JPH08162416A - ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法 - Google Patents
ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法Info
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- JPH08162416A JPH08162416A JP30099294A JP30099294A JPH08162416A JP H08162416 A JPH08162416 A JP H08162416A JP 30099294 A JP30099294 A JP 30099294A JP 30099294 A JP30099294 A JP 30099294A JP H08162416 A JPH08162416 A JP H08162416A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置により半導体ウ
エハの表面に均一な膜厚の薄膜を生成すること。 【構成】 ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置１０の反応ガス
噴射装置３Ａを搬送ベルト２により搬送されている各半
導体ウエハＳの進行方向に対して垂直な方向に往復運動
させて、反応ガス噴射装置３Ａから噴射される反応ガス
の流速の違いによる「膜むら」を防ぎ、半導体ウエハＳ
の表面に均一な膜厚の薄膜を生成するようにしている。
また、反応ガス噴射装置３の成膜領域を通過する半導体
ウエハＳを回転させて各半導体ウエハＳの表面に均一な
膜厚の薄膜を生成する方法も例示されている。
エハの表面に均一な膜厚の薄膜を生成すること。 【構成】 ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置１０の反応ガス
噴射装置３Ａを搬送ベルト２により搬送されている各半
導体ウエハＳの進行方向に対して垂直な方向に往復運動
させて、反応ガス噴射装置３Ａから噴射される反応ガス
の流速の違いによる「膜むら」を防ぎ、半導体ウエハＳ
の表面に均一な膜厚の薄膜を生成するようにしている。
また、反応ガス噴射装置３の成膜領域を通過する半導体
ウエハＳを回転させて各半導体ウエハＳの表面に均一な
膜厚の薄膜を生成する方法も例示されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ベルト駆動型常圧Ｃ
ＶＤ装置を用いて半導体ウエハなどの被表面処理加工物
の表面に薄膜を生成する方法に関するものである。
ＶＤ装置を用いて半導体ウエハなどの被表面処理加工物
の表面に薄膜を生成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３及び図４を用いて従来技術の
ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置による被表面処理加工物へ
の成膜方法を説明する。なお、以下の説明では、被表面
処理加工物として半導体ウエハを採り挙げて説明する。
図３は従来技術のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置における
反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部斜視
図であり、図４は図３のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置に
よって成膜される状態を説明するための半導体ウエハの
成膜表面の平面図である。
ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置による被表面処理加工物へ
の成膜方法を説明する。なお、以下の説明では、被表面
処理加工物として半導体ウエハを採り挙げて説明する。
図３は従来技術のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置における
反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部斜視
図であり、図４は図３のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置に
よって成膜される状態を説明するための半導体ウエハの
成膜表面の平面図である。
【０００３】先ず、図３を用いて従来技術のベルト駆動
型常圧ＣＶＤ装置（以下、単に「常圧ＣＶＤ装置」と略
記する）における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明す
る。符号１は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常
圧ＣＶＤ装置１の一例として米国ワトキンスジョンソン
社製ＷＪ−９９９シリーズを挙げることができる。この
常圧ＣＶＤ装置１は図示していない駆動装置で複数枚の
半導体ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動さ
れる環状でメッシュ状の搬送ベルト２と、それらの半導
体ウエハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの
半導体ウエハＳの進行方向に対して垂直方向に配置され
た反応ガス噴射装置３とを備えている。この反応ガス噴
射装置３の前記半導体ウエハＳに対向する下面には直線
状の噴射口（図示していない）が形成されており、この
噴射口からこれも図示していない反応ガス供給源からの
反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するように構成さ
れている。
型常圧ＣＶＤ装置（以下、単に「常圧ＣＶＤ装置」と略
記する）における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明す
る。符号１は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常
圧ＣＶＤ装置１の一例として米国ワトキンスジョンソン
社製ＷＪ−９９９シリーズを挙げることができる。この
常圧ＣＶＤ装置１は図示していない駆動装置で複数枚の
半導体ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動さ
れる環状でメッシュ状の搬送ベルト２と、それらの半導
体ウエハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの
半導体ウエハＳの進行方向に対して垂直方向に配置され
た反応ガス噴射装置３とを備えている。この反応ガス噴
射装置３の前記半導体ウエハＳに対向する下面には直線
状の噴射口（図示していない）が形成されており、この
噴射口からこれも図示していない反応ガス供給源からの
反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するように構成さ
れている。
【０００４】このような構成の常圧ＣＶＤ装置１を用い
て半導体ウエハＳの表面に薄膜を生成するには、搬送ベ
ルト２によって搬送されてきた各半導体ウエハＳを、例
えば、４００°Ｃ程度に加熱し、更に反応ガス噴射装置
３から噴射された反応ガスにより形成されている成膜領
域に搬入し、その加熱された状態の半導体ウエハＳを次
々に反応ガスに晒す。そうするとその反応ガスにより、
例えば、ＳｉＯ2 薄膜、ＢＰＳＧ薄膜、ＰＳＧ薄膜など
の所望の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳの表面に生成させる
ことができる。
て半導体ウエハＳの表面に薄膜を生成するには、搬送ベ
ルト２によって搬送されてきた各半導体ウエハＳを、例
えば、４００°Ｃ程度に加熱し、更に反応ガス噴射装置
３から噴射された反応ガスにより形成されている成膜領
域に搬入し、その加熱された状態の半導体ウエハＳを次
々に反応ガスに晒す。そうするとその反応ガスにより、
例えば、ＳｉＯ2 薄膜、ＢＰＳＧ薄膜、ＰＳＧ薄膜など
の所望の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳの表面に生成させる
ことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記反応ガ
ス噴射装置３の噴射口から噴射される反応ガスの流速の
違いにより、図４に示したように、半導体ウエハＳの表
面に、半導体ウエハＳの進行方向に対して垂直な方向に
「膜むら」が生じ易い。即ち、例えば、反応ガス噴射装
置３の噴射口の領域Ａが反応ガスの噴射流速が速い領域
とすると、半導体ウエハＳの表面部分Ｓａには膜厚が薄
い薄膜Ｆａが生成し、反応ガス噴射装置３の噴射口の領
域Ｂが反応ガスの噴射流速が遅い領域とすると、半導体
ウエハＳの表面部分Ｓｂには膜厚が厚い薄膜Ｆｂが生成
することになって、各半導体ウエハＳの搬送方向（矢印
Ｘ）に対して垂直な方向に均一な膜厚の薄膜を得ること
ができなかった。この発明はこのような膜厚の「膜む
ら」が生じる問題点を解決し、半導体ウエハの表面に均
一な膜厚の薄膜を生成することを課題とするものであ
る。
ス噴射装置３の噴射口から噴射される反応ガスの流速の
違いにより、図４に示したように、半導体ウエハＳの表
面に、半導体ウエハＳの進行方向に対して垂直な方向に
「膜むら」が生じ易い。即ち、例えば、反応ガス噴射装
置３の噴射口の領域Ａが反応ガスの噴射流速が速い領域
とすると、半導体ウエハＳの表面部分Ｓａには膜厚が薄
い薄膜Ｆａが生成し、反応ガス噴射装置３の噴射口の領
域Ｂが反応ガスの噴射流速が遅い領域とすると、半導体
ウエハＳの表面部分Ｓｂには膜厚が厚い薄膜Ｆｂが生成
することになって、各半導体ウエハＳの搬送方向（矢印
Ｘ）に対して垂直な方向に均一な膜厚の薄膜を得ること
ができなかった。この発明はこのような膜厚の「膜む
ら」が生じる問題点を解決し、半導体ウエハの表面に均
一な膜厚の薄膜を生成することを課題とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従って、この発明の常圧
ＣＶＤ装置による被表面処理加工物への第１の成膜方法
は、半導体ウエハの表面に薄膜を生成させる反応ガス噴
射装置とこの反応ガス噴射装置の成膜領域に前記半導体
ウエハを搬送するベルト型搬送装置とからなる常圧ＣＶ
Ｄ装置において、前記ベルト型搬送装置に載置、搬送さ
れる前記半導体ウエハの進行方向に対して横断する方向
に前記反応ガス噴射装置を往復運動させて前記半導体ウ
エハの表面に反応ガスを噴射するようにし、薄膜を施す
方法を採って、前記課題を解決している。
ＣＶＤ装置による被表面処理加工物への第１の成膜方法
は、半導体ウエハの表面に薄膜を生成させる反応ガス噴
射装置とこの反応ガス噴射装置の成膜領域に前記半導体
ウエハを搬送するベルト型搬送装置とからなる常圧ＣＶ
Ｄ装置において、前記ベルト型搬送装置に載置、搬送さ
れる前記半導体ウエハの進行方向に対して横断する方向
に前記反応ガス噴射装置を往復運動させて前記半導体ウ
エハの表面に反応ガスを噴射するようにし、薄膜を施す
方法を採って、前記課題を解決している。
【０００７】また、この発明の常圧ＣＶＤ装置による被
表面処理加工物への第２の成膜方法は、半導体ウエハの
表面に薄膜を生成させる反応ガス噴射装置とこの反応ガ
ス噴射装置の成膜領域に前記半導体ウエハを搬送するベ
ルト型搬送装置とからなる常圧ＣＶＤ装置において、前
記ベルト型搬送装置に載置された前記各半導体ウエハを
回転させながら前記反応ガス噴射装置から噴射される反
応ガスに晒し、その各半導体ウエハの表面に薄膜を施す
方法を採って、前記課題を解決している。
表面処理加工物への第２の成膜方法は、半導体ウエハの
表面に薄膜を生成させる反応ガス噴射装置とこの反応ガ
ス噴射装置の成膜領域に前記半導体ウエハを搬送するベ
ルト型搬送装置とからなる常圧ＣＶＤ装置において、前
記ベルト型搬送装置に載置された前記各半導体ウエハを
回転させながら前記反応ガス噴射装置から噴射される反
応ガスに晒し、その各半導体ウエハの表面に薄膜を施す
方法を採って、前記課題を解決している。
【０００８】
【作用】従って、この発明の常圧ＣＶＤ装置による被表
面処理加工物への成膜方法によれば、半導体ウエハの表
面に均一な膜厚の薄膜を生成することができる。
面処理加工物への成膜方法によれば、半導体ウエハの表
面に均一な膜厚の薄膜を生成することができる。
【０００９】
【実施例】次に、図を用いて、この発明の常圧ＣＶＤ装
置による半導体ウエハへの成膜方法を説明する。図１は
この発明の常圧ＣＶＤ装置による半導体ウエハへの第１
の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置における反
応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部斜視図
であり、そして図２はこの発明の常圧ＣＶＤ装置による
半導体ウエハへの第２の成膜方法を説明するための常圧
ＣＶＤ装置における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式
的に示した一部斜視図である。なお、従来技術の常圧Ｃ
ＶＤ装置と同一の部分には同一の符号を付し、それらの
説明を省略する。
置による半導体ウエハへの成膜方法を説明する。図１は
この発明の常圧ＣＶＤ装置による半導体ウエハへの第１
の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置における反
応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部斜視図
であり、そして図２はこの発明の常圧ＣＶＤ装置による
半導体ウエハへの第２の成膜方法を説明するための常圧
ＣＶＤ装置における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式
的に示した一部斜視図である。なお、従来技術の常圧Ｃ
ＶＤ装置と同一の部分には同一の符号を付し、それらの
説明を省略する。
【００１０】先ず、図１を用いてこの発明の半導体ウエ
ハへの第１の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明する。符号
１０は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常圧ＣＶ
Ｄ装置１０は図示していない駆動装置で複数枚の半導体
ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動される環
状でメッシュ状の搬送ベルト２と、それらの半導体ウエ
ハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの半導体
ウエハＳの進行方向に対して、図示していない駆動装置
によって矢印Ｙで示した垂直方向に往復運動され、そし
て垂直方向に配置された反応ガス噴射装置３Ａとを備え
ている。この反応ガス噴射装置３Ａは、その前記半導体
ウエハＳに対向する下面に半導体ウエハＳの直径よりも
長い直線状の噴射口（図示していない）を備えており、
この噴射口からこれも図示していない反応ガス供給源か
らの反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するように構
成されている。
ハへの第１の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明する。符号
１０は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常圧ＣＶ
Ｄ装置１０は図示していない駆動装置で複数枚の半導体
ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動される環
状でメッシュ状の搬送ベルト２と、それらの半導体ウエ
ハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの半導体
ウエハＳの進行方向に対して、図示していない駆動装置
によって矢印Ｙで示した垂直方向に往復運動され、そし
て垂直方向に配置された反応ガス噴射装置３Ａとを備え
ている。この反応ガス噴射装置３Ａは、その前記半導体
ウエハＳに対向する下面に半導体ウエハＳの直径よりも
長い直線状の噴射口（図示していない）を備えており、
この噴射口からこれも図示していない反応ガス供給源か
らの反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するように構
成されている。
【００１１】このような構成の常圧ＣＶＤ装置１０を用
いると、搬送ベルト２によって成膜領域に搬送されてき
た高温の各半導体ウエハＳの表面には、前記往復運動す
る反応ガス噴射装置３Ａから噴射された反応ガスに万遍
なく晒すことができる。従って、そのような反応ガスに
より、例えば、ＳｉＯ2 薄膜、ＢＰＳＧ薄膜、ＰＳＧ薄
膜などの膜厚が均一な所望の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳ
の表面に生成させることができる。
いると、搬送ベルト２によって成膜領域に搬送されてき
た高温の各半導体ウエハＳの表面には、前記往復運動す
る反応ガス噴射装置３Ａから噴射された反応ガスに万遍
なく晒すことができる。従って、そのような反応ガスに
より、例えば、ＳｉＯ2 薄膜、ＢＰＳＧ薄膜、ＰＳＧ薄
膜などの膜厚が均一な所望の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳ
の表面に生成させることができる。
【００１２】次に、図２を用いてこの発明の半導体ウエ
ハへの第２の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明する。符号
２０は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常圧ＣＶ
Ｄ装置２０は図示していない駆動装置で複数枚の半導体
ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動される環
状でメッシュ状の搬送ベルト２Ａと、それらの半導体ウ
エハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの半導
体ウエハＳの進行方向に対して垂直方向に配置された反
応ガス噴射装置３とを備えている。
ハへの第２の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を説明する。符号
２０は全体として常圧ＣＶＤ装置を指す。この常圧ＣＶ
Ｄ装置２０は図示していない駆動装置で複数枚の半導体
ウエハＳを載置しながら、矢印Ｘの方向に駆動される環
状でメッシュ状の搬送ベルト２Ａと、それらの半導体ウ
エハＳの表面に薄膜を施す装置であって、これらの半導
体ウエハＳの進行方向に対して垂直方向に配置された反
応ガス噴射装置３とを備えている。
【００１３】この反応ガス噴射装置３Ａは、その前記半
導体ウエハＳに対向する下面に半導体ウエハＳの直径よ
りも長い直線状の噴射口（図示していない）を備えてお
り、この噴射口からこれも図示していない反応ガス供給
源からの反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するよう
に構成されている。
導体ウエハＳに対向する下面に半導体ウエハＳの直径よ
りも長い直線状の噴射口（図示していない）を備えてお
り、この噴射口からこれも図示していない反応ガス供給
源からの反応ガスを供給パイプ４を介して噴射するよう
に構成されている。
【００１４】更に前記搬送ベルト２Ａには、その進行方
向に所定の間隔で半導体ウエハＳの直径よりやや大きい
寸法の複数の孔５が開けられていて、これらの孔５にウ
エハ載置台６が嵌め込まれている。これら各ウエハ載置
台６は全て矢印Ｒで示した同一方向に回転するように構
成されている。
向に所定の間隔で半導体ウエハＳの直径よりやや大きい
寸法の複数の孔５が開けられていて、これらの孔５にウ
エハ載置台６が嵌め込まれている。これら各ウエハ載置
台６は全て矢印Ｒで示した同一方向に回転するように構
成されている。
【００１５】このような構成の常圧ＣＶＤ装置２０を用
いると、高温に加熱された各半導体ウエハＳは前記ウエ
ハ載置台６にセットされて一定速度で回転しながら搬送
ベルト２によって成膜領域に搬送されるので、前記反応
ガス噴射装置３から噴射される反応ガスの流速に違いが
あっても、各半導体ウエハＳの表面に反応ガスが万遍な
く当たり、そのような反応ガスにより膜厚が均一な所望
の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳの表面に生成させることが
できる。
いると、高温に加熱された各半導体ウエハＳは前記ウエ
ハ載置台６にセットされて一定速度で回転しながら搬送
ベルト２によって成膜領域に搬送されるので、前記反応
ガス噴射装置３から噴射される反応ガスの流速に違いが
あっても、各半導体ウエハＳの表面に反応ガスが万遍な
く当たり、そのような反応ガスにより膜厚が均一な所望
の薄膜Ｆを各半導体ウエハＳの表面に生成させることが
できる。
【００１６】
【発明の効果】従って、この発明の常圧ＣＶＤ装置によ
る半導体ウエハへの成膜方法を用いると、各半導体ウエ
ハの表面に均一な膜厚の薄膜を生成することができ、そ
の結果、歩留りが向上し、そしてコストダウンを図るこ
とができた。
る半導体ウエハへの成膜方法を用いると、各半導体ウエ
ハの表面に均一な膜厚の薄膜を生成することができ、そ
の結果、歩留りが向上し、そしてコストダウンを図るこ
とができた。
【図１】 この発明の常圧ＣＶＤ装置による半導体ウエ
ハへの第１の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した
一部斜視図である。
ハへの第１の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した
一部斜視図である。
【図２】 この発明の常圧ＣＶＤ装置による半導体ウエ
ハへの第２の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した
一部斜視図である。
ハへの第２の成膜方法を説明するための常圧ＣＶＤ装置
における反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した
一部斜視図である。
【図３】 従来技術のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置にお
ける反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部
斜視図である。
ける反応ガス噴射装置近傍の構成を模式的に示した一部
斜視図である。
【図４】 図３のベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置によって
成膜される状態を説明するための半導体ウエハの成膜表
面の平面図である。
成膜される状態を説明するための半導体ウエハの成膜表
面の平面図である。
１ ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置（常圧ＣＶＤ装置） ２ 搬送ベルト ２Ａ 搬送ベルト ３ 反応ガス噴射装置 ３Ａ 反応ガス噴射装置 ４ 供給パイプ ５ 孔 ６ ウエハ載置台 １０ 第１のベルト型搬送装置（常圧ＣＶＤ装置） ２０ 第２のベルト型搬送装置（常圧ＣＶＤ装置） Ｓ 半導体ウエハ Ｆ 薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 被表面処理加工物の表面に薄膜を生成さ
せる反応ガス噴射装置と該反応ガス噴射装置の成膜領域
に前記被表面処理加工物を搬送するベルト型搬送装置と
からなるベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置において、前記ベ
ルト型搬送装置に載置、搬送される前記被表面処理加工
物の進行方向に対して横断する方向に前記反応ガス噴射
装置を往復運動させて前記被表面処理加工物の表面に反
応ガスを噴射し、薄膜を施すことを特徴とするベルト駆
動型常圧ＣＶＤ装置による被表面処理加工物への成膜方
法。 - 【請求項２】 被表面処理加工物の表面に薄膜を生成さ
せる反応ガス噴射装置と該反応ガス噴射装置の成膜領域
に前記被表面処理加工物を搬送するベルト型搬送装置と
からなるベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置において、前記ベ
ルト型搬送装置に載置された前記被表面処理加工物を回
転させながら前記反応ガス噴射装置から噴射される反応
ガスに晒し、その被表面処理加工物の表面に薄膜を施す
ことを特徴とするベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置による被
表面処理加工物への成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30099294A JPH08162416A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30099294A JPH08162416A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162416A true JPH08162416A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17891530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30099294A Pending JPH08162416A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | ベルト駆動型常圧ｃｖｄ装置による被表面処理加工物への成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2335927A (en) * | 1998-04-03 | 1999-10-06 | Nec Corp | Method of rotating wafers during CVD process |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP30099294A patent/JPH08162416A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2335927A (en) * | 1998-04-03 | 1999-10-06 | Nec Corp | Method of rotating wafers during CVD process |
| US6171396B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Growing system for uniformly growing thin film over semiconductor wafer through rotation |
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