JPS59197184A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS59197184A JPS59197184A JP58072385A JP7238583A JPS59197184A JP S59197184 A JPS59197184 A JP S59197184A JP 58072385 A JP58072385 A JP 58072385A JP 7238583 A JP7238583 A JP 7238583A JP S59197184 A JPS59197184 A JP S59197184A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- optical fiber
- parts
- resonator
- substrate
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ファイバと光学的に結合しやすく且つ光ファ
イバの先端部を固定できるような半導体レーザの構造に
関する。
イバの先端部を固定できるような半導体レーザの構造に
関する。
半導体レーザを光源とし、光ファイバを伝送路とする光
通信方式は、通信容量、経済性等で既存の通信方式より
優れたものとなる可能性があり、新しい通信方式として
各方面から注目されている。
通信方式は、通信容量、経済性等で既存の通信方式より
優れたものとなる可能性があり、新しい通信方式として
各方面から注目されている。
この光通信方式においては、必要に応じて送る情報を電
気信号から光、信号に、あるいは光信号から電気信号に
変換しているが、光信号が増幅、記憶、４論理演算等の
信号処理にそのまま使われる場合は比較的少ない。もし
、光を直接記憶や論理演算等の信号処理に用いることが
できれば、光通信システムの機能の多様化にとって極め
て有効と思われる。この場合に基本的で且つ重要な問題
の一つに光ファイバと半導体レーザの結合が掲げられる
。この結合回路は大別するとレンズ方式と光フアイバ先
端加工方式の二つのタイプに分類される。
気信号から光、信号に、あるいは光信号から電気信号に
変換しているが、光信号が増幅、記憶、４論理演算等の
信号処理にそのまま使われる場合は比較的少ない。もし
、光を直接記憶や論理演算等の信号処理に用いることが
できれば、光通信システムの機能の多様化にとって極め
て有効と思われる。この場合に基本的で且つ重要な問題
の一つに光ファイバと半導体レーザの結合が掲げられる
。この結合回路は大別するとレンズ方式と光フアイバ先
端加工方式の二つのタイプに分類される。
前者のレンズ方式は、光ファイバと半導体レーザの間に
置いたレンズの相対位置により像倍率を変化させる方式
である。他方、後者の光フアイバ先端加工方式は、光フ
ァイバの先端をピラミッド状先球状等にして半導体レー
ザの共振器面の活性領域に近接させる方式である。この
方式は、半導体レーザと光ファイバとの結合効率がレン
ズ方式よりも優れており、光ファイバが単一モード７ア
イパの場合でも６０チ以上の効率が得られる。
置いたレンズの相対位置により像倍率を変化させる方式
である。他方、後者の光フアイバ先端加工方式は、光フ
ァイバの先端をピラミッド状先球状等にして半導体レー
ザの共振器面の活性領域に近接させる方式である。この
方式は、半導体レーザと光ファイバとの結合効率がレン
ズ方式よりも優れており、光ファイバが単一モード７ア
イパの場合でも６０チ以上の効率が得られる。
しかしながら、半導体レーザと光ファイバの相対位置の
トレランスが厳しいために、この方式では周囲温度の変
化による結合効率の増減が大きい。
トレランスが厳しいために、この方式では周囲温度の変
化による結合効率の増減が大きい。
したがって、半導体レーザと光ファイバを光学的に結合
させる結合回路としては、信頼性の面からトレランスの
緩いレンズ方式が主として用いられている。他方、シス
テムの面から見ると、結合効率が高いことは、伝送距離
を延ばすことができまた最小受信レベルに対してマージ
ンを大きく取れるので、システム全体の信頼性の向上に
つながる。そこで、光フアイバ先端加工方式で信頼性の
高い半導体レーザそジ具−ルを実現するには、周囲温度
の変化に対して光フアイバ先端部と半導体レーザの活性
領域との相対位置のずれを少なくするような対策を講す
る必要がある。
させる結合回路としては、信頼性の面からトレランスの
緩いレンズ方式が主として用いられている。他方、シス
テムの面から見ると、結合効率が高いことは、伝送距離
を延ばすことができまた最小受信レベルに対してマージ
ンを大きく取れるので、システム全体の信頼性の向上に
つながる。そこで、光フアイバ先端加工方式で信頼性の
高い半導体レーザそジ具−ルを実現するには、周囲温度
の変化に対して光フアイバ先端部と半導体レーザの活性
領域との相対位置のずれを少なくするような対策を講す
る必要がある。
本発明の目的は上記の欠点を除いて、光フアイバ先端部
を容易に実装できるような半導体レーザを提供すること
にある。
を容易に実装できるような半導体レーザを提供すること
にある。
本発明による半導体レーザの構成は、レーザ発振する活
性領域を備え、少なくとも一方のレーザ光出射端部に共
振器軸の方向に沿って形成された断面形状が凹状の溝を
有し、その溝の中心軸が共振器軸とほぼ平行にあり、溝
が共振器軸にほぼ垂直な面を持ち、その面が対向する面
と共振器を構成することに特徴がある。
性領域を備え、少なくとも一方のレーザ光出射端部に共
振器軸の方向に沿って形成された断面形状が凹状の溝を
有し、その溝の中心軸が共振器軸とほぼ平行にあり、溝
が共振器軸にほぼ垂直な面を持ち、その面が対向する面
と共振器を構成することに特徴がある。
この発明においては、半導体レーザの活性領域に近い側
の例えばｐ側電極面に、フォトリソグラフィック技術等
を用いて、ｐ側電極側から見たときの中心軸が共振器軸
とはぼ一致するような溝を半導体レーザの少なくとも一
方の端面に構成させる。この場合、溝の断面形状はエツ
チング液等ｉの選択により、Ｕ字形、■字形２台形等任
意に形成される。この溝形成に際して溝の幅は、光フア
イバ先端部がその溝上に固定でき、しかも光ファイバの
中心軸が半導体レーザの活性領域にほぼ一致する等の条
件を満足するような大きさである必要がある。光７アイ
パの先端が先球状あるいはピラミッド状のように丸みを
有していれば、溝に固定された光フアイバ先端部と半導
体レーザを効率よく光学的に結合させることができる。
の例えばｐ側電極面に、フォトリソグラフィック技術等
を用いて、ｐ側電極側から見たときの中心軸が共振器軸
とはぼ一致するような溝を半導体レーザの少なくとも一
方の端面に構成させる。この場合、溝の断面形状はエツ
チング液等ｉの選択により、Ｕ字形、■字形２台形等任
意に形成される。この溝形成に際して溝の幅は、光フア
イバ先端部がその溝上に固定でき、しかも光ファイバの
中心軸が半導体レーザの活性領域にほぼ一致する等の条
件を満足するような大きさである必要がある。光７アイ
パの先端が先球状あるいはピラミッド状のように丸みを
有していれば、溝に固定された光フアイバ先端部と半導
体レーザを効率よく光学的に結合させることができる。
即ち、光ファイバからの光信号を半導体レーザの活性領
域に外部注入することも、半導体レーザからの光信号を
光ファイバに結合させることも高効率に実現できる０光
フアイバの固定方法に関して従来の例では、光フアイバ
先端部を直接固定することが難しかったので、光フアイ
バ先端部から数ミリメートルも離れた光ファイバの側面
を半田や接着材等で固定していた。これに対して、本発
明の場合には先端部が溝上に固定されているので、周囲
温度の変化による半導体レーザと光フアイバ先端部との
相対位置が変ることはほとんどない。以上により信頼性
の高い半導体レーザモジュールが実現できる。
域に外部注入することも、半導体レーザからの光信号を
光ファイバに結合させることも高効率に実現できる０光
フアイバの固定方法に関して従来の例では、光フアイバ
先端部を直接固定することが難しかったので、光フアイ
バ先端部から数ミリメートルも離れた光ファイバの側面
を半田や接着材等で固定していた。これに対して、本発
明の場合には先端部が溝上に固定されているので、周囲
温度の変化による半導体レーザと光フアイバ先端部との
相対位置が変ることはほとんどない。以上により信頼性
の高い半導体レーザモジュールが実現できる。
次に実施例を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例である半導体レーザの斜視図を
表わす。
表わす。
第２図は本発明の実施例の半導体レーザを用いた半導体
レーザモジュールの平面図、第３図ｔａ＋〜（０）は本
発明の実施例の半導体レーザの製造方法を！示す斜視図
である。まず、第３図（ＪＬＩにおいて、ｎ−ＩｎＰ奉
板（１００）面に半導体層を積層させて製作された半導
体レーザウェハ１０１のｐ側電極面１０２にサイドエツ
チングされないＳｉ ３Ｎ４膜１０３をＣＶＤ（ケミカ
ル・ベイパー・ディポジション）蒸着する。続いてフォ
トリソグラフィック技術によりＨ型のパターン１０５を
その中心軸２０１が共振器軸２０２とほぼ一致するよう
に活性領域１０６直上のストライプ１０７周辺部へ形成
し、Ｈ形のパターン１０５部分のＳｉ３Ｎ４膜１０３を
プラズマエツチングあるいは酸系の溶液で除去し、また
ｐ側電極も酸系の溶液で除去する。第３図（ａｌにおけ
るＨ形パターン１０５の大きさは長さがＡが１３０μｍ
、長さＢが５０μｍ。
レーザモジュールの平面図、第３図ｔａ＋〜（０）は本
発明の実施例の半導体レーザの製造方法を！示す斜視図
である。まず、第３図（ＪＬＩにおいて、ｎ−ＩｎＰ奉
板（１００）面に半導体層を積層させて製作された半導
体レーザウェハ１０１のｐ側電極面１０２にサイドエツ
チングされないＳｉ ３Ｎ４膜１０３をＣＶＤ（ケミカ
ル・ベイパー・ディポジション）蒸着する。続いてフォ
トリソグラフィック技術によりＨ型のパターン１０５を
その中心軸２０１が共振器軸２０２とほぼ一致するよう
に活性領域１０６直上のストライプ１０７周辺部へ形成
し、Ｈ形のパターン１０５部分のＳｉ３Ｎ４膜１０３を
プラズマエツチングあるいは酸系の溶液で除去し、また
ｐ側電極も酸系の溶液で除去する。第３図（ａｌにおけ
るＨ形パターン１０５の大きさは長さがＡが１３０μｍ
、長さＢが５０μｍ。
長さＣが１００ ｐ ｍ 、長さＤが３０μｍ、長さＥ
が１００ ｐｍのものである。第３図（ｂｌにおいて、
ＩｎＰエツチング液として１０チヨウ素酸を用いてＩｎ
Ｐを選択エツチングする。このエツチング液は＜１０
ｏ）方向へのエツチング速度が＜１１１＞方向の場合よ
りも数十倍早い。そのためエツチング時間の大小に応じ
て逆メサ台形の断面形状をした溝を形成することができ
る０この場合にエツチングされる角度θ′は５４．７４
゜である。Ｈ形のパターン１０５の場合には、ストライ
プ１０７のある部分が一部を除いてエツチングされない
ため、三角柱の部分１０８が半導体レーザウェハ１０１
に出来た溝１０９上に乗った状態となる。
が１００ ｐｍのものである。第３図（ｂｌにおいて、
ＩｎＰエツチング液として１０チヨウ素酸を用いてＩｎ
Ｐを選択エツチングする。このエツチング液は＜１０
ｏ）方向へのエツチング速度が＜１１１＞方向の場合よ
りも数十倍早い。そのためエツチング時間の大小に応じ
て逆メサ台形の断面形状をした溝を形成することができ
る０この場合にエツチングされる角度θ′は５４．７４
゜である。Ｈ形のパターン１０５の場合には、ストライ
プ１０７のある部分が一部を除いてエツチングされない
ため、三角柱の部分１０８が半導体レーザウェハ１０１
に出来た溝１０９上に乗った状態となる。
第３図（０）において、その半導体レーザウェハ１０１
をエチルアルコール溶液に入れて超音波洗浄すると、三
角柱の部分１０８が振動のために折れて完全の半導体レ
ーザ３０１を得る。この２個の溝１０９には、第２図に
示すように光フアイバ先端部１１２が臂開面１１１に近
接して固定されている。この場合に光ファイバ１１３は
、その中心軸２０３が共振器軸２０２とほぼ一致するよ
うＫその外径が選ばれる。
をエチルアルコール溶液に入れて超音波洗浄すると、三
角柱の部分１０８が振動のために折れて完全の半導体レ
ーザ３０１を得る。この２個の溝１０９には、第２図に
示すように光フアイバ先端部１１２が臂開面１１１に近
接して固定されている。この場合に光ファイバ１１３は
、その中心軸２０３が共振器軸２０２とほぼ一致するよ
うＫその外径が選ばれる。
本発明の実施例では、溝１０９の断面形状が逆メサ台形
となるため、光ファイバ１１３の側面が溝１０９の底部
と溝１０９の最小幅の２箇所の計３箇所で接するように
、光ファイバ１１３の外径を１０≠ｍ、溝１０９の深さ
を５２μｍになるようＫした。また、光フアイバ先端部
１１２はその先端がエツチングと放電加工によって先球
面１１４になっている。このときの曲率半径は５μｍで
あった。光ファイバ１１３は単一モードファイバでカッ
トオフ波長が１．１μｍ、コア径が１０μｍである。半
導体レーザ３０１の発振波長は１．３μｍであった。本
発明では、溝１０９で光ファイバ１１３の先端部１１２
を固定できるので、周囲温度の変化に対して半導体レー
ザ３０１と光フアイバ先端部１１２との相対位置がずれ
ることは殆んどなり、シたがって結合効率の周囲温度の
変化で増減することがなかった。これＫより信頼性が高
くしかも高結合効率な半導体レーザモジュールとなる半
導体レーザを実現できた。
となるため、光ファイバ１１３の側面が溝１０９の底部
と溝１０９の最小幅の２箇所の計３箇所で接するように
、光ファイバ１１３の外径を１０≠ｍ、溝１０９の深さ
を５２μｍになるようＫした。また、光フアイバ先端部
１１２はその先端がエツチングと放電加工によって先球
面１１４になっている。このときの曲率半径は５μｍで
あった。光ファイバ１１３は単一モードファイバでカッ
トオフ波長が１．１μｍ、コア径が１０μｍである。半
導体レーザ３０１の発振波長は１．３μｍであった。本
発明では、溝１０９で光ファイバ１１３の先端部１１２
を固定できるので、周囲温度の変化に対して半導体レー
ザ３０１と光フアイバ先端部１１２との相対位置がずれ
ることは殆んどなり、シたがって結合効率の周囲温度の
変化で増減することがなかった。これＫより信頼性が高
くしかも高結合効率な半導体レーザモジュールとなる半
導体レーザを実現できた。
なお、上記実施例においては、ｎ−ＩｎＰ基板の代りに
ｐ−ＩｎＰ基板を用いてもよい。この場合にはｎ側電極
をエツチングすることになる。本実施例では発振波長１
．３μｍ帯のものを用いたが、他の波長帯のものでもよ
く、また半導体レーザ３０１の構造は任意のものでも適
用できる。例えば、電極面を共振器軸の方向に沿りて多
分割したような、例えばタンデム電極構造の半導体レー
ザや、半導体レーザとフォトダイオードの組み合わせの
場合や、またそれらをアレイ化した場合にも同様である
。
ｐ−ＩｎＰ基板を用いてもよい。この場合にはｎ側電極
をエツチングすることになる。本実施例では発振波長１
．３μｍ帯のものを用いたが、他の波長帯のものでもよ
く、また半導体レーザ３０１の構造は任意のものでも適
用できる。例えば、電極面を共振器軸の方向に沿りて多
分割したような、例えばタンデム電極構造の半導体レー
ザや、半導体レーザとフォトダイオードの組み合わせの
場合や、またそれらをアレイ化した場合にも同様である
。
多分割した半導体レーザの場合には一方の光ファイバか
らの光信号を半導体レーザに光注入し、信号処理されこ
のち、他方の光ファイバへ情報を伝達することが可能で
ある。信号処理としては、光増幅、光記憶、光演算等が
考えられる。半導体レーザとフォトダイオードの組み合
わせの場合には、一方の光ファイバからの光信号をフォ
トダイオードで受光し、光電流に変換されたのち、その
光電流を隣接する半導体レーザに印加することにより、
レーザ発振を起こさせて、他方の光ファイバで外部に情
報を伝達させることができる。また以上の実施例では溝
が２個の場合について説明したが、通常の半導体レーザ
モジュールのように、溝が１個の場合でもよい。この場
合には半導体レーザからの光信号を近接する光ファイバ
に結合伝達させることができる。
らの光信号を半導体レーザに光注入し、信号処理されこ
のち、他方の光ファイバへ情報を伝達することが可能で
ある。信号処理としては、光増幅、光記憶、光演算等が
考えられる。半導体レーザとフォトダイオードの組み合
わせの場合には、一方の光ファイバからの光信号をフォ
トダイオードで受光し、光電流に変換されたのち、その
光電流を隣接する半導体レーザに印加することにより、
レーザ発振を起こさせて、他方の光ファイバで外部に情
報を伝達させることができる。また以上の実施例では溝
が２個の場合について説明したが、通常の半導体レーザ
モジュールのように、溝が１個の場合でもよい。この場
合には半導体レーザからの光信号を近接する光ファイバ
に結合伝達させることができる。
実施例においては、断面形状が逆メサ台形の溝１０９を
形成した場合について説明したが、溝１０９の断面形状
は必ずしも逆メサ台形である必要はない。７字形やＵ字
形２台形等の溝であってもよい。
形成した場合について説明したが、溝１０９の断面形状
は必ずしも逆メサ台形である必要はない。７字形やＵ字
形２台形等の溝であってもよい。
Ｕ牢屋の溝の場合には、選択性のないエツチング液を用
いることによって形成される。このとき共振器軸２０２
に垂直な面１１０にはきれいな臂開面１１１が得られる
。したがって、臂開面１１１の形成は本実施例のような
Ｈ形のパターン１０５の代りに長方形のパターンを用い
ても化学エツチングで実現可能である。以上の実施例で
は湿式のエツチングで溝１０９を形成させたが、乾式の
例えばイオンエツチングやドライエツチング等を用いて
もよい。
いることによって形成される。このとき共振器軸２０２
に垂直な面１１０にはきれいな臂開面１１１が得られる
。したがって、臂開面１１１の形成は本実施例のような
Ｈ形のパターン１０５の代りに長方形のパターンを用い
ても化学エツチングで実現可能である。以上の実施例で
は湿式のエツチングで溝１０９を形成させたが、乾式の
例えばイオンエツチングやドライエツチング等を用いて
もよい。
但し、これらの方法ではエツチング速度が極めて遅い。
時間的に見ると湿式の方が有利であるがサイドエツチン
グの問題が生じないため高精度の要求される溝の形成に
は乾式がよい。また実施例では光ファイバ１１３の先端
部１１２を先球面１１４に加工したが、非球面等任意の
形状にも適用できる。
グの問題が生じないため高精度の要求される溝の形成に
は乾式がよい。また実施例では光ファイバ１１３の先端
部１１２を先球面１１４に加工したが、非球面等任意の
形状にも適用できる。
第１図は本発明の実施例である半導体レーザの斜視図、
第２図は本発明の半導体レーザを用いた半導体レーザモ
ジュールの平面図、第３図ｔａ＋〜（０）は第１図に示
した実施例の半導体レーザの製造方法を示すための斜視
図である。 図において、１０１・・・・・・半導体レーザウェハ、
１０２・・・・・・ｐ側電極面、１０３・・・・・・５
ｉＢＮａ膜、１０５・・・・・・Ｈ形パターン、１０６
・・・・・・活性領域、１０７・・・・・・ストライブ
、１０８・・・・・・三角柱のある部分、１０９・・・
・・・溝、１１０・・・・・・垂直な面、１１１・・・
・・・臂開面、１１２・・・・・・光フアイバ先端部、
１１３−・・・・・・・・光ファイバ、１１４・・・・
・・先球面、２０１・・・・・・Ｈ形パターンの中心軸
、２０２・・・・・・共振器軸、２０３・・・・・・光
ファイバの中心軸、３０１・・・・・・半導体レーザ、
をそれぞれあられす。 第 ｊ 図 第 ２ 図 １／４Ｌ ｊ（／／ （ａ〕
第２図は本発明の半導体レーザを用いた半導体レーザモ
ジュールの平面図、第３図ｔａ＋〜（０）は第１図に示
した実施例の半導体レーザの製造方法を示すための斜視
図である。 図において、１０１・・・・・・半導体レーザウェハ、
１０２・・・・・・ｐ側電極面、１０３・・・・・・５
ｉＢＮａ膜、１０５・・・・・・Ｈ形パターン、１０６
・・・・・・活性領域、１０７・・・・・・ストライブ
、１０８・・・・・・三角柱のある部分、１０９・・・
・・・溝、１１０・・・・・・垂直な面、１１１・・・
・・・臂開面、１１２・・・・・・光フアイバ先端部、
１１３−・・・・・・・・光ファイバ、１１４・・・・
・・先球面、２０１・・・・・・Ｈ形パターンの中心軸
、２０２・・・・・・共振器軸、２０３・・・・・・光
ファイバの中心軸、３０１・・・・・・半導体レーザ、
をそれぞれあられす。 第 ｊ 図 第 ２ 図 １／４Ｌ ｊ（／／ （ａ〕
Claims (1)
- ｌ レーザ発振する活性領域を備え、少な（とも一方の
レーザ光出射端部に共振器軸の方向に沿って形成された
断面形状が凹状の溝を有し、前記溝の中心軸が前記共振
器軸とほぼ平行にあり、前記溝が前記共振器軸にほぼ垂
直な面を有し、且つ当該面が対向する面と共振器を構成
することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072385A JPS59197184A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072385A JPS59197184A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197184A true JPS59197184A (ja) | 1984-11-08 |
Family
ID=13487759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072385A Pending JPS59197184A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197184A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396609A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Nec Corp | 光接続回路 |
| EP0331332A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | AT&T Corp. | Device including a component in alignment with a substrate-supported waveguide |
| EP0361153A2 (de) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zum Koppeln einer optischen Faser an ein Koppelfenster eines planar integriert optischen Bauteils und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
| US4969704A (en) * | 1987-05-22 | 1990-11-13 | British Telecommunications Public Limited Company | Positioning device and a hermetically sealed package formed therefrom |
| EP0420027A2 (de) * | 1989-09-29 | 1991-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Koppelanordnung zum optischen Koppeln einer Faser mit einem auf einem Substrat integrierten planaren optischen Wellenleiter |
| FR2659148A1 (fr) * | 1990-03-01 | 1991-09-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique. |
| JPH03285381A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5280550A (en) * | 1991-06-26 | 1994-01-18 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Method of coupling an optical fiber to an optoelectronic component and connector devices obtained thereby |
| WO1995004296A1 (de) * | 1993-07-27 | 1995-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines silizium-halbleitersubstrats mit integriertem wellenleiter und daran angekoppelter optischer faser |
| WO1995006270A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-02 | Alliedsignal Inc. | Polymer microstructures which facilitate fiber optic to waveguide coupling |
| US5570385A (en) * | 1991-11-07 | 1996-10-29 | Goldstar Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| EP1134599A1 (de) * | 2000-03-17 | 2001-09-19 | Alcatel | Integrierte Justagestruktur für auf optisches Modul auszurichtende Glasfaser |
| WO2022171447A1 (de) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von halbleiterlasern und halbleiterlaser |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58072385A patent/JPS59197184A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567203B2 (ja) * | 1986-10-14 | 1993-09-24 | Nippon Electric Co | |
| JPS6396609A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Nec Corp | 光接続回路 |
| US4969704A (en) * | 1987-05-22 | 1990-11-13 | British Telecommunications Public Limited Company | Positioning device and a hermetically sealed package formed therefrom |
| EP0331332A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | AT&T Corp. | Device including a component in alignment with a substrate-supported waveguide |
| EP0361153A2 (de) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zum Koppeln einer optischen Faser an ein Koppelfenster eines planar integriert optischen Bauteils und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
| EP0420027A2 (de) * | 1989-09-29 | 1991-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Koppelanordnung zum optischen Koppeln einer Faser mit einem auf einem Substrat integrierten planaren optischen Wellenleiter |
| US5239601A (en) * | 1990-03-01 | 1993-08-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Connection process between an optical fibre and an optical microguide |
| FR2659148A1 (fr) * | 1990-03-01 | 1991-09-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique. |
| JPH03285381A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5280550A (en) * | 1991-06-26 | 1994-01-18 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Method of coupling an optical fiber to an optoelectronic component and connector devices obtained thereby |
| CH685174A5 (fr) * | 1991-06-26 | 1995-04-13 | Suisse Electronique Microtech | Procédé pour coupler une fibre optique à un composant optoélectronique et dispositifs de raccordement obtenus. |
| US5570385A (en) * | 1991-11-07 | 1996-10-29 | Goldstar Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| WO1995004296A1 (de) * | 1993-07-27 | 1995-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines silizium-halbleitersubstrats mit integriertem wellenleiter und daran angekoppelter optischer faser |
| US5700382A (en) * | 1993-07-27 | 1997-12-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for fabricating a silicon semiconductor substrate having an integrated waveguide and an optical fiber coupled thereto |
| WO1995006270A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-02 | Alliedsignal Inc. | Polymer microstructures which facilitate fiber optic to waveguide coupling |
| EP1134599A1 (de) * | 2000-03-17 | 2001-09-19 | Alcatel | Integrierte Justagestruktur für auf optisches Modul auszurichtende Glasfaser |
| WO2022171447A1 (de) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von halbleiterlasern und halbleiterlaser |
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