JPH11289113A - ホール素子 - Google Patents
ホール素子Info
- Publication number
- JPH11289113A JPH11289113A JP10091741A JP9174198A JPH11289113A JP H11289113 A JPH11289113 A JP H11289113A JP 10091741 A JP10091741 A JP 10091741A JP 9174198 A JP9174198 A JP 9174198A JP H11289113 A JPH11289113 A JP H11289113A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall element
- element chip
- resin
- resin material
- hardness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化による出力電圧のドリフトが小さ
く、温度補償が容易なホール素子を提供する。 【解決手段】 ホール素子の出力電圧の温度ドリフトの
主原因は、モールド樹脂の膨張、収縮により、ホール素
子チップ１に応力が働き、ホール素子チップ１に歪みが
生じることにある。従って、モールド樹脂からの力が、
直接ホール素子チップに作用しないように、ホール素子
チップ１とモールド樹脂との間に緩衝層を設けることに
よりホール素子チップの歪みを防止することができる。
すなわち、ホール素子チップ１に接する部分に設けられ
たシリコーン樹脂５が緩衝層として機能する。
く、温度補償が容易なホール素子を提供する。 【解決手段】 ホール素子の出力電圧の温度ドリフトの
主原因は、モールド樹脂の膨張、収縮により、ホール素
子チップ１に応力が働き、ホール素子チップ１に歪みが
生じることにある。従って、モールド樹脂からの力が、
直接ホール素子チップに作用しないように、ホール素子
チップ１とモールド樹脂との間に緩衝層を設けることに
よりホール素子チップの歪みを防止することができる。
すなわち、ホール素子チップ１に接する部分に設けられ
たシリコーン樹脂５が緩衝層として機能する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子チップ
を樹脂によりモールド封止したホール素子に関する。
を樹脂によりモールド封止したホール素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のホール素子の断面図であ
る。
る。
【０００３】同図に示すようホール素子は、ホール素子
チップ１がリードフレーム２にボンディングワイヤ３で
ワイヤボンディングされ、モールド樹脂としてのエポキ
シ樹脂４により封止されたものである。すなわち、エポ
キシ樹脂４をホール素子チップ１に密着させることによ
り、一種類の樹脂材料のみを用いてモールド封止してい
た。
チップ１がリードフレーム２にボンディングワイヤ３で
ワイヤボンディングされ、モールド樹脂としてのエポキ
シ樹脂４により封止されたものである。すなわち、エポ
キシ樹脂４をホール素子チップ１に密着させることによ
り、一種類の樹脂材料のみを用いてモールド封止してい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホール素子は、周囲温度が変化すると、モールド樹脂の
膨張或いは収縮により内部応力が発生し、その内部応力
がホール素子チップ１に作用し、ホール素子に歪みが発
生して出力電圧であるホール電圧が変動するという問題
があった。しかも、内部応力の方向及び大きさが、個々
のホール素子によって異なるため、ホール電圧のドリフ
トの大きさが個々のホール素子により異なっていた。こ
のため、ホール電圧の温度ドリフトを補償することは困
難であった。
ホール素子は、周囲温度が変化すると、モールド樹脂の
膨張或いは収縮により内部応力が発生し、その内部応力
がホール素子チップ１に作用し、ホール素子に歪みが発
生して出力電圧であるホール電圧が変動するという問題
があった。しかも、内部応力の方向及び大きさが、個々
のホール素子によって異なるため、ホール電圧のドリフ
トの大きさが個々のホール素子により異なっていた。こ
のため、ホール電圧の温度ドリフトを補償することは困
難であった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、温度変化による出力電圧のドリフトが小さく、温度
補償が容易なホール素子を提供することにある。
し、温度変化による出力電圧のドリフトが小さく、温度
補償が容易なホール素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ホール素子チップを樹脂によりモールド封
止したホール素子において、モールド樹脂材料としてホ
ール素子チップに接する部分には硬度の低い低硬度樹脂
材料を用い、低硬度樹脂材料の周囲には高度の高い高硬
度樹脂材料を用いたものである。
に本発明は、ホール素子チップを樹脂によりモールド封
止したホール素子において、モールド樹脂材料としてホ
ール素子チップに接する部分には硬度の低い低硬度樹脂
材料を用い、低硬度樹脂材料の周囲には高度の高い高硬
度樹脂材料を用いたものである。
【０００７】上記構成に加え本発明のホール素子の高硬
度樹脂材料と低硬度樹脂材料との体積比は１：０．０１
と１：１との間であるのが好ましい。
度樹脂材料と低硬度樹脂材料との体積比は１：０．０１
と１：１との間であるのが好ましい。
【０００８】ここで、ホール素子の出力電圧の温度ドリ
フトの主原因は、モールド樹脂の膨張、収縮により、ホ
ール素子チップに応力が働き、ホール素子チップに歪み
が生じることにある。従って、モールド樹脂からの応力
が、直接ホール素子チップに作用しないように、ホール
素子チップとモールド樹脂との間に緩衝層を設けること
によりホール素子チップの歪みを防止することができ
る。すなわち、ホール素子チップに接する部分に設けら
れた低硬度樹脂材料が緩衝層として機能するのである。
フトの主原因は、モールド樹脂の膨張、収縮により、ホ
ール素子チップに応力が働き、ホール素子チップに歪み
が生じることにある。従って、モールド樹脂からの応力
が、直接ホール素子チップに作用しないように、ホール
素子チップとモールド樹脂との間に緩衝層を設けること
によりホール素子チップの歪みを防止することができ
る。すなわち、ホール素子チップに接する部分に設けら
れた低硬度樹脂材料が緩衝層として機能するのである。
【０００９】ホール素子のモールド樹脂材料としては、
耐湿性の観点からエポキシ樹脂が用いられる。これに対
し、緩衝層の材料としては、エポキシ樹脂より硬度が低
いことが要求されるため、シリコーン樹脂、ポリエステ
ル樹脂等の熱硬貨樹脂、あるいは、ポリエチレン、塩化
ビニル、ナイロン等の熱可塑性樹脂が用いられる。
耐湿性の観点からエポキシ樹脂が用いられる。これに対
し、緩衝層の材料としては、エポキシ樹脂より硬度が低
いことが要求されるため、シリコーン樹脂、ポリエステ
ル樹脂等の熱硬貨樹脂、あるいは、ポリエチレン、塩化
ビニル、ナイロン等の熱可塑性樹脂が用いられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。なお、図２に示した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
図面に基づいて詳述する。なお、図２に示した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
【００１１】図１は本発明のホール素子の一実施の形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００１２】ホール素子チップ１が、リードフレーム２
のマウント部２ａに取り付けられ、ホール素子チップ１
の電極とリードフレーム２のインナーリード２ｂとがボ
ンディングワイヤ３でワイヤボンィングされている。そ
のホール素子チップ１の周囲が、低硬度樹脂材料として
のシリコーン樹脂５で覆われており、そのシリコーン樹
脂５の周囲が高硬度樹脂材料としてのエポキシ樹脂４で
モールド封止されている。
のマウント部２ａに取り付けられ、ホール素子チップ１
の電極とリードフレーム２のインナーリード２ｂとがボ
ンディングワイヤ３でワイヤボンィングされている。そ
のホール素子チップ１の周囲が、低硬度樹脂材料として
のシリコーン樹脂５で覆われており、そのシリコーン樹
脂５の周囲が高硬度樹脂材料としてのエポキシ樹脂４で
モールド封止されている。
【００１３】エポキシ樹脂４とシリコーン樹脂５との体
積比は、１：０．０１と１：１との間であるが好まし
い。
積比は、１：０．０１と１：１との間であるが好まし
い。
【００１４】このように構成したことで、周囲温度の変
化によりエポキシ樹脂４が膨張、収縮しても、シリコー
ン樹脂５には柔軟性があるため緩衝層として機能し、ホ
ール素子チップ１に応力が作用することがない。このた
め、ホール素子の出力電圧の温度ドリフトが大幅に減少
する。また、ホール素子ごとのドリフトの差が少くなる
ため、温度補償が容易になる。従って、温度変化の大き
い環境下で使用することができ、微小な磁束密度の変化
を検出することができる。
化によりエポキシ樹脂４が膨張、収縮しても、シリコー
ン樹脂５には柔軟性があるため緩衝層として機能し、ホ
ール素子チップ１に応力が作用することがない。このた
め、ホール素子の出力電圧の温度ドリフトが大幅に減少
する。また、ホール素子ごとのドリフトの差が少くなる
ため、温度補償が容易になる。従って、温度変化の大き
い環境下で使用することができ、微小な磁束密度の変化
を検出することができる。
【００１５】なお、図１ではホール素子チップ１と、リ
ードフレーム２のマウント部２ａと、インナーリード２
ｂとボンディングワイヤ３の一部がシリコーン樹脂５で
覆われた場合を示しているが、ホール素子チップ１のみ
ならずボンディングワイヤ３ごとシリコーン樹脂５で覆
ってもよい。
ードフレーム２のマウント部２ａと、インナーリード２
ｂとボンディングワイヤ３の一部がシリコーン樹脂５で
覆われた場合を示しているが、ホール素子チップ１のみ
ならずボンディングワイヤ３ごとシリコーン樹脂５で覆
ってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００１７】モールド樹脂材料としてホール素子チップ
に接する部分には硬度の低い低硬度樹脂材料を用い、そ
の低硬度樹脂材料の周囲に高度の高い高硬度樹脂材料を
用いることにより、低硬度樹脂材料が緩衝層として機能
するので、温度変化による出力電圧のドリフトが小さ
く、温度補償が容易なホール素子の提供を実現すること
ができる。
に接する部分には硬度の低い低硬度樹脂材料を用い、そ
の低硬度樹脂材料の周囲に高度の高い高硬度樹脂材料を
用いることにより、低硬度樹脂材料が緩衝層として機能
するので、温度変化による出力電圧のドリフトが小さ
く、温度補償が容易なホール素子の提供を実現すること
ができる。
【図１】本発明のホール素子の一実施の形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】従来のホール素子の断面図である。
１ ホール素子チップ ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤ ４ エポキシ樹脂 ５ シリコーン樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 ホール素子チップを樹脂によりモールド
封止したホール素子において、モールド樹脂材料として
上記ホール素子チップに接する部分には硬度の低い低硬
度樹脂材料を用い、該低硬度樹脂材料の周囲には高度の
高い高硬度樹脂材料を用いたことを特徴とするホール素
子。 - 【請求項２】 上記高硬度樹脂材料と上記低硬度樹脂材
料との体積比は１：０．０１と１：１との間である請求
項１に記載のホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091741A JPH11289113A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ホール素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091741A JPH11289113A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ホール素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289113A true JPH11289113A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14034962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091741A Pending JPH11289113A (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | ホール素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11289113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015041701A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| EP3451374A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-06 | TDK-Micronas GmbH | Semiconductor device package |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10091741A patent/JPH11289113A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015041701A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| US9372243B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-06-21 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
| EP3451374A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-06 | TDK-Micronas GmbH | Semiconductor device package |
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