JPH11214450A - 電子部品実装体とそれを用いた電子機器と電子部品実装体の製造方法 - Google Patents

電子部品実装体とそれを用いた電子機器と電子部品実装体の製造方法

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JPH11214450A
JPH11214450A JP10083365A JP8336598A JPH11214450A JP H11214450 A JPH11214450 A JP H11214450A JP 10083365 A JP10083365 A JP 10083365A JP 8336598 A JP8336598 A JP 8336598A JP H11214450 A JPH11214450 A JP H11214450A
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JP
Japan
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substrate
electronic component
conductive pattern
roughened
manufacturing
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JP10083365A
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English (en)
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Junji Oishi
純司 大石
Takeochi Nagai
健生智 永井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to US09/195,595 priority patent/US6792677B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は電子部品実装体とその製造方法とそ
れを用いた電子機器に関するもので、基板の導電パター
ンの接続面と、電子部品の電極との接続不良を防止する
ことを目的とする。 【解決手段】 少なくともその一面に導電パターン４が
設けられた基板１と、この基板１の前記導電パターン４
が設けられた面に実装されたＩＣ７とを備え、前記ＩＣ
７は、その前記基板１側に突起電極７ａを有し、この突
起電極７ａに対向する導電パターン４の接続面４ａを粗
面化するとともに、この粗面化された接続面４ａに、前
記ＩＣ７の突起電極７ａを導電性接着剤８に接続した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に電子部品を
実装した電子部品実装体とそれを用いた電子機器と電子
部品実装体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種電子部品実装体は、基板上
に電子部品を実装する前に、この基板に設けた導電パタ
ーンの導通検査を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記導通検査は導電パ
ターンの接続面に導電性ゴムを当接させて行うが、この
検査後に接続面に導電性ゴムの一部が残存する。この導
電性ゴムは全体としては高い導電性を示すものである
が、上述した接続面への一部の残存物となった場合には
導電性はきわめて低く、またはほとんどなく、この結果
として接続面に電子部品の電極を接続しようとした場合
に前記残存物が両者間に介在することによって電気的接
続不良が生ずることがあった。
【０００４】そこで本発明はこの電気的接続不良を防止
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、少なくともその一面に導電パターン
が設けられた基板と、この基板の前記導電パターンが設
けられた面に実装された電子部品とを備え、前記電子部
品は、その前記基板側に電極を有し、この電極に対向す
る導電パターンの接続面を粗面化するとともに、この粗
面化された接続面に、前記電子部品の電極を導電性接着
剤により接続したものであって、導電パターンの接続面
を粗面化することにより、この接続面に付着した導電不
良物質が除去されるとともに、その表面積も大きくな
り、この結果として電子部品の電極との電気的の接続状
態が安定化し、しかも導電性接着剤のアンカー効果が発
現することで、電子部品の電極と基板の導電パターンの
接続面との機械的な接続強度も強くなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１の発明は、少な
くともその一面に導電パターンが設けられた基板と、こ
の基板の前記導電パターンが設けられた面に実装された
電子部品とを備え、前記電子部品は、その前記基板側に
電極を有し、この電極に対向する導電パターンの接続面
を粗面化するとともに、この粗面化された接続面に、前
記電子部品の電極を導電性接着剤により接続した電子部
品実装体であって、導電パターンの接続面を粗面化する
ことにより、この接続面に付着した導電不良物質が除去
されるとともに、その表面積も大きくなり、この結果と
して電子部品の電極との電気的な接続状態が安定化し、
しかも導電性接着剤のアンカー効果が発現することで、
電子部品の電極と基板の導電パターンの接続面との機械
的な接続強度も強くなる。
【０００７】また請求項２の発明は、電子部品は半導体
集積素子（以下ＩＣと称す）としたものであり、このＩ
Ｃの下面の突起電極を導電パターンの接続面に導電性接
着剤で接続した請求項１に記載の電子部品実装体であっ
て、ＩＣ下面の突起電極はきわめて小さいものである
が、それに対応する導電パターンの接続面が粗面化され
ているので、粗面化による接続面積の拡大と、導電性接
着剤に対するアンカー効果の発現により、前記ＩＣの突
起電極は導電パターンの接続面へ強固に接続されること
になる。また導電パターンが粗面化されているので、Ｉ
Ｃ実装時にこのＩＣの突起電極が導電パターンの接続面
上を横すべりすることもなく、この点からも実装に対す
る信頼性の高いものとなる。
【０００８】さらに請求項３の発明は、導電パターンが
厚膜印刷パターンよりなり、接続面はサンドブラストに
よる粗面とした請求項１、または２に記載の電子部品実
装体であって、サンドブラストによって導電パターンの
接続面を粗面化することは、研磨粉の材質、粒径、導電
パターンへの衝突スピード等を制御することにより容易
に形成することができ、しかも導電パターンを厚膜印刷
パターンにて形成しているので、この研磨によって前記
接続面が穴あき状態で除去されてその接続面積が減少し
てしまうことがなく、むしろそれよりは印刷時に接続面
の一部、例えば中央部分が盛り上がった状態となって
も、このサンドブラストによってその部分を押し下げた
状態とし、全体として平面に近づけることができ、よっ
てこの接続面に電子部品の電極を接続しやすいものとな
る。
【０００９】さらにまた請求項４の発明は、接続面の外
周は外方に突出した形状とした請求項３に記載の電子部
品実装体であって、前記接続面も厚膜印刷パターンで形
成しているので、これをサンドブラストで粗面化するこ
とにより、この接続面を請求項３の発明のごとく平面化
することができ、この状態からこの接続面の外周を外方
に突出させることで接続面の面積拡大が図れ、この結果
として導電性接着剤を用いた電子部品の電極との接続強
度が高いものとなる。
【００１０】また請求項５の発明は、導電パターンを厚
膜印刷パターンで形成するとともに、その接続面をドラ
イエッチングによる粗面とした請求項１、または２に記
載の電子部品実装体であって、出力調整を行うことによ
り、厚膜印刷パターンで形成した導電パターンの接続面
を容易に粗面化することができる。
【００１１】さらに請求項６の発明は、導電パターンの
接続面以外の部分をガラス膜で覆うとともに、このガラ
ス膜の表面を粗面化した請求項１〜５のいずれか一つに
記載の電子部品実装体であって、基板上において導電パ
ターンの接続面以外の部分をガラス膜で覆っているの
で、基板に対する導電パターンの密度強度が高く、剥離
等がおきにくくなるとともに、近接する導電パターン間
の短絡もおきにくくなる。
【００１２】また、ガラス膜の表面も粗面化しているの
で、電子部品の実装後に基板上をさらに封止樹脂で覆う
場合には、封止樹脂がガラス膜の粗面部分に入り込んで
アンカー効果が発現され、封止樹脂の封止強度が高くな
り、さらに電子部品の下面にもガラス膜の粗面化により
形成された毛細管経路を介して封止樹脂が入り込み、そ
の結果としてこの封止樹脂が電子部品を基板に接着する
接着剤の作用を果たし、その接続強度が高いものとな
る。
【００１３】さらにまた請求項７の発明は、基板のガラ
ス膜非形成部に位置検出マークを印刷により形成し、こ
の位置検出マークの表面を粗面化した請求項６に記載の
電子部品実装体であって、位置検出マークの表面を粗面
化することにより、光学式の位置検出を行う場合に、こ
の表面における反射が少なくなって、位置検出精度が高
くなるものとなる。
【００１４】また請求項８の発明は、基板の一面側に導
電パターンを形成するとともに、この基板の他面側に設
けた接続電極は、基板に形成したスルーホールを介して
前記一面側の導電パターンに接続し、前記基板の他面側
の接続電極以外の面をガラス膜で覆った請求項６、また
は７に記載の電子部品実装体であって、基板の他面側に
接続電極を設けているので、他の大基板等への接続が行
いやすいものとなる。すなわち、基板の一面側には電子
部品が実装されているので、この一面側において接続電
極を設けることは場所的な制約が大きく困難なものとな
るが、他面側であれば、例えば接続しやすい外周部でも
容易に形成でき、またこの他面側においても基板の一面
側と同様に接続電極以外を覆うガラス膜を設けているの
で、基板の熱的な変形がおきにくく、この点からも上記
の大基板等への接続が行いやすいものとなる。
【００１５】さらに請求項９の発明は、基板の導電パタ
ーンで覆われていない部分を粗面化した請求項１〜８の
いずれか一つに記載の電子部品実装体であって、基板を
粗面化することにより、導電パターンの接続面以外の部
分をガラス膜や封止樹脂で覆ったりする場合に基板が粗
面化されていると、それらの基板に対する接着強度がき
わめて高くなり、しかもこの基板の粗面化は導電パター
ンの接続面の粗面化時に同時に形成することが出来、別
工程が不要で作業性の良いものとなる。
【００１６】さらにまた請求項１０の発明は、電子部品
と基板間を、封止樹脂で封止した請求項９に記載の電子
部品実装体であって、封止樹脂を電子部品と基板間に浸
入させて電子部品の基板に対する接着固定を行う場合に
おいて、電子部品の実装前の基板を粗面化しているの
で、この粗面化による封止樹脂に対するアンカー効果の
発現により、接着固定力が強化され、また電子部品実装
後にこの電子部品を封止樹脂で覆った場合には基板の粗
面化による毛細管現象の発現によりこの基板と電子部品
間にも封止樹脂が浸入し、接着力を発揮することにもな
る。
【００１７】また請求項１１の発明は、基板の外周面を
サンドブラストによる粗面とした請求項１〜１０のいず
れか一つに記載の電子部品実装体であって、基板の外周
面をサンドブラストによる粗面とすることにより、この
基板外周面にクラックが残った状態とはならず、この結
果として以後の製造工程において基板割れが発生するこ
とがなくなる。
【００１８】すなわち基板は大基板の分割溝にて分割形
成されることが多く、例えばこの場合には分割された基
板の外周にはクラックが形成されることが多い。そして
この様に基板外周にクラックが形成された場合には、以
後の製造工程において前記クラックから基板の割れが発
生してしまうことがあるのであるが、前記クラックをサ
ンドブラストで除いておけば基板の割れが発生しなくな
るのである。
【００１９】さらに請求項１２の発明は、請求項１〜１
１のいずれか一つに記載の電子部品実装体を、他の基板
に実装した電子機器であって、基板上に電子部品を強固
に装着し、ユニット化を図った電子部品実装体を、他の
基板に実装することによって電子機器を構成したもので
ある。
【００２０】この場合電子部品実装体が電子部品として
ＩＣを含む混合集積体よりなる機能回路である場合に
は、それを上記他の大きな基板上において他の機能回路
とともに実装するよりは小型化しやすいものとなる。つ
まり上記他の大きな基板上には他の機能回路を形成する
ためにも多くの電子部品を実装しなければならず、これ
ら多くの電子部品を確実に実装するためには、例えば実
装機の実装指が挿入される程度のスペースを確保しなけ
ればならず、大型化しやすくなる。これに対して特にＩ
Ｃを含む混合集積体を電子部品実装体としておけば、他
の基板上には、これは一つのものとして実装すれば良い
ので小型化しやすく、また逆にこの電子部品実装体とし
ても少ない機能回路を形成するので実装する電子部品も
少なく、より実装密度を高めた小さなものとすることも
できる。
【００２１】さらにまた請求項１３の発明は、基板の少
なくとも一面に導電パターンを形成し、次に前記導電パ
ターンの少なくとも接続面を粗面化し、その後電子部品
の電極を、前記導電パターンの接続面に導電性接着剤に
より接続する電子部品実装体の製造方法であって、導電
パターンの接続面を粗面化することにより、この接続面
に付着した導電不良物質が除去されるとともに、その表
面積も大きくなり、この結果として電子部品の電極との
電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着剤のア
ンカー効果が発現することで、電子部品の電極と基板の
導電パターンの接続面との機械的な接続強度も強くな
る。
【００２２】さらにまた請求項１４の発明は、導電パタ
ーンの形成後、この導電パターンの接続面に導通検査用
の導電ゴム体を当接させて導電パターンの導通検査を行
い、その後前記接続面を粗面化する請求項１３に記載の
電子部品実装体の製造方法であって、導通検査後に接続
面の粗面化を行うので、この導通検査時に接続面に残存
付着してしまう導電ゴム体は粗面化時に除去されること
となり、この結果としてこの接続面に電子部品の電極を
良好な状態で電気的、機械的な接続を行うことができ
る。
【００２３】また請求項１５の発明は、導電パターンを
厚膜印刷により形成し、この導電パターンの接続面をサ
ンドブラストにより粗面化する請求項１３、または１４
に記載の電子部品実装体の製造方法であって、サンドブ
ラストによって導電パターンの接続面を粗面化すること
は、研磨粉の材質、粒径、導電パターンへの衝突スピー
ド等を制御することにより容易に形成することができ、
しかも導電パターンを厚膜印刷パターンにて形成してい
るので、この研磨によって前記接続面が穴あき状態で除
去されてその接続面積が減少してしまうことがなく、む
しろそれよりは印刷時に接続面の一部、例えば中央部分
が盛り上がった状態となっても、このサンドブラストに
よってその部分を押し下げた状態とし、全体として平面
に近づけることができ、よってこの接続面に電子部品の
電極を接続しやすいものとなる。
【００２４】さらに請求項１６の発明は、厚膜印刷によ
って形成した導電パターンの接続面を、ドライエッチン
グにより粗面化する請求項１３、または１４に記載の電
子部品実装体の製造方法であって、出力調整を行うこと
によって、厚膜印刷パターンで形成した導電パターンの
接続面を容易に粗面化することができる。
【００２５】さらにまた請求項１７の発明は、導電パタ
ーンの接続面以外の部分をガラス膜で覆うとともに、こ
のガラス膜の表面と導電パターンの接続面を同一工程に
て粗面化する請求項１３〜１６のいずれか一つに記載の
電子部品実装体の製造方法であって、ガラス膜と導電パ
ターンの接続面を例えばサンドブラストによって同一工
程で粗面化するので、作業性の良いものとなる。
【００２６】また請求項１８の発明は、導電パターンが
設けられた基板の表面を、導電パターンの接続面と同一
工程にて粗面化する請求項１３〜１７のいずれか一つに
記載の電子部品実装体の製造方法であって、基板表面
と、導電パターンの接続面とを同一工程にて粗面化する
ので、作業性の良いものとなる。
【００２７】さらに請求項１９の発明は、基板の表面に
位置検出マークを導電パターンと同一工程にて形成し、
この位置検出マークの表面を、導電パターンの接続面と
同一工程にて粗面化する請求項１３〜１８のいずれか一
つに記載の電子部品実装体の製造方法であって、位置検
出マークを導電パターンと同一工程で例えば厚膜印刷に
よって形成するので、作業性が良く、しかも両者の粗面
化も同一工程にて行うので作業性が良いものとなる。
【００２８】さらにまた請求項２０の発明は、導電パタ
ーンの接続面に、電子部品の下面側の電極を接続後、こ
の電子部品と基板間に封止樹脂を注入する請求項１８に
記載の電子部品実装体の製造方法であって、基板の表面
が粗面化されているので、基板上にて電子部品を封止樹
脂にて封止すると前記基板表面の粗面化により発現され
た毛細管現象によって電子部品の下面側にも封止樹脂が
浸入し、電子部品を固着することになり、作業性の良い
ものとなる。
【００２９】また請求項２１の発明は、電子部品の下面
側に対向する導電パターン部分をガラス膜で覆った後
に、このガラス膜の表面と導電パターンの接続面を粗面
化し、その後封止樹脂の注入を行う請求項１８に記載の
電子部品実装体の製造方法であって、ガラス膜の表面が
粗面化されているので、基板上にて電子部品を封止樹脂
にて封止すると前記基板表面の粗面化により発現された
毛細管現象によって電子部品の下面側にも封止樹脂が浸
入し、電子部品を固着することになり、作業性の良いも
のとなる。
【００３０】さらに請求項２２の発明は、導電パターン
の接続面の粗面化と同一工程で基板の外周面の粗面化を
行う請求項１３〜２１のいずれか一つに記載の電子部品
実装体の製造方法であって、基板の外周面の粗面化を行
うことにより、この基板外周面にクラックが残った状態
とはならず、この結果として以後の製造工程において基
板割れが発生することがなくなる。すなわち基板の製造
時に、その外周部にクラックが形成されていると、以後
の製造工程において前記クラックから基板の割れが発生
してしまうことがあるので、このクラックを事前に取除
いて基板の割れを防止するものである。
【００３１】また基板の外周面のクラック除去のための
粗面化は、導電パターンの接続面の粗面化と同一工程に
て行うので、作業効率の良いものになるのである。
【００３２】さらにまた請求項２３の発明は、大基板に
分割用の溝を形成し、この溝で分割して基板を形成する
請求項２２に記載の電子部品実装体の製造方法であっ
て、分割溝による分割で大基板から複数の基板を分割形
成するので、基板の形成が簡単に行え、しかもこの様に
基板を分割形成することによってその外周部にクラック
が形成されたとしても、そのクラックは導電パターンの
接続面の粗面化と同時に行われる基板外周部の粗面化に
より除去されることとなるので、このクラックによる以
後の製造工程における基板割れが発生することはなくな
る。
【００３３】また請求項２４の発明は、プレート上に複
数の基板を直線状に配置し、直線状となった前記複数の
基板の集合体の長手方向両側部をガイド部材で位置規制
した状態で、ノズルから基板への研磨粉の吹き付けによ
り粗面化を行う請求項２２、または２３に記載の電子部
品実装体の製造方法であって、プレート上に複数の基板
を並べて粗面化を行うので、同時に多数枚の基板の粗面
化が行え、作業効率の良いものとなる。
【００３４】さらに請求項２５の発明は、プレート上に
テープで基板を貼付した状態で、ノズルから基板への研
磨粉の吹き付けにより粗面化を行う請求項２２、または
２３に記載の電子部品実装体の製造方法であって、プレ
ート上にテープで基板を貼付けて粗面化を行うようにし
たので、ノズルから吹き出された研磨粉によって基板が
プレート上を揺動することはなく、この結果として基板
の導電パターンの接続部、および基板外周部の粗面化が
確実に行えるようになるのである。
【００３５】さらにまた請求項２６の発明は、テープの
幅を基板の幅よりも小さくした請求項２５に記載の電子
部品実装体の製造方法であって、テープの幅を基板の幅
よりも小さくすることによって、基板の外周部はテープ
の非接着面となるので、この外周部はノズルから吹き付
けられる研磨粉によって粗面化が行われやすくなり、ま
たこの粗面化後には基板のテープの非接着面部から基板
をプレート上から容易に取外すことができるようにな
る。
【００３６】また請求項２７の発明は、長尺状のテープ
の長手方向に、所定間隔をあけて複数の基板を貼付した
請求項２５、または２６に記載の電子部品実装体の製造
方法であって、長尺状のテープの長手方向に複数の基板
を貼付けて粗面化を行うので、同時に複数の基板の粗面
化が行え、作業効率の良いものとなり、しかも各基板間
に所定間隔をあけているので、各基板ともその外周部の
粗面化が確実に行われるようになる。
【００３７】さらに請求項２８の発明は、テープの外径
を基板の外径よりも小さくし、このテープを介してプレ
ート上に基板を貼付した請求項２５に記載の電子部品実
装体の製造方法であって、テープの外径を基板の外径よ
りも小さくしているので、基板の外周全体にテープの非
接着面が形成され、その結果としてノズルから吹き出さ
れた研磨粉によって基板の全外周部が粗面化されやすく
なる。
【００３８】さらにまた請求項２９の発明は、プレート
上に複数の基板を所定間隔をあけて配置した状態で、掃
引されるノズルから基板に研磨粉を吹き付けて粗面化を
行う請求項２４〜２８のいずれか一つに記載の電子部品
実装体の製造方法であって、ノズルを掃引することによ
って複数設けた各基板に対して略均一に粗面化を行うこ
とができることになる。
【００３９】また各基板に対してノズルから十分な研磨
粉の吹き付けを行うことができるので、基板上に設けた
導電パターンがこの基板に対して不安定な状態となって
いるものに対しては、この不安定な導電パターンをこの
粗面化時に取除いて以後の不良を事前に回避することも
できる。
【００４０】また請求項３０の発明は、ノズルがプレー
ト上を矩形波状に掃引する請求項２９に記載の電子部品
実装体の製造方法であって、プレート上に複数設けた基
板に対してノズルから研磨粉を吹き付けて粗面化を行う
場合、このノズルを矩形波状に掃引する様にすれば、小
さなノズルでプレート上に複数配置した基板に対して略
均一な粗面化が行えることになる。
【００４１】さらに請求項３１の発明は、ノズルをプレ
ート上に複数回掃引させる請求項３０に記載の電子部品
実装体の製造方法であって、ノズルの複数回掃引を行う
ことにより、プレート上に配置した複数の基板に対する
粗面化が十分にまた均一に行いやすくなる。
【００４２】さらにまた請求項３２の発明は、ノズルの
第１回目の掃引軌跡と第２回目の掃引軌跡を異ならせた
請求項３１に記載の電子部品実装体の製造方法であっ
た、第１回目の掃引軌跡と第２回目の掃引軌跡を異なら
せることにより、ノズルから吹き出される研磨粉の吹出
パターンにむらが生じていたとしても、プレート上に配
置した複数の基板に対して均一な粗面化が行いやすいも
のとなる。
【００４３】また請求項３３の発明は、プレート上をノ
ズルで往復掃引する請求項３０に記載の電子部品実装体
の製造方法であって、プレート上をノズルで矩形波状に
往復掃引することにより、小さなノズルでプレート上に
配置した複数の基板をより均一な状態で粗面化すること
ができる。
【００４４】さらに請求項３４の発明は、ノズルの往路
軌跡と復路軌跡とを異ならせた請求項３３に記載の電子
部品実装体の製造方法であって、ノズルの往路軌跡と復
路軌跡を異ならせることによりノズルから吹き出される
研磨粉の吹出パターンにむらが生じていたとしても、プ
レート上に配置した複数の基板に対して均一な粗面化が
行いやすいものとなる。
【００４５】さらにまた請求項３５の発明は、ノズルの
開口幅を基板の幅よりも大きくした請求項２４〜３４の
いずれか一つに記載の電子部品実装体の製造方法であっ
て、ノズルの開口幅をプレート上に配置した基板の幅よ
りも大きくすることにより、ノズルから吹き出される研
磨粉により各基板とも一度ごとに全面的な粗面化が行わ
れることとなるので、粗面化が均一なものとなりやす
い。
【００４６】また請求項３６の発明は、ノズルによるプ
レート上の掃引後、プレートを回動させて再度ノズルに
よるプレート上の掃引を行う請求項２４〜３５のいずれ
か一つに記載の電子部品実装体の製造方法であって、ノ
ズルによるプレート上の掃引後にプレートを回動させた
後に再度ノズルによるプレート上の掃引を行うようにす
れば、例えば基板は一方向と他方向から粗面化が行われ
た状態ともすることができ、より均一な粗面化が行われ
ることになるのである。
【００４７】さらに請求項３７の発明は、プレートを略
９０度回動後にノズルによるプレート上の掃引を行う請
求項３６に記載の電子部品実装体の製造方法であって、
プレート上の各基板はＸ方向とＹ方向から粗面化が行わ
れた状態とすることができるので、より均一な粗面化が
行われることになるのである。
【００４８】さらにまた請求項３８の発明は、ノズルか
ら大径の研磨粉を基板に吹き付けて粗面化を行った後、
前記大径の研磨粉より小径の研磨粉を基板に吹き付けて
粗面化を行う請求項２４〜３７のいずれか一つに記載の
電子部品実装体の製造方法であって、ノズルから大径の
研磨粉を基板に吹き付けることにより基板面を大きく粗
面化したり、不完全な導電パターンを事前に分断して以
後の不良を事前に防止したりすることができ、しかもそ
の後に小径の研磨粉で細粗面化を行うので基板上への電
子部品の実装に支障を来たすこともなくなる。
【００４９】また請求項３９の発明は、プレートを反転
させてその下面側に基板を配置させ、この基板の下方に
設けたノズルから研磨粉を上方の基板に吹き付ける請求
項２４〜３８のいずれか一つに記載の電子部品実装体の
製造方法であって、プレートを反転させてその下面側に
基板を配置させた状態で、この基板の下方のノズルから
研磨粉を上方の基板に吹き付ける様にすれば、粗面化後
の研磨粉や研磨屑は下方に落下して基板上に残りにくく
なるので、これらが残存することによる導電パターンの
接続部における電子部品の電極との接続不良等がおきに
くく、または以後のこれら残存物の除去工程が簡単なも
のとなる。
【００５０】さらに請求項４０の発明は、ノズルから基
板への研磨粉の吹き付けによる粗面化後、基板の粗面部
分に気体を吹き付ける請求項２４〜３９のいずれか一つ
に記載の電子部品実装体の製造方法であって、粗面化後
の研磨粉や研磨屑を気体で基板上から吹き飛ばすことに
より、これらの研磨粉や研磨屑が基板上に残ることによ
る導電パターンの接続部における電子部品の電極との接
続不良等がおきにくくなる。
【００５１】さらにまた請求項４１の発明は、基板の粗
面化後、この基板を、酸素を含有しない液体中にて超音
波洗浄する請求項２２〜４０のいずれか一つに記載の電
子部品実装体の製造方法であって、粗面化後に液体中に
て超音波洗浄することにより基板上から研磨粉や研磨屑
を除去して、これらの研磨粉や研磨屑が基板上に残存す
ることによる導電パターンの接続部における電子部品の
電極との接続不良等を防止することができ、しかも酸素
を含有しない液体を用いて超音波洗浄するので、導電パ
ターンの接続面がこの洗浄工程によって大きく酸化し
て、電子部品の電極との接続が行えなくなることはな
い。
【００５２】また請求項４２の発明は、液体としてアル
コールを用いた請求項４１に記載の電子部品実装体の製
造方法であって、液体としてアルコールを用いたことに
より超音波洗浄をすることにより導電パターンの接続面
が酸化することはなく、しかも洗浄後には容易に乾燥さ
せることができる。
【００５３】さらに請求項４３の発明は、容器内に複数
の基板を立てた状態で収納させ、この容器ごと基板を液
体中に浸漬させて超音波洗浄を行う請求項４２に記載の
電子部品実装体の製造方法であって、洗浄時に用いる容
器は複数の基板を立てた状態で収納できるので、一度に
多数枚の基板の洗浄を行うことができ、しかも基板が立
設されているので、研磨粉や研磨屑が基板下方に落下す
ることになり、高い洗浄効果が得られる。
【００５４】さらにまた請求項４４の発明は、容器内に
おいて各基板ごとに収納空間を設け、各収納空間内に基
板を揺動自在に収納させた請求項４３に記載の電子部品
実装体の製造方法であって、容器内において各基板ごと
に収納空間を設けるとともに、この収納空間内に基板を
揺動自在に収納させているので、超音波洗浄時に基板が
揺動することとなり、その結果として洗浄効果を高める
ことができる。
【００５５】また請求項４５の発明は、液体中から取出
した基板に酸素含有量の少ない気体を吹き付ける請求項
４１〜４４のいずれか一つに記載の電子部品実装体の製
造方法であって、洗浄後の基板に気体を吹き付けること
により、基板の乾燥を速くすることができるだけでな
く、基板に再付着した研磨粉や研磨屑を効果的に除去す
ることができ、しかも吹き付ける気体は酸素量の少ない
ものであるので、この気体吹き付けにより導電パターン
の接続面が大きく酸化して、電子部品の電極との導通不
良が生じるのを防止することができる。
【００５６】さらに請求項４６の発明は、気体の吹き付
け後の基板を、脱空気雰囲気中にて保管する請求項４５
に記載の電子部品実装体の製造方法であって、洗浄、乾
燥後の基板を脱空気雰囲気中にて保管することにより、
この基板の導電パターンの接続面の大きな酸化を防止す
ることができ、この結果として後工程における電子部品
の電極との接続不良を防止することができる。
【００５７】図１、図２において、１はアルミナ製の基
板で、この基板１には図３〜図６に示すごとく必要箇所
に複数の貫通孔２が設けられており、先ずこれら複数の
貫通孔２内には図３に示すごとくＡｇＰｄ等の導電物質
３が充填（図１４のＡ）される。
【００５８】次に基板１の表面側には図３、図４のごと
く貫通孔２内の導電物質３と導通するＡｇＰｄまたはＡ
ｇ製の線状の導電パターン４が厚膜印刷によって形成さ
れ、また図３に示すごとく基板１の裏面側には同じく導
電物質３と導通するＡｇＰｄまたはＡｇ製の円形の導電
パターン４が厚膜印刷によって形成され（図１４の
Ｂ）、この状態で導電パターン４の焼成（図１４のＣ）
が行われる。
【００５９】その後基板１表面の外周には図３に示すよ
うに、枠状の、また内周には図５に示すように結晶化ガ
ラスよりなる四角形状の絶縁ガラス膜５が印刷され、さ
らにまた基板１裏面の略全面で導電パターン４を除く部
分には図３、図５、図６に示すごとく絶縁ガラス膜５が
印刷（図１４のＤ）によって形成され、これにより基板
１への湿気の浸入を防ぎ、導電パターン４のマイグレー
ションを防止するようにしている。
【００６０】この状態で基板１の絶縁ガラス膜５は８５
０℃で焼成（図１４のＥ）される。次に、耐湿性をさら
に高めるために図１〜図３に示すように非結晶化ガラス
よりなるオーバーコート膜６が印刷（図１４のＦ）によ
り形成され、その後６００℃でオーバーコート膜６の焼
成（図１４のＧ）が行われる。
【００６１】以上の工程により、基板１表面には図５に
示すごとく導電パターン４の接続面４ａだけが断続的な
枠状に表出した状態となっており、次の工程ではこの基
板１表面側に導電ゴム板（図示せず）が当接され、また
基板１裏面側の円形の導電パターン４には導通検査用電
極（図示せず）が当接され、導通検査が行われる。
【００６２】すなわち基板１表面側には、後述する電子
部品の電極と接続するために、図５に示すように狭い間
隔で複数の接続面４ａが接近配置されているので、夫々
の接続面４ａにそれぞれ導通検査用電極を当接させるの
は非常に困難な作業となるので、この表面側には導電ゴ
ム板を押付けて全接続面４ａを短絡する。一方裏面側に
おいては、図３のごとく前記接続面４ａと貫通孔２内の
導電物質３を介して導通する円形の導電パターン４が設
けられているが、この円形の導電パターン４は図６から
も理解されるように基板１の全面に分散され、隣接間に
は十分な距離が設けられるので、容易に導通検査用電極
を当接させることができる。
【００６３】そして基板１の裏面側の二つの導電パター
ン４間の導通状態を確認することで、基板１表面の接続
面４ａと裏面の円形の導電パターン４間の導通検査（図
１４のＨ）を行う。
【００６４】この導通検査の終了後は基板１表面の導電
ゴム板と裏面の導通検査用電極を取外し、次に基板１の
表面にサンドブラスト処理を行う。
【００６５】すなわち基板１表面の接続面４ａ上には図
３に示すごとく電子部品の一例として用いたＩＣ７の下
面の突起電極７ａが導電性接着剤８で接続されるのであ
るが、上記接続面４ａには、導通検査時に押付けた導電
ゴム板の一部が付着し、これにより接続面４ａと突起電
極７ａ間の導通不良が生ずることがある。
【００６６】そこでこのＩＣ７の実装前に接続面４ａ上
の付着物を除去するために、基板１の表面側に対してサ
ンドブラスト処理（図１４のＩ）を行うのである。
【００６７】図７はサンドブラスト前の基板１表面を示
し、粒径５〜７μｍのＳｉＣ粉体を吹き付けるサンドブ
ラスト処理を行うことによって接続面４ａは図８、図９
に示すように粗面化が行われ、これによって表面への付
着物の除去も行われ、この結果として上記接続面４ａと
突起電極７ａの導通不良は生じなくなる。
【００６８】またこの粗面化により、この接続面４ａに
付着した導電不良物質が除去されるだけでなく、その表
面積も大きくなり、この結果としてＩＣ７の突起電極７
ａとの電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着
剤８のアンカー効果が発現することで、ＩＣ７の突起電
極７ａと基板１の導電パターン４の接続面４ａとの機械
的な接続強度も強くなる。特にＩＣ７下面の突起電極７
ａはきわめて小さいものであるが、それに対応する導電
パターン４の接続面４ａが粗面化されているので、粗面
化による接続面積の拡大と、導電性接着剤８に対するア
ンカー効果の発現により、前記ＩＣ７の突起電極７ａは
導電パターン４の接続面４ａへ強固に接続されることに
なる。また導電パターン４の接続面４ａが粗面化されて
いるので、ＩＣ７実装時にこのＩＣ７の突起電極７ａが
導電パターン４の接続面４ａ上を横すべりすることもな
く、この点からも実装に対する信頼性の高いものとな
る。
【００６９】また本実施形態における導電パターン４は
厚膜印刷パターンよりなるものであって、サンドブラス
トによって導電パターン４の接続面４ａを粗面化するこ
とは、研磨粉の材質、粒径、導電パターン４への衝突ス
ピード等を制御することにより容易に形成することがで
き、しかも導電パターン４を厚膜印刷パターンにて形成
しているので、この研磨によって前記接続面４ａが穴あ
き状態で除去されてその接続面積が減少してしまうこと
がなく、むしろそれよりは印刷時に接続面４ａの一部、
例えば中央部分が盛り上がった状態となっても、このサ
ンドブラストによってその部分を図９のごとく押し下げ
た状態とし、全体として平面に近づけることができ、よ
ってこの接続面４ａにＩＣ７の突起電極７ａを接続しや
すいものとなる。
【００７０】なお前記接続面４ａも当然のことながら厚
膜印刷パターンで形成しているので、これをサンドブラ
ストで粗面化することにより、上述のごとくこの接続面
４ａを平面化することができ、この状態からさらにサン
ドブラストを行うとこの接続面４ａの外周を図９のごと
く外方に突出させることで接続面４ａの面積拡大が図
れ、この結果として導電性接着剤８を用いたＩＣ７の突
起電極７ａとの接続強度が高いものとなる。
【００７１】また単に接続面４ａの粗面化を行うだけで
あれば、導電パターン４を厚膜印刷パターンで形成する
とともに、その接続面４ａをドライエッチングにより粗
面化しても良い。
【００７２】なおこのサンドブラストにより導電パター
ン４の接続面４ａ以外にも、基板１の他の全ての部分、
具体的には図３、図５に示す接続面４ａ内、外方のオー
バーコート膜６の表面や接続面４ａにおいて表出してい
る基板１の表面部分、および導電パターン４と同一工程
で基板１の対角線部分の二箇所に印刷された位置検出マ
ーク９も粗面化される。
【００７３】そして位置検出マーク９の表面を粗面化す
ることにより、ＩＣ７の実装に際して基板１の光学式の
位置検出を行う場合に、この位置検出マーク９表面にお
ける反射が少なくなって、位置検出精度が高くなり、そ
の結果としてＩＣ７を基板１上に適切に実装することが
できる。
【００７４】なおこの実装は上述のごとく接続面４ａ上
に導電性接着剤８を印刷した後にＩＣ７を実装（図１４
のＪ）し、その後５０〜１２０℃で導電性接着剤８の乾
燥（図１４のＫ）を行うことによって行う。
【００７５】次に基板１とＩＣ７との間に図３の封止樹
脂１０を注入（図１４のＬ）する。この場合ＩＣ７の下
方に位置する図５のオーバーコート膜６の表面は、上記
サンドブラストにより図１０、図１１のごとく粗面化さ
れており、この粗面化により封止樹脂１０の浸入を助け
る毛細管現象が発現し、この結果として封止樹脂１０が
ＩＣ７と基板１間に浸入しやすくなる。また浸入した封
止樹脂１０は次工程において１２０〜１５０℃で硬化
（図１４のＭ）することにより、オーバーコート膜６表
面の粗面化によるアンカー効果が発現し、この結果とし
てＩＣ７をこのオーバーコート膜６に強固に接着するこ
とになる。
【００７６】またＩＣ７の外方の基板１表面もサンドブ
ラストにより図１２、図１３のごとく粗面化されてお
り、そのアンカー効果により封止樹脂１０の外周部分に
対する接着強度も高くなる。
【００７７】以上のようにして図１、図２に示すＩＣ７
の実装および封止樹脂１０による封止が完了すると基板
１裏面の円形の導電パターン４の表面に図３に示す半田
１１を塗布（図１４のＮ）し、最後にこの半田１１部に
検査用端子（図示せず）を当接させて検査（図１４の
Ｏ）を行う。
【００７８】図１５、図１６は基板１表面のサンドブラ
スト（図１４のＩ）工程を説明するものである。
【００７９】つまり図１５のごとく金属製、またはセラ
ミック製のプレート１２上に長尺状の両面テープ１３の
長手方向に基板１を貼付した状態で、図１６のごとくノ
ズル１４から基板１への研磨粉の吹き付けにより粗面化
を行うのである。そしてこの様に、プレート１２上に両
面テープ１３で基板１を貼付けて粗面化を行うようにす
れば、ノズル１４から吹き出された研磨粉によって基板
１がプレート１２上を揺動することはなく、この結果と
して基板１の導電パターン４の接続面４ａ、および基板
１外周部の粗面化が確実に行えるようになるのである。
【００８０】つまり図１５、図１６の各基板１は、大基
板に分割用の溝を形成し、この溝で分割して形成したも
のであって、分割溝による分割で大基板から複数の基板
１を分割形成すれば基板１の形成が簡単に行える。しか
しながらこの様に基板１を分割形成するとその外周部に
クラックが形成されることがある。そしてこの様に基板
１の製造時に、その外周部にクラックが形成されている
と、以後の製造工程において前記クラックから基板１の
割れが発生してしまうことがあるので、本実施形態にお
いてはこのクラックをノズル１４からの研磨粉の吹き付
けにより事前に取除き、これにより基板１の割れを防止
するようにしている。
【００８１】またこの基板１の外周面のクラック除去の
ための粗面化を、導電パターン４の接続面４ａの粗面化
と同一工程にて行うことで、作業効率の良いものとして
いる。
【００８２】なおノズル１４はプレート１２上を図１６
のごとく矩形波状に掃引するようにしており、プレート
１２上に複数設けた基板１に対してノズル１４から研磨
粉を吹き付けて粗面化を行う場合、このノズル１４を矩
形波状に掃引する様にすれば、小さなノズル１４でプレ
ート１２上に複数配置した基板１に対して略均一な粗面
化が行えることになる。
【００８３】またこの場合、ノズル１４はプレート１２
上に複数回往復掃引させるようにしており、ノズル１４
を複数回往復掃引させることにより、プレート１２上に
配置した複数の基板１に対する粗面化が十分にまた均一
に行いやすくなる。
【００８４】またノズル１４の第１回目の掃引軌跡と第
２回目の掃引軌跡を異ならせても良く、第１回目の掃引
軌跡と第２回目の掃引軌跡を異ならせることにより、ノ
ズル１４から吹き出される研磨粉の吹出パターンにむら
が生じていたとしても、プレート１２上に配置した複数
の基板１に対して均一な粗面化が行いやすいものとな
る。
【００８５】なお両面テープ１３の幅は図１５のごとく
各基板１の幅よりも小さくしており、両面テープ１３の
幅を基板１の幅よりも小さくすることによって、基板１
の外周部のうち、一対の辺１ａは両面テープ１３の非接
着面となる。このため、この一対の辺１ａ部分はノズル
１４から吹き付けられる研磨粉によって粗面化が行われ
やすくなり、またこの粗面化後には基板１の両面テープ
１３の非接着面部、つまり辺１ａ部分から基板１をプレ
ート１２上から容易に取外すことができるようになる。
【００８６】なお図１５においては一列目の基板１と二
列目の基板１、二列目と三列目の基板１、三列目と四列
目の基板１がその辺１ａ同士で接した様になっている
が、これら隣接する基板１の辺１ａ同士間にはノズル１
４からの研磨粉が十分に通過することができる隙間が形
成されており、よって各列の基板１ともその辺１ａ部分
の粗面化が十分に行える様になっている。
【００８７】また基板１の他の一対の辺１ｂ部分の粗面
化も効果的に行われるようにするには、長尺状の両面テ
ープ１３の長手方向に、所定間隔をあけて複数の基板１
を貼付すれば良く、各基板１の辺１ｂ間に所定間隔をあ
けておれば、その辺１ｂ部分にもノズル１４からの研磨
粉が十分に到達でき、この結果として各基板ともその辺
１ｂ部分の粗面化も確実に行われるようになるのであ
る。
【００８８】なおこの様に各基板１の外周の辺１ａ，１
ｂ部分間に間隙を設けても、辺１ｂ部分の中央部は両面
テープ１３でプレート１２上に接着しているので、この
部分の粗面化が十分に行われないことがある。
【００８９】そこで、この場合には両面テープ１３の外
径を基板１の外径よりも小さくし、この両面テープ１３
を介してプレート１２上に各基板１を貼付するようにす
れば良い。
【００９０】つまりこの様にすれば基板１の外周（辺１
ａ，１ｂ）全体に両面テープ１３の非接着面が形成さ
れ、その結果としてノズル１４から吹き出された研磨粉
によって基板１の全外周部が粗面化されやすくなる。
【００９１】また上記ノズル１４からの研磨粉による基
板１の粗面化は次の様にして行っても良い。
【００９２】つまり、ノズル１４によるプレート１２上
の図１６に示す掃引後、プレート１２を略９０度回動さ
せて再度ノズル１４によるプレート１２上の掃引を行う
ようにしても良く、この様にノズル１４によるプレート
１２上の掃引後にプレート１２を略９０度回動させ、そ
の後再びノズル１４によるプレート１２上の掃引を行う
ようにすれば、例えば基板１は一方向（Ｘ方向）と他方
向（Ｙ方向）から粗面化が行われた状態にすることがで
き、より均一な粗面化が行われることになるのである。
【００９３】またノズル１４の開口幅を基板１の幅より
も大きくしても良く、ノズル１４の開口幅をプレート１
２上に配置した基板１の幅よりも大きくすることによ
り、ノズル１４から吹き出される研磨粉により各基板１
とも一度ごとに全面的な粗面化が行われることとなるの
で、粗面化が均一なものとなりやすい。
【００９４】またノズル１４から大径の研磨粉を基板１
に吹き付けて粗面化を行った後、前記大径の研磨粉より
小径の研磨粉を基板１に吹き付けて粗面化を行うように
しても良く、ノズル１４から大径の研磨粉を基板１に吹
き付けることにより基板１面を大きく粗面化したり、不
完全な導電パターン４を事前に分断して以後の不良を事
前に防止したりすることができ、しかもその後に小径の
研磨粉で細粗面化を行えば基板１上への電子部品の実装
に支障を来たすこともなくなるのである。
【００９５】なお以上の説明では基板１をプレート１２
上に両面テープ１３で貼付したが次の様にして各基板１
をプレート１２上に固定しても良い。
【００９６】つまり、プレート１２上に複数の基板１を
直線状に配置し、直線状となった前記複数の基板１の集
合体の長手方向両側部をガイド部材で位置規制した状態
で、ノズル１４から基板１へ研磨粉を吹き付け、これに
より同時に多数枚の基板１の粗面化を行うようにしても
良い。
【００９７】なお、ノズル１４からの研磨粉の吹き付け
は図１７に示すように基板１の下方から行うようにして
も良い。
【００９８】つまり、プレート１２を図１７のごとく反
転させて、その下面側に基板１を配置させ、この基板１
の下方に設けたノズル１４から研磨粉を上方の基板１に
吹き付けるようにしても良く、基板１の下方側のノズル
１４から研磨粉を上方の基板１に吹き付ける様にすれ
ば、粗面化後の研磨粉や研磨屑は下方に落下して基板１
上に残りにくくなる。この結果、これらの研磨粉や研磨
屑が基板１上に残存することによる導電パターン４の接
続面４ａにおけるＩＣ７の突起電極７ａとの接続不良等
がおきにくく、または以後のこれら残存物の除去工程が
簡単なものとなる。
【００９９】またノズル１４から基板１への研磨粉の吹
き付けによる粗面化後、基板１の粗面部分に酸素の少な
い気体を吹き付けるようにしても良く、粗面化後の研磨
粉や研磨屑を気体で基板１上から吹き飛ばすことによ
り、これらの研磨粉や研磨屑が基板１上に残ることによ
る導電パターン４の接続面４ａにおけるＩＣ７の突起電
極７ａとの接続不良等がおきにくくなる。そしてこの様
に研磨粉や研磨屑が除かれた基板１はさらに図１８のご
とく超音波洗浄にて洗浄されることになる。
【０１００】すなわち図１８において１５は水槽で、こ
の水槽１５の底面下には超音波振動子１６が取付けられ
ている。
【０１０１】また水槽１５内には網目状の容器１７が設
けられ、この容器１７の各収納部１７ａ内に基板１が揺
動自在に収納されている。
【０１０２】つまりこの実施形態では基板１を、酸素を
含有しない液体の一例として用いたアルコール中にて超
音波洗浄するものであって、粗面化後に液体中にて超音
波洗浄することにより基板１上から研磨粉や研磨屑を除
去して、これらの研磨粉や研磨屑が基板１上に残存する
ことによる導電パターン４の接続面４ａにおけるＩＣ７
の突起電極７ａとの接続不良等を防止するものである。
しかも酸素を含有しない液体、例えばアルコールを用い
て超音波洗浄するので、導電パターン４の接続面４ａが
この洗浄工程によって大きく酸化して、ＩＣ７の突起電
極７ａとの接続が行えなくなることもない。
【０１０３】また液体としてアルコールを用いたことに
より超音波洗浄により導電パターン４の接続面４ａが酸
化することもなく、しかも洗浄後には容易に乾燥させる
ことができる。
【０１０４】さらに図１８のごとく容器１７内に複数の
基板１を立てた状態で超音波洗浄を行えば一度に多数枚
の基板１の洗浄を行うことができ、しかも基板１が立設
されているので、研磨粉や研磨屑が基板１下方に落下す
ることになり、高い洗浄効果が得られる。
【０１０５】また容器１７の各収納空間１７ａ内に基板
１を揺動自在に収納させているので、超音波洗浄時に基
板１が揺動することとなり、その結果として洗浄効果を
高めることができる。そしてこの様に基板１の洗浄が終
了した後は、アルコール中から基板１を取出し、これを
乾燥させることになる。
【０１０６】その際アルコール中から取出した基板１に
酸素含有量の少ない気体を吹き付ける。そしてこの様に
洗浄後の基板１に気体を吹き付けることにより、基板１
の乾燥を速くすることができるだけでなく、基板１に再
付着した研磨粉や研磨屑を効果的に除去することがで
き、しかも吹き付ける気体は酸素量の少ないものである
ので、この気体吹き付けにより導電パターン４の接続面
４ａが大きく酸化することもない。
【０１０７】またこの様な基板１の乾燥後には基板１
を、脱空気雰囲気中にて保管することが好ましく、この
基板１の導電パターン４の接続面４ａの大きな酸化を防
止することができ、この結果として後工程におけるＩＣ
７の突起電極７ａとの接続不良を防止することができ
る。
【０１０８】
【発明の効果】以上のように本発明は、少なくともその
一面に導電パターンが設けられた基板と、この基板の前
記導電パターンが設けられた面に実装された電子部品と
を備え、前記電子部品は、その前記基板側に電極を有
し、この電極に対向する導電パターンの接続面を粗面化
するとともに、この粗面化された接続面に、前記電子部
品の電極を導電性接着剤により接続した電子部品実装体
であって、導電パターンの接続面を粗面化することによ
り、この接続面に付着した導電不良物質が除去されると
ともに、その表面積も大きくなり、この結果として電子
部品の電極との電気的の接続状態が安定化し、しかも導
電性接着剤のアンカー効果が発現することで、電子部品
の電極と基板の導電パターンの接続面との機械的な接続
強度も強くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の斜視図
【図２】同平面図
【図３】同要部断面図
【図４】同製造工程にある基板の平面図
【図５】同製造工程にある基板の平面図
【図６】同製造工程にある基板の裏面図
【図７】同製造工程にある基板の要部斜視図
【図８】同製造工程にある基板の要部斜視図
【図９】同製造工程にある基板の要部断面図
【図１０】同製造工程にあるオーバーコート膜の断面図
【図１１】同製造工程にあるオーバーコート膜の断面図
【図１２】同製造工程にある基板の断面図
【図１３】同製造工程にある基板の断面図
【図１４】同製造工程図
【図１５】同製造工程の粗面化工程を示す平面図
【図１６】同平面図
【図１７】同側面図
【図１８】同洗浄工程を示す断面図
【符号の説明】
１ 基板 ２ 貫通孔 ３ 導電物質 ４ 導電パターン ４ａ 接続面 ５ 絶縁ガラス膜 ６ オーバーコート膜 ７ ＩＣ ７ａ 突起電極 ８ 導電性接着剤 １０ 封止樹脂

Claims (46)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくともその一面に導電パターンが設
    けられた基板と、この基板の前記導電パターンが設けら
    れた面に実装された電子部品とを備え、前記電子部品
    は、その前記基板側に電極を有し、この電極に対向する
    導電パターンの接続面を粗面化するとともに、この粗面
    化された接続面に、前記電子部品の電極を導電性接着剤
    により接続した電子部品実装体。
  2. 【請求項２】 電子部品は半導体集積素子（以下ＩＣと
    称す）よりなり、このＩＣの下面の突起電極を導電パタ
    ーンの接続面に導電性接着剤で接続した請求項１に記載
    の電子部品実装体。
  3. 【請求項３】 導電パターンは厚膜印刷パターンよりな
    り、接続面はサンドブラストによる粗面とした請求項
    １、または２に記載の電子部品実装体。
  4. 【請求項４】 接続面の外周は外方に突出した形状とし
    た請求項３に記載の電子部品実装体。
  5. 【請求項５】 導電パターンは厚膜印刷パターンよりな
    り、接続面はドライエッチングによる粗面とした請求項
    １、または２に記載の電子部品実装体。
  6. 【請求項６】 導電パターンの接続面以外の部分をガラ
    ス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面を粗面化した
    請求項１〜５のいずれか一つに記載の電子部品実装体。
  7. 【請求項７】 基板のガラス膜非形成部に位置検出マー
    クを印刷により形成し、この位置検出マークの表面を粗
    面化した請求項６に記載の電子部品実装体。
  8. 【請求項８】 基板の一面側に導電パターンを形成する
    とともに、この基板の他面側に設けた接続電極は、基板
    に形成したスルーホールを介して前記一面側の導電パタ
    ーンに接続し、前記基板の他面側の接続電極以外の面を
    ガラス膜で覆った請求項６、または７に記載の電子部品
    実装体。
  9. 【請求項９】 基板の導電パターンで覆われていない部
    分を粗面化した請求項１〜８のいずれか一つに記載の電
    子部品実装体。
  10. 【請求項１０】 電子部品と基板間を、封止樹脂で封止
    した請求項９に記載の電子部品実装体。
  11. 【請求項１１】 基板の外周面をサンドブラストによる
    粗面とした請求項１〜１０のいずれか一つに記載の電子
    部品実装体。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか一つに記載
    の電子部品実装体を、他の基板に実装した電子機器。
  13. 【請求項１３】 基板の少なくとも一面に導電パターン
    を形成し、次に前記導電パターンの少なくとも接続面を
    粗面化し、その後電子部品の電極を、前記導電パターン
    の接続面に導電性接着剤により接続する電子部品実装体
    の製造方法。
  14. 【請求項１４】 導電パターンの形成後、この導電パタ
    ーンの接続面に導通検査用の導電ゴム体を当接させて導
    電パターンの導通検査を行い、その後前記接続面を粗面
    化する請求項１３に記載の電子部品実装体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 導電パターンは印刷により形成し、こ
    の導電パターンの接続面をサンドブラストにより粗面化
    する請求項１３、または１４に記載の電子部品実装体の
    製造方法。
  16. 【請求項１６】 厚膜印刷によって形成した導電パター
    ンの接続面を、ドライエッチングにより粗面化する請求
    項１３、または１４に記載の電子部品実装体の製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 導電パターンの接続面以外の部分をガ
    ラス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面と導電パタ
    ーンの接続面を同一工程にて粗面化する請求項１３〜１
    ６のいずれか一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  18. 【請求項１８】 導電パターンが設けられた基板の表面
    を、導電パターンの接続面と同一工程にて粗面化する請
    求項１３〜１７のいずれか一つに記載の電子部品実装体
    の製造方法。
  19. 【請求項１９】 基板の表面に位置検出マークを導電パ
    ターンと同一工程にて形成し、この位置検出マークの表
    面を、導電パターンの接続面と同一工程にて粗面化する
    請求項１３〜１８のいずれか一つに記載の電子部品実装
    体の製造方法。
  20. 【請求項２０】 導電パターンの接続面に、電子部品の
    下面側の電極を接続後、この電子部品と基板間に封止樹
    脂を注入する請求項１８に記載の電子部品実装体の製造
    方法。
  21. 【請求項２１】 電子部品の下面側に対向する導電パタ
    ーン部分をガラス膜で覆った後に、このガラス膜の表面
    と導電パターンの接続面を粗面化し、その後封止樹脂の
    注入を行う請求項１８に記載の電子部品実装体の製造方
    法。
  22. 【請求項２２】 導電パターンの接続面の粗面化と同一
    工程で基板の外周面の粗面化を行う請求項１３〜２１の
    いずれか一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  23. 【請求項２３】 大基板に分割用の溝を形成し、この溝
    で分割して基板を形成する請求項２２に記載の電子部品
    実装体の製造方法。
  24. 【請求項２４】 プレート上に複数の基板を直線状に配
    置し、直線状となった前記複数の基板の集合体の長手方
    向両側部をガイド部材で位置規制した状態で、ノズルか
    ら基板への研磨粉の吹き付けにより粗面化を行う請求項
    ２２、または２３に記載の電子部品実装体の製造方法。
  25. 【請求項２５】 プレート上にテープで基板を貼付した
    状態で、ノズルから基板への研磨粉の吹き付けにより粗
    面化を行う請求項２２、または２３に記載の電子部品実
    装体の製造方法。
  26. 【請求項２６】 テープの幅を基板の幅よりも小さくし
    た請求項２５に記載の電子部品実装体の製造方法。
  27. 【請求項２７】 長尺状のテープの長手方向に、所定間
    隔をあけて複数の基板を貼付した請求項２５、または２
    ６に記載の電子部品実装体の製造方法。
  28. 【請求項２８】 テープの外径を基板の外径よりも小さ
    くし、このテープを介してプレート上に基板を貼付した
    請求項２５に記載の電子部品実装体の製造方法。
  29. 【請求項２９】 プレート上に複数の基板を所定間隔を
    あけて配置した状態で、掃引されるノズルから基板に研
    磨粉を吹き付けて粗面化を行う請求項２４〜２８のいず
    れか一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  30. 【請求項３０】 ノズルはプレート上を矩形波状に掃引
    する請求項２９に記載の電子部品実装体の製造方法。
  31. 【請求項３１】 ノズルはプレート上を複数回掃引させ
    る請求項３０に記載の電子部品実装体の製造方法。
  32. 【請求項３２】 ノズルの第１回目の掃引軌跡と第２回
    目の掃引軌跡を異ならせた請求項３１に記載の電子部品
    実装体の製造方法。
  33. 【請求項３３】 プレート上をノズルで往復掃引する請
    求項３０に記載の電子部品実装体の製造方法。
  34. 【請求項３４】 ノズルの往路軌跡と復路軌跡とを異な
    らせた請求項３３に記載の電子部品実装体の製造方法。
  35. 【請求項３５】 ノズルの開口幅を基板の幅よりも大き
    くした請求項２４〜３４のいずれか一つに記載の電子部
    品実装体の製造方法。
  36. 【請求項３６】 ノズルによるプレート上の掃引後、プ
    レートを回動させて再度ノズルによるプレート上の掃引
    を行う請求項２４〜３５のいずれか一つに記載の電子部
    品実装体の製造方法。
  37. 【請求項３７】 プレートを略９０度回動後にノズルに
    よるプレート上の掃引を行う請求項３６に記載の電子部
    品実装体の製造方法。
  38. 【請求項３８】 ノズルから大径の研磨粉を基板に吹き
    付けて粗面化を行った後、前記大径の研磨粉より小径の
    研磨粉を基板に吹き付けて粗面化を行う請求項２４〜３
    ７のいずれか一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  39. 【請求項３９】 プレートを反転させてその下面側に基
    板を配置させ、この基板の下方に設けたノズルから研磨
    粉を上方の基板に吹き付ける請求項２４〜３８のいずれ
    か一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  40. 【請求項４０】 ノズルから基板への研磨粉の吹き付け
    による粗面化後、基板の粗面部分に気体を吹き付ける請
    求項２４〜３９のいずれか一つに記載の電子部品実装体
    の製造方法。
  41. 【請求項４１】 基板の粗面化後、この基板を、酸素を
    含有しない液体中にて超音波洗浄する請求項２２〜４０
    のいずれか一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  42. 【請求項４２】 液体としてアルコールを用いた請求項
    ４１に記載の電子部品実装体の製造方法。
  43. 【請求項４３】 容器内に複数の基板を立てた状態で収
    納させ、この容器ごと基板を液体中に浸漬させて超音波
    洗浄を行う請求項４２に記載の電子部品実装体の製造方
    法。
  44. 【請求項４４】 容器内において各基板ごとに収納空間
    を設け、各収納空間内に基板を揺動自在に収納させた請
    求項４３に記載の電子部品実装体の製造方法。
  45. 【請求項４５】 液体中から取出した基板に酸素含有量
    の少ない気体を吹き付ける請求項４１〜４４のいずれか
    一つに記載の電子部品実装体の製造方法。
  46. 【請求項４６】 気体の吹き付け後の基板を、脱空気雰
    囲気中にて保管する請求項４５に記載の電子部品実装体
    の製造方法。
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US09/195,595 US6792677B1 (en) 1997-11-18 1998-11-18 Method of manufacturing an electronic component unit
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294746A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Alps Electric Co Ltd プリント配線基板およびこの製造方法
JP2013046036A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 基材

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3339838B2 (ja) * 1999-06-07 2002-10-28 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7059512B2 (en) * 2002-11-06 2006-06-13 Ricoh Company, Ltd. Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductor device
US20050048680A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Texas Instruments Incorporated Printing one or more electrically conductive bonding lines to provide electrical conductivity in a circuit
DE102004036905A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
JP4729963B2 (ja) * 2005-04-15 2011-07-20 パナソニック株式会社 電子部品接続用突起電極とそれを用いた電子部品実装体およびそれらの製造方法
KR100722647B1 (ko) 2005-06-25 2007-05-28 삼성전기주식회사 몰딩된 전자부품 패키지를 내장한 기판의 제조방법
US7691675B2 (en) * 2005-10-24 2010-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Encapsulating electrical connections
EP2617270A4 (en) * 2010-09-13 2017-10-04 PST Sensors (Pty) Limited Assembling and packaging a discrete electronic component
JP2013232483A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Koito Mfg Co Ltd 回路基板及び回路基板の製造方法
EP3021396B1 (en) * 2013-09-27 2019-11-06 LG Chem, Ltd. Method for manufacturing fuel electrode support for solid oxide fuel cell and fuel electrode support for solid oxide fuel cell
CN104655561A (zh) * 2014-12-31 2015-05-27 东莞美维电路有限公司 金手指镀层剥离检测方法
CN107263972A (zh) 2016-04-08 2017-10-20 优尔材料工业（深圳）有限公司 无机非金属与塑料的复合体及其制备方法
DE102016224909B4 (de) * 2016-12-14 2024-08-14 Vitesco Technologies Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit porösen oder rauen Zinnoberflächen
JP2018116037A (ja) * 2017-01-13 2018-07-26 株式会社エンプラス マーカ搭載用ユニットおよびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3762040A (en) * 1971-10-06 1973-10-02 Western Electric Co Method of forming circuit crossovers
DE3608010A1 (de) * 1986-03-11 1987-09-17 Philips Patentverwaltung Verfahren zum herstellen einer elektrisch leitenden klebverbindung
US4767049A (en) * 1986-05-19 1988-08-30 Olin Corporation Special surfaces for wire bonding
JPH01166956A (ja) * 1987-12-24 1989-06-30 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 金属ベース金属箔張積層板の製造法
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
JPH02308597A (ja) * 1989-05-24 1990-12-21 Asahi Chem Ind Co Ltd 精細回路を有するセラミック基板の製法
JPH0318826A (ja) * 1989-06-15 1991-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
GB2265224B (en) * 1992-03-20 1996-04-10 Centalic Tech Dev Ltd Testing apparatus
US5816478A (en) * 1995-06-05 1998-10-06 Motorola, Inc. Fluxless flip-chip bond and a method for making
DE19622684A1 (de) * 1996-06-05 1997-12-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung mechanisch fester Klebstoffverbindungen zwischen Oberflächen
JPH10112479A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Fuji Xerox Co Ltd 基板の接続方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294746A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Alps Electric Co Ltd プリント配線基板およびこの製造方法
JP2013046036A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 基材

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Publication number Publication date
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