JPH11211942A

JPH11211942A - 面型光デバイス及び光ファイバとの光結合方法

Info

Publication number: JPH11211942A
Application number: JP1670498A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Yokouchi; 則之横内; Seiji Uchiyama; 誠治内山; Takao Ninomiya; 隆夫二ノ宮
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Real World Computing Partnership
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Real World Computing Partnership
Priority date: 1998-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 1999-08-06
Anticipated expiration: 2018-01-29
Also published as: JP3884155B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高い結合効率を維持しつつ、光ファイバと面
型光デバイスとの調芯を容易にできる面型光デバイス及
び光結合方法を提供する。【解決手段】本面型光デバイスは、基板１２に垂直な
光を放射し又は入射する面型光デバイスで、基板裏面に
垂直に突起する突起部１８を、その縦方向中心線がビー
ム中心線に実質的に一致するように備えている。本光結
合用コネクタ２０は、一方の板面から内方に垂直に延在
する第１ガイド穴２２とその延長上で他方の板面から延
在する第２ガイド穴２４とを有する板状体として形成さ
れ、第１ガイド穴は突起部とほぼ同じ径を有して突起部
と嵌合する中空部として形成され、第２ガイド穴は面型
光デバイスと光結合する光ファイバとほぼ同じ径を有し
て光ファイバを挿入する中空部として形成されている。
本光結合方法は、上述の面型光デバイスの突起部を上述
の光結合用コネクタの第１中空部に嵌合し、光ファイバ
を第２中空部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの
結合端とを直接又は隔壁を介して当接させ光結合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、面型光デバイス、
光結合用コネクタ、及び光結合用コネクタを使った面型
光デバイスと光ファイバとの光結合方法に関し、更に詳
細には、光ファイバと光結合する際に、高い結合効率を
維持しつつ調芯が容易な面型光デバイス、及び調芯を容
易にする光結合用コネクタに関し、加えて高い結合効率
を維持しつつ調芯が容易な女光結合方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】面型光デバイスは、基板に垂直に光を放
射する、又は入射させる光素子又はそのような光素子か
らなるデバイスであって、その一例として、基板と垂直
にレーザ光を放出する面発光型半導体レーザがある。特
に、面発光型半導体レーザは、出射光の放射角度が小さ
いので、光ファイバとの結合に際してレンズを使わない
直接結合によって高い結合効率が期待できるという利点
を有する。ところで、光ファイバを面発光型半導体レー
ザに光結合する際、高い結合効率を維持しつつ、光ファ
イバと面発光型半導体レーザとの調芯が容易な光結合方
法が盛んに研究、開発されているものの、しかし、容易
な調芯と高い結合効率とを満足させる、光ファイバと面
発光型半導体レーザとの実用的な光結合方法は、未だ報
告されていない。

【０００３】例えば、面発光型半導体レーザを光ファイ
バに光結合するに当たり、面発光型半導体レーザを面上
に多数配列した半導体レーザアレーを形成し、一方、半
導体レーザアレーに対応するように光ファイバをアレー
状に集束して光ファイバアレーとし、半導体レーザアレ
ーと光ファイバアレーとを光結合するやり方が試みられ
ている。そして、光結合する際に、光ファイバアレーと
面発光型半導体レーザアレーとの調芯を容易にする光結
合方法が、例えば特開平９−１５４５９号公報等により
提案されている。それは、面発光型半導体レーザから出
射されるレーザ光の中心とほぼ同じ基板位置に、ファイ
バの外径とほぼ等しいガイド穴を形成し、光ファイバを
そのガイド穴に挿入することにより、面発光型半導体レ
ーザと光ファイバの無調芯接続を行おうとするものであ
る。基板に形成するガイド穴は、液体によるウエットエ
ッチング、又はガスによるドライエッチングなどのエッ
チング技術により形成することを提案している。

【０００４】しかし、上述の方法では、ガイド穴の形成
に際し、以下に説明するように技術的な問題があると思
われる。例えば、ガイド穴形成に際し、基板途中でエッ
チングを停止してガイド穴を基板内盲孔とする場合に
は、ガイド穴の底面の僅かな凹凸によりレーザ光が散乱
されてしまい、光ファイバに対して高い光結合効率で光
結合することが難しい。また、面発光型レーザ素子の共
振器積層構造と基板の間にエッチングストップ層を予め
形成しておき、エッチングストップ層に到達するまで基
板をエッチングしてガイド穴を基板貫通穴とすることに
より、ガイド穴の底面を極めて平滑な鏡面にする方法も
ある。しかし、基板上にエピタキシャル成長させた半導
体層の積層構造の膜厚はたかだか１０μm 程度であるの
で、半導体層の積層構造だけを残して、半導体基板をエ
ッチングしてファイバの直径である１００μm 程度の大
きさのガイド穴を形成すると、ガイド穴上の積層構造が
薄いために、面発光型半導体レーザ素子の機械的な強度
が著しく低下してしまい、光ファイバを挿入して光結合
することが強度的に実際上で難しい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述の例では、面発光
半導体レーザを例にして説明しているが、面型受光素子
についても同様な問題があり、光ファイバと面型光デバ
イスとの調芯を容易にする光結合方法は、従来、種々、
報告されているものの、実用的に満足できるレベルに達
しているものは、未だ見当たらないのが現状である。そ
こで、本発明の目的は、高い結合効率を維持しつつ、光
ファイバと面型光デバイスとの調芯を容易できる面型光
デバイス及び光結合方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る面型光デバ
イスは、基板に垂直に光を放射する、又は入射させる面
型光デバイスであって、基板裏面から垂直に外方に突起
する突起部を、その縦方向中心線が基板からの放射光又
は基板への入射光のビーム中心線に実質的に一致するよ
うに備えていることを特徴としている。

【０００７】本発明の面型光デバイスの突起部を後述す
る光結合用コネクタの第１ガイド穴に嵌合し、又は第１
溝部に保持し、光ファイバの結合端を光結合用コネクタ
の第２ガイド穴に挿入し、又は第２溝部に保持すること
により、高い光結合効率を維持しつつ、実質的に無調芯
で光結合することができる。本発明で基板裏面とは、面
型光デバイスの光素子とは反対側の基板面を言う。面型
光デバイスの構造、形成材料、及び発振波長には制限は
なく、本発明を適用でき、また、面発光型半導体レーザ
に限らず、面発光型ダイオード（ＬＥＤ）、或いは面型
フォトダイオード（ＰＤ）にも同じように適用できる。
例えば、発振波長１．３μm のＩｎＰ系面発光型半導体
レーザと光ファイバとの接続にも有効である。

【０００８】好適には、突起部の先端面が、ビーム中心
線に直交する平面状の鏡面研磨面、又はビーム中心線に
曲面中心を有し、かつ曲面中心での接線がビーム中心線
に直交する曲面状の鏡面研磨面である。面発光半導体レ
ーザ素子の場合には、突起部の先端面をビーム中心線に
直交する平面状の鏡面研磨面にすることにより光結合効
率が向上する。また、面発光型ＬＥＤの場合には、突起
部の先端面を、ビーム中心線に曲面中心を有し、かつ曲
面中心での接線がビーム中心線に直交する曲面状の鏡面
研磨面にすることにより光結合効率が向上する。更に好
適には、突起部が、基板に垂直に放射する光又は基板に
垂直に入射する光に対して低反射率の膜厚の薄膜を先端
面に有する。突起部の断面形状は、位置ずれを起こすこ
となく、第１ガイド穴との嵌合できる形状である限り制
約はなく、円形、楕円形、三角形、又は四角形などの多
角形でも良い。

【０００９】本発明に係る光結合用コネクタは、上述の
面型光デバイスと光ファイバとを光結合する際に使用す
るコネクタである。本光結合用コネクタは、一方の板面
から垂直に内在する第１ガイド穴と第１ガイド穴の延長
上で他方の板面から内在する第２ガイド穴とを有する板
状体として形成され、請求項１から３のうちのいずれか
１項に記載の面型光デバイスと光ファイバとを第１及び
第２ガイド穴を介して光結合するコネクタであって、第
１ガイド穴は面型光デバイスの基板裏面の突起部とほぼ
同じ径を有して突起部と嵌合する中空部として形成さ
れ、第２ガイド穴は面型光デバイスと光結合する光ファ
イバとほぼ同じ径を有して光ファイバを挿入する中空部
として形成されていることを特徴としている。

【００１０】光結合用コネクタは、機械的強度の高い材
質であれば材質に制約はなく、例えば単結晶シリコン
板、石英板等のガラス系板、ステンレス鋼等の金属板、
セラミック板、熱硬化性プラスチック、熱可塑性プラス
チック等を使用する。光ファイバを挿入する第２ガイド
穴は、光ファイバの位置ずれが起きない形状であれば良
く、第２ガイド穴の横断面は、例えば円形、四角形など
でも良い。また面型光デバイスを嵌合する面の第１ガイ
ド穴と、光ファイバを挿入する第２ガイド穴とは同じ内
径である必要はない。

【００１１】第１ガイド穴及び第２ガイド穴は、第１ガ
イド穴と第２ガイド穴とが連通していても良く、また、
第１ガイド穴と第２ガイド穴とが放射光又は入射光に対
して透明な隔壁により不連続になっていて、隔壁が板状
体又はレンズ状体として形成されていても良い。第１ガ
イド穴と第２ガイド穴とを隔壁により不連続にすること
により、光結合用コネクタの機械的強度を高めることが
できる。また、レンズ状体にすることにより一層の光結
合効率を向上させることができる。

【００１２】また、本発明の別の光結合用コネクタは、
一方の端縁から対向する他方の端縁まで延在する溝を板
面上に有する板状体として形成され、面型光デバイスと
光ファイバとを溝を介して光結合するコネクタであっ
て、溝は、面型光デバイスの基板裏面の突起部を溝に沿
って保持する第１溝部を一方の端縁側に備え、かつ面型
光デバイスと光結合する光ファイバを溝に沿って保持す
る第２溝部を他方の端縁から第１溝部まで備えている。
好適には、溝が半円形溝であって、第１溝部が面型光デ
バイスの基板裏面の突起部とほぼ同じ直径を有して溝に
沿って嵌合させる溝として形成され、第２溝部が光ファ
イバの結合端とほぼ同じ直径を有して溝に沿って保持す
る溝として形成されている。

【００１３】上述の光結合用コネクタを使って面型光デ
バイスと光ファイバとを光結合する本発明に係る方法
は、上述のように特定した面型光デバイスの突起部を同
じく上述のように特定した光結合用コネクタの第１中空
部に嵌合し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを
第２中空部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結
合端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面型光デバイ
スと光ファイバとを光結合することを特徴としている。

【００１４】また、別の光結合する方法は、上述のよう
に特定した面型光デバイスの突起部を、第１及び第２溝
部を光結合用コネクタの第１溝部で保持し、面型光デバ
イスと光結合する光ファイバを光結合用コネクタの他方
の端縁から第２溝部に挿入して突起部の先端面と光ファ
イバの結合端とを当接させ、面型光デバイスと光ファイ
バとを光結合することを特徴としている。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１本実施形態例は、本発明に係る面型光デバイス及び光結
合用コネクタ、並びに両者を使って実施する本発明に係
る光結合方法の実施形態の一例である。図１（ａ）は面
型光デバイスの基板裏面の平面図、図１（ｂ）は面型光
デバイスの側面図、図２は光結合用コネクタの断面図、
及び図３は光結合方法を説明する模式図である。本実施
形態例の面発光型半導体レーザアレー１０（以下、簡単
にレーザアレー１０と言う）は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２
と、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に形成された多数の離散し
た発振波長が約９８０ｎｍのＧａＡｓ系面発光型半導体
レーザ素子１４とから構成されている。面発光型半導体
レーザ素子１４の各々は、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓから
なる１対の多層膜反射鏡と、ＧａＩｎＡｓからなる量子
井戸発光層とから形成されている。レーザアレー１０
は、基板裏面、即ちレーザ素子１４とは反対側の基板１
２の基板面１６に、各レーザ素子１４からの出射光のビ
ーム中心線に沿って縦方向中心線を有し、直径が約１２
０μm 、高さが３０μm の円柱状突起部１８をそれぞれ
備えている。突起部１８の先端面１８ａはＳｉＮx 膜を
有し、ビーム中心線に直交する平面状の鏡面研磨面とな
っている。また、基板面１６には、基板側電極１９が設
けてある。

【００１６】また、光結合用コネクタ２０は、板厚が１
mm の単結晶シリコン板で形成され、一方の板面から内
方に垂直に延在する第１ガイド穴２２と第１ガイド穴２
２の延長上で他方の板面から延在する第２ガイド穴２４
とを有する板状体として形成されている。第１ガイド穴
２２は、レーザアレー１０の基板裏面の突起部１８とほ
ぼ同じ径を有して突起部１８と嵌合する中空部として、
レーザアレー１０の各突起部１８に対応する配置で形成
されている。第２ガイド穴２４は、第１ガイド穴２２と
連通し、レーザアレー１０と光結合する光ファイバを挿
入する中空部として形成されている。本実施形態例で
は、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４とは同じ内径
の円筒状中空部であって、端部で相互に連通している。
また、光結合用コネクタ２０は、レーザアレー１０との
対向面上にレーザアレー１０の基板側電極１９と電気的
に接触して導通する電極２６を備えている。

【００１７】以下に、図１を参照して、本実施形態例の
レーザアレー１０の作製方法を説明する。先ず、従来の
方法に従って、図１に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１
２上にＧa Ａｓ系半導体レーザ素子１４を形成する。次
いで、基板厚さが約１００μm の厚さになるように基板
裏面からＧａＡｓ基板１２を研磨して、レーザアレー１
０の基板面１６となる基板面（以下、基板裏面を基板面
１６という）を研磨面にする。次いで、基板面１６に鏡
面仕上げ処理を施して、鏡面研磨面とする。鏡面仕上げ
処理を施した基板面１６に、プラズマＣＶＤ法（プラズ
マ化学気相堆積法）によりＳｉＮｘ膜を成膜する。Ｓｉ
Ｎｘの膜厚は、波長９８０ｎｍのレーザ光に対して低反
射率となるように、約１７０ｎｍとする。上述のよう
に、突起部１８の先端面１８ａとなる基板面１６を平坦
化し、更にレーザ光に対して低反射構造とすることによ
り、光ファイバと接続する際の反射損失を低減すること
ができる。

【００１８】次に、基板面１６に感光レジスト膜を成膜
し、続いて、両面マスクアライナー装置を用いて、レー
ザアレー１０の各半導体レーザ１４のレーザ光の中心線
と突起部１８の縦方向中心線とがほぼ一致する配列で、
フォトリソグラフィ技術により突起部１８の円形パター
ンを感光レジスト膜に転写する。次いで、ＳｉＮｘ薄膜
をフッ酸でエッチングし、円形パターンを有するＳｉＮ
ｘ薄膜マスクを形成する。これをマスクとして、硫酸：
過酸化水素水：水（５：１：１）の混合液を用いてＧａ
Ａｓ基板を約３０μm エッチングする。これにより、Ｓ
ｉＮｘ膜を有する、直径約１３０μm 、高さ約３０μm
の突起部１８を基板面１６上に形成することができる。

【００１９】次に、図２を参照して、光結合用コネクタ
２０の製作方法を説明する。光結合用コネクタ２０を形
成するには、先ず、単結晶シリコン板の表面を熱酸化し
てＳｉＯ₂膜を成膜する。次いで、突起部１８の円形パ
ターンと同様にして、フォトリソグラフィ技術により円
形のガイド穴パターンを有するＳｉＯ₂膜マスクを形成
する。続いて、ＳｉＯ₂膜マスクをマスクにしてドライ
エッチングにより単結晶シリコン板をエッチングして、
第１ガイド穴２２及び第１ガイド穴２２と連通した第２
ガイド穴２４を形成する。次に、必要な領域にスパッタ
法により金属を堆積して電極２６を形成する。

【００２０】光結合用コネクタ２０を使ってレーザアレ
ー１０を光ファイバに接続するには、図３に示すよう
に、先ず、レーザアレー１０に設けた各突起部１８を光
結合用コネクタ２０の第１ガイド穴２２の嵌合し、次い
で、レーザアレー１０とは反対側から光ファイバを光結
合用コネクタ２０のガイド穴２２に挿入し固定する。こ
れにより、面倒な調芯を行うことなく、レーザアレー１
０と光ファイバとの厳密な芯合わせを維持して、レーザ
アレー１０と光ファイバとの接続を完了することができ
る。

【００２１】半導体レーザ素子１４を８×８で配列した
実施形態例１のレーザアレー１０と、８芯ファイバリボ
ン８本からなるコア直径が約５０μm の多モード光ファ
イバとの光結合を光結合用コネクタ２０を使って行った
際の結合効率を求めたところ、各半導体レーザ素子の結
合効率の平均値８５％であり、最大で約９０％と高い結
合効率を得ることができた。本実施形態例では、突起部
１８の先端面が低反射率のＳｉＮｘ膜を有し、しかも鏡
面仕上げの状態になっているので、光結合に際して、レ
ーザ光の散乱を引き起こしていない。これが結合効率の
高い一因である。

【００２２】実施形態例１の改変例１面発光型ＬＥＤは、面発光型半導体レーザとは異なり、
発光ビームが広い角度で放射される。そこで、面発光型
ＬＥＤと光ファイバとを光結合する際には、実施形態例
１の突起部１８の平面状の先端面１８ａに代えて、図４
に示すように、突起部１８の先端面１８ｂをレンズ形状
にすることにより、発光ビームの放射角度を狭め、光フ
ァイバとの結合効率を向上させることができる。尚、図
４中、２８は発光部または受光部である。図５から図７
でも同じである。

【００２３】実施形態例１の改変例２実施形態例１では、光ファイバを挿入する第２ガイド穴
２４は円形で、第１ガイド穴２２の内径は同じ内径であ
ったが、これに限る必要はなく、例えば図５に示すよう
に、第１ガイド穴３０の径と第２ガイド穴３２の径とが
相互に異なるようにしても良い。これにより、光ファイ
バと突起部１８との当接を避けて、損傷を防止すること
ができる。

【００２４】実施形態例１の改変例３また、光結合用コネクタ２０の材質が、光の波長に対し
て透明であれば、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４
とが光結合用コネクタ２０内で連通している必要はな
く、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４とが隔壁によ
り不連続になっていても良い。隔壁は、図６に示すよう
に、板状体３４でも良く、また図７に示すように、レン
ズ状体３６として形成されていても良い。特に、図７で
は、レンズ状体３６を設けることにより光を集束して結
合効率を向上させることができる。

【００２５】実施形態例２本実施形態例は、本発明に係る面型光デバイス及び光結
合用コネクタ、並びに両者を使って実施する本発明に係
る光結合方法の実施形態の別の例である。図８及び図９
は光結合方法を説明する模式図である。本実施形態例
は、実施形態例１の光結合用コネクタ２０とは異なる構
成の光結合用コネクタ４０を使用して、実施形態例１の
レーザアレー１０と、光ファイバとを光結合している例
である。本実施形態例の光結合用コネクタ４０は、一方
の端縁４２から対向する他方の端縁４４まで延在するＶ
字状の溝４６を板面上に有する板状体として形成されて
いる。溝４６は、レーザアレー１０の突起部１８を溝に
沿って保持する第１溝部４８を一方の端縁４４側に備
え、かつ、レーザアレー１０と光結合する光ファイバを
溝に沿って保持する第２溝部５０を他方の端縁４６から
第１溝部４８まで備えている。

【００２６】本実施形態例では、レーザアレー１０の突
起部１８を光結合用コネクタ４０の第１溝部４８で保持
し、光ファイバを光結合用コネクタ４０の他方の端縁４
４から第２溝部５０に挿入して突起部１８の先端面と光
ファイバの結合端とを当接させ、レーザアレー１０と光
ファイバとを光結合する。

【００２７】好適には、図９に示すように、溝４４は、
第１溝部４８がレーザアレー１０の突起部１８とほぼ同
じ直径で溝に沿って嵌合させる半円形溝として形成さ
れ、第２溝部５０が光ファイバの結合端と同じ直径で溝
に沿って保持する半円形溝として形成されている。本例
では、保持レーザアレー１０の突起部１８を光結合用コ
ネクタ４０の第１溝部４８に嵌合し、光ファイバの結合
端を他方の端縁４４から第２溝部５０に挿入して突起部
１８の先端面と光ファイバの結合端とを当接させ、レー
ザアレー１０と光ファイバとを光結合する。本例では、
突起部１８を嵌合しているので、Ｖ字状の溝の例より、
突起部１８及び光ファイバを強固に保持できる。

【００２８】

【発明の効果】本発明の構成によれば、面型光デバイス
の突起部を光結合用コネクタの第１中空部に嵌合し、又
は第１溝部で保持し、そして光ファイバを第２中空部に
挿入し、又は第２溝部で保持し、突起部の先端面と光フ
ァイバの結合端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面
型光デバイスと光ファイバとを光結合することにより、
精密な位置合わせをすることなく、面型光デバイスと光
ファイバとを高い結合効率で容易に接続することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は実施形態例１のレーザアレーの基
板裏面の平面図及び図１（ｂ）はレーザアレーの側面図
である。

【図２】実施形態例１の光結合用コネクタの断面図であ
る。

【図３】実施形態例１の光結合方法を説明する模式図で
ある。

【図４】突起部の別例を示す側面図である。

【図５】光結合用コネクタの別の例を示す断面図であ
る。

【図６】光結合用コネクタの更に別の例を示す断面図で
ある。

【図７】光結合用コネクタの更に別の例を示す断面図で
ある。

【図８】実施形態例２の光結合方法を説明する模式図で
ある。

【図９】実施形態例２の別の光結合方法を説明する模式
図である。

【符号の説明】

１０実施形態例１の面発光型半導体レーザアレー１２ｎ−ＧａＡｓ基板１４ＧａＡｓ系面発光型半導体レーザ素子１６基板面１８突起部１８ａ先端面１９基板側電極２０光結合用コネクタ２２第１ガイド穴２４第２ガイド穴２６電極２８発光部または受光部３０第１ガイド穴３２第２ガイド穴３４板状体３６レンズ状体４０光結合用コネクタ４２一方の端縁４４他方の端縁４６溝４８第１溝部５０第２溝部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者内山誠治東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内 (72)発明者二ノ宮隆夫東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に垂直に光を放射する、又は入射さ
せる面型光デバイスであって、基板裏面から垂直に外方に突起する突起部を、その縦方
向中心線が基板からの放射光又は基板への入射光のビー
ム中心線に実質的に一致するように備えていることを特
徴とする面型光デバイス。
【請求項２】突起部の先端面が、ビーム中心線に直交
する平面状の鏡面研磨面、又はビーム中心線に曲面中心
を有し、かつ曲面中心での接線がビーム中心線に直交す
る曲面状の鏡面研磨面であることを特徴とする請求項１
に記載の面型光デバイス。
【請求項３】突起部が、基板に垂直に放射する光又は
基板に垂直に入射する光に対して低反射率の膜厚の薄膜
を先端面に有することを特徴とする請求項１又は２に記
載の面型光デバイス。
【請求項４】一方の板面から垂直に内在する第１ガイ
ド穴と第１ガイド穴の延長上で他方の板面から内在する
第２ガイド穴とを有する板状体として形成され、請求項
１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイス
と光ファイバとを第１及び第２ガイド穴を介して光結合
するコネクタであって、第１ガイド穴は面型光デバイスの基板裏面の突起部とほ
ぼ同じ径を有して突起部と嵌合する中空部として形成さ
れ、第２ガイド穴は面型光デバイスと光結合する光ファ
イバとほぼ同じ径を有して光ファイバを挿入する中空部
として形成されていることを特徴とする光結合用コネク
タ。
【請求項５】第１ガイド穴と第２ガイド穴とが連通し
ていることを特徴とする請求項４に記載の光結合用コネ
クタ。
【請求項６】第１ガイド穴と第２ガイド穴とが放射光
又は入射光に対して透明な隔壁により不連続になってい
て、隔壁が板状体又はレンズ状体として形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の光結合用コネクタ。
【請求項７】一方の端縁から対向する他方の端縁まで
延在する溝を板面上に有する板状体として形成され、請
求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバ
イスと光ファイバとを溝を介して光結合するコネクタで
あって、溝は、面型光デバイスの基板裏面の突起部を溝に沿って
保持する第１溝部を一方の端縁側に備え、かつ面型光デ
バイスと光結合する光ファイバを溝に沿って保持する第
２溝部を他方の端縁から第１溝部まで備えていることを
特徴とする面型光デバイスと光ファイバとの光結合用コ
ネクタ。
【請求項８】溝が半円形溝であって、第１溝部が面型
光デバイスの基板裏面の突起部とほぼ同じ直径を有して
溝に沿って嵌合させる溝として形成され、第２溝部が光
ファイバの結合端とほぼ同じ直径を有して溝に沿って保
持する溝として形成されていることを特徴とする請求項
７に記載の光結合用コネクタ。
【請求項９】請求項１から３のうちのいずれか１項に
記載の面型光デバイスの突起部を請求項４から６のうち
のいずれか１項に記載の光結合用コネクタの第１中空部
に嵌合し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを第
２中空部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結合
端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面型光デバイス
と光ファイバとを光結合することを特徴とする面型光デ
バイスと光ファイバとの光結合方法。
【請求項１０】請求項１から３のうちのいずれか１項
に記載の面型光デバイスの突起部を請求項７又は８に記
載の光結合用コネクタの第１溝部で保持し、面型光デバ
イスと光結合する光ファイバを光結合用コネクタの他方
の端縁から第２溝部に挿入して突起部の先端面と光ファ
イバの結合端とを当接させ、面型光デバイスと光ファイ
バとを光結合することを特徴とする面型光デバイスと光
ファイバとの光結合方法。