JPH01243567A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPH01243567A JPH01243567A JP63069523A JP6952388A JPH01243567A JP H01243567 A JPH01243567 A JP H01243567A JP 63069523 A JP63069523 A JP 63069523A JP 6952388 A JP6952388 A JP 6952388A JP H01243567 A JPH01243567 A JP H01243567A
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- groove
- semiconductor device
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチックパッケージ（樹脂封止型）半導
体装置における耐湿性を向上させるためにリードフレー
ムの特に効果的な溝形状に関するものである。
体装置における耐湿性を向上させるためにリードフレー
ムの特に効果的な溝形状に関するものである。
従来の樹脂封止半導体装置における耐湿性向上技術につ
いては、特開昭６１−２１８１５００公報等に記載され
ている。
いては、特開昭６１−２１８１５００公報等に記載され
ている。
すなわち、第６図乃至第８図に示すように耐湿性向上溝
５を外部リード２に直角に入れている。
５を外部リード２に直角に入れている。
樹脂体３に接するリードの表面に溝５を設けることによ
り外部からの水分６をせき止める効果がある。
り外部からの水分６をせき止める効果がある。
上記した従来技術では、溝部を設げたリード部分の断面
積が極端に減少し、そのためリードの機械的強度も落ち
る。このために溝の深さをあまり深くすることができず
、水をせき止める効果が充分に得られなかった。
積が極端に減少し、そのためリードの機械的強度も落ち
る。このために溝の深さをあまり深くすることができず
、水をせき止める効果が充分に得られなかった。
本発明の目的は、水をせき止める効果が大きく、しかも
リードの強度が損われない溝をリードに設ける技術を提
供するととＫある。
リードの強度が損われない溝をリードに設ける技術を提
供するととＫある。
上記目的は、耐湿性向上のための溝をリード方向に対し
斜めに入れることにより達成される。
斜めに入れることにより達成される。
耐湿性向上用の溝をリードに対し斜め方向に入れること
によりリード断面積の減少を極力おさえることができ、
従来程度のリード強度を有し、しかも深く広い溝を作る
ことが可能となる。このことにより耐湿性は向上する。
によりリード断面積の減少を極力おさえることができ、
従来程度のリード強度を有し、しかも深く広い溝を作る
ことが可能となる。このことにより耐湿性は向上する。
以下図面を参照し説明する。
第１図乃至第２図は本発明の一実施例の半導体装置の一
部断面図である。
部断面図である。
ｌは半導体素子（チップ）、２は外部リード、３は樹脂
成形体（パッケージ）である。
成形体（パッケージ）である。
外部リードの内端はワイヤ４を介して半導体素子の電極
に電気的に接続され、外端は樹脂の外部に露出する。
に電気的に接続され、外端は樹脂の外部に露出する。
５は耐湿向上用の溝であって、リード方向（Ｘ−Ｘ）に
対し斜めの角度、たとえば＃−３０’〜４５゜の方向に
溝をあけである。溝の形は第２図に示すように一方向に
設けるか、第３図に他の実施例で示すように７字状に形
成する。溝の断面形状は、第４図に示すようにＶ溝、あ
るいは第５図に示すように角溝、その他の変形溝とする
。
対し斜めの角度、たとえば＃−３０’〜４５゜の方向に
溝をあけである。溝の形は第２図に示すように一方向に
設けるか、第３図に他の実施例で示すように７字状に形
成する。溝の断面形状は、第４図に示すようにＶ溝、あ
るいは第５図に示すように角溝、その他の変形溝とする
。
このような斜め方向に形成された溝は従来の直角型溝に
比して溝の断面積が広くなる。
比して溝の断面積が広くなる。
すなわち、従来の耐湿性向上溝は、第６図乃至第８図に
示す形状をしており、幅０．２．深さ０．１程度とすれ
ば、これと同程度の強度を第２図、第３図に示す形状で
得ようとすると、幅０．３５．深さ０．１７程度の耐湿
性向上溝が可能となる。
示す形状をしており、幅０．２．深さ０．１程度とすれ
ば、これと同程度の強度を第２図、第３図に示す形状で
得ようとすると、幅０．３５．深さ０．１７程度の耐湿
性向上溝が可能となる。
実際に応力が働いた場合、第２図、第３図で示す耐湿性
向上溝下部にて集中応力が発生するのに対し、第６図に
示す直角方向溝ではほとんど集中応力が発生しない。本
発明ではさらに大きい耐湿性向上溝が可能となる。
向上溝下部にて集中応力が発生するのに対し、第６図に
示す直角方向溝ではほとんど集中応力が発生しない。本
発明ではさらに大きい耐湿性向上溝が可能となる。
このように本発明では溝が大きくできること暖（リード
表面積がふえる）でレジンとリードとの密着性も向上す
ると考えられる。
表面積がふえる）でレジンとリードとの密着性も向上す
ると考えられる。
さらに、リード上面から浸入した水は、耐湿性向上溝に
入り、溝にそってパッケージ手前側に戻す作用効果もあ
る。
入り、溝にそってパッケージ手前側に戻す作用効果もあ
る。
本発明によれば、リードの強度を保ちながら今までの技
術では製作不可能であった大きい耐湿性向上溝が得られ
るので、今までにない効果的な耐湿性向上溝が得られる
。
術では製作不可能であった大きい耐湿性向上溝が得られ
るので、今までにない効果的な耐湿性向上溝が得られる
。
填１図乃至第２図は本発明の一実施例を示し、このうち
、第１図は半導体装置の一部縦（正面）断面図、第２図
は同横（平面）断面図である。 第３図乃至第５図は本発明の他の実施例を示し、このう
ち、第３図は半導体装置の一部横（平面）断面図、第４
図及び第５図は同側面断面図である。 第６図乃至第８図は従来例を示し、このうち第６図は半
導体装置の一部横（平面）断面図、第７図は同縦（正面
）断面図、第８図は同側面断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・外部リード、３・・・
樹脂成形体（パッケージ）、４・・・ワイヤ、５・・・
溝（耐湿性向上溝）、６・・・水分。 第 １ 図 ２ （７１５区リート・′） 第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 、Ｓ。 第５図 第６図 第 ７ 図 第８図
、第１図は半導体装置の一部縦（正面）断面図、第２図
は同横（平面）断面図である。 第３図乃至第５図は本発明の他の実施例を示し、このう
ち、第３図は半導体装置の一部横（平面）断面図、第４
図及び第５図は同側面断面図である。 第６図乃至第８図は従来例を示し、このうち第６図は半
導体装置の一部横（平面）断面図、第７図は同縦（正面
）断面図、第８図は同側面断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・外部リード、３・・・
樹脂成形体（パッケージ）、４・・・ワイヤ、５・・・
溝（耐湿性向上溝）、６・・・水分。 第 １ 図 ２ （７１５区リート・′） 第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 、Ｓ。 第５図 第６図 第 ７ 図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子を樹脂成形体により封止して成る半導体
装置であって、上記素子に接続された外部リードの樹脂
に接する部分にリード方向に斜めに溝を形成してあるこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置。 ２、上記溝は上面からみてＶ字状に形成されている請求
項１に記載の樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069523A JPH01243567A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069523A JPH01243567A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243567A true JPH01243567A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13405167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069523A Pending JPH01243567A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243567A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834837A (en) * | 1997-01-03 | 1998-11-10 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package having leads with step-shaped dimples |
| JP2011086815A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及びその製造方法 |
| US8435669B2 (en) | 2009-10-08 | 2013-05-07 | Tdk Corporation | Electro-chemical device and method for manufacturing the same |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069523A patent/JPH01243567A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834837A (en) * | 1997-01-03 | 1998-11-10 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package having leads with step-shaped dimples |
| US8435669B2 (en) | 2009-10-08 | 2013-05-07 | Tdk Corporation | Electro-chemical device and method for manufacturing the same |
| JP2011086815A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及びその製造方法 |
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