JPH0731540Y2 - 加熱硬化装置 - Google Patents
加熱硬化装置Info
- Publication number
- JPH0731540Y2 JPH0731540Y2 JP1990029296U JP2929690U JPH0731540Y2 JP H0731540 Y2 JPH0731540 Y2 JP H0731540Y2 JP 1990029296 U JP1990029296 U JP 1990029296U JP 2929690 U JP2929690 U JP 2929690U JP H0731540 Y2 JPH0731540 Y2 JP H0731540Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- supply chamber
- plate
- heating chamber
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はIC、LSI等の半導体製品の製造工程で用いる加
熱硬化装置に係り、リードフレーム、基板、パッケージ
等のベース材とシリコン等のチップとの接合に用いた接
着剤を熱硬化させる加熱硬化装置に関する。
熱硬化装置に係り、リードフレーム、基板、パッケージ
等のベース材とシリコン等のチップとの接合に用いた接
着剤を熱硬化させる加熱硬化装置に関する。
前記半導体製品の製造では、ベース材に導電性樹脂接着
剤を介してチップを接着し、次いで、加熱硬化装置を用
いて前記ベース材を加熱して接着剤を熱硬化させ、該ベ
ース材とチップとの接合を強固にしている。
剤を介してチップを接着し、次いで、加熱硬化装置を用
いて前記ベース材を加熱して接着剤を熱硬化させ、該ベ
ース材とチップとの接合を強固にしている。
この場合、ベース材の加熱は、加熱硬化装置の、予め所
定の温度に昇温された複数のヒートブロックに、順次ベ
ース材を載置していくことによって行われる。この際、
前記導電性樹脂接着剤は、有機質性の成分を含有してい
るので、前記ベース材を加熱すると有害ガスが発生し、
この有害ガスがベース材、チップ及び加熱硬化装置に付
着して悪影響を与える。
定の温度に昇温された複数のヒートブロックに、順次ベ
ース材を載置していくことによって行われる。この際、
前記導電性樹脂接着剤は、有機質性の成分を含有してい
るので、前記ベース材を加熱すると有害ガスが発生し、
この有害ガスがベース材、チップ及び加熱硬化装置に付
着して悪影響を与える。
そこで、加熱処理中のベース材及びチップに汚染防止用
の高温ガスを吹き付けて、該高温ガスに前記有害ガスを
同伴させて加熱硬化装置の外部に排出することが行われ
ている。
の高温ガスを吹き付けて、該高温ガスに前記有害ガスを
同伴させて加熱硬化装置の外部に排出することが行われ
ている。
しかしながら、従来は、高温ガスの流し方に十分な配慮
をしていなかった為、前記有害ガスによる悪影響を確実
に除去できないという欠点があった。
をしていなかった為、前記有害ガスによる悪影響を確実
に除去できないという欠点があった。
本考案はこのような事情に鑑みてなされたもので、加熱
時に於ける接着剤からの有害ガスを確実に排除し、IC、
LSI等の半導体製品の品質及び生産能率を向上できる加
熱硬化装置を提供することを目的とする。
時に於ける接着剤からの有害ガスを確実に排除し、IC、
LSI等の半導体製品の品質及び生産能率を向上できる加
熱硬化装置を提供することを目的とする。
本考案は、前記目的を達成する為に、側板と底板と天板
とによって箱型に形成されたケーシングの内部を、該ケ
ーシングの長手方向に沿って所定の間隔でスリットを形
成してなる仕切板によって上下に区画し、該仕切板の上
部に高温ガスを供給するガス供給室を、下部に試料部材
を加熱する加熱室を形成すると共に、該加熱室内に前記
仕切板のスリットに対応させ、且つ加熱室内の底面から
間隙を形成して複数の角柱状のヒートブロックを設け、
これらのヒートブロック上に順次試料部材を載置してい
く搬送手段を設け、加熱室の底部に排気系に連通するガ
ス排気口を設け、ガス供給源に連設されると共に該ガス
供給室の長手方向に沿って配設され、所定の間隔で形成
された複数のガス噴出口が前記天板側に向けて取り付け
られた管体を前記ガス供給室全域に配置し、該管体の前
記ガス噴出口から噴出された高温ガスは前記天板に衝突
してガス供給室内に拡散されることを特徴とする。
とによって箱型に形成されたケーシングの内部を、該ケ
ーシングの長手方向に沿って所定の間隔でスリットを形
成してなる仕切板によって上下に区画し、該仕切板の上
部に高温ガスを供給するガス供給室を、下部に試料部材
を加熱する加熱室を形成すると共に、該加熱室内に前記
仕切板のスリットに対応させ、且つ加熱室内の底面から
間隙を形成して複数の角柱状のヒートブロックを設け、
これらのヒートブロック上に順次試料部材を載置してい
く搬送手段を設け、加熱室の底部に排気系に連通するガ
ス排気口を設け、ガス供給源に連設されると共に該ガス
供給室の長手方向に沿って配設され、所定の間隔で形成
された複数のガス噴出口が前記天板側に向けて取り付け
られた管体を前記ガス供給室全域に配置し、該管体の前
記ガス噴出口から噴出された高温ガスは前記天板に衝突
してガス供給室内に拡散されることを特徴とする。
本考案によれば、試料部材は搬送手段によってヒートブ
ロック上を搬入口側から搬出口側に向けて順次載置され
て加熱される。試料部材がヒートブロックに載置され加
熱されると同時に、ガス供給室からの高温ガスが仕切板
のスリットを介して試料部材の表面全体に均一に吹き付
けられる。
ロック上を搬入口側から搬出口側に向けて順次載置され
て加熱される。試料部材がヒートブロックに載置され加
熱されると同時に、ガス供給室からの高温ガスが仕切板
のスリットを介して試料部材の表面全体に均一に吹き付
けられる。
特に、前記ガス供給室にガス供給源からのガスをガス供
給室内全域に供給する管体を設けたので、ガス供給室内
が均一の圧力に維持され、ガス供給室内の高温ガスは、
均一な流速で各ヒートブロック上に吹き付けられる。
給室内全域に供給する管体を設けたので、ガス供給室内
が均一の圧力に維持され、ガス供給室内の高温ガスは、
均一な流速で各ヒートブロック上に吹き付けられる。
試料部材の表面に吹き付けられた高温ガスは、試料部材
の導電性樹脂接着剤から発生した有害ガスを同伴し、各
ヒートブロック相互の間及び各ヒートブロックと加熱室
の底面との間に形成されるガス排気通路を介して加熱室
の底部のガス排気口から外部に排出される。このよう
に、有害ガスを同伴した高温ガスは、他のヒートブロッ
ク上の試料部材に接触することがなく加熱室外に排気さ
れるので、他のヒートブロック上の試料部材の二次汚染
を防止することができる。
の導電性樹脂接着剤から発生した有害ガスを同伴し、各
ヒートブロック相互の間及び各ヒートブロックと加熱室
の底面との間に形成されるガス排気通路を介して加熱室
の底部のガス排気口から外部に排出される。このよう
に、有害ガスを同伴した高温ガスは、他のヒートブロッ
ク上の試料部材に接触することがなく加熱室外に排気さ
れるので、他のヒートブロック上の試料部材の二次汚染
を防止することができる。
以下添付図面に従って本考案に係る加熱硬化装置の好ま
しい実施例を詳説する。
しい実施例を詳説する。
第１図乃至第５図は本考案に係る加熱硬化装置の実施例
を示すもので、加熱硬化装置のケーシング10は、四方を
囲む側板12、12…と、底板14と、天板（上板）16とによ
って長方形の箱型に形成されている。
を示すもので、加熱硬化装置のケーシング10は、四方を
囲む側板12、12…と、底板14と、天板（上板）16とによ
って長方形の箱型に形成されている。
この箱型のケーシング10の内部は、該ケーシング10の長
手方向（図面で左右方向）に沿って所定の間隔でガス通
過間隙用の８個のスリット22a、22a…を形成してなる仕
切板で上下に区画されている。そして、仕切板の上部に
は汚染防止用の高温ガスを供給するガス供給室18が、下
部には第５図に例示した試料部材28を加熱する加熱室20
が形成されている。尚、前記試料部材28は、第５図のよ
うに長方形の板状のリードフレーム46上に導線性樹脂接
着剤48、48…を介して４個のシリコンチップ50、50…を
所定の間隔で接着したものである。また、前記仕切板
は、第２図、第３図に示すように、９枚の長方形の板状
物22、22…の両端を側板12の内面12aに固着してケーシ
ング10の長手方向に所定の間隔で並べて形成され、これ
によって各板状物22、22…の間に前記スリット22a、22a
…を形成したものである。
手方向（図面で左右方向）に沿って所定の間隔でガス通
過間隙用の８個のスリット22a、22a…を形成してなる仕
切板で上下に区画されている。そして、仕切板の上部に
は汚染防止用の高温ガスを供給するガス供給室18が、下
部には第５図に例示した試料部材28を加熱する加熱室20
が形成されている。尚、前記試料部材28は、第５図のよ
うに長方形の板状のリードフレーム46上に導線性樹脂接
着剤48、48…を介して４個のシリコンチップ50、50…を
所定の間隔で接着したものである。また、前記仕切板
は、第２図、第３図に示すように、９枚の長方形の板状
物22、22…の両端を側板12の内面12aに固着してケーシ
ング10の長手方向に所定の間隔で並べて形成され、これ
によって各板状物22、22…の間に前記スリット22a、22a
…を形成したものである。
前記ガス供給室18には、コイルヒータを内蔵したガス導
入管24、24が連設される。該ガス導入管24の他端は図示
しないN2ガス供給源に連設され、該N2ガス供給源からの
ガスは、前記コイルヒータで所定の温度に昇温されて高
温N2ガスとなる。また、円筒管26、26（案内手段）がガ
ス導入管24、24の開口端部に連結されてガス供給室18内
に設けられる。
入管24、24が連設される。該ガス導入管24の他端は図示
しないN2ガス供給源に連設され、該N2ガス供給源からの
ガスは、前記コイルヒータで所定の温度に昇温されて高
温N2ガスとなる。また、円筒管26、26（案内手段）がガ
ス導入管24、24の開口端部に連結されてガス供給室18内
に設けられる。
この円筒管26は、胴部に上向きの複数のガス噴出孔26
a、26a…が開口されている。従って、ガス供給源からの
高温ガスは円筒管26、26…のガス噴出孔26a、26a…から
ガス供給室18の天板16に向けて噴出し、天板16に衝突し
た後、ガス供給室18内に均等に拡散される。
a、26a…が開口されている。従って、ガス供給源からの
高温ガスは円筒管26、26…のガス噴出孔26a、26a…から
ガス供給室18の天板16に向けて噴出し、天板16に衝突し
た後、ガス供給室18内に均等に拡散される。
加熱室20は、ケーシング10の長手方向の一方（図２中右
側）に試料部材28の搬入口30を、他方（図２中左側）に
搬出口32を有すると共に、底板14に排気装置43に連通す
るガス排気口44が設けられる。
側）に試料部材28の搬入口30を、他方（図２中左側）に
搬出口32を有すると共に、底板14に排気装置43に連通す
るガス排気口44が設けられる。
また、加熱室20内には、発熱量を自動制御できるヒータ
等の加熱手段を有し、その表面を所定の温度に設定でき
る８個の角柱状のヒートブロック34、34…が設けられ
る。８個のヒートブロック34、34…は、第２図、第３図
に示すように、その長手方向の両端を側板12の内面12a
に固着してケーシング10の長手方向に沿って所定の間隔
で、且つ底板14と所定の間隙を形成して設けられ、この
際、各ヒートブロック34、34…は、その長手方向が仕切
板の各スリット22a、22a…に対応して配設される。これ
によって、各スリット22aから下方に導出する高温N2ガ
スは、各ヒートブロック34の表面に均一に、且つ層状に
吹き付けられ、その後は各ヒートブロック34の相互の
間、及びヒートブロック34と加熱室20の底面との間に形
成されるガス排気通路42を流れてガス排気口44から排気
装置43に吸引される。尚、搬出口32には、前記ヒートブ
ロック34以外に、必要に応じ非加熱のブロック40が置か
れる。
等の加熱手段を有し、その表面を所定の温度に設定でき
る８個の角柱状のヒートブロック34、34…が設けられ
る。８個のヒートブロック34、34…は、第２図、第３図
に示すように、その長手方向の両端を側板12の内面12a
に固着してケーシング10の長手方向に沿って所定の間隔
で、且つ底板14と所定の間隙を形成して設けられ、この
際、各ヒートブロック34、34…は、その長手方向が仕切
板の各スリット22a、22a…に対応して配設される。これ
によって、各スリット22aから下方に導出する高温N2ガ
スは、各ヒートブロック34の表面に均一に、且つ層状に
吹き付けられ、その後は各ヒートブロック34の相互の
間、及びヒートブロック34と加熱室20の底面との間に形
成されるガス排気通路42を流れてガス排気口44から排気
装置43に吸引される。尚、搬出口32には、前記ヒートブ
ロック34以外に、必要に応じ非加熱のブロック40が置か
れる。
また、加熱室20には、試料部材28を搬入口30から搬出口
32に向けて順次ヒートブロック34上に載置していく搬送
手段が設けられている。この搬送手段は、第４図に示す
ように、ケーシング10の長手方向に沿って各ヒートブロ
ック34の表面に形成した一対の溝34a、34aに配せられる
一対のワイヤロープ36、38と、図示しないタクト送り装
置とからなる。
32に向けて順次ヒートブロック34上に載置していく搬送
手段が設けられている。この搬送手段は、第４図に示す
ように、ケーシング10の長手方向に沿って各ヒートブロ
ック34の表面に形成した一対の溝34a、34aに配せられる
一対のワイヤロープ36、38と、図示しないタクト送り装
置とからなる。
タクト送り装置は、一対のワイヤーロープ36、38を第２
図に示す矢印Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、Ｄ方向に順に移
動させるもので、Ａ方向とＣ方向の移動距離は、隣合う
ヒートブロック34の間隔に一致している。これによっ
て、一対のワイヤーロープ36、38に載置された試料部材
28は、第２図の矢印Ａ方向に移動によって、搬出口32側
に搬送され、次いで矢印Ｂ方向の移動によってヒートブ
ロック34の表面に載置される。この後の、矢印Ｃ方向、
Ｄ方向に移動によってワイヤーロープ36、38は初期の位
置に復帰するが、試料部材28はそのままとされる。この
繰り返しによって、試料部材28は搬入口30から搬出口32
に向けて順次ヒートブロック34上に載置される。
図に示す矢印Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、Ｄ方向に順に移
動させるもので、Ａ方向とＣ方向の移動距離は、隣合う
ヒートブロック34の間隔に一致している。これによっ
て、一対のワイヤーロープ36、38に載置された試料部材
28は、第２図の矢印Ａ方向に移動によって、搬出口32側
に搬送され、次いで矢印Ｂ方向の移動によってヒートブ
ロック34の表面に載置される。この後の、矢印Ｃ方向、
Ｄ方向に移動によってワイヤーロープ36、38は初期の位
置に復帰するが、試料部材28はそのままとされる。この
繰り返しによって、試料部材28は搬入口30から搬出口32
に向けて順次ヒートブロック34上に載置される。
次に、前記の如く構成された加熱硬化装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
先ず、前記搬送手段によって搬入口30側の最初のヒート
ブロック34に試料部材28を載置する。このとき、ヒート
ブロック34は所定の温度に加熱されているので、該ヒー
トブロック34に載置された試料部材28は加熱され、導電
性樹脂接着剤48は熱硬化しはじめ、このとき有害ガスも
発生する。
ブロック34に試料部材28を載置する。このとき、ヒート
ブロック34は所定の温度に加熱されているので、該ヒー
トブロック34に載置された試料部材28は加熱され、導電
性樹脂接着剤48は熱硬化しはじめ、このとき有害ガスも
発生する。
試料部材28をヒートブロック34上で加熱すると同時に、
ガス供給室18内の高温N2ガスを、スリット22aを介して
ヒートブロック34の表面に供給する。これによって、高
温N2ガスはスリット22aを層状に流れ試料部材28の表面
全体に吹き付けられて試料部材28から発生した有害ガス
を同伴し、各ヒートブロック間及び各ヒートブロックと
加熱室の底面との間に形成される排気通路42aを介して
加熱室20の底部のガス排気口44から排気装置43に吸引さ
れる。
ガス供給室18内の高温N2ガスを、スリット22aを介して
ヒートブロック34の表面に供給する。これによって、高
温N2ガスはスリット22aを層状に流れ試料部材28の表面
全体に吹き付けられて試料部材28から発生した有害ガス
を同伴し、各ヒートブロック間及び各ヒートブロックと
加熱室の底面との間に形成される排気通路42aを介して
加熱室20の底部のガス排気口44から排気装置43に吸引さ
れる。
特に、ガス供給室18内は、円筒管26の小孔26a、26a…か
ら吹き出される高温N2ガスによって均一の圧力に維持さ
れているので、スリット22aを流下する高温N2は、各試
料部材28の表面に均一な流速で供給され試料部材28の二
次汚染を防止することができる。また、高温N2ガスを使
用することにより、試料部材28の酸化を防止することが
できる。
ら吹き出される高温N2ガスによって均一の圧力に維持さ
れているので、スリット22aを流下する高温N2は、各試
料部材28の表面に均一な流速で供給され試料部材28の二
次汚染を防止することができる。また、高温N2ガスを使
用することにより、試料部材28の酸化を防止することが
できる。
一般に、ヒートブロック34上の試料部材28に供給する高
温N2ガスの流量は、試料部材28の大きさ、加熱温度、搬
送速度等の加熱条件によって種々調整する必要がある。
これに伴って、ガス供給室18内に導入する高温N2ガスの
流量を調整するが、この場合、高温N2ガスの流量を変更
すると、ガス供給室18内では、高温N2ガスの導入部分と
反対側とで圧力差が生じ、圧力分布が形成されることが
ある。圧力分布が生ずると、各スリット22aを通過する
ガスの流速が異なり、流速の大きなスリットから吹き出
した高温N2ガスが流速の小さなスリット側に流れて他の
ヒートブロック上の試料部材28の上を通って排出され、
試料部材28が二次汚染されることがある。
温N2ガスの流量は、試料部材28の大きさ、加熱温度、搬
送速度等の加熱条件によって種々調整する必要がある。
これに伴って、ガス供給室18内に導入する高温N2ガスの
流量を調整するが、この場合、高温N2ガスの流量を変更
すると、ガス供給室18内では、高温N2ガスの導入部分と
反対側とで圧力差が生じ、圧力分布が形成されることが
ある。圧力分布が生ずると、各スリット22aを通過する
ガスの流速が異なり、流速の大きなスリットから吹き出
した高温N2ガスが流速の小さなスリット側に流れて他の
ヒートブロック上の試料部材28の上を通って排出され、
試料部材28が二次汚染されることがある。
これに対し、前記円筒管26により、各スリット22aを通
して試料部材28に供給される高温N2ガスの流速を均一に
したので、前記のような二次汚染が発生せず、より確実
に有害ガスを加熱室の外部に排出することができる。
して試料部材28に供給される高温N2ガスの流速を均一に
したので、前記のような二次汚染が発生せず、より確実
に有害ガスを加熱室の外部に排出することができる。
尚、以上の実施例では、仕切板を複数の板状物22、22…
の配設により形成したが、１枚の板に前記スリット22
a、22a…と同様な間隔を形成して用いても良い。また、
図示しないガス供給源からのガスが予め昇温されている
ときはガス導入管24のコイルヒータは不要であり、ま
た、ガス供給室18内に加熱手段を設けた場合にはガス供
給室18内で高温N2ガスにすることもできる。
の配設により形成したが、１枚の板に前記スリット22
a、22a…と同様な間隔を形成して用いても良い。また、
図示しないガス供給源からのガスが予め昇温されている
ときはガス導入管24のコイルヒータは不要であり、ま
た、ガス供給室18内に加熱手段を設けた場合にはガス供
給室18内で高温N2ガスにすることもできる。
以上説明したように本考案に係る加熱硬化装置によれ
ば、ガス供給室内を均一の圧力に維持する管体で高温ガ
スをガス供給室内全域に供給すると共に、この高温ガス
を仕切板のスリットを介して加熱室内の試料部材に向け
て均一に吹き出し、試料部材の接着剤から発生する有害
ガスと共に加熱室の外に排気するようにしたので、前記
有害ガスを確実に排気することができる。これによっ
て、試料部材は有害ガスの影響を受けない清潔な熱硬化
が行われるので、有害ガスによる二次汚染を防止するこ
とができる。また、高温ガスとして高温N2ガスを使用す
ることにより、試料部材の酸化も防止することができ
る。
ば、ガス供給室内を均一の圧力に維持する管体で高温ガ
スをガス供給室内全域に供給すると共に、この高温ガス
を仕切板のスリットを介して加熱室内の試料部材に向け
て均一に吹き出し、試料部材の接着剤から発生する有害
ガスと共に加熱室の外に排気するようにしたので、前記
有害ガスを確実に排気することができる。これによっ
て、試料部材は有害ガスの影響を受けない清潔な熱硬化
が行われるので、有害ガスによる二次汚染を防止するこ
とができる。また、高温ガスとして高温N2ガスを使用す
ることにより、試料部材の酸化も防止することができ
る。
従って、被加熱部材の品質、生産能率を著しく向上する
ことができる。
ことができる。
第１図は本考案に係る加熱硬化装置の実施例を示す一部
透視を含む平面図、第２図は第１図中に於けるＡ−Ａ線
上に沿う断面図、第３図は第２図の要部拡大図、第４図
は第１図中に於けるＢ−Ｂ線上に沿う断面図、第５図は
被加熱部材の実施例を示す平面図である。 16…上板、18…ガス供給室、20…加熱室、22…板状物、
22a…スリット、24…ガス導入管、26…円筒管、26a…ガ
ス吹き出し小孔、28…試料部材、34…ヒートブロック、
42…ガス通路、43…排気装置、
透視を含む平面図、第２図は第１図中に於けるＡ−Ａ線
上に沿う断面図、第３図は第２図の要部拡大図、第４図
は第１図中に於けるＢ−Ｂ線上に沿う断面図、第５図は
被加熱部材の実施例を示す平面図である。 16…上板、18…ガス供給室、20…加熱室、22…板状物、
22a…スリット、24…ガス導入管、26…円筒管、26a…ガ
ス吹き出し小孔、28…試料部材、34…ヒートブロック、
42…ガス通路、43…排気装置、
Claims (1)
- 【請求項１】側板と底板と天板とによって箱型に形成さ
れたケーシングの内部を、該ケーシングの長手方向に沿
って所定の間隔でスリットを形成してなる仕切板によっ
て上下に区画し、該仕切板の上部に高温ガスを供給する
ガス供給室を、下部に試料部材を加熱する加熱室を形成
すると共に、該加熱室内に前記仕切板のスリットに対応
させ、且つ加熱室内の底面から間隙を形成して複数の角
柱状のヒートブロックを設け、これらのヒートブロック
上に順次試料部材を載置していく搬送手段を設け、加熱
室の底部に排気系に連通するガス排気口を設け、ガス供
給源に連設されると共に該ガス供給室の長手方向に沿っ
て配設され、所定の間隔で形成された複数のガス噴出口
が前記天板側に向けて取り付けられた管体を前記ガス供
給室全域に配置し、該管体の前記ガス噴出口から噴出さ
れた高温ガスは前記天板に衝突してガス供給室内に拡散
されることを特徴とする加熱硬化装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990029296U JPH0731540Y2 (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 加熱硬化装置 |
| KR2019910003484U KR970004979Y1 (ko) | 1990-03-22 | 1991-03-15 | 가열경화장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990029296U JPH0731540Y2 (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 加熱硬化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120037U JPH03120037U (ja) | 1991-12-10 |
| JPH0731540Y2 true JPH0731540Y2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=12272281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990029296U Expired - Lifetime JPH0731540Y2 (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 加熱硬化装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731540Y2 (ja) |
| KR (1) | KR970004979Y1 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539838B2 (ja) * | 1973-01-05 | 1978-04-08 | ||
| JPS59131154U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 株式会社東芝 | マウントキユア装置 |
| JPS59208734A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS63144528A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH01295428A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンダ用の樹脂硬化装置 |
-
1990
- 1990-03-22 JP JP1990029296U patent/JPH0731540Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-15 KR KR2019910003484U patent/KR970004979Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03120037U (ja) | 1991-12-10 |
| KR910017378U (ko) | 1991-10-28 |
| KR970004979Y1 (ko) | 1997-05-22 |
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