JPH11261310A - マイクロ波増幅器 - Google Patents
マイクロ波増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 整合素子であるスタブのインピーダンスの調
整を可能とし、所望の増幅器の特性が得られるマイクロ
波増幅器を提供する。 【解決手段】 整合素子として機能するスタブを他の回
路素子から隔てて配置しスタブと他の回路素子との間を
ボンディングワイヤで数点接続し、その接続を切断する
ことにより整合回路のインピーダンス調整を可能とす
る。また、整合素子として機能するスタブにスイッチと
して機能しかつスイッチのバイアス条件が制御される能
動素子を接続し、バイアス電圧を変化させてスタブのイ
ンピーダンス調整をする。また、能動素子基板を挟んで
配置した整合回路基板間に整合回路基板間の距離を一定
に保つための金属片を配置する。さらに、動作周波数で
容量性スタブを含むバイアス供給回路、動作周波数で長
さ４分の１波長未満の結合線路及び伝送線路を有する整
合回路と能動素子をボンディングワイヤで接続する。
整を可能とし、所望の増幅器の特性が得られるマイクロ
波増幅器を提供する。 【解決手段】 整合素子として機能するスタブを他の回
路素子から隔てて配置しスタブと他の回路素子との間を
ボンディングワイヤで数点接続し、その接続を切断する
ことにより整合回路のインピーダンス調整を可能とす
る。また、整合素子として機能するスタブにスイッチと
して機能しかつスイッチのバイアス条件が制御される能
動素子を接続し、バイアス電圧を変化させてスタブのイ
ンピーダンス調整をする。また、能動素子基板を挟んで
配置した整合回路基板間に整合回路基板間の距離を一定
に保つための金属片を配置する。さらに、動作周波数で
容量性スタブを含むバイアス供給回路、動作周波数で長
さ４分の１波長未満の結合線路及び伝送線路を有する整
合回路と能動素子をボンディングワイヤで接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波およ
びミリ波において動作周波数の調整が可能で、小型な特
徴を有するマイクロ波増幅器に関するものである。
びミリ波において動作周波数の調整が可能で、小型な特
徴を有するマイクロ波増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波増幅器の整合回路として、先
端開放あるいは先端短絡のスタブが広く用いられてき
た。図７は“W-band Monolithic Low Noise Amplifiers
for Advanced MicrowaveScanning Radiometer”（1995
年 IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS）に記載
されている２段増幅器の構成図を示すものである。図７
において、３３、３５は整合素子であるマイクロストリ
ップ線路、３４、３６は先端開放スタブ、３７は動作周
波数で長さ４分の１波長のマイクロストリップ線路、３
８は動作周波数で長さ４分の１波長の先端開放スタブ、
３９は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用
回路、４０、４１はバイアス印加用の端子、４３は能動
素子、４４は動作周波数で長さ４分の１波長の結合線路
で、直流成分の漏洩を防止するためのものである。
端開放あるいは先端短絡のスタブが広く用いられてき
た。図７は“W-band Monolithic Low Noise Amplifiers
for Advanced MicrowaveScanning Radiometer”（1995
年 IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS）に記載
されている２段増幅器の構成図を示すものである。図７
において、３３、３５は整合素子であるマイクロストリ
ップ線路、３４、３６は先端開放スタブ、３７は動作周
波数で長さ４分の１波長のマイクロストリップ線路、３
８は動作周波数で長さ４分の１波長の先端開放スタブ、
３９は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用
回路、４０、４１はバイアス印加用の端子、４３は能動
素子、４４は動作周波数で長さ４分の１波長の結合線路
で、直流成分の漏洩を防止するためのものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した構成を有する
マイクロ波増幅器は、整合回路と能動素子を同一のプロ
セスで半導体基板上に形成するモノリシックマイクロ波
集積回路を示すものであるが、マイクロ波、とりわけ周
波数が高くなるミリ波帯においては、能動素子の特性の
ばらつきにより、所望の増幅器の特性が得られなくなる
問題点があった。製造後のばらつきを調整する場合は、
整合回路と能動素子を同一のプロセスで半導体基板上に
形成するモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：
MonolithicMicrowave Integrated Circuit）よりも、整
合回路と能動素子を異なる基板で構成するＨＭＩＣ（Ｈ
ＭＩＣ：Hybrid Microwave Integrated Circuit）の方
が有利である。しかし、ＨＭＩＣの場合、整合回路と能
動素子をボンディングワイヤで接続する必要が生じ、そ
の長さにより整合にずれが生じ、所望の増幅器の特性が
得られなくなる問題点があった。
マイクロ波増幅器は、整合回路と能動素子を同一のプロ
セスで半導体基板上に形成するモノリシックマイクロ波
集積回路を示すものであるが、マイクロ波、とりわけ周
波数が高くなるミリ波帯においては、能動素子の特性の
ばらつきにより、所望の増幅器の特性が得られなくなる
問題点があった。製造後のばらつきを調整する場合は、
整合回路と能動素子を同一のプロセスで半導体基板上に
形成するモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：
MonolithicMicrowave Integrated Circuit）よりも、整
合回路と能動素子を異なる基板で構成するＨＭＩＣ（Ｈ
ＭＩＣ：Hybrid Microwave Integrated Circuit）の方
が有利である。しかし、ＨＭＩＣの場合、整合回路と能
動素子をボンディングワイヤで接続する必要が生じ、そ
の長さにより整合にずれが生じ、所望の増幅器の特性が
得られなくなる問題点があった。
【０００４】また、ボンディングワイヤを用いる場合、
そのインダクタンス成分のために能動素子のインピーダ
ンスはスミスチャート上のＧ＝１の定コンダクタンス円
よりも外側の誘導性の領域に位置する。そのため、従来
の増幅器のように先端開放スタブを用いて整合を取る
と、能動素子とスタブ間に必要となる伝送線路が長くな
り、整合回路が大型となる上に特性の狭帯域化を招いて
しまう問題があった。さらに、従来の増幅器において
は、直流成分漏洩を防止するためにＭＩＭ（Metal Insu
lator Metal）キャパシタや、動作周波数にて４分の１
波長となる結合線路を接続する必要があり、回路の大型
化、損失の増加を招いてしまう問題点があった。
そのインダクタンス成分のために能動素子のインピーダ
ンスはスミスチャート上のＧ＝１の定コンダクタンス円
よりも外側の誘導性の領域に位置する。そのため、従来
の増幅器のように先端開放スタブを用いて整合を取る
と、能動素子とスタブ間に必要となる伝送線路が長くな
り、整合回路が大型となる上に特性の狭帯域化を招いて
しまう問題があった。さらに、従来の増幅器において
は、直流成分漏洩を防止するためにＭＩＭ（Metal Insu
lator Metal）キャパシタや、動作周波数にて４分の１
波長となる結合線路を接続する必要があり、回路の大型
化、損失の増加を招いてしまう問題点があった。
【０００５】この発明は上記の問題を解決するためにな
されたもので、整合素子であるスタブのインピーダンス
の調整を可能とすることができるマイクロ波増幅器を得
ることを目的とする。
されたもので、整合素子であるスタブのインピーダンス
の調整を可能とすることができるマイクロ波増幅器を得
ることを目的とする。
【０００６】また、ＨＭＩＣにおいてインダクタンスと
して機能するボンディングワイヤの長さを一定とするた
めに、金属片をスペーサとして基板間に挟むことで整合
のずれを抑圧し、所望の増幅器の特性を得ることができ
るマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
して機能するボンディングワイヤの長さを一定とするた
めに、金属片をスペーサとして基板間に挟むことで整合
のずれを抑圧し、所望の増幅器の特性を得ることができ
るマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
【０００７】さらに、ボンディングワイヤと長さ４分の
１波長未満の容量性の結合線路からなる整合回路を用い
ることで、ＤＣ成分漏洩を防止する素子を別途接続する
必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得ることができ
るマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
１波長未満の容量性の結合線路からなる整合回路を用い
ることで、ＤＣ成分漏洩を防止する素子を別途接続する
必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得ることができ
るマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波増幅器は、整合素子として機能するスタブを、他の回
路素子から隔てて配置し、上記スタブと上記他の回路素
子との間をボンディングワイヤまたはエアブリッジで数
点接続した整合回路を備えたもので、その接続を切断す
ることにより整合回路のインピーダンス調整を可能とし
たものである。
波増幅器は、整合素子として機能するスタブを、他の回
路素子から隔てて配置し、上記スタブと上記他の回路素
子との間をボンディングワイヤまたはエアブリッジで数
点接続した整合回路を備えたもので、その接続を切断す
ることにより整合回路のインピーダンス調整を可能とし
たものである。
【０００９】また、他の発明に係るマイクロ波増幅器
は、整合素子として機能するスタブに、スイッチとして
機能しかつスイッチのバイアス条件が制御される能動素
子を接続した整合回路を備えたもので、そのバイアス電
圧を変化させることでスタブのインピーダンス調整を可
能としたものである。
は、整合素子として機能するスタブに、スイッチとして
機能しかつスイッチのバイアス条件が制御される能動素
子を接続した整合回路を備えたもので、そのバイアス電
圧を変化させることでスタブのインピーダンス調整を可
能としたものである。
【００１０】また、さらに他の発明に係るマイクロ波増
幅器は、能動素子を搭載した能動素子基板を挟んで配置
された整合回路を搭載した整合回路基板間に、上記能動
素子基板に隣接し整合回路基板間の距離を一定に保つた
めの金属片を配置したもので、金属片をスペーサとして
基板間に挟むことで整合のずれを抑圧し、所望の増幅器
の特性を得るものである。
幅器は、能動素子を搭載した能動素子基板を挟んで配置
された整合回路を搭載した整合回路基板間に、上記能動
素子基板に隣接し整合回路基板間の距離を一定に保つた
めの金属片を配置したもので、金属片をスペーサとして
基板間に挟むことで整合のずれを抑圧し、所望の増幅器
の特性を得るものである。
【００１１】さらに、さらにまた他の発明に係るマイク
ロ波増幅器は、動作周波数にて容量性となるスタブを含
むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ４分の１波長
未満の結合線路及び伝送線路を有する整合回路と能動素
子とをボンディングワイヤで接続したもので、ＤＣ成分
漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型
で高利得な増幅器を得るものである。
ロ波増幅器は、動作周波数にて容量性となるスタブを含
むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ４分の１波長
未満の結合線路及び伝送線路を有する整合回路と能動素
子とをボンディングワイヤで接続したもので、ＤＣ成分
漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型
で高利得な増幅器を得るものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示
す構成図である。図１において、１は増幅器の整合回路
を含む基板、２は整合回路内の伝送線路、３は本来は伝
送線路２に接続されて整合素子として機能するスタブ、
４は伝送線路２とスタブ３を接続するために設けられた
複数のボンディングワイヤ（あるいはエアブリッジ）で
ある。
実施の形態１であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示
す構成図である。図１において、１は増幅器の整合回路
を含む基板、２は整合回路内の伝送線路、３は本来は伝
送線路２に接続されて整合素子として機能するスタブ、
４は伝送線路２とスタブ３を接続するために設けられた
複数のボンディングワイヤ（あるいはエアブリッジ）で
ある。
【００１３】上記構成においては、整合回路のインピー
ダンスを、ボンディングワイヤ４（あるいはエアブリッ
ジ）を切断することで調整することができ、増幅器の特
性を所望のものとすることができる。したがって、増幅
器内の能動素子がその製造プロセスにおいて特性のばら
つきを生じた場合においても、整合素子と他の回路素子
との間をボンディングワイヤ（あるいはエアブリッジ）
で数点接続し、その接続を切断することで、整合回路の
インピーダンスを調整することができるために、所望の
増幅器の特性を得ることができる。
ダンスを、ボンディングワイヤ４（あるいはエアブリッ
ジ）を切断することで調整することができ、増幅器の特
性を所望のものとすることができる。したがって、増幅
器内の能動素子がその製造プロセスにおいて特性のばら
つきを生じた場合においても、整合素子と他の回路素子
との間をボンディングワイヤ（あるいはエアブリッジ）
で数点接続し、その接続を切断することで、整合回路の
インピーダンスを調整することができるために、所望の
増幅器の特性を得ることができる。
【００１４】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図
である。図２において、５は整合回路中の伝送線路、６
は整合素子であるスタブ、７はスイッチとして機能する
能動素子、８はそのスイッチ素子へのバイアス印加用端
子、９は直流成分阻止用のコンデンサ、１０は増幅機能
を有する能動素子である。
態２であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図
である。図２において、５は整合回路中の伝送線路、６
は整合素子であるスタブ、７はスイッチとして機能する
能動素子、８はそのスイッチ素子へのバイアス印加用端
子、９は直流成分阻止用のコンデンサ、１０は増幅機能
を有する能動素子である。
【００１５】上記構成においては、整合用のスタブ６
は、能動素子でなるスイッチ７のバイアス条件を変化さ
せることでそのインピーダンスを調整することができ、
スタブのインピーダンスを制御することができる。した
がって、スイッチ７のバイアス条件を変化させることで
整合用スタブのインピーダンスを変化させ、増幅器の特
性を制御することが可能となり、能動素子１０の特性の
ばらつきを整合回路で吸収することができる。さらに、
上記のバイアス条件を変化させることで整合回路のイン
ピーダンスを広範に変化させることが可能となるため、
増幅器を異なる複数の周波数帯域で動作させることも可
能となる。
は、能動素子でなるスイッチ７のバイアス条件を変化さ
せることでそのインピーダンスを調整することができ、
スタブのインピーダンスを制御することができる。した
がって、スイッチ７のバイアス条件を変化させることで
整合用スタブのインピーダンスを変化させ、増幅器の特
性を制御することが可能となり、能動素子１０の特性の
ばらつきを整合回路で吸収することができる。さらに、
上記のバイアス条件を変化させることで整合回路のイン
ピーダンスを広範に変化させることが可能となるため、
増幅器を異なる複数の周波数帯域で動作させることも可
能となる。
【００１６】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３であるマイクロ波増幅器の能動素子を搭載した基板
と整合回路を搭載した基板の接続構成を示すものであ
る。図３において、１２、１３は整合回路を搭載した整
合回路基板、１４はこれら整合回路基板１２と１３間に
設けられた能動素子を搭載した能動素子基板、１５は整
合回路基板１２と１３間の距離を調整するためのスペー
サとしてはたらく金属片、１６、１７は能動素子と整合
回路基板を接続するためのボンディングワイヤである。
態３であるマイクロ波増幅器の能動素子を搭載した基板
と整合回路を搭載した基板の接続構成を示すものであ
る。図３において、１２、１３は整合回路を搭載した整
合回路基板、１４はこれら整合回路基板１２と１３間に
設けられた能動素子を搭載した能動素子基板、１５は整
合回路基板１２と１３間の距離を調整するためのスペー
サとしてはたらく金属片、１６、１７は能動素子と整合
回路基板を接続するためのボンディングワイヤである。
【００１７】上記構成において、金属片１５は、能動素
子に隣接して配置され、整合回路の間の距離を一定に保
つスペーサとして機能する。したがって、金属片１５を
整合回路基板１２と１３の間の距離を一定に保つスペー
サとして用いることで、ボンディングワイヤ１６，１７
の長さのばらつきを抑えることができる。ボンディング
ワイヤ１６，１７はマイクロ波帯においてはインダクタ
ンスとして働きその長さによって整合状態が変化するた
め、長さのばらつきを抑えることで所望の増幅器の特性
を得ることが可能となる。
子に隣接して配置され、整合回路の間の距離を一定に保
つスペーサとして機能する。したがって、金属片１５を
整合回路基板１２と１３の間の距離を一定に保つスペー
サとして用いることで、ボンディングワイヤ１６，１７
の長さのばらつきを抑えることができる。ボンディング
ワイヤ１６，１７はマイクロ波帯においてはインダクタ
ンスとして働きその長さによって整合状態が変化するた
め、長さのばらつきを抑えることで所望の増幅器の特性
を得ることが可能となる。
【００１８】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４であるマイクロ波増幅器の整合回路と能動素子との
接続構成を示すものである。図４において、２０は能動
素子、２１はボンディングワイヤ、２２はマイクロスト
リップ線路、２４は増幅器の動作周波数で４分の１波長
以上の長さを有するマイクロストリップ線路、２５は動
作周波数で長さ４分の１波長となる先端開放スタブ、２
６は動作周波数にて長さ４分の１波長未満の結合線路、
２７は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用
の回路で、２８はバイアス印加用の端子である。
態４であるマイクロ波増幅器の整合回路と能動素子との
接続構成を示すものである。図４において、２０は能動
素子、２１はボンディングワイヤ、２２はマイクロスト
リップ線路、２４は増幅器の動作周波数で４分の１波長
以上の長さを有するマイクロストリップ線路、２５は動
作周波数で長さ４分の１波長となる先端開放スタブ、２
６は動作周波数にて長さ４分の１波長未満の結合線路、
２７は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用
の回路で、２８はバイアス印加用の端子である。
【００１９】次に動作について図５のスミスチャート及
び図６に示す結合線路の等価回路図を参照して説明す
る。マイクロ波より周波数の高いミリ波帯のＨＭＩＣ増
幅器においては、ボンディングワイヤを含む能動デバイ
スのインピーダンスはそのインダクタンス成分のため
に、同図の点ＡのようにＧ＝１の円の外側の誘導性の領
域に位置する。その場合、整合回路基板内のマイクロス
トリップ線路２２により点Ｂへ動き、容量性スタブとし
て機能するマイクロストリップ線路２４，先端開放スタ
ブ２５からなる回路により点Ｃへ動く。
び図６に示す結合線路の等価回路図を参照して説明す
る。マイクロ波より周波数の高いミリ波帯のＨＭＩＣ増
幅器においては、ボンディングワイヤを含む能動デバイ
スのインピーダンスはそのインダクタンス成分のため
に、同図の点ＡのようにＧ＝１の円の外側の誘導性の領
域に位置する。その場合、整合回路基板内のマイクロス
トリップ線路２２により点Ｂへ動き、容量性スタブとし
て機能するマイクロストリップ線路２４，先端開放スタ
ブ２５からなる回路により点Ｃへ動く。
【００２０】さらに、長さが４分の１波長未満の結合線
路２６は、図６に示すように、直列のキャパシタンス３
０と伝送線路３１からなる等価回路で表現できることを
考えると、図４中の結合線路２６により、図５に示す点
Ｃは、点Ｄ、点Ｄ’を通りスミスチャートの中心へ動く
ため、整合を取ることができる。
路２６は、図６に示すように、直列のキャパシタンス３
０と伝送線路３１からなる等価回路で表現できることを
考えると、図４中の結合線路２６により、図５に示す点
Ｃは、点Ｄ、点Ｄ’を通りスミスチャートの中心へ動く
ため、整合を取ることができる。
【００２１】したがって、図５の破線で示す従来の技術
である伝送線路と先端開放スタブを用いた整合に比べて
スミスチャート上を動く軌跡が短くなるため、回路の小
型化が可能となる上に、周波数に対する感受性が低くな
るため広帯域な特性を得ることができる。さらに、結合
線路２６は、整合素子として機能するだけでなく、ＤＣ
成分の漏洩を防止する機能を併せ持つため、従来の技術
のように長さ４分の１波長の結合線路やＭＩＭキャパシ
タを別途接続する必要がなくなり、小型、高利得な増幅
器が実現できる。なお以上の説明は能動素子の入力側に
ついて行ったが、出力側に関しても全く同様である。
である伝送線路と先端開放スタブを用いた整合に比べて
スミスチャート上を動く軌跡が短くなるため、回路の小
型化が可能となる上に、周波数に対する感受性が低くな
るため広帯域な特性を得ることができる。さらに、結合
線路２６は、整合素子として機能するだけでなく、ＤＣ
成分の漏洩を防止する機能を併せ持つため、従来の技術
のように長さ４分の１波長の結合線路やＭＩＭキャパシ
タを別途接続する必要がなくなり、小型、高利得な増幅
器が実現できる。なお以上の説明は能動素子の入力側に
ついて行ったが、出力側に関しても全く同様である。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、増幅
器の整合回路において、インピーダンス整合に作用する
先端開放あるいは先端短絡スタブを他の回路素子から隔
てて配置し、その間をボンディングワイヤあるいはエア
ブリッジで数点接続し、その接続を切断することによ
り、整合回路のインピーダンス調整を可能とすること
で、半導体である能動素子の特性にばらつきが生じた場
合においても所望の増幅器の特性を得ることができる。
器の整合回路において、インピーダンス整合に作用する
先端開放あるいは先端短絡スタブを他の回路素子から隔
てて配置し、その間をボンディングワイヤあるいはエア
ブリッジで数点接続し、その接続を切断することによ
り、整合回路のインピーダンス調整を可能とすること
で、半導体である能動素子の特性にばらつきが生じた場
合においても所望の増幅器の特性を得ることができる。
【００２３】また、整合用の先端短絡スタブにスイッチ
として機能する能動素子を接続し、そのスイッチのバイ
アス条件を制御してスタブ部分のインピーダンスを調整
することで、所望の増幅器の特性を得ることができると
共に、複数の周波数帯で動作する増幅器を構成すること
ができる。
として機能する能動素子を接続し、そのスイッチのバイ
アス条件を制御してスタブ部分のインピーダンスを調整
することで、所望の増幅器の特性を得ることができると
共に、複数の周波数帯で動作する増幅器を構成すること
ができる。
【００２４】また、整合回路と能動素子が異なる基板か
らなる増幅器において、それらの距離を一定とするため
に能動素子に隣接して金属片を配置し、基板間の距離を
一定に保つ構造とすることで、基板間を接続するボンデ
ィングワイヤの長さのばらつきを抑え、増幅器の特性の
均一化を実現することができる。
らなる増幅器において、それらの距離を一定とするため
に能動素子に隣接して金属片を配置し、基板間の距離を
一定に保つ構造とすることで、基板間を接続するボンデ
ィングワイヤの長さのばらつきを抑え、増幅器の特性の
均一化を実現することができる。
【００２５】さらに、動作周波数にて容量性となるスタ
ブを含むバイアス供給回路と、動作周波数において長さ
４分の１波長未満の結合線路により整合回路を構成し、
またその整合回路と能動素子をボンディングワイヤで接
続する構造を用いることで、小型、広帯域、高利得な増
幅器を実現することができる。
ブを含むバイアス供給回路と、動作周波数において長さ
４分の１波長未満の結合線路により整合回路を構成し、
またその整合回路と能動素子をボンディングワイヤで接
続する構造を用いることで、小型、広帯域、高利得な増
幅器を実現することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係るマイクロ波増
幅器の整合回路部を示す構成図である。
幅器の整合回路部を示す構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態２に係るマイクロ波増
幅器の整合回路部を示す構成図である。
幅器の整合回路部を示す構成図である。
【図３】 この発明の実施の形態３であるマイクロ波増
幅器の能動素子を搭載した基板と整合回路を搭載した基
板の接続構成を示すブロック図である。
幅器の能動素子を搭載した基板と整合回路を搭載した基
板の接続構成を示すブロック図である。
【図４】 この発明の実施の形態４であるマイクロ波増
幅器の整合回路と能動素子との接続構成を示す回路図で
ある。
幅器の整合回路と能動素子との接続構成を示す回路図で
ある。
【図５】 この発明の実施の形態４の動作を説明するた
めのスミスチャートである。
めのスミスチャートである。
【図６】 この発明の実施の形態４の動作を説明するた
めの容量性結合線路の等価回路図である。
めの容量性結合線路の等価回路図である。
【図７】 従来のマイクロ波増幅器の構成例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
１ 整合回路を含む基板、２ 整合回路内の伝送線路、
３ 整合用スタブ、４ ボンディングワイヤ（あるいは
エアブリッジ）、５ 整合回路内の伝送線路、６ 整合
用スタブ、７ スイッチとして機能する能動素子、８
スイッチのバイアス印加用端子、９ 直流成分阻止用の
コンデンサ、１０ 増幅機能を有する能動素子、１２，
１３ 整合回路基板、１４ 能動素子、１５ 金属片、
１６、１７ ボンディングワイヤ、２０ 能動素子、２
１ ボンディングワイヤ、２２ マイクロストリップ線
路、２４ 長さ４分の１波長以上のマイクロストリップ
線路、２５ 長さ４分の１波長の先端開放スタブ、２６
長さ４分の１波長未満の結合線路、２７ 低周波発振
抑圧用の回路、２８ バイアス印加用端子、３０ キャ
パシタンス、３１ 伝送線路、３３、３５ マイクロス
トリップ線路、３４，３６ 先端開放スタブ、３７ 長
さ４分の１波長のマイクロストリップ線路、３８ 長さ
４分の１波長の先端開放スタブ、３９ 低周波発振抑圧
用の回路、４０、４１ バイアス印加用端子、４３ 能
動素子、４４ 長さ４分の１波長の結合線路。
３ 整合用スタブ、４ ボンディングワイヤ（あるいは
エアブリッジ）、５ 整合回路内の伝送線路、６ 整合
用スタブ、７ スイッチとして機能する能動素子、８
スイッチのバイアス印加用端子、９ 直流成分阻止用の
コンデンサ、１０ 増幅機能を有する能動素子、１２，
１３ 整合回路基板、１４ 能動素子、１５ 金属片、
１６、１７ ボンディングワイヤ、２０ 能動素子、２
１ ボンディングワイヤ、２２ マイクロストリップ線
路、２４ 長さ４分の１波長以上のマイクロストリップ
線路、２５ 長さ４分の１波長の先端開放スタブ、２６
長さ４分の１波長未満の結合線路、２７ 低周波発振
抑圧用の回路、２８ バイアス印加用端子、３０ キャ
パシタンス、３１ 伝送線路、３３、３５ マイクロス
トリップ線路、３４，３６ 先端開放スタブ、３７ 長
さ４分の１波長のマイクロストリップ線路、３８ 長さ
４分の１波長の先端開放スタブ、３９ 低周波発振抑圧
用の回路、４０、４１ バイアス印加用端子、４３ 能
動素子、４４ 長さ４分の１波長の結合線路。
Claims (4)
- 【請求項１】 整合素子として機能するスタブを、他の
回路素子から隔てて配置し、上記スタブと上記他の回路
素子との間をボンディングワイヤまたはエアブリッジで
数点接続した整合回路を備えたマイクロ波増幅器。 - 【請求項２】 整合素子として機能するスタブに、スイ
ッチとして機能しかつスイッチのバイアス条件が制御さ
れる能動素子を接続した整合回路を備えたマイクロ波増
幅器。 - 【請求項３】 能動素子を搭載した能動素子基板を挟ん
で配置された整合回路を搭載した整合回路基板間に、上
記能動素子基板に隣接し整合回路基板間の距離を一定に
保つための金属片を配置したマイクロ波増幅器。 - 【請求項４】 動作周波数にて容量性となるスタブを含
むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ４分の１波長
未満の結合線路及び伝送線路を有する整合回路と能動素
子とをボンディングワイヤで接続したマイクロ波増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05549998A JP3590523B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | マイクロ波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05549998A JP3590523B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | マイクロ波増幅器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003358982A Division JP2004080826A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | マイクロ波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261310A true JPH11261310A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3590523B2 JP3590523B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=13000349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05549998A Expired - Fee Related JP3590523B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | マイクロ波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3590523B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368158A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体集積回路 |
| KR100471386B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-02-21 | 주식회사 웨이브아이씨스 | 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기 |
| JP2006333194A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toppan Forms Co Ltd | アンテナ部材及びそのインピーダンス調整方法 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP05549998A patent/JP3590523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368158A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体集積回路 |
| KR100471386B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-02-21 | 주식회사 웨이브아이씨스 | 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기 |
| JP2006333194A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toppan Forms Co Ltd | アンテナ部材及びそのインピーダンス調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3590523B2 (ja) | 2004-11-17 |
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