여 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 회전 (R) 시키고, 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 의 회전은 그 전면을 반응 세부 영역 내의 반응 생성물 또는 소정의 재료에 노출시킨다. 결과적으로, 소정의 재료의 성장 속도가 평균화되어, 소정의 재료는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 상에 일정한 두께로 성장한다.
이러한 경우에, 반응 가스 분사기 (13) 는 성장 수단으로 기능하고, 반송 벨트 (12a 내지 12g) 는 복수의 반송 부재로서 기능한다. 구동 장치 (12h) 는 제어기에 해당한다.
전술한 바와 같이, 반송 벨트 (12a 내지 12g) 는 상이한 속도 (Va 내지 Vg) 로 이동하고, 반응 영역 내에서 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 회전시킨다. 결과적으로, 성장 속도는 평균화되고, 소정의 재료는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 상에 일정한 두께로 성장하게 된다.
상대 속도는 구동 장치 (12h) 에 의해 주어지고, 반송 벨트 (12a 내지 12g) 상에 열 및 가스 흐름에 대한 장애물은 없다. 따라서, 반응 영역에서 반응 조건은 더 균일해지고, 소정의 재료층은 종래 기술에서보다 더욱 정밀하게 목표 두께로 성장하게 된다.
게다가, 구동 장치 (12h) 는 열에 노출되지 않기 때문에, 보통의 모터 및 보통의 장치 소자들을 구동 장치 (12h) 로 이용할 수 있다. 따라서, 구동 장치 (12h) 는 종래 기술의 플래턴보다 더 경제적이다.
본 발명은 전술한 실시예에만 국한되지 않으며, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해하여야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
예를 들어, 구동 장치가 이상의 바람직한 실시예에서와 상이한 순서로 이동 속도를 증가시켜, 반송 벨트가 반도체 웨이퍼를 회전시키도록 할 수도 있다.
본 발명은 다른 종류의 성장 시스템에 적용될 수도 있다.
구동 벨트를 상이한 속도로 구동시키기 위해, 구동 장치는 반송 벨트와 관련된 전기 모터 및 이 전기 모터를 목표 속도로 조정하기 위한 제어기를 각각 구비할 수도 있다. 그렇지 않으면, 구동 장치는 단지 하나의 전기 모터와 톱니수가 상이한 스프로켓들 (sprockets) 을 구비할 수도 있다. 스프로켓은 전기 모터에 의해 구동되는 단일 샤프트에 고정되고, 구동력은 스프로켓에서 체인을 통해 반송 벨트들용 샤프트에 고정된 각각의 스프로켓에 전달된다.
상술한 실시예에서는, 7 개의 반송 벨트가 평행하게 정렬되어 있다. 반송 벨트의 개수는 반도체 웨이퍼 크기 및/또는 반송기 (12) 를 위해 사용가능한 공간에 따라 변경할 수 있다.

Claims (18)

  1. 웨이퍼 (15a/15b) 상에 재료를 성장시키기 위한 성장 영역을 생성시키는 성장 수단 (13),
    상기 성장 영역을 통과하여 상기 웨이퍼 (15a/15b) 를 상기 성장 영역을 거쳐 목적지로 이송하는 복수의 반송 부재 (12a/12b/12c/12d/12e/12f/12g), 및
    상기 복수의 반송 부재를 이동시키기 위한 복수의 이동 부재들과 연결된 제어기 (12h) 를 구비한 성장 시스템에 있어서,
    상기 제어기 (12h) 는, 상기 복수의 반송 부재들을 서로 상이한 각각의 이동 속도 (Va/Vb/Vc/Vd/Ve/Vf/Vg) 로 조정하여, 상기 성장 영역을 통과하는 동안, 상기 복수의 반송 부재들 (12a-12g) 상에서 상기 웨이퍼 (15a/15b) 각각을 회전시키는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이동 속도는 (Va-Vg) 는 상기 복수의 반송 부재들 중 일측에 배치된 상기 복수의 반송 부재들 중 하나 (12g) 로부터, 타측에 배치된 상기 복수의 반송 부재들 중 다른 하나 (12a) 까지 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 성장 영역 내에서 성장에 적합한 목표 온도까지 상기 웨이퍼 (15a/15b) 를 가열하기 위한 히터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 성장 영역에서 반응 재료들 사이의 화학 반응을 통해, 상기 재료를 성장시키는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반응 재료가 기상으로 상기 성장 영역에 공급되는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 반응 재료는 대기압 근처에서 서로 반응하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 성장 수단은 상기 복수의 반송 부재 (12a-12g) 위쪽에 배치되며, 상기 성장 영역을 생성하기 위해서 상기 복수의 반송 부재를 향해 상기 반응 재료를 기상으로 분사시키는 분사 장치 (13b) 를 구비하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 반송 부재 (12a-12g) 가 망으로 형성되어 상기 반응 재료가 통과할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 복수의 반송 부재 (12a-12g) 는, 밑에 배치된 상기 히터 (14) 로부터 열이 복사되는 것을 허용하는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제어기 (12h) 는 상기 히터 및 상기 웨이퍼 사이의 가열 영역 외부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 웨이퍼 (15a/15b) 가 반도체 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 성장 시스템.
  12. a) 상이한 속도 (Va-Vg) 로 이동하는 복수의 반송 부재 (12a-12g) 상에 각각의 웨이퍼 (15a/15b) 를 배치하는 단계,
    b) 상기 복수의 반송 부재 상에 상기 각각의 웨이퍼를 회전시키기 위해, 상기 웨이퍼 (15a/15b) 각각을 목적지를 향해 이송시키는 단계, 및
    c) 상기 복수의 반송 부재 (12a-12g) 가 상기 웨이퍼 (15a/15b) 각각을 회전시키는 동안, 상기 각각의 웨이퍼 상에 상기 재료를 성장시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 (15a/15b) 상에 재료를 성장시키는 프로세스.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 복수의 반송 부재들 (12a-12g) 은, 상기 복수의 반송 부재의 일측에 배치된 한 반송 부재 (12g) 로부터 타측에 배치된 다른 반송 부재 (12a) 까지 속도가 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 프로세스.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 재료는, 상기 c) 단계에서, 반응 가스들 사이의 화학 반응을 통해 성장하는 것을 특징으로 하는 프로세스.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 반응 가스들이 대기압 근처에서 서로 반응하는 것을 특징으로 하는 프로세스.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 b) 단계 및 c) 단계 사이에, 상기 화학 반응에 적합한 목표 온도까지 상기 웨이퍼 (15a/15b) 를 가열하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 반도체 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스.
  18. 웨이퍼 (15a/15b) 표면을 처리하기 위한 표면 처리 수단 (13),
    상기 표면 처리 수단을 통과하여 상기 웨이퍼를 상기 표면 처리 수단을 거쳐 목적지로 이송하는 복수의 반송 부재 (12a/12b/12c/12d/12e/12f), 및
    상기 복수의 이동 부재와 연결된 제어기 (12h) 를 구비하는 표면 처리 시스템에 있어서,
    상기 제어기 (12h) 는, 상기 복수의 반송 부재들을 서로 상이한 각각의 상대 이동 속도로 조정하여, 상기 표면 처리 수단을 통과하는 동안, 상기 복수의 반송 부재 상에서 상기 웨이퍼 각각을 회전시키는 것을 특징으로 하는 표면 처리 시스템.
KR1019990011724A 1998-04-03 1999-04-03 반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게성장시키기 위한 성장 시스템 KR100291225B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP98-108670 1998-04-03
JP10108670A JPH11292264A (ja) 1998-04-03 1998-04-03 表面処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990082919A true KR19990082919A (ko) 1999-11-25
KR100291225B1 KR100291225B1 (ko) 2001-05-15

Family

ID=14490713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990011724A KR100291225B1 (ko) 1998-04-03 1999-04-03 반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게성장시키기 위한 성장 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6171396B1 (ko)
JP (1) JPH11292264A (ko)
KR (1) KR100291225B1 (ko)
CN (1) CN1231502A (ko)
GB (1) GB2335927A (ko)
TW (1) TW417171B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010083628A (ko) * 2000-02-17 2001-09-01 박종섭 반도체 웨이퍼 제조용 벨트식 화학기상증착장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656821B2 (ja) * 1999-09-14 2005-06-08 シャープ株式会社 多結晶シリコンシートの製造装置及び製造方法
JP4111669B2 (ja) 1999-11-30 2008-07-02 シャープ株式会社 シート製造方法、シートおよび太陽電池
KR100455426B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 열교환기 연속 표면처리장비의 2열처리구조
US7193620B2 (en) * 2003-07-21 2007-03-20 Motorola, Inc. Wireless device lighting system
JP4753644B2 (ja) * 2005-07-05 2011-08-24 積水化学工業株式会社 常圧ｃｖｄ方法及び装置
WO2009084101A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Sintobrator, Ltd. 角柱状部材の研磨装置
CN103367199A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 无锡嘉瑞光伏有限公司 一种晶体硅太阳电池烧结装置
JP5958092B2 (ja) * 2012-05-31 2016-07-27 ソニー株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6450932B2 (ja) * 2014-05-13 2019-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
CN106628816A (zh) * 2016-10-10 2017-05-10 金锋馥（滁州）输送机械有限公司 转向水平输送机
CN110092159A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 山东新北洋信息技术股份有限公司 物品输送方法及设备
CN108569571A (zh) * 2018-03-30 2018-09-25 中国国际海运集装箱(集团)股份有限公司 一种货物输送装置
CN113121579B (zh) * 2021-04-19 2023-06-06 河北松辰医药科技有限公司 3-（6-苯基己基）苯硼酸及其衍生物的合成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55149951A (en) 1979-05-10 1980-11-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic copying method and apparatus
JPS57151523A (en) 1981-03-16 1982-09-18 Hitachi Ltd Aligning-feeding method of disks with projection
JPH03123025A (ja) 1989-10-05 1991-05-24 Nec Corp 常圧ｃｖｄ連続成長形装置
JPH06310438A (ja) 1993-04-22 1994-11-04 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置
JPH08162416A (ja) 1994-12-05 1996-06-21 Sony Corp ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法
JPH08203835A (ja) 1995-01-31 1996-08-09 Sony Corp ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010083628A (ko) * 2000-02-17 2001-09-01 박종섭 반도체 웨이퍼 제조용 벨트식 화학기상증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6171396B1 (en) 2001-01-09
KR100291225B1 (ko) 2001-05-15
GB9907717D0 (en) 1999-05-26
JPH11292264A (ja) 1999-10-26
CN1231502A (zh) 1999-10-13
TW417171B (en) 2001-01-01
GB2335927A (en) 1999-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100291225B1 (ko) 반도체 웨이퍼 상에 회전 및 사용 공정을 통해 박막을 균일하게성장시키기 위한 성장 시스템
US4838983A (en) Gas treatment apparatus and method
US5302209A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
US6037241A (en) Apparatus and method for depositing a semiconductor material
US9085822B2 (en) Apparatus and method for depositing a material on a substrate
US7910166B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US8353987B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US20110073039A1 (en) Semiconductor deposition system and method
US4772356A (en) Gas treatment apparatus and method
CN113981531B (zh) 一种预热环及衬底处理设备
KR20120109402A (ko) 선형 이송식 기판의 가변식 가열 또는 냉각을 위한 동적 시스템
US6413888B1 (en) Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing
EP1123423A1 (en) High rate silicon deposition method at low pressures
JPH0383894A (ja) 気相成長装置
CN114150377B (zh) 一种厚膜生长设备
JP3473251B2 (ja) マルチチャージ横型気相成長方法及びその装置
CN108695189B (zh) 晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法
JPS63257232A (ja) 処理装置
JPH08162416A (ja) ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法
CN117133688A (zh) 一种用于背封晶圆的装置及方法
JPH10245679A (ja) 化学的気相成長による成膜方法及び成膜装置
KR20010086850A (ko) 화학 기상 증착 장치
JPH08203835A (ja) ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置
JPH09283445A (ja) 半導体製造方法および装置
JP2001319881A (ja) 被処理物載置用トレー、搬送装置及び表面処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee