JPH11274221A - 電子部品の外部接続用パッド - Google Patents

電子部品の外部接続用パッド

Info

Publication number
JPH11274221A
JPH11274221A JP10075914A JP7591498A JPH11274221A JP H11274221 A JPH11274221 A JP H11274221A JP 10075914 A JP10075914 A JP 10075914A JP 7591498 A JP7591498 A JP 7591498A JP H11274221 A JPH11274221 A JP H11274221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
external connection
bump
electronic component
isolated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10075914A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Takeuchi
雅樹 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10075914A priority Critical patent/JPH11274221A/ja
Publication of JPH11274221A publication Critical patent/JPH11274221A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/1012Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/10122Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
    • H01L2224/10125Reinforcing structures
    • H01L2224/10126Bump collar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波特性に悪影響をおよぼす寄生容量を可及
的に低減した電子部品の外部接続用パッドを提供する。 【解決手段】外部接続用パッド4が、素子電極2aから
導出された引出電極3に電気的に接続している導通パッ
ド部分4aと、導通パッド部分4aの近傍に配置されて
導通パッド部分4aから分離している複数個の孤立パッ
ド部分4bと、からなる電子部品の外部接続用パッド。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品、集積
回路部品などにおいて、ワイヤボンボンド(またはバン
プ)を接続する電子部品の外部接続用パッドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子部品の外部接続用パッドとし
て、特開平3−285338号公報に開示されている発
明がある。図6を参照して、この従来の電子部品の外部
接続用パッド50について説明する。51は図示しない
電子部品の基板に形成された素子電極から導出された引
出電極である。この引出電極51は、八角形状パッド5
2に電気的に接続している。この八角形状パッド52に
は、寄生容量(基板容量)を減らすために三角形状また
は四角形状の孔53が開けられている。そして、この八
角形状パッド52には、ワイヤボンド(またはバンプ)
54が接続される。この寄生容量とは外部接続用パッド
の下面の基板などを誘電体として形成される容量をい
う。
【0003】また、従来の電子部品の外部接続用パッド
として、特開平5−63021号公報に開示されている
発明がある。図7を参照して、この従来の電子部品の外
部接続用パッド60について説明する。61は図示しな
い電子部品の基板の裏面に形成され、素子電極から導出
された引出電極である。この引出電極61は、スルホー
ル62を介して、基板の表面に形成された小リングパッ
ド63aに電気的に接続している。また、この小リング
パッド63aの周囲には、間隙をおいて中リングパッド
63bが形成され、また、その周囲には間隙をおいて大
リングパッド63cが形成される。更に、その周囲には
間隙をおいて大々リングパッド63dが形成される。こ
れらのリングパッド63a〜63dは、寄生容量を減ら
すために、互いに電気的に非接続で集合リングパッド6
3を形成する。そして、この集合パッド63には、ワイ
ヤボンド(またはバンプ)64が接続される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示す従来の電子部品の外部接続用パッド50は、寄生容
量を減らすために、八角形状パッド52に複数の三角形
状あるいは四角形状の孔53を開けているが、ワイヤボ
ンド(またはバンプ)54に接続されて覆われていない
部分にも可なりのパッド部分が残されており、この残さ
れたパッド部分でも不必要な寄生容量が形成されること
になる。
【0005】また、図7に示す従来の電子部品の外部接
続用パッド60は、寄生容量を減らすために、複数個の
リングパッドを同心リング状に形成して、各リングパッ
ド63a〜63dを電気的に絶縁している。しかし、ワ
イヤボンド(またはバンプ)64は、その中心がスルホ
ール62(小リングパッド63a)からずれて接続され
た場合には、外側の大リングパッド63cおよび大々リ
ングパッド63dにも接続されることになる。この場
合、外側の大リングパッド63cおよび大々リングパッ
ド63dはワイヤボンド(またはバンプ)64に接続さ
れて覆われない部分にも可なりのパッド部分を残してお
り、この残されたパッド部分でも不必要な寄生容量が形
成されることになる。
【0006】したがって、本発明は、高周波特性に悪影
響をおよぼす寄生容量を可及的に低減した電子部品の外
部接続用パッドを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、素子電極から導出された引出電極に電気的に接続し
ている導通パッド部分と、該導通パッド部分の近傍に配
置されて該導通パッド部分から分離している複数個の孤
立パッド部分と、からなるものである。
【0008】この発明は、導通パッド部分の近傍に複数
個の孤立パッド部分を配置して寄生容量を低減する。外
部接続用パッドは、外部の接続端子とワイヤボンドまた
はバンプにより接続される。このワイヤボンド(または
バンプ)は、導通パッド部分とその付近の幾つかの孤立
パッド部分とに接続され、残りの孤立パッド部分には接
続されない。
【0009】したがって、導通パッド部分とワイヤボン
ド(またはバンプ)に接続する孤立パッド部分とが、高
周波の回路定数に影響を及ぼす寄生容量となり、ワイヤ
ボンド(またはバンプ)に接続しない孤立パッド部分の
寄生容量は回路定数に影響を及ぼさない。これにより、
回路定数に影響を及ぼす寄生容量を可及的に減少してイ
ンピーダンスを高く維持することができ、高周波信号の
漏洩を低減し、遮断周波数を高くして高周波特性を改善
することができる。
【0010】また、ワイヤボンド(またはバンプ)は、
導通パッド部分に接続すると共に、その周囲の幾つかの
孤立パッド部分にも接続するので、バンプの剥離力が低
下することはない。
【0011】請求項2に記載の発明は、前記導通パッド
部分が複数の分岐枝に分かれているものである。
【0012】この発明は、請求項1に記載の発明の作用
に加えるに、導通パッド部分が複数の分岐枝、例えば、
十字型形状、串型形状、Y字型形状に分かれているの
で、ワイヤボンド(またはバンプ)が外部接続用パッド
の中心からいずれの方向にずれても、ワイヤボンド(ま
たはバンプ)は導通パッド部分の分岐枝に接続すること
になり、確実に電気的接続を行うことができる。併せ
て、ワイヤボンド(またはバンプ)の接続強度を向上さ
せることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、図1および図2を参照し
て、本発明の第1実施例の電子部品の外部接続用パッド
10について説明する。電子部品、例えば、加速度セン
サ、衝撃センサ、角速度センサ、赤外線センサ、焦電セ
ンサなどの機能素子2の外部接続用パッド10は、基板
1に形成される。この基板1は、例えば、シリコン(S
i)、ヒ化ガリウム(GaAs)などの半導体基板、ア
ルマイトなどの金属基板、セラミック、ガラスなどの絶
縁基板よりなる。この基板1の上には、酸化シリコン
(SiO2 )、窒化シリコン(SiN)、酸化アルミニ
ュウム(Al2 3 )などの絶縁層1aが形成される。
この絶縁層1aの上には、機能素子2の下部の素子電極
2a、この素子電極2aから導出された引出電極3、こ
の引出電極3に接続する導通パッド部分4aが形成され
る。
【0014】更に、この導通パッド部分4aの両側で絶
縁層1aの上には、それぞれ10個の分離独立している
方形状の孤立パッド部分4bが形成される。これらの導
通パッド部分4aと孤立パッド部分4bとにより外部接
続用パッド10が形成される。これらの導通パッド部分
4aおよび孤立パッド4bは、素子電極2a、引出電極
3と同時に同一金属で形成される。
【0015】なお、素子電極2aの上には、酸化亜鉛
(ZnO)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、窒化ア
ルミニュウム(AlN)などの機能性薄膜2bが形成さ
れ、この機能性薄膜2bの上には、上部の素子電極2c
が形成されて、機能素子2が作製される。そして、上部
の素子電極2cは、下部の素子電極2aと同様に、図示
しない別の外部接続用パッド10に引出電極を通して接
続される。
【0016】また、引出電極3および外部接続用パッド
10は絶縁層1aの上に形成したが、機能素子によって
は上記機能性薄膜2bの上に形成する場合もある。この
場合にも、機能性薄膜2bを誘電体として寄生容量が発
生する。
【0017】つぎに、具体的実施例を示す。導通パッド
部分4aを長さ125μm×幅25μmの面積とし、そ
の両側に一辺の長さが15μm×15μmの面積の方形
の孤立パッド部分4bをそれぞれ10個配置する。そし
て、外部接続用パッド10は、絶縁層1aを含む一辺の
長さが125μm×125μm名目の面積となる。
【0018】このような方形状の外部接続用パッド10
の上に、直径が100μmの円形状のバンプ5を接続す
る。すると、バンプ5は導通パッド部分4aと6個の孤
立パッド部分4bとに接続して、残りの14個の孤立パ
ッド部分4bは、バンプ5に接続されない。これによ
り、本実施例は、125μm角の方形で全面電極よりな
る外部接続用パッドに対し、略60%以下の接続面積と
なって寄生容量を低減することができる。
【0019】つぎに、図3を参照して、本発明の第2実
施例の電子部品の外部接続用パッド20について説明す
る。電子部品の外部接続用パッド20は、引出電極23
に接続する導通パッド部分24aが十字型形状をしてお
り、この十字型形状により区切られた4つの領域に、そ
れぞれ4個の孤立パッド部分24bを形成したものであ
る。このように、導通パッド部分24aを十字型形状と
することにより、バンプ25が外部接続用パッド20の
中心からいずれの方向にずれても、導通パッド部分24
aの分岐枝にバンプ25が接続されて、確実に電気的接
続を行うことができる。この第2実施例においても、第
1実施例と同様に、125μm角の方形で全面電極より
なる外部接続用パッドに対し、略60%以下の接続面積
なって寄生容量を低減することができる。
【0020】つぎに、図4を参照して、本発明の第3実
施例の電子部品の外部接続用パッド30について説明す
る。電子部品の外部接続用パッド30は、引出電極33
に接続する導通パッド部分34aが串型形状をしてお
り、この串型形状の串の間および付近に孤立パッド部分
34bを複数個形成したものである。このように、導通
パッド部分24aを串型形状とすることにより、バンプ
35が外部接続用パッド30の中心からいずれの方向に
ずれても、導通パッド部分34aの分岐枝にバンプ35
が接続されて、確実に電気的接続を行うことができる。
【0021】つぎに、図5を参照して、本発明の第4実
施例の電子部品の外部接続用パッド40について説明す
る。電子部品の外部接続用パッド40は、引出電極43
に接続する導通パッド部分44aがY字型形状をしてお
り、このY字型形状により区切られる3つの領域に孤立
パッド部分44bを複数個形成したものである。このよ
うに、導通パッド部分44aをY字型形状とすることに
より、バンプ45が外部接続用パッド40の中心からい
ずれの方向にずれても、導通パッド部分44aの分岐枝
にバンプ45が接続されて、確実に電気的接続を行うこ
とができる。
【0022】
【発明の効果】請求項1に記載の発明は、導通パッド部
分の近傍に複数個の孤立パッド部分を配置して外部接続
用パッドを形成するので、ワイヤボンド(またはバン
プ)の実質の占有面積を僅かに越える面積でもって外部
との接続を行うことができる。ワイヤボンド(またはバ
ンプ)に接続されない外側の孤立パッド部分は、寄生容
量に影響を及ぼさないので、最小限の寄生容量に限定す
ることができて、外部接続用パッドの基板(絶縁層)に
よる寄生容量を低減することができる。これにより、外
部接続用パッドのインピーダンスを高く維持できて、高
周波信号の漏洩を低減することができる。併せて、遮断
周波数を高くして高周波特性を改善し、S/N比を向上
させることができる。
【0023】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明の効果に加えるに、導通パッド部分が複数の分岐
枝に分かれているので、ワイヤボンド(またはバンプ)
は外部接続用パッドの中心からずれても、導通パッド部
分の分岐枝に接続することになり、電気的接続が確実に
行なわれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の電子部品の外部接続用
パッドの形態図
【図2】 図1のX−X線断面形態図
【図3】 本発明の第2実施例の電子部品の外部接続用
パッドの形態図
【図4】 本発明の第3実施例の電子部品の外部接続用
パッドの形態図
【図5】 本発明の第4実施例の電子部品の外部接続用
パッドの形態図
【図6】 従来の電子部品の外部接続用パッドの形態図
【図7】 従来の他の電子部品の外部接続用パッドの形
態図
【符号の説明】
1 基板 1a 絶縁層 2 機能素子 2a 下部の素子電極 2b 機能性薄膜 2c 上部の素子電極 3、23、33、43 引出電極 4a、24a、34a、44a 導通パッド部分 4b、24b、34b、44b 孤立パッド部分 5、25、35、45 バンプ 10、20、30、40 電子部品の外部接続
用パッド

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 素子電極から導出された引出電極に電気
    的に接続している導通パッド部分と、該導通パッド部分
    の近傍に配置されて該導通パッド部分から分離している
    複数個の孤立パッド部分と、からなる電子部品の外部接
    続用パッド。
  2. 【請求項2】 前記導通パッド部分が複数の分岐枝に分
    かれている請求項1に記載の電子部品の外部接続用パッ
    ド。
JP10075914A 1998-03-24 1998-03-24 電子部品の外部接続用パッド Pending JPH11274221A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10075914A JPH11274221A (ja) 1998-03-24 1998-03-24 電子部品の外部接続用パッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10075914A JPH11274221A (ja) 1998-03-24 1998-03-24 電子部品の外部接続用パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11274221A true JPH11274221A (ja) 1999-10-08

Family

ID=13590081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10075914A Pending JPH11274221A (ja) 1998-03-24 1998-03-24 電子部品の外部接続用パッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11274221A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4922324A (en) Semiconductor integrated circuit device
US5384488A (en) Configuration and method for positioning semiconductor device bond pads using additional process layers
JP3357435B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0454973B2 (ja)
JPH0521710A (ja) 半導体装置
JP2991168B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH11274221A (ja) 電子部品の外部接続用パッド
JPH05335487A (ja) 伝送回路素子
US10840179B2 (en) Electronic devices with bond pads formed on a molybdenum layer
JPS62291129A (ja) 半導体装置
JPS6379348A (ja) 半導体装置
JP2500310B2 (ja) 半導体装置
JPH0526738Y2 (ja)
JP2559102B2 (ja) 半導体装置
JPH041737Y2 (ja)
JPH0719148Y2 (ja) マイクロ波回路用パッケージ
JPH0794617A (ja) 半導体装置
JP2880817B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH05211279A (ja) 混成集積回路
JPS60262434A (ja) 半導体装置
JPH0338052A (ja) 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2932824B2 (ja) 磁気抵抗センサ
JP2004014771A (ja) 半導体装置
JPH05251513A (ja) 半導体装置
JPS60175444A (ja) 半導体装置