JPH11220301A - 高周波回路のインピーダンス変換回路 - Google Patents
高周波回路のインピーダンス変換回路Info
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- JPH11220301A JPH11220301A JP3545998A JP3545998A JPH11220301A JP H11220301 A JPH11220301 A JP H11220301A JP 3545998 A JP3545998 A JP 3545998A JP 3545998 A JP3545998 A JP 3545998A JP H11220301 A JPH11220301 A JP H11220301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアス電圧に混入している低周波ノイズを
抑える。 【解決手段】 高周波回路のインピーダンス変換回路２
は高周波信号と共にバイアス電圧が供給される高周波能
動素子１０２の信号入力端子１０４におけるインピーダ
ンスを変換する回路であって、インダクタンス素子４と
チップコンデンサ６との直列回路８から成り、直列回路
８は高周波能動素子１０２の信号入力端子１０４と、回
路基板１０６上に形成されたグランドパターン１０との
間に接続されている。インダクタンス素子４は絶縁材料
から成る回路基板１０６上に形成された導電性パターン
により構成され、導電性パターンの長さは高周波能動素
子１０２に入力される高周波信号の１／４波長にほぼ等
しい。また、チップコンデンサ６は低周波数において十
分に低インピーダンスとなるよう比較的大きい容量を有
している。
抑える。 【解決手段】 高周波回路のインピーダンス変換回路２
は高周波信号と共にバイアス電圧が供給される高周波能
動素子１０２の信号入力端子１０４におけるインピーダ
ンスを変換する回路であって、インダクタンス素子４と
チップコンデンサ６との直列回路８から成り、直列回路
８は高周波能動素子１０２の信号入力端子１０４と、回
路基板１０６上に形成されたグランドパターン１０との
間に接続されている。インダクタンス素子４は絶縁材料
から成る回路基板１０６上に形成された導電性パターン
により構成され、導電性パターンの長さは高周波能動素
子１０２に入力される高周波信号の１／４波長にほぼ等
しい。また、チップコンデンサ６は低周波数において十
分に低インピーダンスとなるよう比較的大きい容量を有
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号と共に
バイアス電圧が供給される高周波能動素子の信号入力端
子におけるインピーダンスを変換する回路に関するもの
である。
バイアス電圧が供給される高周波能動素子の信号入力端
子におけるインピーダンスを変換する回路に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は高周波能動素子により構成した増
幅回路の周辺を示す平面図である。高周波能動素子１０
２は具体的には例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
であり、高周波信号の増幅回路を構成している。その信
号入力端子１０４（ゲート）は、絶縁材料から成る回路
基板１０６上に形成されたストリップライン１０８に接
続されている。
幅回路の周辺を示す平面図である。高周波能動素子１０
２は具体的には例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
であり、高周波信号の増幅回路を構成している。その信
号入力端子１０４（ゲート）は、絶縁材料から成る回路
基板１０６上に形成されたストリップライン１０８に接
続されている。
【０００３】回路基板１０６上にはまたバイアス回路１
１０が形成されており、このバイアス回路１１０は、イ
ンダクタンス素子１１２、チップコンデンサ１１４、な
らびに１／４波長オープンスタブ１１６により構成され
ている。インダクタンス素子１１２は回路基板１０６上
に形成した導電性を有する材料によるパターン（導電性
パターンともいう）から成り、その長さは上記高周波信
号の１／４波長にほぼ等しい。そして、インダクタンス
素子１１２の一端はストリップライン１０８の信号入力
端子１０４近傍の箇所に接続され、他端は電源接続点１
１８に接続されている。チップコンデンサ１１４は低周
波用のものであって低周波数において十分に低インピー
ダンスとなるよう比較的大きい容量を有し、一端が電源
接続点１１８に接続され、他端は、回路基板１０６上に
形成されたグランドパターン１２０に接続されている。
１／４波長オープンスタブ１１６は、回路基板１０６上
に形成された導電性パターンから成り、その長さは高周
波信号の１／４波長にほぼ等しく、一端が電源接続点１
１８に接続されている。
１０が形成されており、このバイアス回路１１０は、イ
ンダクタンス素子１１２、チップコンデンサ１１４、な
らびに１／４波長オープンスタブ１１６により構成され
ている。インダクタンス素子１１２は回路基板１０６上
に形成した導電性を有する材料によるパターン（導電性
パターンともいう）から成り、その長さは上記高周波信
号の１／４波長にほぼ等しい。そして、インダクタンス
素子１１２の一端はストリップライン１０８の信号入力
端子１０４近傍の箇所に接続され、他端は電源接続点１
１８に接続されている。チップコンデンサ１１４は低周
波用のものであって低周波数において十分に低インピー
ダンスとなるよう比較的大きい容量を有し、一端が電源
接続点１１８に接続され、他端は、回路基板１０６上に
形成されたグランドパターン１２０に接続されている。
１／４波長オープンスタブ１１６は、回路基板１０６上
に形成された導電性パターンから成り、その長さは高周
波信号の１／４波長にほぼ等しく、一端が電源接続点１
１８に接続されている。
【０００４】このような構成において、高周波能動素子
１０２の信号入力端子１０４にはストリップライン１０
８を通じてバイアス回路１１０より適切なバイアス電圧
が印加され、そしてストリップライン１０８を介して供
給された高周波信号が高周波能動素子１０２により増幅
される。
１０２の信号入力端子１０４にはストリップライン１０
８を通じてバイアス回路１１０より適切なバイアス電圧
が印加され、そしてストリップライン１０８を介して供
給された高周波信号が高周波能動素子１０２により増幅
される。
【０００５】ここで、インダクタンス素子１１２はバイ
アス電圧に対しては低インピーダンスであり、またチッ
プコンデンサ１１４はバイアス電圧に対しては高インピ
ーダンスであるため、電源接続点１１８に供給されたバ
イアス電圧は、インダクタンス素子１１２、チップコン
デンサ１１４、さらには１／４波長オープンスタブ１１
６の影響を受けることなくそのまま高周波能動素子１０
２の信号入力端子に供給される。一方、インダクタンス
素子１１２は高周波信号に対しては高インピーダンスで
あり、またオープンスタブ１１６の作用により高周波信
号に対して電源接続点１１８は等価的に開放されている
ことになり、さらに、チップコンデンサ１１４は低周波
用のものであって高周波信号に対しては性能的にコンデ
ンサとしての機能が低下し高インピーダンスとなるの
で、バイアス回路１１０が高周波信号に影響を与えるこ
とはない。
アス電圧に対しては低インピーダンスであり、またチッ
プコンデンサ１１４はバイアス電圧に対しては高インピ
ーダンスであるため、電源接続点１１８に供給されたバ
イアス電圧は、インダクタンス素子１１２、チップコン
デンサ１１４、さらには１／４波長オープンスタブ１１
６の影響を受けることなくそのまま高周波能動素子１０
２の信号入力端子に供給される。一方、インダクタンス
素子１１２は高周波信号に対しては高インピーダンスで
あり、またオープンスタブ１１６の作用により高周波信
号に対して電源接続点１１８は等価的に開放されている
ことになり、さらに、チップコンデンサ１１４は低周波
用のものであって高周波信号に対しては性能的にコンデ
ンサとしての機能が低下し高インピーダンスとなるの
で、バイアス回路１１０が高周波信号に影響を与えるこ
とはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電源接続点１
１８より供給されるバイアス電圧に低周波ノイズが混入
している場合、低周波ノイズはチップコンデンサ１１４
だけでは必ずしも十分には抑圧されず、低周波ノイズに
対して低インピーダンスのインダクタンス素子１１２を
通じて高周波能動素子１０２に入力されて悪影響を及ぼ
すことがある。特に近年、高周波能動素子１０２の高出
力化が進み、バイアス電流が大きくなっているため、バ
イアスに混入する低周波ノイズの電力レベルも大きく、
その結果、バイアス回路１１０および高周波能動素子１
０２の共振により高周波能動素子１０２に印加されるバ
イアス電圧が低周波数で振動し、高周波信号に対して悪
影響を与えるという問題が生じている。この問題を解決
する１つの方法は、電源接続点１１８から信号入力端子
１０４までのインピーダンスをできるだけ下げることで
あるが、一方、このインピーダンスは高周波信号に対し
ては高くなければならず、この条件を満たしつつ電源接
続点１１８から信号入力端子１０４までのインピーダン
スを下げることは困難である。
１８より供給されるバイアス電圧に低周波ノイズが混入
している場合、低周波ノイズはチップコンデンサ１１４
だけでは必ずしも十分には抑圧されず、低周波ノイズに
対して低インピーダンスのインダクタンス素子１１２を
通じて高周波能動素子１０２に入力されて悪影響を及ぼ
すことがある。特に近年、高周波能動素子１０２の高出
力化が進み、バイアス電流が大きくなっているため、バ
イアスに混入する低周波ノイズの電力レベルも大きく、
その結果、バイアス回路１１０および高周波能動素子１
０２の共振により高周波能動素子１０２に印加されるバ
イアス電圧が低周波数で振動し、高周波信号に対して悪
影響を与えるという問題が生じている。この問題を解決
する１つの方法は、電源接続点１１８から信号入力端子
１０４までのインピーダンスをできるだけ下げることで
あるが、一方、このインピーダンスは高周波信号に対し
ては高くなければならず、この条件を満たしつつ電源接
続点１１８から信号入力端子１０４までのインピーダン
スを下げることは困難である。
【０００７】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、バイアス電圧に混入して
いる低周波ノイズを抑えてバイアス電圧が低周波数で振
動することを防止する高周波回路のインピーダンス変換
回路を提供することにある。
なされたもので、その目的は、バイアス電圧に混入して
いる低周波ノイズを抑えてバイアス電圧が低周波数で振
動することを防止する高周波回路のインピーダンス変換
回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される
高周波能動素子の信号入力端子におけるインピーダンス
を変換する回路であって、インダクタンス素子とコンデ
ンサとの１つまたは複数の直列回路から成り、前記直列
回路は前記信号入力端子とグランドとの間に接続されて
いることを特徴とする。インダクタンス素子は高周波信
号に対しては高インピーダンスであるため、上記直列回
路が高周波能動素子の信号入力端子に接続されていて
も、高周波信号にはなんら影響はない。また、上記直列
回路はコンデンサを含み、したがってバイアス電流は流
れないので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じ
ない。しかし、低周波ノイズに対してはインダクタンス
素子は低インピーダンスであり、コンデンサも同様に低
インピーダンスであるため、信号入力端子は低周波ノイ
ズに対しては低インピーダンスとなり、グランドにショ
ートされている状態と等価になる。その結果、低周波ノ
イズが高周波能動素子へ入力されることが阻止され、低
周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動を防止
することができる。
するため、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される
高周波能動素子の信号入力端子におけるインピーダンス
を変換する回路であって、インダクタンス素子とコンデ
ンサとの１つまたは複数の直列回路から成り、前記直列
回路は前記信号入力端子とグランドとの間に接続されて
いることを特徴とする。インダクタンス素子は高周波信
号に対しては高インピーダンスであるため、上記直列回
路が高周波能動素子の信号入力端子に接続されていて
も、高周波信号にはなんら影響はない。また、上記直列
回路はコンデンサを含み、したがってバイアス電流は流
れないので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じ
ない。しかし、低周波ノイズに対してはインダクタンス
素子は低インピーダンスであり、コンデンサも同様に低
インピーダンスであるため、信号入力端子は低周波ノイ
ズに対しては低インピーダンスとなり、グランドにショ
ートされている状態と等価になる。その結果、低周波ノ
イズが高周波能動素子へ入力されることが阻止され、低
周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動を防止
することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る高周波回路のインピーダンス変換回路の一例が接続さ
れた高周波能動素子の周辺を示す平面図である。図中、
図３と同一の要素には同一の符号が付されており、それ
らに関する詳しい説明はここでは省略する。図１が図３
と異なるのは高周波能動素子１０２のインピーダンス変
換回路２が追加されている点である。
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る高周波回路のインピーダンス変換回路の一例が接続さ
れた高周波能動素子の周辺を示す平面図である。図中、
図３と同一の要素には同一の符号が付されており、それ
らに関する詳しい説明はここでは省略する。図１が図３
と異なるのは高周波能動素子１０２のインピーダンス変
換回路２が追加されている点である。
【００１０】この高周波回路のインピーダンス変換回路
２は、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される高周
波能動素子１０２の信号入力端子１０４におけるインピ
ーダンスを変換する回路であって、インダクタンス素子
４とチップコンデンサ６との直列回路８から成り、直列
回路８は高周波能動素子１０２の信号入力端子１０４
と、回路基板１０６上に形成されたグランドパターン１
０との間に接続されている。高周波信号は例えばマイク
ロ波帯やミリ波帯の信号であり、高周波能動素子１０２
は本実施例では例えば電界効果トランジスタであって本
実施例では増幅回路を構成している。そして上記信号入
力端子１０４は、高周波能動素子１０２のゲートであ
る。なお、高周波能動素子１０２はバイポーラトランジ
スタであってもよく、その場合、信号入力端子１０４は
ベースとなる。
２は、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される高周
波能動素子１０２の信号入力端子１０４におけるインピ
ーダンスを変換する回路であって、インダクタンス素子
４とチップコンデンサ６との直列回路８から成り、直列
回路８は高周波能動素子１０２の信号入力端子１０４
と、回路基板１０６上に形成されたグランドパターン１
０との間に接続されている。高周波信号は例えばマイク
ロ波帯やミリ波帯の信号であり、高周波能動素子１０２
は本実施例では例えば電界効果トランジスタであって本
実施例では増幅回路を構成している。そして上記信号入
力端子１０４は、高周波能動素子１０２のゲートであ
る。なお、高周波能動素子１０２はバイポーラトランジ
スタであってもよく、その場合、信号入力端子１０４は
ベースとなる。
【００１１】そして、インダクタンス素子４は、絶縁材
料から成る回路基板１０６上に形成された導電性パター
ンにより構成され、導電性パターンの長さは、高周波能
動素子１０２に入力される高周波信号の１／４波長にほ
ぼ等しい。また、チップコンデンサ６は低周波数におい
て十分に低インピーダンスとなるよう比較的大きい容量
を有している。
料から成る回路基板１０６上に形成された導電性パター
ンにより構成され、導電性パターンの長さは、高周波能
動素子１０２に入力される高周波信号の１／４波長にほ
ぼ等しい。また、チップコンデンサ６は低周波数におい
て十分に低インピーダンスとなるよう比較的大きい容量
を有している。
【００１２】このような構成において、インダクタンス
素子４は高周波信号に対しては高インピーダンスである
ため、上記直列回路８（すなわち高周波能動素子１０２
のインピーダンス変換回路２）が高周波能動素子１０２
の信号入力端子１０４に接続されていても、高周波信号
にはなんら影響はない。また、上記直列回路はチップコ
ンデンサ６を含み、したがってバイアス電流は流れない
ので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。
しかし、バイアス回路１１０からのバイアス電圧に含ま
れる低周波ノイズに対してはインダクタンス素子４は低
インピーダンスであり、チップコンデンサ６も同様に低
インピーダンスであるため、信号入力端子１０４におけ
るインピーダンスは低周波ノイズに対しては低インピー
ダンスとなり、信号入力端子１０４はグランドにショー
トされている状態と等価になる。その結果、低周波ノイ
ズが高周波能動素子１０２へ入力されることが阻止さ
れ、低周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動
を防止することができる。
素子４は高周波信号に対しては高インピーダンスである
ため、上記直列回路８（すなわち高周波能動素子１０２
のインピーダンス変換回路２）が高周波能動素子１０２
の信号入力端子１０４に接続されていても、高周波信号
にはなんら影響はない。また、上記直列回路はチップコ
ンデンサ６を含み、したがってバイアス電流は流れない
ので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。
しかし、バイアス回路１１０からのバイアス電圧に含ま
れる低周波ノイズに対してはインダクタンス素子４は低
インピーダンスであり、チップコンデンサ６も同様に低
インピーダンスであるため、信号入力端子１０４におけ
るインピーダンスは低周波ノイズに対しては低インピー
ダンスとなり、信号入力端子１０４はグランドにショー
トされている状態と等価になる。その結果、低周波ノイ
ズが高周波能動素子１０２へ入力されることが阻止さ
れ、低周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動
を防止することができる。
【００１３】なお、本実施例では、インダクタンス素子
４とチップコンデンサ６との直列回路が１つのみ接続さ
れているとしたが、図２に示したように、ストリップラ
イン１０８とグランドパターン１０との間に複数の直列
回路８を接続することで、低周波ノイズに対する信号入
力端子１０４におけるインピーダンスをさらに低下さ
せ、一層の振動防止効果を得ることができる。
４とチップコンデンサ６との直列回路が１つのみ接続さ
れているとしたが、図２に示したように、ストリップラ
イン１０８とグランドパターン１０との間に複数の直列
回路８を接続することで、低周波ノイズに対する信号入
力端子１０４におけるインピーダンスをさらに低下さ
せ、一層の振動防止効果を得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高周波信
号と共にバイアス電圧が供給される高周波能動素子の信
号入力端子におけるインピーダンスを変換する回路であ
って、インダクタンス素子とコンデンサとの１つまたは
複数の直列回路から成り、前記直列回路は前記信号入力
端子とグランドとの間に接続されていることを特徴とす
る。そして、インダクタンス素子は高周波信号に対して
は高インピーダンスであるため、上記直列回路が高周波
能動素子の信号入力端子に接続されていても、高周波信
号にはなんら影響はない。また、上記直列回路はコンデ
ンサを含み、したがってバイアス電流は流れないので、
バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。しか
し、低周波ノイズに対してはインダクタンス素子は低イ
ンピーダンスであり、コンデンサも同様に低インピーダ
ンスであるため、信号入力端子は低周波ノイズに対して
は低インピーダンスとなり、グランドにショートされて
いる状態と等価になる。その結果、低周波ノイズが高周
波能動素子へ入力されることが阻止され、低周波ノイズ
により引き起こされる低周波数の振動を防止することが
できる。
号と共にバイアス電圧が供給される高周波能動素子の信
号入力端子におけるインピーダンスを変換する回路であ
って、インダクタンス素子とコンデンサとの１つまたは
複数の直列回路から成り、前記直列回路は前記信号入力
端子とグランドとの間に接続されていることを特徴とす
る。そして、インダクタンス素子は高周波信号に対して
は高インピーダンスであるため、上記直列回路が高周波
能動素子の信号入力端子に接続されていても、高周波信
号にはなんら影響はない。また、上記直列回路はコンデ
ンサを含み、したがってバイアス電流は流れないので、
バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。しか
し、低周波ノイズに対してはインダクタンス素子は低イ
ンピーダンスであり、コンデンサも同様に低インピーダ
ンスであるため、信号入力端子は低周波ノイズに対して
は低インピーダンスとなり、グランドにショートされて
いる状態と等価になる。その結果、低周波ノイズが高周
波能動素子へ入力されることが阻止され、低周波ノイズ
により引き起こされる低周波数の振動を防止することが
できる。
【図１】本発明による高周波回路のインピーダンス変換
回路の一例が接続された高周波能動素子の周辺を示す平
面図である。
回路の一例が接続された高周波能動素子の周辺を示す平
面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す平面図である。
【図３】高周波能動素子により構成した増幅回路の周辺
を示す平面図である。
を示す平面図である。
２……インピーダンス変換回路、４……インダクタンス
素子、６……チップコンデンサ、８……直列回路、１０
……グランドパターン、１０２……高周波能動素子、１
０４……信号入力端子、１０６……回路基板、１０８…
…ストリップライン、１１０……バイアス回路、１１２
……インダクタンス素子、１１４……チップコンデン
サ、１１６……１／４波長オープンスタブ、１１８……
電源接続点、１２０……グランドパターン。
素子、６……チップコンデンサ、８……直列回路、１０
……グランドパターン、１０２……高周波能動素子、１
０４……信号入力端子、１０６……回路基板、１０８…
…ストリップライン、１１０……バイアス回路、１１２
……インダクタンス素子、１１４……チップコンデン
サ、１１６……１／４波長オープンスタブ、１１８……
電源接続点、１２０……グランドパターン。
Claims (9)
- 【請求項１】 高周波信号と共にバイアス電圧が供給さ
れる高周波能動素子の信号入力端子におけるインピーダ
ンスを変換する回路であって、 インダクタンス素子とコンデンサとの１つまたは複数の
直列回路から成り、 前記直列回路は前記信号入力端子とグランドとの間に接
続されていることを特徴とする高周波回路のインピーダ
ンス変換回路。 - 【請求項２】 前記高周波信号はマイクロ波帯またはミ
リ波帯の信号であることを特徴とする請求項１記載の高
周波回路のインピーダンス変換回路。 - 【請求項３】 前記高周波能動素子はトランジスタであ
ることを特徴とする請求項１記載の高周波回路のインピ
ーダンス変換回路。 - 【請求項４】 前記信号入力端子は前記トランジスタの
ベースまたはゲートであることを特徴とする請求項３記
載の高周波回路のインピーダンス変換回路。 - 【請求項５】 前記トランジスタは増幅回路を構成して
いることを特徴とする請求項３記載の高周波回路のイン
ピーダンス変換回路。 - 【請求項６】 前記信号入力端子には、絶縁材料から成
る回路基板上に形成されたストリップラインを通じて前
記高周波信号が供給されることを特徴とする請求項１記
載の高周波回路のインピーダンス変換回路。 - 【請求項７】 前記インダクタンス素子は、絶縁材料か
ら成る回路基板上に形成された導電性パターンにより構
成され、前記導電性パターンの長さは前記高周波信号の
１／４波長にほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載
の高周波回路のインピーダンス変換回路。 - 【請求項８】 前記コンデンサはチップコンデンサであ
ることを特徴とする請求項１記載の高周波回路のインピ
ーダンス変換回路。 - 【請求項９】 前記バイアス電圧はバイアス回路より供
給され、前記バイアス回路は、前記回路基板上に設けら
れた電源接続点と、前記回路基板上に形成されて前記電
源接続点と前記ストリップラインとを接続し長さが前記
高周波信号の１／４波長にほぼ等しい第２の導電性パタ
ーンと、前記回路基板上に形成されたグランドパターン
と前記電源接続点との間に接続された第２のチップコン
デンサと、前記回路基板上に形成され一端が前記電源接
続点に接続され長さが前記高周波信号の１／４波長にほ
ぼ等しい導電性パターンから成るオープンスタブとによ
り構成されていることを特徴とする請求項６記載の高周
波回路のインピーダンス変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035459A JP3129274B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 高周波回路のインピーダンス変換回路 |
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| JP10035459A JP3129274B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 高周波回路のインピーダンス変換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220301A true JPH11220301A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3129274B2 JP3129274B2 (ja) | 2001-01-29 |
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ID=12442380
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| JP10035459A Expired - Fee Related JP3129274B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 高周波回路のインピーダンス変換回路 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3129274B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506357A (ja) * | 2003-09-17 | 2007-03-15 | レイセオン・カンパニー | 周期的バイアス線を有するモノリシックアレイアンプのバイパス構造および方法 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP10035459A patent/JP3129274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506357A (ja) * | 2003-09-17 | 2007-03-15 | レイセオン・カンパニー | 周期的バイアス線を有するモノリシックアレイアンプのバイパス構造および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3129274B2 (ja) | 2001-01-29 |
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