JPH0642348Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0642348Y2 JPH0642348Y2 JP1987049617U JP4961787U JPH0642348Y2 JP H0642348 Y2 JPH0642348 Y2 JP H0642348Y2 JP 1987049617 U JP1987049617 U JP 1987049617U JP 4961787 U JP4961787 U JP 4961787U JP H0642348 Y2 JPH0642348 Y2 JP H0642348Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- plane
- tip
- bent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、樹脂封止された半導体装置のリード部分に関
する。
する。
本考案は、樹脂封止された半導体装置において、リード
を平面に対して20°〜30°の角度で屈曲させることによ
り、リードにかかるストレスを軽減することができるよ
うにしたものである。
を平面に対して20°〜30°の角度で屈曲させることによ
り、リードにかかるストレスを軽減することができるよ
うにしたものである。
第4図に示すように、ダイオード、トランジスタ等を有
する半導体装置(1)を作製した後、装置(1)を湿気
や不純物から保護するために、樹脂封止を行う。(5)
は樹脂封止部(パッケージ)(3)の上型、(6)はそ
の下型、(2)はリードである。
する半導体装置(1)を作製した後、装置(1)を湿気
や不純物から保護するために、樹脂封止を行う。(5)
は樹脂封止部(パッケージ)(3)の上型、(6)はそ
の下型、(2)はリードである。
第4図に示すように、従来の樹脂封止された半導体装置
(1)のリード(2)は、上型(5)の表面近傍から略
垂直に折曲げられ、その先端部(7)が樹脂封止部
(3)を載置する平面(4)に対して90°折曲げられた
形状を有している。従って、リード(2)をそのような
形状に曲げ加工する際にリード(2)自体にストレスが
かかって、切れ易いという問題点があった。また、リー
ド(2)の曲げ加工の際に樹脂封止部(3)にもストレ
スがかかって樹脂とリード(2)との間に隙間が生じる
ことがあり、耐湿性にも問題があった。
(1)のリード(2)は、上型(5)の表面近傍から略
垂直に折曲げられ、その先端部(7)が樹脂封止部
(3)を載置する平面(4)に対して90°折曲げられた
形状を有している。従って、リード(2)をそのような
形状に曲げ加工する際にリード(2)自体にストレスが
かかって、切れ易いという問題点があった。また、リー
ド(2)の曲げ加工の際に樹脂封止部(3)にもストレ
スがかかって樹脂とリード(2)との間に隙間が生じる
ことがあり、耐湿性にも問題があった。
本考案は、上記問題点を解決することができる、樹脂封
止された半導体装置を提供するものである。
止された半導体装置を提供するものである。
本考案は、樹脂封止され、樹脂封止部(3)の表面近傍
でリード(2)が屈曲された半導体装置(1)におい
て、リード(2)を、半導体装置(1)を載置する平面
(4)に対して20°〜30°の角度αで屈曲させてその先
端部まで直線状に延長させ、上記平面(4)に対し、リ
ード(2)の先端部の先端角部或いは先端面が接触する
ようにしたことを特徴とする。
でリード(2)が屈曲された半導体装置(1)におい
て、リード(2)を、半導体装置(1)を載置する平面
(4)に対して20°〜30°の角度αで屈曲させてその先
端部まで直線状に延長させ、上記平面(4)に対し、リ
ード(2)の先端部の先端角部或いは先端面が接触する
ようにしたことを特徴とする。
角度αを30°以上とした場合には、折曲げ部にストレス
がかかるので好ましくない。また、20°以下とした場合
には、リード(2)が長くなり、高密度実装に不都合が
生じる。従って、25°前後とするのが適当である。
がかかるので好ましくない。また、20°以下とした場合
には、リード(2)が長くなり、高密度実装に不都合が
生じる。従って、25°前後とするのが適当である。
本考案によれば、リード(2)の平面(4)に対する角
度αが小さいため、曲げ加工時にリード(2)の折曲げ
部にかかるストレスが減少し、また樹脂封止部(3)の
リード取付部にかかるストレスも小さくなる。
度αが小さいため、曲げ加工時にリード(2)の折曲げ
部にかかるストレスが減少し、また樹脂封止部(3)の
リード取付部にかかるストレスも小さくなる。
また更に、リード(2)の先端部の角部或いは先端面が
平面(4)に接触するようになすことによって、接触部
の面積を小さくしてこの部分の配線パターンの面積を小
とすることができ、また半田を着き易くすることができ
ることから、配線基板等への接続を確実且つ簡単に行う
ことができる。
平面(4)に接触するようになすことによって、接触部
の面積を小さくしてこの部分の配線パターンの面積を小
とすることができ、また半田を着き易くすることができ
ることから、配線基板等への接続を確実且つ簡単に行う
ことができる。
先ず第1図に示す実施例においては、半導体装置(1)
をリード(2)と一体に樹脂封止した後、リード(2)
を樹脂封止部(3)表面近傍から下方に屈曲させ、半導
体装置(1)を載置する平面(4)に対してその角度α
を25°とする。また、リード(2)の長さは、屈曲させ
てその角部を平面(4)に接触させた場合にその角度α
が25°となるように設定しておく必要がある。
をリード(2)と一体に樹脂封止した後、リード(2)
を樹脂封止部(3)表面近傍から下方に屈曲させ、半導
体装置(1)を載置する平面(4)に対してその角度α
を25°とする。また、リード(2)の長さは、屈曲させ
てその角部を平面(4)に接触させた場合にその角度α
が25°となるように設定しておく必要がある。
このような構成とする場合、特にリード(2)の先端面
が平面(4)に対し90°未満の比較的小さい角度となる
ことからこの部分に半田が被着し易く、またリード
(2)の内側部分に半田が回り込み易いことから、半田
付けを行い易くすることができる。
が平面(4)に対し90°未満の比較的小さい角度となる
ことからこの部分に半田が被着し易く、またリード
(2)の内側部分に半田が回り込み易いことから、半田
付けを行い易くすることができる。
更に平面(4)との接触面積が小さいことから、平面
(4)側に設ける配線パターンの面積、即ち例えば配線
基板の配線電極の面積を格段に小とすることができて、
1つの半導体装置の配線基板上に占める面積の増大化を
回避することができる。
(4)側に設ける配線パターンの面積、即ち例えば配線
基板の配線電極の面積を格段に小とすることができて、
1つの半導体装置の配線基板上に占める面積の増大化を
回避することができる。
そして、本実施例の場合、樹脂封止(3)の上型(5)
と下型(6)との厚さの比を第4図に示す従来例とは逆
にして、上型(5)の厚さlを下型(6)の厚さl′よ
り大となるように設定するのが好ましい。このようにす
ることにより、リード(2)の長さを長くしないで、平
面(4)に対する角度αを所定の範囲内に設定すること
ができ、高密度実装化に有利である。なお、このように
上型(5)と下型(6)の厚さを選ぶことにより、パー
ツフィーダで部品を供給する際に両面の判別が容易にな
る、半導体装置(1)の位置が低くなることに伴って重
心が下にくるため、安定性が良好になるという付随効果
も得られる。
と下型(6)との厚さの比を第4図に示す従来例とは逆
にして、上型(5)の厚さlを下型(6)の厚さl′よ
り大となるように設定するのが好ましい。このようにす
ることにより、リード(2)の長さを長くしないで、平
面(4)に対する角度αを所定の範囲内に設定すること
ができ、高密度実装化に有利である。なお、このように
上型(5)と下型(6)の厚さを選ぶことにより、パー
ツフィーダで部品を供給する際に両面の判別が容易にな
る、半導体装置(1)の位置が低くなることに伴って重
心が下にくるため、安定性が良好になるという付随効果
も得られる。
次に第2図に示す実施例は、樹脂封止部(3)を上記第
1の実施例と同様に形成し、先端部(7)の特に先端面
が平面(4)に対して全面的に接触するように斜めに切
断されたリード(2)を使用し、このリード(2)を平
面(4)に対してその角度αが25°となるように屈曲さ
せたものである。
1の実施例と同様に形成し、先端部(7)の特に先端面
が平面(4)に対して全面的に接触するように斜めに切
断されたリード(2)を使用し、このリード(2)を平
面(4)に対してその角度αが25°となるように屈曲さ
せたものである。
この場合、接触面積が充分大きいことからこの部分の抵
抗の増加を回避することができると共に、従来例や、後
述する比較例に比し平面(4)との接触面積が小さくな
ることから、この部分の占める面積の不必要な増加を回
避することができる。
抗の増加を回避することができると共に、従来例や、後
述する比較例に比し平面(4)との接触面積が小さくな
ることから、この部分の占める面積の不必要な増加を回
避することができる。
次に第3図においては、比較例を示す。この例は、樹脂
封止部(3)を上記第1の実施例と同様に形成するも、
先端部(7)が平面に対して接触面積が大きくなるよう
に斜めに折曲げられたリード(2)を使用し、このリー
ド(2)を平面(4)に対してその角度α25°となるよ
うに屈曲させたものである。
封止部(3)を上記第1の実施例と同様に形成するも、
先端部(7)が平面に対して接触面積が大きくなるよう
に斜めに折曲げられたリード(2)を使用し、このリー
ド(2)を平面(4)に対してその角度α25°となるよ
うに屈曲させたものである。
この場合、その屈曲部の角度が緩和されてストレスが抑
制されるものの、平面(4)との接触面積が不必要に大
となることから、配線基板上に1つの半導体装置が占め
る面積が大きくなり、またその先端面が平面(4)に対
し90°と比較的大きくなって、この部分に半田が着きに
くく、この部分をも被って半田付けを行おうとすると、
更に配線パターンの増大化を招く恐れがある。
制されるものの、平面(4)との接触面積が不必要に大
となることから、配線基板上に1つの半導体装置が占め
る面積が大きくなり、またその先端面が平面(4)に対
し90°と比較的大きくなって、この部分に半田が着きに
くく、この部分をも被って半田付けを行おうとすると、
更に配線パターンの増大化を招く恐れがある。
本考案によれば、リードを曲げ加工する際にリードに加
わるストレスが小さいため、切れる虞れはなくなる。ま
た、樹脂自体にかかるストレスも軽減されるため、樹脂
とリードとの間に隙間が生じて水分が侵入し、耐湿性が
劣化する虞れもなくなる。
わるストレスが小さいため、切れる虞れはなくなる。ま
た、樹脂自体にかかるストレスも軽減されるため、樹脂
とリードとの間に隙間が生じて水分が侵入し、耐湿性が
劣化する虞れもなくなる。
更に、半田を被着し易くすることができることから、確
実且つ簡単に半田付けを行うことができる。また、平面
(4)との接触面積の不必要なぞかを抑えることによ
り、例えば配線基板上における1半導体装置の占める面
積を比較的小とすることができる。
実且つ簡単に半田付けを行うことができる。また、平面
(4)との接触面積の不必要なぞかを抑えることによ
り、例えば配線基板上における1半導体装置の占める面
積を比較的小とすることができる。
また、樹脂封止部の上型の厚さを下型の厚さより大とし
てリードを本考案に係る構成とした場合には、同時に実
装密度の向上という効果も得られる。
てリードを本考案に係る構成とした場合には、同時に実
装密度の向上という効果も得られる。
更に、リードの曲げ加工に必要な力が小さくて済むた
め、プレス装置の小型化も実現でき、また使用する金型
の形状も簡単になる。
め、プレス装置の小型化も実現でき、また使用する金型
の形状も簡単になる。
第1図は実施例の正面図、第2図は他の実施例の正面
図、第3図は比較例の正面図、第4図は従来例の正面図
である。 (1)は半導体装置、(2)はリード、(3)は樹脂封
止部、(4)は平面、(5)は上型、(6)は下型、
(7)は先端部である。
図、第3図は比較例の正面図、第4図は従来例の正面図
である。 (1)は半導体装置、(2)はリード、(3)は樹脂封
止部、(4)は平面、(5)は上型、(6)は下型、
(7)は先端部である。
Claims (1)
- 【請求項1】樹脂封止され、樹脂封止部表面近傍でリー
ドが屈曲された半導体装置において、 該リードが、上記半導体装置を載置する平面に対して20
°〜30°の角度で屈曲されてその先端部まで直線上に延
長され、 上記平面に対し、上記リードの先端部の先端角部或いは
先端面が接触するようになされたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987049617U JPH0642348Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987049617U JPH0642348Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63155651U JPS63155651U (ja) | 1988-10-12 |
JPH0642348Y2 true JPH0642348Y2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=30872235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987049617U Expired - Lifetime JPH0642348Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0642348Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016039213A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | ローム株式会社 | 基板内蔵パッケージ、半導体装置およびモジュール |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59188928A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の外装処理方法 |
JPS606241U (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-17 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
JPS60137443U (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日本電気株式会社 | フラツトパツケ−ジ |
JPS60200553A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61157337A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | New Japan Chem Co Ltd | 陰イオン性界面活性剤の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP1987049617U patent/JPH0642348Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63155651U (ja) | 1988-10-12 |
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