JPH0237755A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH0237755A JPH0237755A JP18881288A JP18881288A JPH0237755A JP H0237755 A JPH0237755 A JP H0237755A JP 18881288 A JP18881288 A JP 18881288A JP 18881288 A JP18881288 A JP 18881288A JP H0237755 A JPH0237755 A JP H0237755A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- semiconductor device
- buffer
- resin
- recessed grooves
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 15
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
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- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止部がモールド成形されてなる半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
（従来の技術〕
従来のこの種の半導体装置は第４図に示すように構成さ
れている。
れている。
第４図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す断面図で、
同図において１は半導体素子、２はアイランドで、この
アイランド２はリードフレーム（図示せず）から分断さ
れてなり、接着剤３によってこのアイランド２上に前記
半導体素子１が固着されている。４は前記アイランド２
と同様にしてリードフレームから分断されたリードで、
このリード４は前記半導体素子１の表面電極（図示せず
）にワイヤ５を介して接続されたインナーリード部４ａ
と、後述する封止樹脂より半導体装置外に突出されたア
ウターリード部４ｂとから構成されている。６は前記半
導体素子１．ワイヤ５およびインナーリード部４ａ等を
封止するための封止樹脂で、この封止樹脂６は、リード
フレーム上に半導体素子ｌ、ワイヤ５等が接合された状
態でリードフレームをモールド金型（図示せず）内に型
締めし、このモールド金型内に加熱溶融された封止樹脂
を圧入することによって成形される。
同図において１は半導体素子、２はアイランドで、この
アイランド２はリードフレーム（図示せず）から分断さ
れてなり、接着剤３によってこのアイランド２上に前記
半導体素子１が固着されている。４は前記アイランド２
と同様にしてリードフレームから分断されたリードで、
このリード４は前記半導体素子１の表面電極（図示せず
）にワイヤ５を介して接続されたインナーリード部４ａ
と、後述する封止樹脂より半導体装置外に突出されたア
ウターリード部４ｂとから構成されている。６は前記半
導体素子１．ワイヤ５およびインナーリード部４ａ等を
封止するための封止樹脂で、この封止樹脂６は、リード
フレーム上に半導体素子ｌ、ワイヤ５等が接合された状
態でリードフレームをモールド金型（図示せず）内に型
締めし、このモールド金型内に加熱溶融された封止樹脂
を圧入することによって成形される。
このように構成された樹脂封止形半導体装置においては
、外部機器（図示せず）からの信号はアウターリード部
４ｂ、 インナーリード部４ａおよびワイヤ５を介し
て半導体素子１に伝達され、この信号は半導体素子ｌの
表面に形成された回路によって処理される。処理結果に
対応した信号はワイヤ５．インナーリード部４ａおよび
アウターリード部４ｂを介して外部機器へ伝達される。
、外部機器（図示せず）からの信号はアウターリード部
４ｂ、 インナーリード部４ａおよびワイヤ５を介し
て半導体素子１に伝達され、この信号は半導体素子ｌの
表面に形成された回路によって処理される。処理結果に
対応した信号はワイヤ５．インナーリード部４ａおよび
アウターリード部４ｂを介して外部機器へ伝達される。
しかるに、このように構成された樹脂封止形半導体装置
においては、樹脂封止時に、封止樹脂６の注入圧力によ
り半導体素子１に応力が生じ、このため半導体素子１の
特性が劣化されることがあった。
においては、樹脂封止時に、封止樹脂６の注入圧力によ
り半導体素子１に応力が生じ、このため半導体素子１の
特性が劣化されることがあった。
本発明に係る樹脂封止形半導体装置は、半導体素子の表
面側に周縁部に沿って凹溝を途切れることなく一連に形
成することによって半導体素子の側部に緩衝片を形成し
、前記凹溝内に緩衝材を充填したものである。
面側に周縁部に沿って凹溝を途切れることなく一連に形
成することによって半導体素子の側部に緩衝片を形成し
、前記凹溝内に緩衝材を充填したものである。
緩衝片が、半導体素子の側面に加えられる力を撓むよう
にして吸収し、外力が半導体素子の主面側へ伝達される
のを阻止する。
にして吸収し、外力が半導体素子の主面側へ伝達される
のを阻止する。
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第３図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置を示す断面
図、第２図は本発明の樹脂封止形半導体装置の半導体素
子を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図
中１」線断面図である。
図、第２図は本発明の樹脂封止形半導体装置の半導体素
子を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図
中１」線断面図である。
これらの図において前記第４図で説明したものと同一も
しくは同等部材については同一符号を付し、ここにおい
て詳細な説明は省略する。これらの図において、１１は
凹溝で、この凹／＃１１は半導体素子Ｉの表面１ａ側に
エツチング等の化学的方法によって形成されており、半
導体素子ｌの周縁部に沿って途切れることなく一連に形
成されている。
しくは同等部材については同一符号を付し、ここにおい
て詳細な説明は省略する。これらの図において、１１は
凹溝で、この凹／＃１１は半導体素子Ｉの表面１ａ側に
エツチング等の化学的方法によって形成されており、半
導体素子ｌの周縁部に沿って途切れることなく一連に形
成されている。
１２は緩衝片で、この緩衝片１２は半導体素子１に前記
凹溝１１を形成することによって半導体素子ｌの側部に
半導体素子１の表面１ａを四方から囲むように一体的に
形成されており、自らの弾性によって半導体素子１に対
して揺動自在に設けられている。１３は前記緩衝片１２
が基部１２ａを中心として弾性変形する際に半導体素子
ｌの表面ｌａ側に外力が伝達されるのを阻止するための
緩衝剤で、前記凹溝１１内に充填されており、封止樹脂
６が前記凹／＃Ｉｌ内に流入されるのを防止している。
凹溝１１を形成することによって半導体素子ｌの側部に
半導体素子１の表面１ａを四方から囲むように一体的に
形成されており、自らの弾性によって半導体素子１に対
して揺動自在に設けられている。１３は前記緩衝片１２
が基部１２ａを中心として弾性変形する際に半導体素子
ｌの表面ｌａ側に外力が伝達されるのを阻止するための
緩衝剤で、前記凹溝１１内に充填されており、封止樹脂
６が前記凹／＃Ｉｌ内に流入されるのを防止している。
したがって、このように構成された樹脂封止形半導体装
置においては、樹脂封止時に封止樹脂６の注入圧力が半
導体素子１に加えられても、緩衝片１１が半導体素子１
の側面に加えられる力を撓むようにして吸収するから、
半導体素子１の表面ｌａ側へ伝達される外力が減少され
ることになる。
置においては、樹脂封止時に封止樹脂６の注入圧力が半
導体素子１に加えられても、緩衝片１１が半導体素子１
の側面に加えられる力を撓むようにして吸収するから、
半導体素子１の表面ｌａ側へ伝達される外力が減少され
ることになる。
なお、前記実施例では凹溝１１を平面視略口字状に形成
した例を示したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えば第３図に示すように形成することも
できる。第３図は他の実施例を示す図で、同図（ａ）は
半導体素子の平面図を示し、同図（ｂ）は（ａ）図中■
−■線断面図を示す。第３図において、凹溝１１は半導
体素子ｌの周縁部に各辺と平行に直線的に形成されてお
り、これによって半導体素子ｌの表面１ａの四方を囲む
緩衝片１２が形成されている。また、この凹溝１１は前
記実施例と同様にしてエツチングによって形成したり、
あるいはカッター等によって機械的に形成することがで
きる。
した例を示したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えば第３図に示すように形成することも
できる。第３図は他の実施例を示す図で、同図（ａ）は
半導体素子の平面図を示し、同図（ｂ）は（ａ）図中■
−■線断面図を示す。第３図において、凹溝１１は半導
体素子ｌの周縁部に各辺と平行に直線的に形成されてお
り、これによって半導体素子ｌの表面１ａの四方を囲む
緩衝片１２が形成されている。また、この凹溝１１は前
記実施例と同様にしてエツチングによって形成したり、
あるいはカッター等によって機械的に形成することがで
きる。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子の表面
側に周縁部に沿って凹溝を途切れることなく一連に形成
することによって半導体素子の側部に緩衝片を形成し、
前記凹溝内に緩衝材を充填したため、緩衝片が、半導体
素子の側面に加えられる力を撓むようにして吸収し、外
力が半導体素子の主面側へ伝達されるのを阻止する。し
たがって、封止樹脂により半導体素子に応力が生じても
半導体素子の特性が劣化されることがなく、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
側に周縁部に沿って凹溝を途切れることなく一連に形成
することによって半導体素子の側部に緩衝片を形成し、
前記凹溝内に緩衝材を充填したため、緩衝片が、半導体
素子の側面に加えられる力を撓むようにして吸収し、外
力が半導体素子の主面側へ伝達されるのを阻止する。し
たがって、封止樹脂により半導体素子に応力が生じても
半導体素子の特性が劣化されることがなく、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置を示す断面
図、第２図は本発明の樹脂封止形半導体装置の半導体素
子を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図で
ある。第３図は他の実施例を示す図で、同図（ａ）は半
導体素子の平面図を示し、同図（ｂ）は同じく断面図を
示す。第４図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す断面
図である。 １・・・半導体素子、ｌａ・・・表面、６・・・封止樹
脂、１１・・・凹溝、１２・・・緩衝片、１３・・・緩
衝材。 代 理 人 大 石 増 雄 ヨー Ｎへ
図、第２図は本発明の樹脂封止形半導体装置の半導体素
子を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図で
ある。第３図は他の実施例を示す図で、同図（ａ）は半
導体素子の平面図を示し、同図（ｂ）は同じく断面図を
示す。第４図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す断面
図である。 １・・・半導体素子、ｌａ・・・表面、６・・・封止樹
脂、１１・・・凹溝、１２・・・緩衝片、１３・・・緩
衝材。 代 理 人 大 石 増 雄 ヨー Ｎへ
Claims (1)
- 樹脂封止部がモールド成形されてなる半導体装置におい
て、半導体素子の表面側に周縁部に沿って凹溝を途切れ
ることなく一連に形成することによって半導体素子の側
部に緩衝片を形成し、前記凹溝内に緩衝材を充填したこ
とを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881288A JPH0237755A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881288A JPH0237755A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237755A true JPH0237755A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16230246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18881288A Pending JPH0237755A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237755A (ja) |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18881288A patent/JPH0237755A/ja active Pending
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