JPH11284192A5 - - Google Patents

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JP2014216402A (ja) * 2013-04-24 2014-11-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電気光学装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
CN115425090A (zh) * 2022-08-30 2022-12-02 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其电子器件
CN119604027A (zh) * 2023-09-06 2025-03-11 武汉华星光电技术有限公司 半导体器件、显示面板及芯片

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60136369A (ja) * 1983-12-26 1985-07-19 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JPS63244683A (ja) * 1987-03-30 1988-10-12 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型半導体装置およびその製造方法
JPH01283879A (ja) * 1988-05-11 1989-11-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形半導体装置とその製造方法
JP2757491B2 (ja) * 1989-09-27 1998-05-25 日産自動車 株式会社 半導体装置の製造方法
JPH06326314A (ja) * 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH07106588A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3344072B2 (ja) * 1994-03-31 2002-11-11 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP3745392B2 (ja) * 1994-05-26 2006-02-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置

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