JPH11204494A - 多孔質領域の除去方法及び半導体基体の製造方法 - Google Patents
多孔質領域の除去方法及び半導体基体の製造方法Info
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- JPH11204494A JPH11204494A JP10003397A JP339798A JPH11204494A JP H11204494 A JPH11204494 A JP H11204494A JP 10003397 A JP10003397 A JP 10003397A JP 339798 A JP339798 A JP 339798A JP H11204494 A JPH11204494 A JP H11204494A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多孔質層を除去した後の下地の平坦性を確保す
る。 【解決手段】エッチング液中の処理対象の基板を浸し、
第１工程では、超音波を供給して多孔質Ｓｉ層の孔にエ
ッチング液を染み込ませる。第２工程では、超音波の供
給を中止し、エッチング作用により孔壁を薄くする。第
３工程では、再度超音波を供給し、多孔質層を一気に崩
壊させる。
る。 【解決手段】エッチング液中の処理対象の基板を浸し、
第１工程では、超音波を供給して多孔質Ｓｉ層の孔にエ
ッチング液を染み込ませる。第２工程では、超音波の供
給を中止し、エッチング作用により孔壁を薄くする。第
３工程では、再度超音波を供給し、多孔質層を一気に崩
壊させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多孔質領域の除去
方法及び半導体基体の製造方法に係り、特に、多孔質領
域を有する基体から該多孔質領域を除去する方法及び該
方法を適用した半導体基体の製造方法並びに多孔質領域
を除去する装置に関する。
方法及び半導体基体の製造方法に係り、特に、多孔質領
域を有する基体から該多孔質領域を除去する方法及び該
方法を適用した半導体基体の製造方法並びに多孔質領域
を除去する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】第１の基板に多孔質Ｓｉ層及び単結晶Ｓ
ｉ層を順に形成し、この基板を別途用意した第2の基板
に貼り合せ、その貼り合せ基板を多孔質Ｓｉ層において
2枚に分離して、第１の基板側に形成された単結晶Ｓｉ
層を第2の基板側に移すことによりＳＯＩ基板を作成す
る方法がある。
ｉ層を順に形成し、この基板を別途用意した第2の基板
に貼り合せ、その貼り合せ基板を多孔質Ｓｉ層において
2枚に分離して、第１の基板側に形成された単結晶Ｓｉ
層を第2の基板側に移すことによりＳＯＩ基板を作成す
る方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法において
は、貼り合せ基板を2枚に分離した後、第2の基板側の表
面に残存する多孔質Ｓｉ層を除去する。この多孔質Ｓｉ
層の除去の際、その下地である第２の基板の表面の平坦
性、特に、該第2の基板の表面層である単結晶Ｓｉ層の
膜厚の均一性を阻害しないことが望まれる。
は、貼り合せ基板を2枚に分離した後、第2の基板側の表
面に残存する多孔質Ｓｉ層を除去する。この多孔質Ｓｉ
層の除去の際、その下地である第２の基板の表面の平坦
性、特に、該第2の基板の表面層である単結晶Ｓｉ層の
膜厚の均一性を阻害しないことが望まれる。
【０００４】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、下地の平坦性を維持することが可能な多孔質
領域の除去方法及び該方法を適用した半導体基体の製造
方法を提供することを目的とする。
のであり、下地の平坦性を維持することが可能な多孔質
領域の除去方法及び該方法を適用した半導体基体の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多孔質領域
の除去方法は、多孔質領域を有する基体から該多孔質領
域を除去する方法であって、エッチング液に超音波を誘
導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する
第１工程と、エッチング液に超音波を誘導することな
く、又はエッチング液に前記第１工程において誘導する
超音波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液
により多孔質領域を処理する第2工程と、基体に残存す
る多孔質領域を除去する第３工程とを含むことを特徴と
する。
の除去方法は、多孔質領域を有する基体から該多孔質領
域を除去する方法であって、エッチング液に超音波を誘
導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する
第１工程と、エッチング液に超音波を誘導することな
く、又はエッチング液に前記第１工程において誘導する
超音波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液
により多孔質領域を処理する第2工程と、基体に残存す
る多孔質領域を除去する第３工程とを含むことを特徴と
する。
【０００６】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第１工程では、エッチング液を多孔質領域の孔の深部
まで染み込ませることが好ましい。
記第１工程では、エッチング液を多孔質領域の孔の深部
まで染み込ませることが好ましい。
【０００７】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第2工程では、エッチング作用により多孔質領域の孔
壁の厚さを所定厚以下まで薄くすることが好ましい。
記第2工程では、エッチング作用により多孔質領域の孔
壁の厚さを所定厚以下まで薄くすることが好ましい。
【０００８】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第2工程では、前記第3工程において残存する多孔質領
域を一括して除去し得る程度に多孔質領域の孔壁を薄く
させることが好ましい。
記第2工程では、前記第3工程において残存する多孔質領
域を一括して除去し得る程度に多孔質領域の孔壁を薄く
させることが好ましい。
【０００９】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域をエッチン
グ液により除去することが好ましい。
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域をエッチン
グ液により除去することが好ましい。
【００１０】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第3工程では、エッチング液に超音波を誘導しながら
該エッチング液により基体に残存する多孔質領域を除去
することが好ましい。
記第3工程では、エッチング液に超音波を誘導しながら
該エッチング液により基体に残存する多孔質領域を除去
することが好ましい。
【００１１】上記の多孔質領域の除去方法において、処
理対象の基体を同一のエッチング液に浸した状態で前記
第１乃至第3工程を実行することが好ましい。
理対象の基体を同一のエッチング液に浸した状態で前記
第１乃至第3工程を実行することが好ましい。
【００１２】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第３工程では、多孔質領域に対するエッチング速度が
前記第１及び第2のエッチング液よりも速いエッチング
液により、基体に残存する多孔質領域を除去することが
好ましい。
記第３工程では、多孔質領域に対するエッチング速度が
前記第１及び第2のエッチング液よりも速いエッチング
液により、基体に残存する多孔質領域を除去することが
好ましい。
【００１３】上記の多孔質領域の除去方法において、処
理対象の基体をエッチング液に完全に浸した状態で前記
第１乃至第３工程を実行することが好ましい。
理対象の基体をエッチング液に完全に浸した状態で前記
第１乃至第３工程を実行することが好ましい。
【００１４】上記の多孔質領域の除去方法において、処
理対象の基体をエッチング液に完全に浸した状態で前記
第１及び／又は第2工程を実行することが好ましい。
理対象の基体をエッチング液に完全に浸した状態で前記
第１及び／又は第2工程を実行することが好ましい。
【００１５】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域を高圧の流
体により除去することが好ましい。
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域を高圧の流
体により除去することが好ましい。
【００１６】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域をスクラバ
ー洗浄法により除去することが好ましい。
記第３工程では、基体に残存する多孔質領域をスクラバ
ー洗浄法により除去することが好ましい。
【００１７】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、超音波源と該基体との相対的な位置関係を変化させ
ることが好ましい。
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、超音波源と該基体との相対的な位置関係を変化させ
ることが好ましい。
【００１８】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体をエッチング液中で揺動させることが好まし
い。
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体をエッチング液中で揺動させることが好まし
い。
【００１９】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体を回転させることが好ましい。
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体を回転させることが好ましい。
【００２０】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体及び前記超音波源の少なくとも一方の位置を
超音波の振動面に対して実質的に平行又は垂直な方向に
変化させることが好ましい。
ッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際
に、該基体及び前記超音波源の少なくとも一方の位置を
超音波の振動面に対して実質的に平行又は垂直な方向に
変化させることが好ましい。
【００２１】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液により基体を処理する際に、該基体を揺動又
は回転させることが好ましい。
ッチング液により基体を処理する際に、該基体を揺動又
は回転させることが好ましい。
【００２２】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液により基体を処理する際に、該エッチング液
を循環させて該基体付近において該エッチング液の流れ
を形成することが好ましい。
ッチング液により基体を処理する際に、該エッチング液
を循環させて該基体付近において該エッチング液の流れ
を形成することが好ましい。
【００２３】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第１及び第2工程を同一のエッチング槽内に基体を浸
して実行し、前記第１工程では、超音波源を動作させ、
第2工程では、該超音波源の動作を停止させることが好
ましい。
記第１及び第2工程を同一のエッチング槽内に基体を浸
して実行し、前記第１工程では、超音波源を動作させ、
第2工程では、該超音波源の動作を停止させることが好
ましい。
【００２４】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記第１及び第2工程を同一のエッチング槽内に基体を浸
して実行し、前記第１及び第2工程において連続的に超
音波源を動作させ、かつ、前記第2工程では、超音波源
と該基体との間に超音波の遮蔽板を挟むことが好まし
い。
記第１及び第2工程を同一のエッチング槽内に基体を浸
して実行し、前記第１及び第2工程において連続的に超
音波源を動作させ、かつ、前記第2工程では、超音波源
と該基体との間に超音波の遮蔽板を挟むことが好まし
い。
【００２５】上記の多孔質領域の除去方法において、処
理対象の基体は、例えば単結晶Ｓｉからなることが好ま
しい。
理対象の基体は、例えば単結晶Ｓｉからなることが好ま
しい。
【００２６】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記多孔質領域は、例えば多孔質Ｓｉからなることが好ま
しい。
記多孔質領域は、例えば多孔質Ｓｉからなることが好ま
しい。
【００２７】上記の多孔質領域の除去方法において、前
記多孔質領域は、例えば単結晶Ｓｉからなる基体を陽極
化成してなることが好ましい。
記多孔質領域は、例えば単結晶Ｓｉからなる基体を陽極
化成してなることが好ましい。
【００２８】上記の多孔質領域の除去方法において、エ
ッチング液として、例えば、（ａ）弗酸 （ｂ）弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも
一方を添加した混合液、（ｃ）バッファード弗酸、
（ｄ）バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水
の少なくとも一方を添加した混合液、のいずれかを使用
することが好ましい。
ッチング液として、例えば、（ａ）弗酸 （ｂ）弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも
一方を添加した混合液、（ｃ）バッファード弗酸、
（ｄ）バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水
の少なくとも一方を添加した混合液、のいずれかを使用
することが好ましい。
【００２９】本発明に係る半導体基体の製造方法は、第
１の基体に多孔質層及び少なくとも１層の非多孔質層を
形成する工程と、第１の基体の非多孔質層側に第2の基
体を貼り合せる工程と、貼り合せた基体より第１の基体
を除去して第2の基体上に多孔質層を表出させる工程
と、上記の多孔質領域の除去方法を適用して第2の基体
上の多孔質層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る。
１の基体に多孔質層及び少なくとも１層の非多孔質層を
形成する工程と、第１の基体の非多孔質層側に第2の基
体を貼り合せる工程と、貼り合せた基体より第１の基体
を除去して第2の基体上に多孔質層を表出させる工程
と、上記の多孔質領域の除去方法を適用して第2の基体
上の多孔質層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る。
【００３０】上記の半導体基体の製造方法において、前
記多孔質層を表出させる工程では、前記貼り合せた基体
の第１の基体の裏面側から該第１の基体を、例えば研
削、研磨又はエッチングすることにより、第2の基体上
に多孔質層を表出させることが好ましい。
記多孔質層を表出させる工程では、前記貼り合せた基体
の第１の基体の裏面側から該第１の基体を、例えば研
削、研磨又はエッチングすることにより、第2の基体上
に多孔質層を表出させることが好ましい。
【００３１】上記の半導体基体の製造方法において、前
記多孔質層を表出させる工程では、例えば、前記貼り合
せた基体を多孔質層で分割することにより、第2の基体
上に多孔質層を表出させることが好ましい。
記多孔質層を表出させる工程では、例えば、前記貼り合
せた基体を多孔質層で分割することにより、第2の基体
上に多孔質層を表出させることが好ましい。
【００３２】上記の半導体基体の製造方法において、前
記非多孔質層は、例えば単結晶Ｓｉ層を含むことが好ま
しい。
記非多孔質層は、例えば単結晶Ｓｉ層を含むことが好ま
しい。
【００３３】上記の半導体基体の製造方法において、前
記非多孔質層は、例えば単結晶Ｓｉ層及びＳｉ酸化物層
を含むことが好ましい。
記非多孔質層は、例えば単結晶Ｓｉ層及びＳｉ酸化物層
を含むことが好ましい。
【００３４】上記の半導体基体の製造方法において、前
記単結晶Ｓｉ層は、例えば、第１の基体の多孔質層上に
エピタキシャル成長法により形成された層であることが
好ましい。
記単結晶Ｓｉ層は、例えば、第１の基体の多孔質層上に
エピタキシャル成長法により形成された層であることが
好ましい。
【００３５】上記の半導体基体の製造方法において、前
記非多孔質層は、例えば単結晶化合物半導体層を含むこ
とが好ましい。
記非多孔質層は、例えば単結晶化合物半導体層を含むこ
とが好ましい。
【００３６】上記の半導体基体の製造方法において、前
記第2の基体は、例えばＳｉ材料からなる基体であるこ
とが好ましい。
記第2の基体は、例えばＳｉ材料からなる基体であるこ
とが好ましい。
【００３７】上記の半導体基体の製造方法において、前
記第2の基体は、例えば、第１の基体と貼り合せる面に
Ｓｉ酸化物層を有することが好ましい。
記第2の基体は、例えば、第１の基体と貼り合せる面に
Ｓｉ酸化物層を有することが好ましい。
【００３８】上記の半導体基体の製造方法において、前
記第2の基体は、光透過性の基体であることが好まし
い。
記第2の基体は、光透過性の基体であることが好まし
い。
【００３９】本発明に係る多孔質領域の除去装置は、多
孔質領域を有する基体から該多孔質領域を除去する装置
であって、エッチング液に超音波を誘導しながら該エッ
チング液により多孔質領域を処理する第１工程を実行す
る手段と、エッチング液に超音波を誘導することなく、
又はエッチング液に前記第１工程において誘導する超音
波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液によ
り多孔質領域を処理する第2工程を実行する手段と、基
体に残存する多孔質領域を除去する第３工程を実行する
手段とを含むことを特徴とする。
孔質領域を有する基体から該多孔質領域を除去する装置
であって、エッチング液に超音波を誘導しながら該エッ
チング液により多孔質領域を処理する第１工程を実行す
る手段と、エッチング液に超音波を誘導することなく、
又はエッチング液に前記第１工程において誘導する超音
波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液によ
り多孔質領域を処理する第2工程を実行する手段と、基
体に残存する多孔質領域を除去する第３工程を実行する
手段とを含むことを特徴とする。
【００４０】
【発明の実施の形態】この発明は、例えば、第１の基板
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成し、この基板を別
途用意した第2の基板に貼り合せ、その貼り合せ基板を
多孔質層において2枚に分離して、第１の基板側に形成
された非多孔質層を第2の基板側に移した後、第2の基板
側の表面に残存する多孔質層を除去することにより、Ｓ
ＯＩ基板等の基板を作成する方法に好適である。
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成し、この基板を別
途用意した第2の基板に貼り合せ、その貼り合せ基板を
多孔質層において2枚に分離して、第１の基板側に形成
された非多孔質層を第2の基板側に移した後、第2の基板
側の表面に残存する多孔質層を除去することにより、Ｓ
ＯＩ基板等の基板を作成する方法に好適である。
【００４１】第１の基板の材料としては、例えば単結晶
Ｓｉ基板が好適である。この場合、多孔質層は、多孔質
Ｓｉ層となる。また、その多孔質Ｓｉ層の上に非多孔質
層として単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させること
ができる。さらに、該単結晶Ｓｉ層の上にＳｉＯ2層等
の絶縁層を形成してもよい。
Ｓｉ基板が好適である。この場合、多孔質層は、多孔質
Ｓｉ層となる。また、その多孔質Ｓｉ層の上に非多孔質
層として単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させること
ができる。さらに、該単結晶Ｓｉ層の上にＳｉＯ2層等
の絶縁層を形成してもよい。
【００４２】この実施の形態では、多孔質Ｓｉ層及び非
多孔質層を順に形成した第１の基板と別途用意した第2
の基板とを貼り合せて貼り合せ基板を作成し、該貼り合
せ基板を多孔質Ｓｉ層において2枚に分離した後に、第
２の基板側に残存する多孔質Ｓｉ層をウエットエッチン
グ法等を適用して除去する。
多孔質層を順に形成した第１の基板と別途用意した第2
の基板とを貼り合せて貼り合せ基板を作成し、該貼り合
せ基板を多孔質Ｓｉ層において2枚に分離した後に、第
２の基板側に残存する多孔質Ｓｉ層をウエットエッチン
グ法等を適用して除去する。
【００４３】多孔質Ｓｉ層のエッチングにおいて、エッ
チング槽内に超音波を供給することにより多孔質Ｓｉ層
の崩壊を促進することができる。すなわち、エッチング
処理の際にエッチング槽内、より詳しくは貼り合せ基板
に超音波を供給することにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が
薄くなる前に該孔壁を崩壊させることができる。これに
より、多孔質Ｓｉ層の孔壁が崩壊し始めてから崩壊が完
了するまでの時間を極めて短縮することができるため、
多孔質層と該多孔質層の下地である第2の基板（例え
ば、単結晶Ｓｉ基板）とのエッチング選択比を高めるこ
とができる。したがって、多孔質層を除去した後の第2
の基板の面内のばらつき、更には基板間のばらつきを抑
え、単結晶Ｓｉ層の膜厚均一性の高い高品質のＳＯＩ基
板を得ることができる。
チング槽内に超音波を供給することにより多孔質Ｓｉ層
の崩壊を促進することができる。すなわち、エッチング
処理の際にエッチング槽内、より詳しくは貼り合せ基板
に超音波を供給することにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が
薄くなる前に該孔壁を崩壊させることができる。これに
より、多孔質Ｓｉ層の孔壁が崩壊し始めてから崩壊が完
了するまでの時間を極めて短縮することができるため、
多孔質層と該多孔質層の下地である第2の基板（例え
ば、単結晶Ｓｉ基板）とのエッチング選択比を高めるこ
とができる。したがって、多孔質層を除去した後の第2
の基板の面内のばらつき、更には基板間のばらつきを抑
え、単結晶Ｓｉ層の膜厚均一性の高い高品質のＳＯＩ基
板を得ることができる。
【００４４】しかしながら、エッチング処理に供する基
板の多孔質層の厚さにばらつきがあると、多孔質Ｓｉ層
を除去した後における第2の基板の表面層（単結晶Ｓｉ
層）の膜厚均一性を確保することが困難な場合も想定さ
れる。特に、量産工程において当該問題が発生して歩留
まりが低下することが危惧される。
板の多孔質層の厚さにばらつきがあると、多孔質Ｓｉ層
を除去した後における第2の基板の表面層（単結晶Ｓｉ
層）の膜厚均一性を確保することが困難な場合も想定さ
れる。特に、量産工程において当該問題が発生して歩留
まりが低下することが危惧される。
【００４５】そこで、この実施の形態では、多孔質Ｓｉ
層の除去の後の第2の基板の表面層（単結晶Ｓｉ層）の
膜厚均一性をより確実に確保するための方法を提供す
る。
層の除去の後の第2の基板の表面層（単結晶Ｓｉ層）の
膜厚均一性をより確実に確保するための方法を提供す
る。
【００４６】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
多孔質層の除去方法の原理を説明するための図である。
図１（ａ）〜図１（ｃ）において、２０１は下地の基板
（第2の基板）、２０２は多孔質層、２０３はエッチン
グ液を示す。
多孔質層の除去方法の原理を説明するための図である。
図１（ａ）〜図１（ｃ）において、２０１は下地の基板
（第2の基板）、２０２は多孔質層、２０３はエッチン
グ液を示す。
【００４７】まず、図１（ａ）に示す工程では、エッチ
ング液２０３を多孔質層２０２の孔の最深部まで染み込
ませる。この際、処理の対象物（例えば、貼り合せ基
板）に超音波を供給することが好ましい。超音波を供給
した場合、孔内にエッチング液が染み込む速度が速いか
らである。
ング液２０３を多孔質層２０２の孔の最深部まで染み込
ませる。この際、処理の対象物（例えば、貼り合せ基
板）に超音波を供給することが好ましい。超音波を供給
した場合、孔内にエッチング液が染み込む速度が速いか
らである。
【００４８】次いで、図１（ｂ）に示す工程では、エッ
チング作用により孔を拡大させる。この際、処理の対象
物に超音波を供給しないか、或いは、超音波の強度を小
さくすることが好ましい。超音波を供給した場合、孔が
拡大することにより隣接する孔の間の孔壁がある程度薄
くなったところで、多孔質層の崩壊が開始するため、多
孔質層の薄い部分では当該多孔質層の崩壊が早く起こ
り、当該部分では下地の基板２０１の表面がエッチング
されることになるからである。この場合、基板２０１の
表面層の膜厚均一性が阻害されることは言うまでもな
い。一方、超音波を供給しない場合は、超音波を供給し
た場合に比べて孔壁がより薄くならないと孔が崩壊しな
いため、部分的に過度にエッチングが進行することを防
止することができる。
チング作用により孔を拡大させる。この際、処理の対象
物に超音波を供給しないか、或いは、超音波の強度を小
さくすることが好ましい。超音波を供給した場合、孔が
拡大することにより隣接する孔の間の孔壁がある程度薄
くなったところで、多孔質層の崩壊が開始するため、多
孔質層の薄い部分では当該多孔質層の崩壊が早く起こ
り、当該部分では下地の基板２０１の表面がエッチング
されることになるからである。この場合、基板２０１の
表面層の膜厚均一性が阻害されることは言うまでもな
い。一方、超音波を供給しない場合は、超音波を供給し
た場合に比べて孔壁がより薄くならないと孔が崩壊しな
いため、部分的に過度にエッチングが進行することを防
止することができる。
【００４９】なお、処理の対象物に超音波を供給しない
場合においても、エッチングは横方向（面方向）のみな
らず下地方向にも進む。しかし、この場合のエッチング
の影響は、超音波を供給した場合に比べて軽微である。
場合においても、エッチングは横方向（面方向）のみな
らず下地方向にも進む。しかし、この場合のエッチング
の影響は、超音波を供給した場合に比べて軽微である。
【００５０】次いで、図１（ｃ）に示す工程では、孔壁
が薄くなった多孔質層２０２を除去する。この工程に
は、エッチングの他、研磨、スクラバー洗浄、ウォータ
ージェット法等を適用することができる。この工程で
は、エッチングにより構造的に脆弱になった多孔質層を
一気に除去する。
が薄くなった多孔質層２０２を除去する。この工程に
は、エッチングの他、研磨、スクラバー洗浄、ウォータ
ージェット法等を適用することができる。この工程で
は、エッチングにより構造的に脆弱になった多孔質層を
一気に除去する。
【００５１】図１（ｃ）に示す工程にエッチングを適用
する場合、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す工程を同一の
エッチング槽を用いて実行することができる。この場
合、超音波の再度の供給によって多孔質層の最深部の孔
壁が全領域において一気に崩壊し得る程度に薄くなるま
で図１（ｂ）に示す工程を実行し、その後、図１（ｃ）
の工程を実行する（超音波の供給）。これにより、多孔
質層を一気に除去し、処理の対象物の全域において略同
時に下地である基板２０１を露出させることができる。
したがって、エッチングのばらつきを低減し、下地であ
る基板２０１の平坦性を維持することができる。
する場合、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す工程を同一の
エッチング槽を用いて実行することができる。この場
合、超音波の再度の供給によって多孔質層の最深部の孔
壁が全領域において一気に崩壊し得る程度に薄くなるま
で図１（ｂ）に示す工程を実行し、その後、図１（ｃ）
の工程を実行する（超音波の供給）。これにより、多孔
質層を一気に除去し、処理の対象物の全域において略同
時に下地である基板２０１を露出させることができる。
したがって、エッチングのばらつきを低減し、下地であ
る基板２０１の平坦性を維持することができる。
【００５２】以上の多孔質層の除去方法は、多数枚の基
板の一括処理に容易に適用することができる。すなわ
ち、図１（ｂ）に示す工程において、多数枚の処理対象
の夫々に関して、多孔質層の最深部の孔壁が全領域にお
いて一気に崩壊し得る厚さに到達した後に、図１（ｃ）
に示す工程を実行すればよい。
板の一括処理に容易に適用することができる。すなわ
ち、図１（ｂ）に示す工程において、多数枚の処理対象
の夫々に関して、多孔質層の最深部の孔壁が全領域にお
いて一気に崩壊し得る厚さに到達した後に、図１（ｃ）
に示す工程を実行すればよい。
【００５３】この多孔質層の除去方法は、処理の対象物
を完全にエッチング液に浸漬して行うことが好ましく、
この場合、エッチング液と大気との界面付近において処
理の対象物にパーティクルが付着することを防止するこ
とができる。
を完全にエッチング液に浸漬して行うことが好ましく、
この場合、エッチング液と大気との界面付近において処
理の対象物にパーティクルが付着することを防止するこ
とができる。
【００５４】この多孔質層の除去方法によれば、超音波
を供給することにより、エッチングを促進して多孔質層
の破壊を促進する他、処理の対象物からパーティクルを
効率的に除去することができる。
を供給することにより、エッチングを促進して多孔質層
の破壊を促進する他、処理の対象物からパーティクルを
効率的に除去することができる。
【００５５】ここで、超音波源（例えば、超音波振動
子）と処理の対象物との相対的な位置関係、より具体的
には、超音波振動面とエッチング液の液面との間に生じ
る定在波と基板との位置関係を変化させながら多孔質層
の除去を行うことにより、基板の面内の全域において均
一な処理を行うことができる。この方法としては、例え
ば、基板を回転させる方法、基板を揺動させる方法、基
板を収容したキャリアを揺動させる方法、超音波源を移
動させる方法等がある。
子）と処理の対象物との相対的な位置関係、より具体的
には、超音波振動面とエッチング液の液面との間に生じ
る定在波と基板との位置関係を変化させながら多孔質層
の除去を行うことにより、基板の面内の全域において均
一な処理を行うことができる。この方法としては、例え
ば、基板を回転させる方法、基板を揺動させる方法、基
板を収容したキャリアを揺動させる方法、超音波源を移
動させる方法等がある。
【００５６】以下に、多孔質層の除去方法の好適な応用
例を説明する。 （応用例１）この応用例は、物体の加工方法に関する。
図２は、この応用例に係る加工方法を示す図である。図
２(a)に示す工程では、部分的に多孔質Ｓｉ部４０２を
有するＳｉ基板４０１を作成する。これは、例えば、Ｓ
ｉ基板上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィー
工程によりパタニングした後に、その結果物を陽極化成
することにより得られる。ここで、レジスト膜の代わり
に、例えば、パタニングしたＳｉ3Ｎ4膜やワックス等を
採用することもできる。このワックスとしては、耐弗酸
性のワックス、例えばアピエゾンワックス（商品名）が
好適である。
例を説明する。 （応用例１）この応用例は、物体の加工方法に関する。
図２は、この応用例に係る加工方法を示す図である。図
２(a)に示す工程では、部分的に多孔質Ｓｉ部４０２を
有するＳｉ基板４０１を作成する。これは、例えば、Ｓ
ｉ基板上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィー
工程によりパタニングした後に、その結果物を陽極化成
することにより得られる。ここで、レジスト膜の代わり
に、例えば、パタニングしたＳｉ3Ｎ4膜やワックス等を
採用することもできる。このワックスとしては、耐弗酸
性のワックス、例えばアピエゾンワックス（商品名）が
好適である。
【００５７】次いで、図２（ｂ）に示す工程では、図２
（ａ）に示すＳｉ基板の表面に非多孔質層（パターン）
４０３を形成する。
（ａ）に示すＳｉ基板の表面に非多孔質層（パターン）
４０３を形成する。
【００５８】次いで、図２（ｃ）に示す工程では、多孔
質Ｓｉ部４０２を除去する。具体的には、まず、多孔質
Ｓｉ部４０２が表出した図２（ｂ）に示す基板を、多孔
質Ｓｉ用のエッチング液をエッチング槽に満たしたエッ
チング装置にセットし、超音波を供給しながらエッチン
グを行う。
質Ｓｉ部４０２を除去する。具体的には、まず、多孔質
Ｓｉ部４０２が表出した図２（ｂ）に示す基板を、多孔
質Ｓｉ用のエッチング液をエッチング槽に満たしたエッ
チング装置にセットし、超音波を供給しながらエッチン
グを行う。
【００５９】多孔質Ｓｉ部４０２の孔にエッチング液が
十分に染み込んだら、超音波の供給を中止し、エッチン
グを続行する。この処理において、多孔質Ｓｉ部４０２
の孔壁が次第に薄くなる。この時、表面（図中の下方）
から見た多孔質Ｓｉ部４０２の色も次第に薄くなり、十
分に孔壁が薄くなると下地である非多孔質層（パター
ン）４０３が透けて見えるようになる。
十分に染み込んだら、超音波の供給を中止し、エッチン
グを続行する。この処理において、多孔質Ｓｉ部４０２
の孔壁が次第に薄くなる。この時、表面（図中の下方）
から見た多孔質Ｓｉ部４０２の色も次第に薄くなり、十
分に孔壁が薄くなると下地である非多孔質層（パター
ン）４０３が透けて見えるようになる。
【００６０】この状態で、残存した多孔質Ｓｉ部を除去
する。この除去の方法としては、例えば、１）再度超音
波を供給しながらエッチングする方法、２）Ｓｉのエッ
チング速度が高いエッチング液によりエッチングする方
法等がある。
する。この除去の方法としては、例えば、１）再度超音
波を供給しながらエッチングする方法、２）Ｓｉのエッ
チング速度が高いエッチング液によりエッチングする方
法等がある。
【００６１】なお、強固な構造物を残すのであれば、ウ
ォータージェット法により多孔質Ｓｉ部を除去してもよ
い。
ォータージェット法により多孔質Ｓｉ部を除去してもよ
い。
【００６２】ここで、Ｓｉ基板４０１の全体を多孔質Ｓ
ｉにすることにより、該基板上に形成された非多孔質層
のみを残すことができる。また、上記の例の如く非多孔
質層４０３をパタニングしておくことにより、例えば、
図２（ｃ）に示す片持ち梁のように、種々の構造体を形
成することができる。
ｉにすることにより、該基板上に形成された非多孔質層
のみを残すことができる。また、上記の例の如く非多孔
質層４０３をパタニングしておくことにより、例えば、
図２（ｃ）に示す片持ち梁のように、種々の構造体を形
成することができる。
【００６３】（応用例２）この応用例は、半導体基板の
製造方法に関する。図３は、この応用例に係る半導体基
板の製造方法に関する。まず、図３（ａ）に示す工程で
は、第１のＳｉ単結晶基板５０１を用意して、その片面
に多孔質Ｓｉ層５０２を形成する。次いで、図３（ｂ）
に示す工程では、多孔質Ｓｉ層５０２の表面に少なくと
も１層の非多孔質層５０３を形成する。この非多孔質層
５０３としては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ
層、非晶質Ｓｉ層、金属層、化合物半導体層、超伝導層
等が好適である。また、この非多孔質層５０３として、
MOSFET等の素子構造を含む層を形成してもよい。更に、
最表面層にＳｉＯ2層５０４を形成してこれを第１の基
板とすることが好ましい。このＳｉＯ2層５０４は、後
続の工程で第１の基板と第２の基板５０５とを貼り合わ
せた際に、その貼り合わせの界面の界面準位を活性層か
ら離すことができるという意味でも有用である。
製造方法に関する。図３は、この応用例に係る半導体基
板の製造方法に関する。まず、図３（ａ）に示す工程で
は、第１のＳｉ単結晶基板５０１を用意して、その片面
に多孔質Ｓｉ層５０２を形成する。次いで、図３（ｂ）
に示す工程では、多孔質Ｓｉ層５０２の表面に少なくと
も１層の非多孔質層５０３を形成する。この非多孔質層
５０３としては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ
層、非晶質Ｓｉ層、金属層、化合物半導体層、超伝導層
等が好適である。また、この非多孔質層５０３として、
MOSFET等の素子構造を含む層を形成してもよい。更に、
最表面層にＳｉＯ2層５０４を形成してこれを第１の基
板とすることが好ましい。このＳｉＯ2層５０４は、後
続の工程で第１の基板と第２の基板５０５とを貼り合わ
せた際に、その貼り合わせの界面の界面準位を活性層か
ら離すことができるという意味でも有用である。
【００６４】次いで、図３（ｄ）に示すように、別途用
意した第2の基板５０５と図３（ｃ）に示す第１の基板
とを、ＳｉＯ2層５０４を挟むようにして、室温で密着
させる。その後、陽極接合処理、加圧処理、あるいは必
要に応じて熱処理を施すこと、あるいはこれらの処理を
組合わせることにより、貼り合わせを強固なものにして
も良い。
意した第2の基板５０５と図３（ｃ）に示す第１の基板
とを、ＳｉＯ2層５０４を挟むようにして、室温で密着
させる。その後、陽極接合処理、加圧処理、あるいは必
要に応じて熱処理を施すこと、あるいはこれらの処理を
組合わせることにより、貼り合わせを強固なものにして
も良い。
【００６５】なお、非多孔質層５０３として、単結晶Ｓ
ｉ層を形成した場合には、例えば該単結晶Ｓｉ層の表面
に熱酸化等の方法によってＳｉＯ2層５０４を形成した
後に第２の基板５０５と貼り合わせることが好ましい。
ｉ層を形成した場合には、例えば該単結晶Ｓｉ層の表面
に熱酸化等の方法によってＳｉＯ2層５０４を形成した
後に第２の基板５０５と貼り合わせることが好ましい。
【００６６】第２の基板５０５としては、Ｓｉ基板、Ｓ
ｉ基板上にＳｉＯ2層を形成した基板、石英等の光透過
性の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の
基板５０５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦で
あれば十分であり、他の種類の基板であっても良い。
ｉ基板上にＳｉＯ2層を形成した基板、石英等の光透過
性の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の
基板５０５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦で
あれば十分であり、他の種類の基板であっても良い。
【００６７】なお、図３（ｄ）は、ＳｉＯ2層５０４を
介して第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた状態を
示しているが、このＳｉＯ2層５０４は、非多孔質層５
０３または第２の基板がＳｉでない場合には設けなくて
も良い。
介して第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた状態を
示しているが、このＳｉＯ2層５０４は、非多孔質層５
０３または第２の基板がＳｉでない場合には設けなくて
も良い。
【００６８】また、貼り合わせの際には、第１の基板と
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。
【００６９】次いで、図３（ｅ）に示す工程では、多孔
質Ｓｉ層５０２を境にして、第1のＳｉ基板５０１側を
第2の基板側から除去する。除去の方法としては、研
削、研磨或いはエッチング等により第１の基板側を廃棄
する方法と、多孔質Ｓｉ層５０２を境にして第１の基板
側と第2の基板側とに分離する方法とがある。
質Ｓｉ層５０２を境にして、第1のＳｉ基板５０１側を
第2の基板側から除去する。除去の方法としては、研
削、研磨或いはエッチング等により第１の基板側を廃棄
する方法と、多孔質Ｓｉ層５０２を境にして第１の基板
側と第2の基板側とに分離する方法とがある。
【００７０】次いで、図３（ｆ）に示す工程では、第2
の基板側の表面に残存する多孔質Ｓｉ層５０２を除去す
る。具体的には、まず、第2の基板側を多孔質Ｓｉのエ
ッチング液をエッチング槽に満たしたエッチング槽にセ
ットし、超音波を供給しながらエッチングを行う。
の基板側の表面に残存する多孔質Ｓｉ層５０２を除去す
る。具体的には、まず、第2の基板側を多孔質Ｓｉのエ
ッチング液をエッチング槽に満たしたエッチング槽にセ
ットし、超音波を供給しながらエッチングを行う。
【００７１】多孔質Ｓｉ部の孔にエッチング液が十分に
染み込んだら、超音波の供給を中止し、エッチングを続
行する。この処理において、多孔質Ｓｉ層５０２の孔壁
が次第に薄くなる。この時、表面から見た多孔質Ｓｉ層
５０２の色も次第に薄くなり、十分に孔壁が薄くなると
下地である非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ層）５０３
が透けて見えるようになる。
染み込んだら、超音波の供給を中止し、エッチングを続
行する。この処理において、多孔質Ｓｉ層５０２の孔壁
が次第に薄くなる。この時、表面から見た多孔質Ｓｉ層
５０２の色も次第に薄くなり、十分に孔壁が薄くなると
下地である非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ層）５０３
が透けて見えるようになる。
【００７２】この状態で、残留した多孔質Ｓｉ層５０２
を除去する。この除去の方法としては、例えば、１）再
度超音波を供給しながらエッチングする方法、２）Ｓｉ
のエッチング速度が高いエッチング液によりエッチング
する方法、３）ウォータージェット法により多孔質Ｓｉ
層５０２を除去する方法、４）多孔質Ｓｉ層５０２を研
磨する方法、５）スクラバー洗浄する方法等がある。
を除去する。この除去の方法としては、例えば、１）再
度超音波を供給しながらエッチングする方法、２）Ｓｉ
のエッチング速度が高いエッチング液によりエッチング
する方法、３）ウォータージェット法により多孔質Ｓｉ
層５０２を除去する方法、４）多孔質Ｓｉ層５０２を研
磨する方法、５）スクラバー洗浄する方法等がある。
【００７３】図３（ｆ）は、上記の方法で得られる半導
体基板（ＳＯＩ基板）を概略的に示す図である。第2の
基板５０５上に絶縁層（例えば、ＳｉＯ2層）５０４を
介して非多孔質層(例えば、単結晶Ｓｉ層）５０３が平
坦かつ均一な膜厚で形成される。この方法によれば、良
好な品質を有する大面積の半導体基板を製造することが
できる。
体基板（ＳＯＩ基板）を概略的に示す図である。第2の
基板５０５上に絶縁層（例えば、ＳｉＯ2層）５０４を
介して非多孔質層(例えば、単結晶Ｓｉ層）５０３が平
坦かつ均一な膜厚で形成される。この方法によれば、良
好な品質を有する大面積の半導体基板を製造することが
できる。
【００７４】例えば、第２の基板５０５として絶縁性の
基板を採用すると、上記の製造方法によって得られる半
導体基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用で
ある。
基板を採用すると、上記の製造方法によって得られる半
導体基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用で
ある。
【００７５】ここで、図３（ｄ）に示す貼り合せ基板を
多孔質Ｓｉ層５０２で分割した場合には、第1の基板５
０１上に残留する多孔質Ｓｉ層５０２を除去して、必要
に応じて、その表面を平坦化した後に、再利用すること
ができる。
多孔質Ｓｉ層５０２で分割した場合には、第1の基板５
０１上に残留する多孔質Ｓｉ層５０２を除去して、必要
に応じて、その表面を平坦化した後に、再利用すること
ができる。
【００７６】次に、多孔質層を除去するために好適なウ
ェハ処理装置の具体例を列挙する。
ェハ処理装置の具体例を列挙する。
【００７７】（処理装置の構成例１）図４は、多孔質層
を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構成を示
す斜視図である。
を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構成を示
す斜視図である。
【００７８】このウェハ処理装置１００のうち処理液が
接触し得る部分は、用途に応じて、石英、プラスチック
等で構成することが好ましい。プラスチックとしては、
例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）ま
たはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好適
である。このうち弗素樹脂としては、例えば、ＰＶＤ
Ｆ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
接触し得る部分は、用途に応じて、石英、プラスチック
等で構成することが好ましい。プラスチックとしては、
例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）ま
たはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好適
である。このうち弗素樹脂としては、例えば、ＰＶＤ
Ｆ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
【００７９】このウェハ処理装置１００は、ウェハ処理
槽１１０と、オーバーフロー槽１２０と、超音波槽１３
０と、ウェハ１４０を回転させながら支持するウェハ回
転機構（１１１〜１１９）とを有する。
槽１１０と、オーバーフロー槽１２０と、超音波槽１３
０と、ウェハ１４０を回転させながら支持するウェハ回
転機構（１１１〜１１９）とを有する。
【００８０】ウェハを処理する際には、ウェハ処理槽１
１０に処理液（エッチング液）を満たす。ウェハ処理槽
１１０の上部の周囲には、ウェハ処理槽１１０から溢れ
た処理液を一旦貯留するためのオーバフロー槽１２０が
設けられている。オーバフロー槽１２０に一旦貯留され
た処理液は、オーバフロー槽１２０の底部から循環器１
２１に向けて排出パイプ２１ａを通して排出される。循
環器１２１は、排出された処理液をフィルタリングして
パーティクルを除去し、供給パイプ１２１ｂを介してウ
ェハ処理槽１１０の底部に送り出す。したがって、ウェ
ハ処理槽１１０内のパーティクルが効率的に除去され
る。
１０に処理液（エッチング液）を満たす。ウェハ処理槽
１１０の上部の周囲には、ウェハ処理槽１１０から溢れ
た処理液を一旦貯留するためのオーバフロー槽１２０が
設けられている。オーバフロー槽１２０に一旦貯留され
た処理液は、オーバフロー槽１２０の底部から循環器１
２１に向けて排出パイプ２１ａを通して排出される。循
環器１２１は、排出された処理液をフィルタリングして
パーティクルを除去し、供給パイプ１２１ｂを介してウ
ェハ処理槽１１０の底部に送り出す。したがって、ウェ
ハ処理槽１１０内のパーティクルが効率的に除去され
る。
【００８１】ウェハ処理槽１１０の深さは、ウェハ１４
０が完全に埋没する深さにすることが好ましく、これに
より大気中や液面付近のパーティクルがウェハ１４０に
吸着することを防止することができる。
０が完全に埋没する深さにすることが好ましく、これに
より大気中や液面付近のパーティクルがウェハ１４０に
吸着することを防止することができる。
【００８２】ウェハ処理槽１１０の下部には、超音波槽
３０が配置されている。超音波槽１３０の内部には、調
整機構１３２により超音波源１３１が支持されている。
この調整機構１３２は、超音波源１３１とウェハ処理槽
１１０との相対的な位置関係を調整する機構として、超
音波源１３１の上下方向の位置を調整するための機構
と、水平面内の位置を調整するための機構とを有し、こ
の機構により、ウェハ処理槽１１０、より詳しくはウェ
ハ１４０に供給される超音波を最適化することができ
る。超音波源１３１は、発生する超音波の周波数や強度
を調整する機能を備えることが好ましく、これにより超
音波の供給をさらに最適化することができる。このよう
に、ウェハ１４０に対する超音波の供給を最適化するた
めの機能を備えることにより、多様な種類のウェハに個
別に対向可能になる。超音波槽１３０には、超音波伝達
媒体（例えば、水）が満たされており、この超音波伝達
媒体によりウェハ処理槽１１０に超音波が伝達される。
３０が配置されている。超音波槽１３０の内部には、調
整機構１３２により超音波源１３１が支持されている。
この調整機構１３２は、超音波源１３１とウェハ処理槽
１１０との相対的な位置関係を調整する機構として、超
音波源１３１の上下方向の位置を調整するための機構
と、水平面内の位置を調整するための機構とを有し、こ
の機構により、ウェハ処理槽１１０、より詳しくはウェ
ハ１４０に供給される超音波を最適化することができ
る。超音波源１３１は、発生する超音波の周波数や強度
を調整する機能を備えることが好ましく、これにより超
音波の供給をさらに最適化することができる。このよう
に、ウェハ１４０に対する超音波の供給を最適化するた
めの機能を備えることにより、多様な種類のウェハに個
別に対向可能になる。超音波槽１３０には、超音波伝達
媒体（例えば、水）が満たされており、この超音波伝達
媒体によりウェハ処理槽１１０に超音波が伝達される。
【００８３】このウェハ処理装置１００は、超音波源１
３１のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部に
より、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
３１のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部に
より、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
【００８４】ウェハ１４０は、ウェハ１４０に係合する
溝１１１ａを有する４本のウェハ回転ロッド１１１によ
ってウェハ処理槽１１０の底面に対して略垂直に保持さ
れる。このウェハ回転ロッド１１１は、ウェハ１４０を
回転させながら支持する機能を有し、ウェハ回転機構の
一部をなす。各ウェハ回転ロッド１１１は、対向する一
対のロッド支持部材１１８により回動可能に支持されて
おり、モータ１１９が発生する駆動トルクを伝達されて
夫々同一方向に回転する。また、各ウェハ回転ロッド１
１１は、超音波の伝達を阻害しない程度に小径にするこ
とが好ましい。
溝１１１ａを有する４本のウェハ回転ロッド１１１によ
ってウェハ処理槽１１０の底面に対して略垂直に保持さ
れる。このウェハ回転ロッド１１１は、ウェハ１４０を
回転させながら支持する機能を有し、ウェハ回転機構の
一部をなす。各ウェハ回転ロッド１１１は、対向する一
対のロッド支持部材１１８により回動可能に支持されて
おり、モータ１１９が発生する駆動トルクを伝達されて
夫々同一方向に回転する。また、各ウェハ回転ロッド１
１１は、超音波の伝達を阻害しない程度に小径にするこ
とが好ましい。
【００８５】なお、ウェハ回転ロッド１１１の本数は、
少ない方が好ましいが、ウェハ１４０との摩擦力を確保
することを考慮すると、ウェハ１４０の転がり方向（Ｘ
軸方向）の移動を制限する２本のウェハ回転ロッド１１
１と、ウェハ１４０を下方から支持するための２本のウ
ェハ回転ロッド１１１を設けることが好ましい。ウェハ
の下方に２本のウェハ回転ロッド１１１を適切な間隙を
もって配置することにより、オリエンテーション・フラ
ットを有するウェハに対する駆動トルクの伝達を効率化
することができる。これは、ウェハの下方に１本のウェ
ハ回転ロッド１１１しか存在しない場合には、当該ウェ
ハ回転ロッド１１１上にオリエンテーション・フラット
が位置する場合に、当該ウェハ回転ロッド１１１によっ
てはウェハを回転させることができないからである。
少ない方が好ましいが、ウェハ１４０との摩擦力を確保
することを考慮すると、ウェハ１４０の転がり方向（Ｘ
軸方向）の移動を制限する２本のウェハ回転ロッド１１
１と、ウェハ１４０を下方から支持するための２本のウ
ェハ回転ロッド１１１を設けることが好ましい。ウェハ
の下方に２本のウェハ回転ロッド１１１を適切な間隙を
もって配置することにより、オリエンテーション・フラ
ットを有するウェハに対する駆動トルクの伝達を効率化
することができる。これは、ウェハの下方に１本のウェ
ハ回転ロッド１１１しか存在しない場合には、当該ウェ
ハ回転ロッド１１１上にオリエンテーション・フラット
が位置する場合に、当該ウェハ回転ロッド１１１によっ
てはウェハを回転させることができないからである。
【００８６】通常、ウェハ処理槽１１０の底面と液面と
の間には定在波、すなわち、超音波の強度が強い部分と
弱い部分とが形成されるが、このウェハ処理装置１００
は、ウェハ１４０を回転させながら処理することができ
るため、定在波に起因する処理の不均一性が低減され
る。
の間には定在波、すなわち、超音波の強度が強い部分と
弱い部分とが形成されるが、このウェハ処理装置１００
は、ウェハ１４０を回転させながら処理することができ
るため、定在波に起因する処理の不均一性が低減され
る。
【００８７】このウェハ処理装置１００は、ウェハ処理
槽１１０の底部やウェハ４０の周囲の部材を可能な限り
排除した構造を有するため、ウェハ１４０に対する超音
波の供給を効率化すると共に均一化することができる。
また、このような構造により、ウェハ１４０の付近にお
ける処理液の流動が自由になるため、ウェハに対する処
理を均一化し、処理不良の発生を防止することができ
る。
槽１１０の底部やウェハ４０の周囲の部材を可能な限り
排除した構造を有するため、ウェハ１４０に対する超音
波の供給を効率化すると共に均一化することができる。
また、このような構造により、ウェハ１４０の付近にお
ける処理液の流動が自由になるため、ウェハに対する処
理を均一化し、処理不良の発生を防止することができ
る。
【００８８】（ウェハ処理装置の構成例２）図５は、多
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。
【００８９】このウェハ処理装置１０のうち処理液が接
触し得る部分は、用途に応じて、石英、プラスチック等
で構成することが好ましい。プラスチックとしては、例
えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）また
はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好適で
ある。このうち弗素樹脂としては、例えば、ＰＶＤＦ，
ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
触し得る部分は、用途に応じて、石英、プラスチック等
で構成することが好ましい。プラスチックとしては、例
えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）また
はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好適で
ある。このうち弗素樹脂としては、例えば、ＰＶＤＦ，
ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
【００９０】このウェハ処理装置１０は、ウェハ処理槽
１１と、ウェハホルダ２１をウェハ処理槽１１内で揺動
させるためのホルダ駆動機構３１とを有する。また、ウ
ェハ処理装置１０は、超音波槽６１を有することが好ま
しい。
１１と、ウェハホルダ２１をウェハ処理槽１１内で揺動
させるためのホルダ駆動機構３１とを有する。また、ウ
ェハ処理装置１０は、超音波槽６１を有することが好ま
しい。
【００９１】ウェハを処理する際には、ウェハ処理槽１
１に処理液を満たす。ウェハ処理槽１１には、４面オー
バーフロー槽１２が設けられており、フィルタを内蔵し
た循環器７１により処理液をウェハ処理槽１１の底部よ
りウェハ処理槽１１内に供給する。ウェハ処理槽１１か
ら溢れた処理液は４面オーバーフロー槽１２に貯留さ
れ、４面オーバーフロー槽１２の底部から循環器７１に
向けて排出される。このウェハ処理装置１０は、ホルダ
駆動機構３１によりウェハホルダ２１を揺動させながら
同時に処理液を撹拌するため、処理液の液面を一定に維
持するために上記の４面オーバーフロー槽１２を含む循
環系が極めて有用である。
１に処理液を満たす。ウェハ処理槽１１には、４面オー
バーフロー槽１２が設けられており、フィルタを内蔵し
た循環器７１により処理液をウェハ処理槽１１の底部よ
りウェハ処理槽１１内に供給する。ウェハ処理槽１１か
ら溢れた処理液は４面オーバーフロー槽１２に貯留さ
れ、４面オーバーフロー槽１２の底部から循環器７１に
向けて排出される。このウェハ処理装置１０は、ホルダ
駆動機構３１によりウェハホルダ２１を揺動させながら
同時に処理液を撹拌するため、処理液の液面を一定に維
持するために上記の４面オーバーフロー槽１２を含む循
環系が極めて有用である。
【００９２】ウェハホルダ２１は、一般に市販されてい
る製品をそのまま使用することができるが、石英、プラ
スチック等で構成したものが好ましい。プラスチックと
しては、例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート（Ｐ
ＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
等が好適である。このうち弗素樹脂としては、例えば、
ＰＶＤＦ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
る製品をそのまま使用することができるが、石英、プラ
スチック等で構成したものが好ましい。プラスチックと
しては、例えば、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート（Ｐ
ＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
等が好適である。このうち弗素樹脂としては、例えば、
ＰＶＤＦ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ等が好適である。
【００９３】ホルダ駆動機構３１は、ウェハホルダ２１
を把持する一対の把持部３１ａを有し、この一対の把持
部３１ａによりウェハホルダ２１を把持してウェハ処理
槽１１内に浸漬させると共に、ウェハ処理槽１１内にお
いてウェハホルダ２１を揺動させながらウェハ４０に対
して所望の処理を施すことができる。したがって、ホル
ダ駆動機構３１は、一方では、前の工程が終了したウェ
ハ４０が収容されたウェハホルダ２１をウェハ処理槽１
１に搬送する機能や次の工程に搬送する機能を有し、他
方では、ウェハ処理装置１０の一部としての機能を有す
る。
を把持する一対の把持部３１ａを有し、この一対の把持
部３１ａによりウェハホルダ２１を把持してウェハ処理
槽１１内に浸漬させると共に、ウェハ処理槽１１内にお
いてウェハホルダ２１を揺動させながらウェハ４０に対
して所望の処理を施すことができる。したがって、ホル
ダ駆動機構３１は、一方では、前の工程が終了したウェ
ハ４０が収容されたウェハホルダ２１をウェハ処理槽１
１に搬送する機能や次の工程に搬送する機能を有し、他
方では、ウェハ処理装置１０の一部としての機能を有す
る。
【００９４】なお、この実施の形態は、把持部３１ａに
よりウェハホルダ２１を保持することによりウェハ４０
を間接的に保持するものであるが、例えば、把持部３１
を吸着パッド等に置換えることにより、ウェハ４０を直
接的に保持可能な構成にすることもできる。また、ウェ
ハ４０の保持する方向は、ウェハ処理槽１１の底面に垂
直な方向に限られず、例えば、該底面に平行する方向等
であっても良い。
よりウェハホルダ２１を保持することによりウェハ４０
を間接的に保持するものであるが、例えば、把持部３１
を吸着パッド等に置換えることにより、ウェハ４０を直
接的に保持可能な構成にすることもできる。また、ウェ
ハ４０の保持する方向は、ウェハ処理槽１１の底面に垂
直な方向に限られず、例えば、該底面に平行する方向等
であっても良い。
【００９５】超音波槽６１内には、超音波源５１が配さ
れ、超音波伝達媒体（例えば、水）で満たされている。
この超音波源５１は、上下及び／または左右に超音波源
５１の位置を調整するための調整機構６２上に固定され
ている。この調整機構６２により超音波源５１とウェハ
処理槽１１との位置関係を調整することにより、ウェハ
処理槽１１、より詳しくはウェハ４０に供給される超音
波を最適化することができる。超音波源５１は、発生す
る超音波の周波数や強度を調整する機能を備えることが
好ましく、これにより超音波の供給をさらに最適化でき
る。このように、ウェハ４０に対する超音波の供給を最
適化するための機能を備えることにより、多様な種類の
ウェハに個別に対応可能になる。
れ、超音波伝達媒体（例えば、水）で満たされている。
この超音波源５１は、上下及び／または左右に超音波源
５１の位置を調整するための調整機構６２上に固定され
ている。この調整機構６２により超音波源５１とウェハ
処理槽１１との位置関係を調整することにより、ウェハ
処理槽１１、より詳しくはウェハ４０に供給される超音
波を最適化することができる。超音波源５１は、発生す
る超音波の周波数や強度を調整する機能を備えることが
好ましく、これにより超音波の供給をさらに最適化でき
る。このように、ウェハ４０に対する超音波の供給を最
適化するための機能を備えることにより、多様な種類の
ウェハに個別に対応可能になる。
【００９６】このウェハ処理装置１０は、超音波源５１
のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部によ
り、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部によ
り、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
【００９７】（ウェハ処理装置の構成例３）図６は、多
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。図７Ａ〜図７Ｅは、図６に示すウェ
ハ処理装置の動作を示す図である。図８は、図６に示す
ウェハ処理装置における揺動支援部材の斜視図である。
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。図７Ａ〜図７Ｅは、図６に示すウェ
ハ処理装置の動作を示す図である。図８は、図６に示す
ウェハ処理装置における揺動支援部材の斜視図である。
【００９８】ウェハ処理槽１１の底部には、ホルダ駆動
機構３１によりウェハ４０を揺動する際に、ウェハ４０
の揺動の効率を高めるための揺動支援部材１３を備える
ことが好ましい。この揺動支援部材１３は、ウェハホル
ダ２１が移動する際に、ウェハホルダ２１に保持された
ウェハ４０の外周部に接触し、摩擦力によりウェハ４０
を回転させると共にウェハホルダ２１内で上下に移動さ
せる。したがって、この揺動支援部材１３は、処理後の
ウェハの面内均一性を向上させる上で有用である。
機構３１によりウェハ４０を揺動する際に、ウェハ４０
の揺動の効率を高めるための揺動支援部材１３を備える
ことが好ましい。この揺動支援部材１３は、ウェハホル
ダ２１が移動する際に、ウェハホルダ２１に保持された
ウェハ４０の外周部に接触し、摩擦力によりウェハ４０
を回転させると共にウェハホルダ２１内で上下に移動さ
せる。したがって、この揺動支援部材１３は、処理後の
ウェハの面内均一性を向上させる上で有用である。
【００９９】さらに、この揺動支援部材１３を上下（ｙ
軸方向）及び／又は左右（ｘ軸方向）に移動せしめる駆
動機構を備えることも有効である。この場合、揺動支援
部材１３自体が移動することによりウェハ４０を回転さ
せると共にウェハホルダ２１内で上下に移動させること
ができる。したがって、ホルダ駆動機構３１によりウェ
ハホルダ２１を移動させる範囲を小さくすること、換言
すると、ウェハ処理槽１１を小型化することができる。
軸方向）及び／又は左右（ｘ軸方向）に移動せしめる駆
動機構を備えることも有効である。この場合、揺動支援
部材１３自体が移動することによりウェハ４０を回転さ
せると共にウェハホルダ２１内で上下に移動させること
ができる。したがって、ホルダ駆動機構３１によりウェ
ハホルダ２１を移動させる範囲を小さくすること、換言
すると、ウェハ処理槽１１を小型化することができる。
【０１００】超音波槽６１内には、超音波源５１が配さ
れ、超音波伝達媒体（例えば、水）で満たされている。
この超音波源５１は、上下及び／または左右に超音波源
５１の位置を調整するための調整機構６２上に固定され
ている。この調整機構６２により超音波源５１とウェハ
処理槽１１との位置関係を調整することにより、ウェハ
処理槽１１、より詳しくはウェハ４０に供給される超音
波を最適化することができる。超音波源５１は、発生す
る超音波の周波数や強度を調整する機能を備えることが
好ましく、これにより超音波の供給をさらに最適化でき
る。このように、ウェハ４０に対する超音波の供給を最
適化するための機能を備えることにより、多様な種類の
ウェハに個別に対応可能になる。
れ、超音波伝達媒体（例えば、水）で満たされている。
この超音波源５１は、上下及び／または左右に超音波源
５１の位置を調整するための調整機構６２上に固定され
ている。この調整機構６２により超音波源５１とウェハ
処理槽１１との位置関係を調整することにより、ウェハ
処理槽１１、より詳しくはウェハ４０に供給される超音
波を最適化することができる。超音波源５１は、発生す
る超音波の周波数や強度を調整する機能を備えることが
好ましく、これにより超音波の供給をさらに最適化でき
る。このように、ウェハ４０に対する超音波の供給を最
適化するための機能を備えることにより、多様な種類の
ウェハに個別に対応可能になる。
【０１０１】このウェハ処理装置１０は、超音波源５１
のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部によ
り、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
のオン・オフを制御する制御部を有し、該制御部によ
り、上記の多孔質層の除去処理を制御することができ
る。
【０１０２】図７Ａ〜図７Ｅは、ウェハの揺動方式を説
明するための図である。これらの図において、矢印はウ
ェハホルダ２１の移動方向を示す。図７Ａは、ウェハの
揺動動作を開始する直前の状態を示している。ウェハの
揺動動作の開始が指示されると、コンピュータ制御の
下、先ず、図７Ｂに示すように、ホルダ駆動機構３１は
把持部３１ａを下方向に押し下げる。この押し下げの中
途でウェハ４０の外周部は揺動支援部材１３に接する。
したがって、ウェハ４０は揺動支援部材１３によって下
部を支えられる。
明するための図である。これらの図において、矢印はウ
ェハホルダ２１の移動方向を示す。図７Ａは、ウェハの
揺動動作を開始する直前の状態を示している。ウェハの
揺動動作の開始が指示されると、コンピュータ制御の
下、先ず、図７Ｂに示すように、ホルダ駆動機構３１は
把持部３１ａを下方向に押し下げる。この押し下げの中
途でウェハ４０の外周部は揺動支援部材１３に接する。
したがって、ウェハ４０は揺動支援部材１３によって下
部を支えられる。
【０１０３】揺動支援部材１３は、ウェハ４０に接触す
る際に僅かではあるがパーティクルを発生させる可能性
がある。そこで、図８に示すように先端部分をＲ加工す
ることにより、滑らかにウェハ４０と接するようにする
ことが好ましい。
る際に僅かではあるがパーティクルを発生させる可能性
がある。そこで、図８に示すように先端部分をＲ加工す
ることにより、滑らかにウェハ４０と接するようにする
ことが好ましい。
【０１０４】揺動支援部材１３は、ウェハ４０の揺動を
支援できれば十分であるから、超音波の伝達を阻害しな
いような形状、例えば、薄板状にすることができる。こ
れにより、ウェハ４０に供給される超音波を均一化し、
もってウェハ４０に施す処理を均一化することができ
る。
支援できれば十分であるから、超音波の伝達を阻害しな
いような形状、例えば、薄板状にすることができる。こ
れにより、ウェハ４０に供給される超音波を均一化し、
もってウェハ４０に施す処理を均一化することができ
る。
【０１０５】また、このウェハ処理装置１０は、ウェハ
４０と揺動支援部材１３との相対的な位置関係、換言す
ると、ウェハ４０とウェハ処理槽１１との相対的な位置
関係を変化させながらウェハ４０に対して処理を施すた
め、揺動支援部材１３によって生じ得る僅かな超音波の
不均一性も問題とならない。ウェハホルダ２１の押し下
げ量は、ある程度大きい方が、ウェハ４０と揺動支援部
材１３との接触圧力を大きくすることができるため、揺
動支援部材１３とウェハ４０との滑りをなくして動作不
良を防止することができる。これは、押し下げ量が小さ
すぎると、ウェハ４０に対する重力が揺動支援部材１３
の先端部に作用する割合よりもウェハホルダ２１に作用
する割合が大きくなるためである。この実施の形態に係
る形状の揺動支援部材１３を用いた場合、押し下げ量
は、ウェハ４０が揺動支援部材１３に接触してから３０
ｍｍ程度とすることが好ましい。
４０と揺動支援部材１３との相対的な位置関係、換言す
ると、ウェハ４０とウェハ処理槽１１との相対的な位置
関係を変化させながらウェハ４０に対して処理を施すた
め、揺動支援部材１３によって生じ得る僅かな超音波の
不均一性も問題とならない。ウェハホルダ２１の押し下
げ量は、ある程度大きい方が、ウェハ４０と揺動支援部
材１３との接触圧力を大きくすることができるため、揺
動支援部材１３とウェハ４０との滑りをなくして動作不
良を防止することができる。これは、押し下げ量が小さ
すぎると、ウェハ４０に対する重力が揺動支援部材１３
の先端部に作用する割合よりもウェハホルダ２１に作用
する割合が大きくなるためである。この実施の形態に係
る形状の揺動支援部材１３を用いた場合、押し下げ量
は、ウェハ４０が揺動支援部材１３に接触してから３０
ｍｍ程度とすることが好ましい。
【０１０６】ウェハホルダ２１の押し下げ動作が終了す
ると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュータ制御の下、
図７Ｃに示すように、把持部３１ａを右方向（ｘ軸の正
方向）に移動させる。これにより、ウェハ４０は、時計
回りに回転しながら、ウェハ処理槽１１内において、右
方向（ｘ軸の正方向）に略水平に移動する。把持部３１
ａの移動量は、ウェハホルダ２１の下部の開口部に衝突
しない範囲に設定する必要がある。
ると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュータ制御の下、
図７Ｃに示すように、把持部３１ａを右方向（ｘ軸の正
方向）に移動させる。これにより、ウェハ４０は、時計
回りに回転しながら、ウェハ処理槽１１内において、右
方向（ｘ軸の正方向）に略水平に移動する。把持部３１
ａの移動量は、ウェハホルダ２１の下部の開口部に衝突
しない範囲に設定する必要がある。
【０１０７】ウェハホルダ２１の右方向（ｘ軸の正方
向）への動作が終了すると、ホルダ駆動機構３１は、コ
ンピュータ制御の下、図７Ｄに示すように、把持部３１
ａを上方向に移動させる。把持部３１ａの移動量は、ウ
ェハ４０が処理液の液面１４の近傍に至らない範囲にす
ることが好ましい。これは、ウェハ４０が液面１４の近
傍に至ると、ウェハ４０の表面にパーティクルが付着す
る虞があるからである。ウェハのホルダ２１の上方向へ
の動作が終了すると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュ
ータ制御の下、図７Ｅに示すように、把持部３１ａを左
方向（ｘ軸の負方向）へ移動させ、初期状態（図７Ａ）
に戻す。
向）への動作が終了すると、ホルダ駆動機構３１は、コ
ンピュータ制御の下、図７Ｄに示すように、把持部３１
ａを上方向に移動させる。把持部３１ａの移動量は、ウ
ェハ４０が処理液の液面１４の近傍に至らない範囲にす
ることが好ましい。これは、ウェハ４０が液面１４の近
傍に至ると、ウェハ４０の表面にパーティクルが付着す
る虞があるからである。ウェハのホルダ２１の上方向へ
の動作が終了すると、ホルダ駆動機構３１は、コンピュ
ータ制御の下、図７Ｅに示すように、把持部３１ａを左
方向（ｘ軸の負方向）へ移動させ、初期状態（図７Ａ）
に戻す。
【０１０８】以上の動作（図７Ａ→図７Ｂ→図７Ｃ→図
７Ｄ→図７Ｅ）を繰り返すことにより、ウェハ４０を適
切に揺動させることができ、ウェハ４０に施す処理を均
一化することができる。
７Ｄ→図７Ｅ）を繰り返すことにより、ウェハ４０を適
切に揺動させることができ、ウェハ４０に施す処理を均
一化することができる。
【０１０９】このウェハ処理装置１０に拠れば、超音波
槽６１を調整することによって超音波の供給が最適化さ
れた領域においてウェハ４０を揺動させるため、ウェハ
４０に作用する超音波を最適化することができる。
槽６１を調整することによって超音波の供給が最適化さ
れた領域においてウェハ４０を揺動させるため、ウェハ
４０に作用する超音波を最適化することができる。
【０１１０】ところで、超音波の定常波は定間隔で腹と
節とを有することが知られている。したがって、超音波
をウェハ処理槽１１内において均一化することは困難で
ある。
節とを有することが知られている。したがって、超音波
をウェハ処理槽１１内において均一化することは困難で
ある。
【０１１１】しかし、このウェハ処理装置１０は、ホル
ダ駆動機構３１によりウェハ４０を揺動させるため、超
音波の強度の不均一な分布に拘わらず、ウェハ４０に対
する処理を均一化することができる。なお、ウェハ４０
を移動させる方向は、例えば、水平方向のみ、垂直方向
のみ、斜め方向のみ等の単純なものであっても、ウェハ
４０に対する処理の均一化に寄与させることができる。
また、ウェハ４０をその軸方向（Ｚ軸方向）にも揺動さ
せることにより、水平面内における超音波の強度部分に
よるウェハ間の処理の不均一性等をも是正することがで
きる。
ダ駆動機構３１によりウェハ４０を揺動させるため、超
音波の強度の不均一な分布に拘わらず、ウェハ４０に対
する処理を均一化することができる。なお、ウェハ４０
を移動させる方向は、例えば、水平方向のみ、垂直方向
のみ、斜め方向のみ等の単純なものであっても、ウェハ
４０に対する処理の均一化に寄与させることができる。
また、ウェハ４０をその軸方向（Ｚ軸方向）にも揺動さ
せることにより、水平面内における超音波の強度部分に
よるウェハ間の処理の不均一性等をも是正することがで
きる。
【０１１２】このウェハ処理装置１０は、さらに、揺動
支援部材１３を備えているため、ウェハ４０の揺動量を
効率的に高めることができる。なお、揺動支援部材１３
の固定位置はウェハ処理槽１１の底部に限定されず、ウ
ェハホルダ２１の全ウェハ４０に接触し得る構造であれ
ば、例えば、ウェハ処理槽１１の側壁に固定しても良い
し、例えば、ホルダ駆動機構３１に固定しても良い（こ
の場合は、把持部３１ａとの相対的な位置関係を変化さ
せる機構を設ける）。
支援部材１３を備えているため、ウェハ４０の揺動量を
効率的に高めることができる。なお、揺動支援部材１３
の固定位置はウェハ処理槽１１の底部に限定されず、ウ
ェハホルダ２１の全ウェハ４０に接触し得る構造であれ
ば、例えば、ウェハ処理槽１１の側壁に固定しても良い
し、例えば、ホルダ駆動機構３１に固定しても良い（こ
の場合は、把持部３１ａとの相対的な位置関係を変化さ
せる機構を設ける）。
【０１１３】さらに、このウェハ処理装置１０に拠れ
ば、ウェハ処理槽１１内に駆動機構が存在しないため、
駆動機構に起因するパーティクルが発生しない。
ば、ウェハ処理槽１１内に駆動機構が存在しないため、
駆動機構に起因するパーティクルが発生しない。
【０１１４】（ウェハ処理装置の構成例４）図９は、多
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。
孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略構
成を示す図である。
【０１１５】このウェハ処理装置３００は、ウェハ移動
機構８０によって、ウェハ処理槽１１の底面に対して略
平行（すなわち、超音波の振動面に対して略平行）にウ
ェハ４０を保持して、ウェハ処理槽１１内の処理液（エ
ッチング液）に完全に浸漬した状態で揺動させることに
より、ウェハ４０に施す処理を均一化すると共にパーテ
ィクルによる汚染を防止するものである。
機構８０によって、ウェハ処理槽１１の底面に対して略
平行（すなわち、超音波の振動面に対して略平行）にウ
ェハ４０を保持して、ウェハ処理槽１１内の処理液（エ
ッチング液）に完全に浸漬した状態で揺動させることに
より、ウェハ４０に施す処理を均一化すると共にパーテ
ィクルによる汚染を防止するものである。
【０１１６】ウェハ移動機構８０は、アーム８１によっ
てウェハ４０を把持し、ウェハ処理槽１１内においてウ
ェハ４０を揺動させる。この揺動は、超音波の振動面を
横切るような方向（すなわち、上下方向）の他、該振動
面に平行な方向（すなわち、水平方向）が好ましい。
てウェハ４０を把持し、ウェハ処理槽１１内においてウ
ェハ４０を揺動させる。この揺動は、超音波の振動面を
横切るような方向（すなわち、上下方向）の他、該振動
面に平行な方向（すなわち、水平方向）が好ましい。
【０１１７】このウェハ処理装置３００においても、ウ
ェハ４０を処理液に完全に浸漬した状態で処理すること
が好ましく、この場合、処理液と気体との界面付近にお
いてウェハ４０にパーティクルが付着することを防止す
ることができる。
ェハ４０を処理液に完全に浸漬した状態で処理すること
が好ましく、この場合、処理液と気体との界面付近にお
いてウェハ４０にパーティクルが付着することを防止す
ることができる。
【０１１８】このウェハ処理装置３００に拠れば、ウェ
ハ４０をウェハ処理槽１１内で揺動させることにより、
ウェハ４０に施す処理を均一化することができる。
ハ４０をウェハ処理槽１１内で揺動させることにより、
ウェハ４０に施す処理を均一化することができる。
【０１１９】（ウェハ処理装置の構成例５）図１０は、
多孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略
構成を示す図である。上記の構成例２乃至構成例４に係
るウェハ処理装置は、ウェハを揺動させながら処理する
ものであるが、この構成例に係るウェハ処理装置５００
は、ウェハを揺動させる代わりに処理液（エッチング
液）の流れを速くしたものである。
多孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略
構成を示す図である。上記の構成例２乃至構成例４に係
るウェハ処理装置は、ウェハを揺動させながら処理する
ものであるが、この構成例に係るウェハ処理装置５００
は、ウェハを揺動させる代わりに処理液（エッチング
液）の流れを速くしたものである。
【０１２０】このウェハ処理装置５００は、ウェハ処理
槽１１の下部にウェハホルダ２１の支持部７３を設け、
該支持部７３の下部の吹き出し口７２により、循環器７
１から供給される処理液を高速に吹き出す。支持部７３
には、複数の開口部が設けられており、吹き出し口７２
から吹き出された処理液は、この開口部を通して上方に
移動する。
槽１１の下部にウェハホルダ２１の支持部７３を設け、
該支持部７３の下部の吹き出し口７２により、循環器７
１から供給される処理液を高速に吹き出す。支持部７３
には、複数の開口部が設けられており、吹き出し口７２
から吹き出された処理液は、この開口部を通して上方に
移動する。
【０１２１】このように処理液の循環を高速にすること
により、ウェハ４０に対する処理を均一化することがで
きる。
により、ウェハ４０に対する処理を均一化することがで
きる。
【０１２２】なお、上記のような循環機構（７１〜７
３）を例えば図５に示すウェハ処理装置１０に組み込む
ことも有効である。
３）を例えば図５に示すウェハ処理装置１０に組み込む
ことも有効である。
【０１２３】（ウェハ処理装置の構成例６）上記の各ウ
ェハ処理装置は、超音波源を制御することにより、ウェ
ハ処理槽に超音波を供給するか否かを切替えるものであ
るが、例えば、超音波源とウェハとの間に、必要に応じ
て超音波の伝達を遮断するための機構を設けてもよい。
ェハ処理装置は、超音波源を制御することにより、ウェ
ハ処理槽に超音波を供給するか否かを切替えるものであ
るが、例えば、超音波源とウェハとの間に、必要に応じ
て超音波の伝達を遮断するための機構を設けてもよい。
【０１２４】ここでは一例として図５又は図６に示すウ
ェハ処理装置の変形例を挙げる。図１１は、図５又は図
６に示すウェハ処理装置の変形例を示す図である。な
お、図１１において、オーバーフロー槽や循環器等は省
略されている。
ェハ処理装置の変形例を挙げる。図１１は、図５又は図
６に示すウェハ処理装置の変形例を示す図である。な
お、図１１において、オーバーフロー槽や循環器等は省
略されている。
【０１２５】この変形例に係るウェハ処理装置は、超音
波源５１とウェハ処理槽１１の底面との間に、必要に応
じて超音波の伝達を遮断するシャッタ９１，９２を有す
る。このシャッタ９１，９２は、ウェハ処理槽１１に超
音波を伝達させる場合には、図１１（ａ）に示すよう
に、不図示の駆動部により開放され、ウェハ処理槽１１
に対する超音波の伝達を遮断する場合には、図１１
（ｂ）に示すように、不図示の駆動部により閉じられ
る。このシャッタ９１，９２の材質としては、超音波を
伝達しにくい材質、例えば、ＰＦＡやＰＴＦＥが好適で
ある。
波源５１とウェハ処理槽１１の底面との間に、必要に応
じて超音波の伝達を遮断するシャッタ９１，９２を有す
る。このシャッタ９１，９２は、ウェハ処理槽１１に超
音波を伝達させる場合には、図１１（ａ）に示すよう
に、不図示の駆動部により開放され、ウェハ処理槽１１
に対する超音波の伝達を遮断する場合には、図１１
（ｂ）に示すように、不図示の駆動部により閉じられ
る。このシャッタ９１，９２の材質としては、超音波を
伝達しにくい材質、例えば、ＰＦＡやＰＴＦＥが好適で
ある。
【０１２６】（ウェハ処理装置の構成例７）図１２は、
多孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略
構成を示す図である。図１２（ａ）は正面図、図１２
（ｂ）は側面図、図１２（ｃ）は平面図である。
多孔質層を除去するために好適なウェハ処理装置の概略
構成を示す図である。図１２（ａ）は正面図、図１２
（ｂ）は側面図、図１２（ｃ）は平面図である。
【０１２７】このウェハ処理装置７００は、噴射ノズル
７００よりストライプ状の流体（例えば、水）７０１を
噴射し、この噴射された流体によりウェハ４０の多孔質
層４０ａを除去する。
７００よりストライプ状の流体（例えば、水）７０１を
噴射し、この噴射された流体によりウェハ４０の多孔質
層４０ａを除去する。
【０１２８】図１２に示す例では、噴射ノズル７００よ
りウェハ４０に対して垂直に流体７０１を噴射しながら
ｚ軸方向に該噴射ノズル７００を走査することにより、
多孔質層４０ａを全面にわたって除去することができ
る。
りウェハ４０に対して垂直に流体７０１を噴射しながら
ｚ軸方向に該噴射ノズル７００を走査することにより、
多孔質層４０ａを全面にわたって除去することができ
る。
【０１２９】以下、上記の多孔質層の除去方法を適用し
た実施例を挙げる。
た実施例を挙げる。
【０１３０】（実施例１）まず、単結晶Ｓｉ基板の表面
に、耐HF性の素材からなる膜を形成し、これをパタニン
グして開口部を有するマスクパターンを形成した。そし
て、該開口部により露出した部分の単結晶Ｓｉ基板に対
してＨＦ溶液中で陽極化成処理を施して多孔質層を形成
した。この処理により単結晶Ｓｉ基板に５０μｍ厚の多
孔質層を形成した。次いで、マスクパターンを除去し
た。なお、単結晶Ｓｉ基板の表面にマスクパターンを形
成する代わりに、多孔質層を形成すべき領域のみにＨＦ
溶液が接触し得るホルダに単結晶Ｓｉ基板をセットして
陽極化成処理を実行してもよい。次いで、結果物として
の基板を図４に示す処理装置１００にセットした。ここ
で、図４に示す処理装置１００のウェハ処理槽１１０に
は、予め弗酸、過酸化水素水及び純水の混合液（エッチ
ング液）を満たしておいた。この処理装置１００におい
て、約２時間、基板を回転させると共に1MHz付近の超音
波を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ま
させた。
に、耐HF性の素材からなる膜を形成し、これをパタニン
グして開口部を有するマスクパターンを形成した。そし
て、該開口部により露出した部分の単結晶Ｓｉ基板に対
してＨＦ溶液中で陽極化成処理を施して多孔質層を形成
した。この処理により単結晶Ｓｉ基板に５０μｍ厚の多
孔質層を形成した。次いで、マスクパターンを除去し
た。なお、単結晶Ｓｉ基板の表面にマスクパターンを形
成する代わりに、多孔質層を形成すべき領域のみにＨＦ
溶液が接触し得るホルダに単結晶Ｓｉ基板をセットして
陽極化成処理を実行してもよい。次いで、結果物として
の基板を図４に示す処理装置１００にセットした。ここ
で、図４に示す処理装置１００のウェハ処理槽１１０に
は、予め弗酸、過酸化水素水及び純水の混合液（エッチ
ング液）を満たしておいた。この処理装置１００におい
て、約２時間、基板を回転させると共に1MHz付近の超音
波を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ま
させた。
【０１３１】次いで、超音波源１３１の動作を停止させ
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
【０１３２】次いで、図１２に示す装置により多孔質Ｓ
ｉ層を完全に除去した。その結果、基板表面に深さ50μ
mの凹部を有する構造体を形成することができた。
ｉ層を完全に除去した。その結果、基板表面に深さ50μ
mの凹部を有する構造体を形成することができた。
【０１３３】なお、図５、図６、図９に示す装置によっ
ても、同様の構造体を形成することができることを確認
した。
ても、同様の構造体を形成することができることを確認
した。
【０１３４】（実施例２）まず、単結晶Ｓｉ基板の表面
に、耐HF性の素材からなる膜を形成し、これをパタニン
グして開口部を有するマスクパターンを形成した。そし
て、該開口部により露出した部分の単結晶Ｓｉ基板に対
してＨＦ溶液中で陽極化成処理を施して、裏面側まで至
る多孔質層を形成した。この処理によりをパターニング
して開口部を設け、その開口部のみ陽極化成により多孔
質層を形成し、その後、マスクパターンを除去した。な
お、単結晶Ｓｉ基板の表面にマスクパターンを形成する
代わりに、多孔質層を形成すべき領域のみにＨＦ溶液が
接触し得るホルダに単結晶Ｓｉ基板をセットして陽極化
成処理を実行してもよい。次いで、結果物としての基板
の表面に厚さ１μｍの単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成
長法により形成した。
に、耐HF性の素材からなる膜を形成し、これをパタニン
グして開口部を有するマスクパターンを形成した。そし
て、該開口部により露出した部分の単結晶Ｓｉ基板に対
してＨＦ溶液中で陽極化成処理を施して、裏面側まで至
る多孔質層を形成した。この処理によりをパターニング
して開口部を設け、その開口部のみ陽極化成により多孔
質層を形成し、その後、マスクパターンを除去した。な
お、単結晶Ｓｉ基板の表面にマスクパターンを形成する
代わりに、多孔質層を形成すべき領域のみにＨＦ溶液が
接触し得るホルダに単結晶Ｓｉ基板をセットして陽極化
成処理を実行してもよい。次いで、結果物としての基板
の表面に厚さ１μｍの単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成
長法により形成した。
【０１３５】次いで、結果物としての基板を図４に示す
処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウェ
ハ処理装置１００のウェハ処理槽１１０には、予め弗
酸、過酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を
満たしておいた。この処理装置１００において、約６時
間、基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波を印
加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませた。
処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウェ
ハ処理装置１００のウェハ処理槽１１０には、予め弗
酸、過酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を
満たしておいた。この処理装置１００において、約６時
間、基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波を印
加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませた。
【０１３６】次いで、超音波源１３１の動作を停止させ
て、約2時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
て、約2時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
【０１３７】次いで、約５分間、再度超音波源１３１を
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。その結果、多孔質Ｓｉ層の上部に形成されていたエ
ピタキシャル層（単結晶Ｓｉ層）を含む単結晶Ｓｉのメ
ンブレンを形成することが形成できた。ここで、エピタ
キシャル層は、全面において略均一の厚さを有してい
た。
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。その結果、多孔質Ｓｉ層の上部に形成されていたエ
ピタキシャル層（単結晶Ｓｉ層）を含む単結晶Ｓｉのメ
ンブレンを形成することが形成できた。ここで、エピタ
キシャル層は、全面において略均一の厚さを有してい
た。
【０１３８】事前にエピタキシャル層（単結晶Ｓｉ層）
の一部を除去しておくことにより、例えば図２（ｃ）に
示すように、単結晶Ｓｉを材料とする片持ち梁状の構造
体を形成することもできる。
の一部を除去しておくことにより、例えば図２（ｃ）に
示すように、単結晶Ｓｉを材料とする片持ち梁状の構造
体を形成することもできる。
【０１３９】なお、図５、図６、図９に示す装置によっ
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
【０１４０】（実施例３）まず、第1の単結晶Si基板を
準備し、その表面層をHF溶液中において陽極化成するこ
とにより多孔質Ｓｉ層を形成した。その陽極化成条件は
以下の通りである。
準備し、その表面層をHF溶液中において陽極化成するこ
とにより多孔質Ｓｉ層を形成した。その陽極化成条件は
以下の通りである。
【０１４１】電流密度 ：7（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ：11（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉの厚み：12（μｍ） 次いで、この基板を酸素雰囲気中において400℃で1時間
酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉ層の孔の内壁は
熱酸化膜で覆われた。更に、多孔質Ｓｉ層上にCVD(Chem
ical Vapor Deposition)法により厚さ0.30μｍの単結晶
Ｓｉ層をエピタキシャル成長させた。その成長条件は以
下の通りである。
酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉ層の孔の内壁は
熱酸化膜で覆われた。更に、多孔質Ｓｉ層上にCVD(Chem
ical Vapor Deposition)法により厚さ0.30μｍの単結晶
Ｓｉ層をエピタキシャル成長させた。その成長条件は以
下の通りである。
【０１４２】ソ−スガス：SiＨ2Cl2/H2 ガス流量 ：0.5/180（ｌ/min） ガス圧力 ：80（Torr） 温度 ：950（℃） 成長速度 ：0.3（μｍ/ｍｉｎ） 次いで、このエピタキシャルSi層の表面に熱酸化法によ
り厚さ200nmのSiO2層を形成した。
り厚さ200nmのSiO2層を形成した。
【０１４３】次いで、この第１の基板のSiO2層の表面と
別途用意したSi基板（第2の基板）の表面とを貼り合わ
せた。
別途用意したSi基板（第2の基板）の表面とを貼り合わ
せた。
【０１４４】次いで、第1の基板側を研削、研磨、エッ
チング等の方法により除去して、第2の基板上の全域に
多孔質Si層を表出させた。
チング等の方法により除去して、第2の基板上の全域に
多孔質Si層を表出させた。
【０１４５】次いで、この第2の基板を図４に示すウェ
ハ処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウ
ェハ処理装置のウェハ処理槽１１０には、予め弗酸、過
酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を満たし
ておいた。 この処理装置１００において、約１．５時
間、第2の基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波
を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませ
た。
ハ処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウ
ェハ処理装置のウェハ処理槽１１０には、予め弗酸、過
酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を満たし
ておいた。 この処理装置１００において、約１．５時
間、第2の基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波
を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませ
た。
【０１４６】次いで、超音波源１３１の動作を停止させ
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
【０１４７】次いで、約５分間、再度超音波源１３１を
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。この際、例えば図１０に示すように、エッチング液
を適度に循環させた方が、処理後の基板の面内の均一性
が良くなる。
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。この際、例えば図１０に示すように、エッチング液
を適度に循環させた方が、処理後の基板の面内の均一性
が良くなる。
【０１４８】ここで、多孔質Ｓｉ層のエッチング液に超
音波を印加し、基板を回転させると共にエッチング液を
循環させながら、該基板の多孔質層にエッチング液を染
み込ませ、その後、超音波の印加を中断して相応の時間
だけ放置することにより、全基板に関して、面内の全域
にわたり多孔質Ｓｉ層の孔壁の厚さを十分に薄くするこ
とができる。このため、再度超音波を印加することによ
り、全基板の全域にわたって均一に、残留している多孔
質Ｓｉを一括して除去することができる。
音波を印加し、基板を回転させると共にエッチング液を
循環させながら、該基板の多孔質層にエッチング液を染
み込ませ、その後、超音波の印加を中断して相応の時間
だけ放置することにより、全基板に関して、面内の全域
にわたり多孔質Ｓｉ層の孔壁の厚さを十分に薄くするこ
とができる。このため、再度超音波を印加することによ
り、全基板の全域にわたって均一に、残留している多孔
質Ｓｉを一括して除去することができる。
【０１４９】なお、図５、図６、図９に示す装置によっ
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
【０１５０】ここで、超音波の印加を中断した後におい
て、再度超音波を印加する方法の代わりに以下に列挙す
る各方法を採用した場合においても、残留した多孔質Ｓ
ｉ層を高品位に除去することができる。 （例１）弗酸、硝酸及び純水の混合液に５秒程度浸して
多孔質Ｓｉ層を除去する方法。 （例２）多孔質Ｓｉ層を研磨により除去する方法。 （例３）多孔質Ｓｉ層をスクラバー洗浄により除去する
方法。 （例４）例えば1000kg/cm2の圧力でウォータージェット
を噴射しながら基板上を走査することにより多孔質Ｓｉ
層を除去する方法。
て、再度超音波を印加する方法の代わりに以下に列挙す
る各方法を採用した場合においても、残留した多孔質Ｓ
ｉ層を高品位に除去することができる。 （例１）弗酸、硝酸及び純水の混合液に５秒程度浸して
多孔質Ｓｉ層を除去する方法。 （例２）多孔質Ｓｉ層を研磨により除去する方法。 （例３）多孔質Ｓｉ層をスクラバー洗浄により除去する
方法。 （例４）例えば1000kg/cm2の圧力でウォータージェット
を噴射しながら基板上を走査することにより多孔質Ｓｉ
層を除去する方法。
【０１５１】上記の多孔質Ｓｉ層の除去の工程におい
て、単結晶Ｓｉはエッチストップとして機能し、多孔質
Ｓｉ層が選択的にエッチングされて完全に除去された。
て、単結晶Ｓｉはエッチストップとして機能し、多孔質
Ｓｉ層が選択的にエッチングされて完全に除去された。
【０１５２】上記のエッチング液に対する非多孔質のＳ
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
【０１５３】以上の工程により、Ｓｉ酸化膜上に0.2μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を形
成することができた。形成された単結晶Si層の膜厚を面
内の全面にわたって100点について測定したところ、膜
厚は201nm±4nmであった。
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を形
成することができた。形成された単結晶Si層の膜厚を面
内の全面にわたって100点について測定したところ、膜
厚は201nm±4nmであった。
【０１５４】さらに、上記の結果物に対して水素中にお
いて1100℃で熱処理を1時間施した後に、表面粗さを原
子間力顕微鏡で評価したところ、5μｍ角の領域での平
均2乗粗さはおよそ0.2nmであった。これは通常市販され
ているSiウエハと同等である。
いて1100℃で熱処理を1時間施した後に、表面粗さを原
子間力顕微鏡で評価したところ、5μｍ角の領域での平
均2乗粗さはおよそ0.2nmであった。これは通常市販され
ているSiウエハと同等である。
【０１５５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、単
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１５６】なお、酸化膜（ＳｉＯ2）をエピタキシャ
ル層の表面でなく、第2の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
ル層の表面でなく、第2の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
【０１５７】また、第2の基板として石英等の光透過性
の基板を用いた場合においても良好な結果を得ることが
できた。ただし、この場合、石英と単結晶Ｓｉ層との熱
膨張係数の差により単結晶Ｓｉ層にスリップが入るおそ
れがあるため、水素中において熱処理する温度を1100℃
から1000℃以下にした。
の基板を用いた場合においても良好な結果を得ることが
できた。ただし、この場合、石英と単結晶Ｓｉ層との熱
膨張係数の差により単結晶Ｓｉ層にスリップが入るおそ
れがあるため、水素中において熱処理する温度を1100℃
から1000℃以下にした。
【０１５８】（実施例４）第1の単結晶Si基板に対して
ＨＦ溶液中において２段階の陽極化成を施し、2層の多
孔質層を形成した。この陽極化成条件は以下の通りであ
った。
ＨＦ溶液中において２段階の陽極化成を施し、2層の多
孔質層を形成した。この陽極化成条件は以下の通りであ
った。
【０１５９】＜第１段階の陽極化成＞ 電流密度 ：7（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ：5（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉの厚み：5.5（μｍ） ＜第2段階の陽極化成＞ 電流密度 ：30（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ：110（ｓｅｃ） 多孔質Ｓｉの厚み：3（μｍ） 次いで、この基板を酸素雰囲気中において400℃で1時間
酸化させた。この酸化により多孔質Si層の孔の内壁は熱
酸化膜で覆われた。更に、この多孔質Si層上にCVD(Chem
ical Vapor Deposition)法により厚さ0.15μｍの単結晶
Si層をエピタキシャル成長法により形成した。この成長
条件は以下の通りである。
酸化させた。この酸化により多孔質Si層の孔の内壁は熱
酸化膜で覆われた。更に、この多孔質Si層上にCVD(Chem
ical Vapor Deposition)法により厚さ0.15μｍの単結晶
Si層をエピタキシャル成長法により形成した。この成長
条件は以下の通りである。
【０１６０】ソ−スガス：SiＨ2Cl2/H2 ガス流量 ：0.5/180（ｌ/min） ガス圧力 ：80（Torr） 温度 ：950（℃） 成長速度 ：0.3（μｍ/min） 次いで、このエピタキシャルSi層の表面に熱酸化法によ
り厚さ100nmのSiO2層を形成した。
り厚さ100nmのSiO2層を形成した。
【０１６１】次いで、この第１の基板のSiO2層の表面と
別途に用意したSi基板（第2の基板）の表面とを貼り合
わせた。
別途に用意したSi基板（第2の基板）の表面とを貼り合
わせた。
【０１６２】次いで、３０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度（第2
段階の陽極化成）で形成した多孔質Si層で、貼り合せた
基板を2分割し、第2の基板側の全面に多孔質Si層を表出
させた。分割方法としては、機械的に引っ張る方法、ね
じる方法、加圧する方法、楔を入れる方法、端面から酸
化して剥がす方法、熱応力を利用する方法、超音波を加
える方法、ウォータージェットを貼り合わせた基板に挟
入する方法等が好適である。
段階の陽極化成）で形成した多孔質Si層で、貼り合せた
基板を2分割し、第2の基板側の全面に多孔質Si層を表出
させた。分割方法としては、機械的に引っ張る方法、ね
じる方法、加圧する方法、楔を入れる方法、端面から酸
化して剥がす方法、熱応力を利用する方法、超音波を加
える方法、ウォータージェットを貼り合わせた基板に挟
入する方法等が好適である。
【０１６３】次いで、この第2の基板を図４に示すウェ
ハ処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウ
ェハ処理装置のウェハ処理槽１１０には、予め弗酸、過
酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を満たし
ておいた。 この処理装置１００において、約１．５時
間、第2の基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波
を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませ
た。
ハ処理装置１００にセットした。ここで、図４に示すウ
ェハ処理装置のウェハ処理槽１１０には、予め弗酸、過
酸化水素水及び純水の混合液（エッチング液）を満たし
ておいた。 この処理装置１００において、約１．５時
間、第2の基板を回転させると共に0.25MHz付近の超音波
を印加し、多孔質Ｓｉ層中にエッチング液を染み込ませ
た。
【０１６４】次いで、超音波源１３１の動作を停止させ
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
て、約１時間、基板をウェハ処理槽１１０中に放置し
た。これにより、多孔質Ｓｉ層の孔壁が薄くなった。
【０１６５】次いで、約５分間、再度超音波源１３１を
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。この際、例えば図１０に示すように、エッチング液
を適度に循環させた方が、処理後の基板の面内の均一性
が良くなる。
動作させることにより、多孔質Ｓｉ層を完全に除去し
た。この際、例えば図１０に示すように、エッチング液
を適度に循環させた方が、処理後の基板の面内の均一性
が良くなる。
【０１６６】ここで、多孔質Ｓｉ層のエッチング液に超
音波を印加し、基板を回転させると共にエッチング液を
循環させながら、該基板の多孔質層にエッチング液を染
み込ませ、その後、超音波の印加を中断して相応の時間
だけ放置することにより、全基板に関して、面内の全域
にわたり多孔質Ｓｉ層の孔壁の厚さを十分に薄くするこ
とができる。このため、再度超音波を印加することによ
り、全基板の全域にわたって均一に、残留している多孔
質Ｓｉを一括して除去することができる。
音波を印加し、基板を回転させると共にエッチング液を
循環させながら、該基板の多孔質層にエッチング液を染
み込ませ、その後、超音波の印加を中断して相応の時間
だけ放置することにより、全基板に関して、面内の全域
にわたり多孔質Ｓｉ層の孔壁の厚さを十分に薄くするこ
とができる。このため、再度超音波を印加することによ
り、全基板の全域にわたって均一に、残留している多孔
質Ｓｉを一括して除去することができる。
【０１６７】なお、図５、図６、図９に示す装置によっ
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
ても、同様の結果を得ることができることを確認した。
【０１６８】ここで、超音波の印加を中断した後におい
て、再度超音波を印加する方法の代わりに以下に列挙す
る各方法を採用した場合においても、残留した多孔質Ｓ
ｉ層を高品位に除去することができる。 （例１）弗酸、硝酸及び純水の混合液に５秒程度浸して
多孔質Ｓｉ層を除去する方法。 （例２）多孔質Ｓｉ層を研磨により除去する方法。 （例３）多孔質Ｓｉ層をスクラバー洗浄により除去する
方法。 （例４）例えば1000kg/cm2の圧力でウォータージェット
を噴射しながら基板上を走査することにより多孔質Ｓｉ
層を除去する方法。
て、再度超音波を印加する方法の代わりに以下に列挙す
る各方法を採用した場合においても、残留した多孔質Ｓ
ｉ層を高品位に除去することができる。 （例１）弗酸、硝酸及び純水の混合液に５秒程度浸して
多孔質Ｓｉ層を除去する方法。 （例２）多孔質Ｓｉ層を研磨により除去する方法。 （例３）多孔質Ｓｉ層をスクラバー洗浄により除去する
方法。 （例４）例えば1000kg/cm2の圧力でウォータージェット
を噴射しながら基板上を走査することにより多孔質Ｓｉ
層を除去する方法。
【０１６９】上記の多孔質Ｓｉ層の除去の工程におい
て、単結晶Ｓｉはエッチストップとして機能し、多孔質
Ｓｉ層が選択的にエッチングされて完全に除去された。
て、単結晶Ｓｉはエッチストップとして機能し、多孔質
Ｓｉ層が選択的にエッチングされて完全に除去された。
【０１７０】上記のエッチング液に対する非多孔質のＳ
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
【０１７１】以上の工程により、Ｓｉ酸化膜上に0.1μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を形
成することができた。形成された単結晶Si層の膜厚を面
内の全面にわたって100点について測定したところ、膜
厚は101nm±3nmであった。
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を形
成することができた。形成された単結晶Si層の膜厚を面
内の全面にわたって100点について測定したところ、膜
厚は101nm±3nmであった。
【０１７２】さらに、上記の結果物に対して水素中にお
いて1100℃で熱処理を1時間施した後に、表面粗さを原
子間力顕微鏡で評価したところ、5μｍ角の領域での平
均2乗粗さはおよそ0.2nmであった。これは通常市販され
ているSiウエハと同等である。
いて1100℃で熱処理を1時間施した後に、表面粗さを原
子間力顕微鏡で評価したところ、5μｍ角の領域での平
均2乗粗さはおよそ0.2nmであった。これは通常市販され
ているSiウエハと同等である。
【０１７３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Si
層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結晶
性が維持されていることが確認された。
層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結晶
性が維持されていることが確認された。
【０１７４】酸化膜は、エピタキシャル層表面でなく、
第2の基板表面に形成しても、あるいは、その両者に形
成しても同様の結果が得られた。
第2の基板表面に形成しても、あるいは、その両者に形
成しても同様の結果が得られた。
【０１７５】また、第2の基板として石英等の光透過性
ウエハを用いても、本実施例は、同様に実施できた。た
だし、石英とSi層との熱膨張係数の差により単結晶Si層
にスリップがはいるため、水素中1100℃での熱処理は、
温度を1000℃以下に下げておこなった。
ウエハを用いても、本実施例は、同様に実施できた。た
だし、石英とSi層との熱膨張係数の差により単結晶Si層
にスリップがはいるため、水素中1100℃での熱処理は、
温度を1000℃以下に下げておこなった。
【０１７６】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、単
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１７７】なお、酸化膜（ＳｉＯ2）をエピタキシャ
ル層の表面でなく、第2の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
ル層の表面でなく、第2の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
【０１７８】また、第2の基板として石英等の光透過性
の基板を用いた場合においても良好な結果を得ることが
できた。ただし、この場合、石英と単結晶Ｓｉ層との熱
膨張係数の差により単結晶Ｓｉ層にスリップが入るおそ
れがあるため、水素中において熱処理する温度を1100℃
から1000℃以下にした。
の基板を用いた場合においても良好な結果を得ることが
できた。ただし、この場合、石英と単結晶Ｓｉ層との熱
膨張係数の差により単結晶Ｓｉ層にスリップが入るおそ
れがあるため、水素中において熱処理する温度を1100℃
から1000℃以下にした。
【０１７９】一方、第１の基板側に残った多孔質Si層を
選択的にエッチングし、その後、水素アニール又は表面
研磨等の表面処理を施すことにより、第1の基板又は第2
の基板として再利用することができた。
選択的にエッチングし、その後、水素アニール又は表面
研磨等の表面処理を施すことにより、第1の基板又は第2
の基板として再利用することができた。
【０１８０】なお、陽極化成により形成する多孔質層を
1層構造とした場合においても略同様の結果が得られ
た。
1層構造とした場合においても略同様の結果が得られ
た。
【０１８１】上記の実施例において、多孔質Ｓｉ層上に
単結晶Ｓｉ層を形成するエピタキシャル成長法として
は、CVD法の他、MBE法、スパッタ法、液相成長法等が好
適である。また、多孔質Si層上には、GaAs、InP等の単
結晶化合物半導体をエピタキシャル成長させることもで
きる。この場合、GaAs on Si、GaAs on Glass(Quartz)
等の高周波デバイス、OEICに適した基板を作製すること
ができる。。
単結晶Ｓｉ層を形成するエピタキシャル成長法として
は、CVD法の他、MBE法、スパッタ法、液相成長法等が好
適である。また、多孔質Si層上には、GaAs、InP等の単
結晶化合物半導体をエピタキシャル成長させることもで
きる。この場合、GaAs on Si、GaAs on Glass(Quartz)
等の高周波デバイス、OEICに適した基板を作製すること
ができる。。
【０１８２】また、多孔質Si層を選択的にエッチングす
るためのエッチング液は、４９％の弗酸と３０％の過酸
化水素水と水との混合液が好適であるが、以下に列挙す
るエッチング液も好適である。多孔質Ｓｉは、膨大な表
面積を有するため、選択的なエッチングが容易だからで
ある。 (a)弗酸 (b)弗酸にアルコールおよび過酸化水素水の少なくとも
一方を添加した混合液(c)バッファード弗酸 (d)バッファード弗酸にアルコールおよび過酸化水素水
の少なくとも一方を添加した混合液 (e)弗酸・硝酸・酢酸の混合液 また、上記の実施例では、超音波の印加を中断する方法
として、超音波源の動作を停止させる方法を挙げている
が、例えば、図１１に示すように、シャッターを用いる
方法も有効である。
るためのエッチング液は、４９％の弗酸と３０％の過酸
化水素水と水との混合液が好適であるが、以下に列挙す
るエッチング液も好適である。多孔質Ｓｉは、膨大な表
面積を有するため、選択的なエッチングが容易だからで
ある。 (a)弗酸 (b)弗酸にアルコールおよび過酸化水素水の少なくとも
一方を添加した混合液(c)バッファード弗酸 (d)バッファード弗酸にアルコールおよび過酸化水素水
の少なくとも一方を添加した混合液 (e)弗酸・硝酸・酢酸の混合液 また、上記の実施例では、超音波の印加を中断する方法
として、超音波源の動作を停止させる方法を挙げている
が、例えば、図１１に示すように、シャッターを用いる
方法も有効である。
【０１８３】以上、特定の実施の形態及び実施例を挙げ
て特徴的な技術的思想を説明したが、本発明は、これら
の実施の形態及び実施例に記載された事項によって限定
されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範囲内において様々な変形をなし得る。
て特徴的な技術的思想を説明したが、本発明は、これら
の実施の形態及び実施例に記載された事項によって限定
されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範囲内において様々な変形をなし得る。
【０１８４】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、多孔質領域の
下地の平坦性を維持することができる。
下地の平坦性を維持することができる。
【０１８５】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る多孔質層の除
去方法の原理を説明するための図である。
去方法の原理を説明するための図である。
【図２】多孔質層の除去方法の第１の応用例に係る加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る半導体基体の
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図４】構成例１に係るウェハ処理装置を示す斜視図で
ある。
ある。
【図５】構成例２に係るウェハ処理装置を示す図であ
る。
る。
【図６】構成例３に係るウェハ処理装置を示す図であ
る。
る。
【図７Ａ】図６に示すウェハ処理装置の動作を示す図で
ある。
ある。
【図７Ｂ】図６に示すウェハ処理装置の動作を示す図で
ある。
ある。
【図７Ｃ】図６に示すウェハ処理装置の動作を示す図で
ある。
ある。
【図７Ｄ】図６に示すウェハ処理装置の動作を示す図で
ある。
ある。
【図７Ｅ】図６に示すウェハ処理装置の動作を示す図で
ある。
ある。
【図８】図６に示すウェハ処理装置における揺動支援部
材の斜視図である。
材の斜視図である。
【図９】構成例４に係るウェハ処理装置を示す図であ
る。
る。
【図１０】構成例５に係るウェハ処理装置を示す図であ
る。
る。
【図１１】図５又は図６に示すウェハ処理装置の変形例
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】構成例７に係るウェハ処理装置を示す図であ
る。
る。
２０１ 基板 ２０２ 多孔質層 ２０３ エッチング液 ４０１ 基板 ４０２ 多孔質Ｓｉ部 ４０３ 非多孔質層 ５０１ 単結晶Ｓｉ基板 ５０２ 多孔質Ｓｉ層 ５０３ 非多孔質層 ５０４ ＳｉＯ2層 ５０５ 第２の基板 １１０ ウェハ処理槽 １１１ ウェハ回転ロッド １１１ａ 溝 １１２ 駆動力伝達ギア １１４ 中間ギア １１４ａ 駆動力伝達ギア １１５ クランク １１６ 連結ロッド １１７ クランク １１８，１１８’ ロッド支持部材 １１９ モータ １２０ オーバーフロー槽 １２１ 循環器 １２１ａ 排出パイプ １２１ｂ 供給パイプ １２１ｃ 供給口 １３０ 超音波槽 １３１ 超音波源 １３２ 調整機構 １４０ ウェハ １１ ウェハ処理槽 １２ ４面オーバーフロー槽 １３，１３’ 揺動支援部材 １３ａ，１３ｂ 溝 １４ 液面 ２１ ウェハホルダ ３１，３１’ ホルダ駆動機構 ３１ａ，３１ａ’ 把持部 ３１ｂ 開閉用ロッド ３１ｃ 水平駆動軸 ３１ｄ 垂直駆動軸 ４０ ウェハ ４０ａ 多孔質層 ５１ 超音波源 ６１ 超音波槽 ６２ 調整機構 ７１ 循環器 ７２ 循環吹き出し口 ８０ ウェハ移動機構 ８１ アーム ９１、９２ 超音波遮断シャッター １０ ウェハ処理装置 ７００ 噴射ノズル ７０１ 流体
Claims (35)
- 【請求項１】 多孔質領域を有する基体から該多孔質領
域を除去する多孔質領域の除去方法であって、 エッチング液に超音波を誘導しながら該エッチング液に
より多孔質領域を処理する第１工程と、 エッチング液に超音波を誘導することなく、又はエッチ
ング液に前記第１工程において誘導する超音波よりも弱
い超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領
域を処理する第2工程と、 基体に残存する多孔質領域を除去する第３工程と、 を含むことを特徴とする多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２】 前記第１工程では、エッチング液を多孔
質領域の孔の深部まで染み込ませることを特徴とする請
求項１に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項３】 前記第2工程では、エッチング作用によ
り多孔質領域の孔壁の厚さを所定厚以下まで薄くするこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多孔質領
域の除去方法。 - 【請求項４】 前記第2工程では、前記第3工程において
残存する多孔質領域を一括して除去し得る程度に多孔質
領域の孔壁を薄くさせることを特徴とする請求項３に記
載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項５】 前記第３工程では、基体に残存する多孔
質領域をエッチング液により除去することを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれか1項に記載の多孔質領
域の除去方法。 - 【請求項６】 前記第3工程では、エッチング液に超音
波を誘導しながら該エッチング液により基体に残存する
多孔質領域を除去することを特徴とする請求項５に記載
の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項７】 処理対象の基体を同一のエッチング液に
浸した状態で前記第１乃至第3工程を実行することを特
徴とする請求項５又は請求項６に記載の多孔質領域の除
去方法。 - 【請求項８】 前記第３工程では、多孔質領域に対する
エッチング速度が前記第１及び第2のエッチング液より
も速いエッチング液により、基体に残存する多孔質領域
を除去することを特徴とする請求項５又は請求項６に記
載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項９】 処理対象の基体をエッチング液に完全に
浸した状態で前記第１乃至第３工程を実行することを特
徴とする請求項５乃至請求項８のいずれか1項に記載の
多孔質領域の除去方法。 - 【請求項１０】 処理対象の基体をエッチング液に完全
に浸した状態で前記第１及び／又は第2工程を実行する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか1項
に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項１１】 前記第３工程では、基体に残存する多
孔質領域を高圧の流体により除去することを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれか1項に記載の多孔質領
域の除去方法。 - 【請求項１２】 前記第３工程では、基体に残存する多
孔質領域をスクラバー洗浄法により除去することを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれか1項に記載の多
孔質領域の除去方法。 - 【請求項１３】 エッチング液に超音波を誘導しながら
基体を処理する際に、超音波源と該基体との相対的な位
置関係を変化させることを特徴とする請求項１乃至請求
項１２のいずれか1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項１４】 エッチング液に超音波を誘導しながら
基体を処理する際に、該基体をエッチング液中で揺動さ
せることを特徴とする請求項１３に記載の多孔質領域の
除去方法。 - 【請求項１５】 エッチング液に超音波を誘導しながら
基体を処理する際に、該基体を回転させることを特徴と
する請求項１３に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項１６】 エッチング液に超音波を誘導しながら
基体を処理する際に、該基体及び前記超音波源の少なく
とも一方の位置を超音波の振動面に対して実質的に平行
又は垂直な方向に変化させることを特徴とする請求項１
３に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項１７】 エッチング液により基体を処理する際
に、該基体を揺動又は回転させることを特徴とする請求
項１乃至請求項１２のいずれか1項に記載の多孔質領域
の除去方法。 - 【請求項１８】 エッチング液により基体を処理する際
に、該エッチング液を循環させて該基体付近において該
エッチング液の流れを形成することを特徴とする請求項
１乃至請求項１２のいずれか1項に記載の多孔質領域の
除去方法。 - 【請求項１９】 前記第１及び第2工程を同一のエッチ
ング槽内に基体を浸して実行し、前記第１工程では、超
音波源を動作させ、第2工程では、該超音波源の動作を
停止させることを特徴とする請求項１乃至請求項１８の
いずれか1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２０】 前記第１及び第2工程を同一のエッチ
ング槽内に基体を浸して実行し、前記第１及び第2工程
において連続的に超音波源を動作させ、かつ、前記第2
工程では、超音波源と該基体との間に超音波の遮蔽板を
挟むことを特徴とする請求項１乃至請求項１８のいずれ
か1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２１】 処理対象の基体は、単結晶Ｓｉからな
ることを特徴とする請求項１乃至請求項２０のいずれか
1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２２】 前記多孔質領域は、多孔質Ｓｉからな
ることを特徴とする請求項１乃至請求項２０のいずれか
1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２３】 前記多孔質領域は、単結晶Ｓｉからな
る基体を陽極化成してなることを特徴とする請求項２２
に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２４】 エッチング液として、 （ａ）弗酸 （ｂ）弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも
一方を添加した混合液、（ｃ）バッファード弗酸、
（ｄ）バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水
の少なくとも一方を添加した混合液、のいずれかを使用
することを特徴とする請求項１乃至請求項２３のいずれ
か1項に記載の多孔質領域の除去方法。 - 【請求項２５】 半導体基体の製造方法であって、 第１の基体に多孔質層及び少なくとも１層の非多孔質層
を形成する工程と、 第１の基体の非多孔質層側に第2の基体を貼り合せる工
程と、 貼り合せた基体より第１の基体を除去して第2の基体上
に多孔質層を表出させる工程と、 請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の多孔質
領域の除去方法を適用して、第2の基体上の多孔質層を
除去する工程と、 を含むことを特徴とする半導体基体の製造方法。 - 【請求項２６】 前記多孔質層を表出させる工程では、
前記貼り合せた基体の第１の基体の裏面側から該第１の
基体を研削、研磨又はエッチングすることにより、第2
の基体上に多孔質層を表出させることを特徴とする請求
項２５に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項２７】 前記多孔質層を表出させる工程では、
前記貼り合せた基体を多孔質層で分割することにより、
第2の基体上に多孔質層を表出させることを特徴とする
請求項２５に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項２８】 前記非多孔質層は、単結晶Ｓｉ層を含
むことを特徴とする請求項２５乃至請求項２７のいずれ
か１項に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項２９】 前記非多孔質層は、単結晶Ｓｉ層及び
Ｓｉ酸化物層を含むことを特徴とする請求項２５乃至請
求項２７のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方
法。 - 【請求項３０】 前記単結晶Ｓｉ層は、第１の基体の多
孔質層上にエピタキシャル成長法により形成された層で
あることを特徴とする請求項２８又は請求項２９に記載
の半導体基体の製造方法。 - 【請求項３１】 前記非多孔質層は、単結晶化合物半導
体層を含むことを特徴とする請求項２５乃至請求項２７
のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項３２】 前記第2の基体は、Ｓｉ材料からなる
基体であることを特徴とする請求項２５乃至請求項３１
のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項３３】 前記第2の基体は、第１の基体と貼り
合せる面にＳｉ酸化物層を有することを特徴とする請求
項２５乃至請求項３２のいずれか１項に記載の半導体基
体の製造方法。 - 【請求項３４】 前記第2の基体は、光透過性の基体で
あることを特徴とする請求項２５乃至請求項３１のいず
れか１項に記載の半導体基体の製造方法。 - 【請求項３５】 多孔質領域を有する基体から該多孔質
領域を除去する多孔質領域の除去装置であって、 エッチング液に超音波を誘導しながら該エッチング液に
より多孔質領域を処理する第１工程を実行する手段と、 エッチング液に超音波を誘導することなく、又はエッチ
ング液に前記第１工程において誘導する超音波よりも弱
い超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領
域を処理する第2工程を実行する手段と、 基体に残存する多孔質領域を除去する第３工程を実行す
る手段と、 を含むことを特徴とする多孔質領域の除去装置。
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