JPS6244531Y2 - - Google Patents
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- JPS6244531Y2 JPS6244531Y2 JP1981123497U JP12349781U JPS6244531Y2 JP S6244531 Y2 JPS6244531 Y2 JP S6244531Y2 JP 1981123497 U JP1981123497 U JP 1981123497U JP 12349781 U JP12349781 U JP 12349781U JP S6244531 Y2 JPS6244531 Y2 JP S6244531Y2
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
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- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は半導体装置に関し、特に半導体素子のボ
ンデイングパツド部とリードと接続する金属細線
の断線防止に関するものである。
ンデイングパツド部とリードと接続する金属細線
の断線防止に関するものである。
一般にこの種半導体装置は例えば第1図〜第3
図に示すように、基体Aに半導体素子Bを固定す
ると共に、半導体素子Bのボンデイングパツド部
とリードCのリード片C1〜C7とを金属細線Dに
て接続し、然る後、半導体素子Bを含む主要部分
を樹脂材Eにてモールド被覆して構成されてい
る。
図に示すように、基体Aに半導体素子Bを固定す
ると共に、半導体素子Bのボンデイングパツド部
とリードCのリード片C1〜C7とを金属細線Dに
て接続し、然る後、半導体素子Bを含む主要部分
を樹脂材Eにてモールド被覆して構成されてい
る。
ところで、半導体素子Bのボンデイングパツド
部とリードCとを接続する金属細線Dの長さは半
導体素子BとリードCとの配置によつて異つてい
る。例えば、第2図に示すように、半導体素子B
とリード片C4とを接続する金属細線Dは短く、
充分のループを形成できないのに対し、第3図に
示すように、半導体素子Bとリード片C1,C2,
C6,C7とを接続する金属細線Dは長く、充分の
ループを確保することができる。
部とリードCとを接続する金属細線Dの長さは半
導体素子BとリードCとの配置によつて異つてい
る。例えば、第2図に示すように、半導体素子B
とリード片C4とを接続する金属細線Dは短く、
充分のループを形成できないのに対し、第3図に
示すように、半導体素子Bとリード片C1,C2,
C6,C7とを接続する金属細線Dは長く、充分の
ループを確保することができる。
従つて、金属細線Dの接続工程から樹脂モール
ド工程までの間に、リードCに取扱いなどに原因
する変形が生じたりすると、半導体素子Bとリー
ド片C1,C2,C6,C7とを接続する金属細線Dに
は何ら異状は生じないものの、特に半導体素子B
とリード片C4を接続する金属細線Dはリード片
C4の変形を充分に吸収できないために、無理に
引張られて断線してしまい、これが除去に多大の
工数を要するという問題がある。
ド工程までの間に、リードCに取扱いなどに原因
する変形が生じたりすると、半導体素子Bとリー
ド片C1,C2,C6,C7とを接続する金属細線Dに
は何ら異状は生じないものの、特に半導体素子B
とリード片C4を接続する金属細線Dはリード片
C4の変形を充分に吸収できないために、無理に
引張られて断線してしまい、これが除去に多大の
工数を要するという問題がある。
本案はこのような点に鑑み、簡単な構成によつ
てリードに不要な変形が生じても金属細線の断線
を効果的に防止できる半導体装置を提供するもの
で、以下実施例について説明する。
てリードに不要な変形が生じても金属細線の断線
を効果的に防止できる半導体装置を提供するもの
で、以下実施例について説明する。
第4図〜第7図において、1は例えば金属板材
にて構成された基体であつて、それの上面には半
導体素子2が半田部材、導電性接着剤などを用い
て固定されている。この半導体素子2の上面には
内部回路に接続されたボンデイングパツド部21
〜27が形成されており、ボンデイングパツド部
24の反対側にはボンデイングパツド部21〜2
3,25〜27に対して電気的に独立状態のダミ
ーパツド部24aが形成されている。尚、このダ
ミーパツド部は必要に応じて適宜に増加できる。
3は例えばリード片31〜37にて構成されたリ
ードであつて、それの一端は半導体素子2のボン
デイングパツド部21〜27と金属細線4にて接
続されている。しかし乍ら、リード片34の一端
はボンデイングパツド部24に金属細線にて直接
接続することなく、ボンデイングパツド部24と
ダミーパツド部24aとを金属細線4aにて接続
し、然る後、ダミーパツド部24aに金属細線4
aより充分に長い金属細線4にて接続されてい
る。5は半導体素子2を含む主要部分をモールド
被覆した樹脂材である。
にて構成された基体であつて、それの上面には半
導体素子2が半田部材、導電性接着剤などを用い
て固定されている。この半導体素子2の上面には
内部回路に接続されたボンデイングパツド部21
〜27が形成されており、ボンデイングパツド部
24の反対側にはボンデイングパツド部21〜2
3,25〜27に対して電気的に独立状態のダミ
ーパツド部24aが形成されている。尚、このダ
ミーパツド部は必要に応じて適宜に増加できる。
3は例えばリード片31〜37にて構成されたリ
ードであつて、それの一端は半導体素子2のボン
デイングパツド部21〜27と金属細線4にて接
続されている。しかし乍ら、リード片34の一端
はボンデイングパツド部24に金属細線にて直接
接続することなく、ボンデイングパツド部24と
ダミーパツド部24aとを金属細線4aにて接続
し、然る後、ダミーパツド部24aに金属細線4
aより充分に長い金属細線4にて接続されてい
る。5は半導体素子2を含む主要部分をモールド
被覆した樹脂材である。
このように半導体素子2にはリード3より離隔
する位置に特定のボンデイングパツド部を除くボ
ンデイングパツド部に対して電気的に独立状態の
ダミーパツド部24aが形成されているので、リー
ド片34の一端が半導体素子2のボンデイングパ
ツド部24aに対して間隔が狭くても、まずボンデ
イングパツド部24とダミーパツド部24aとを金
属細線4aにて接続し、然る後、金属細線4aよ
り長い金属細線4にてダミーパツド部24aとリー
ド34とを接続することにより、充分のループを
確保することができる。このために、組立工程に
おいて、リード3に不要な変形が生じても、その
変形量を吸収でき、金属細線4の断線を防止でき
る。
する位置に特定のボンデイングパツド部を除くボ
ンデイングパツド部に対して電気的に独立状態の
ダミーパツド部24aが形成されているので、リー
ド片34の一端が半導体素子2のボンデイングパ
ツド部24aに対して間隔が狭くても、まずボンデ
イングパツド部24とダミーパツド部24aとを金
属細線4aにて接続し、然る後、金属細線4aよ
り長い金属細線4にてダミーパツド部24aとリー
ド34とを接続することにより、充分のループを
確保することができる。このために、組立工程に
おいて、リード3に不要な変形が生じても、その
変形量を吸収でき、金属細線4の断線を防止でき
る。
特に、ダミーパツド部24aはボンデイングパツ
ド部24を除くボンデイングパツド部に対して電
気的に独立状態となるように形成されているの
で、内部回路の接続に対して何ら悪影響を及ぼす
ことはない。
ド部24を除くボンデイングパツド部に対して電
気的に独立状態となるように形成されているの
で、内部回路の接続に対して何ら悪影響を及ぼす
ことはない。
尚、本案において、リード、ダミーパツド部の
数は適宜に増減できるし、基体の形状、パツド部
の形成位置も適宜に変更できる。
数は適宜に増減できるし、基体の形状、パツド部
の形成位置も適宜に変更できる。
以上のように本案によれば、簡単な構成によつ
てリードに不要な変形が生じても金属細線の断線
を効果的に防止できる。
てリードに不要な変形が生じても金属細線の断線
を効果的に防止できる。
第1図は従来例の破断平面図、第2図は第1図
の−断面図、第3図は第1図の−断面
図、第4図は本案の一実施例を示す破断平面図、
第5図は半導体素子の拡大平面図、第6図は要部
の拡大平面図、第7図は第4図の−断面図で
ある。 図中、1は基体、2は半導体素子、21〜27
はボンデイングパツド部、24aはダミーパツド
部、3はリード、31〜37はリード片、4,4
aは金属細線、5は樹脂材である。
の−断面図、第3図は第1図の−断面
図、第4図は本案の一実施例を示す破断平面図、
第5図は半導体素子の拡大平面図、第6図は要部
の拡大平面図、第7図は第4図の−断面図で
ある。 図中、1は基体、2は半導体素子、21〜27
はボンデイングパツド部、24aはダミーパツド
部、3はリード、31〜37はリード片、4,4
aは金属細線、5は樹脂材である。
Claims (1)
- 基体に半導体素子を固定すると共に、半導体素
子のボンデイングパツド部とリードとを金属細線
にて接続したものにおいて、上記半導体素子に、
少くとも特定のボンデイングパツド部を除くボン
デイングパツド部に対して電気的に独立状態のダ
ミーパツド部を形成し、このダミーパツド部と特
定のボンデイングパツド部を金属細線にて接続す
ると共に、この金属細線より長い金属細線にてダ
ミーパツド部とリードを接続したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981123497U JPS5829836U (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981123497U JPS5829836U (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5829836U JPS5829836U (ja) | 1983-02-26 |
JPS6244531Y2 true JPS6244531Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=29917398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1981123497U Granted JPS5829836U (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5829836U (ja) |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP1981123497U patent/JPS5829836U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5829836U (ja) | 1983-02-26 |
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