JPH11192752A - 記録装置 - Google Patents

記録装置

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JPH11192752A
JPH11192752A JP96698A JP96698A JPH11192752A JP H11192752 A JPH11192752 A JP H11192752A JP 96698 A JP96698 A JP 96698A JP 96698 A JP96698 A JP 96698A JP H11192752 A JPH11192752 A JP H11192752A
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寛 植村
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雅文 綿谷
Sohei Tanaka
壮平 田中
Nobuyuki Tsukada
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリアルスキャン型のプリンタにおいて、デ
ータ伸長が必要な場合に、データ処理の時間を大幅に短
縮し、高速の印字を行えるようにする。 【解決手段】 インターフェイス1を介して入力データ
を受信し、メモリ2内の受信バッファ3に蓄える。そし
て、コマンド解析を行った後にイメージバッファ4に格
納し、データ伸長が必要ない場合はHV変換回路により
そのまま入力された主走査方向順次のデータを副走査順
次のデータにHV変換し、印字データ処理回路7での処
理後に記録ヘッド8に印字データを転送する。データ伸
長が必要な場合は、上記のHV変換と同時にデータ伸長
回路により副走査方向へのデータ伸長を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体の副走査
方向(搬送方向)に複数の記録素子を持つ記録ヘッドを
走査して記録媒体に画像を形成するシリアルスキャン型
の記録装置、特に入力された主走査方向(キャリッジ走
査方向)順次のデータを副走査方向順次のデータに変換
する画像変換回路および入力されたデータに対して副走
査方向にデータを伸長するデータ伸長回路を備えた記録
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、プリンタ等の記録ヘッドとして
は、複数の記録素子(インク吐出ノズルや発熱素子等)
を備えたドットインパクト方式、サーマル方式、インク
ジェット方式のものがあり、これらの記録ヘッドを用い
た記録装置は、記録媒体(記録用紙等)の搬送方向と直
交する方向に記録ヘッドを走査させながら印字を行い、
1行印字を終えた段階で記録ヘッドの幅分だけ記録用紙
を搬送し、その繰返しで画像を形成するシリアルスキャ
ン方式が一般的である。その際、記録する画像データは
記録ヘッドの幅に相当するデータが順次記録ヘッドに転
送され、1画素に相当する距離を移動する度に記録素子
が駆動され、画像が形成される。
【0003】ここで、ホストコンピュータ等から送られ
てくる記録データは、通常主走査方向順次のデータであ
るため、記録ヘッドの記録要素の数(例えばインク吐出
ノズルの数)に応じて、副走査方向順次のデータに変換
(以下HV変換という)する必要がある。
【0004】一方、入力データに対する副走査方向のデ
ータ伸長は、上記HV変換前の画像データに対して行う
方法と、上記HV変換後の画像データに対して行う方法
とがある。
【0005】図8は従来のシリアルプリンタ装置におけ
る上記のHV変換から副走査方向のデータ伸長までの画
像データ変換を行う回路の構成を示すブロック図であ
り、HV変換前またはHV変換後にデータ伸長を行う回
路の構成を示している。
【0006】この回路においては、不図示のホストコン
ピュータ等からのインターフェイス(I/F)51を介
して入力データを受信する。受信したデータは、DRA
M等のメモリ52領域内の受信バッファ53に蓄えられ
る。受信バッファ53は、数k〜数十kバイトの容量を
持っており、この受信バッファ53に蓄えられた記録デ
ータは、コマンド解析が行われてからイメージバッファ
54に保持される。
【0007】そして、イメージバッファ54に蓄えられ
た印字データに対して、データ伸長回路57により副走
査方向にデータ伸長する。このようなデータ伸長を行っ
た後のイメージバッファ54に蓄えられたデータは主走
査方向順次のデータであるため、イメージバッファ54
に記録ヘッドの幅分のラスタデータ(主走査方向順次の
ラインデータ)が蓄えられたところで、HV変換回路5
6を起動してHV変換を行い、HV変換後のデータをイ
メージバッファ54に書き戻す。
【0008】このようにして、記録ヘッドの1走査分に
相当する量のHV変換したデータを蓄えた後、再度イメ
ージバッファ54から記録ヘッドの各記録素子に対応し
た印字データを読み出し、印字データ処理回路58によ
りマルチパス印字に対応したマスクをかける等の印字デ
ータ処理を行い、記録ヘッド59に実際の印字データを
転送する。
【0009】ところで、上記HV変換の方法として例え
ば特開昭63−200674号公報に示されているよう
に、HV変換するデータを蓄えるために記録ヘッド1バ
ンドスキャン分の特別なメモリを持ち、逐次変換で高速
に行うようにしたものが提案されている。また、この方
式では回路規模が大きくなるために、HV変換のデータ
設定はMPUが行い、変換自体はハードウェアが行うよ
うな方法も提案されている。この方法は、主に図9に示
すようにMPUが介在して行う方法と、図10に示すよ
うにMPUを介在せずにダイレクト・メモリ・アクセス
(DMA)によって行う方法の2通りがある。
【0010】図9は上記のMPUが介在してHV変換を
行う場合の従来のHV変換回路の構成を示すブロック図
である。
【0011】図9の回路において、MPU301の外部
制御信号線には画像データを蓄える記憶装置としてのD
RAM302とHV変換レジスタ303が接続されてい
る。例えば、DRAM302として256k×16ビッ
ト(4Mビット)構成のものを用いた場合、MPU30
1のアドレスバス上に$x00000番地から$x7F
FFF番地(「$」は16進数を、xは任意の16進数
1桁を表す)までの領域が割り当てられるが、その$x
番地を例えば$Dとなるようにするには、DRAMアド
レスデコード回路304をアドレスバスの上位5ビット
(A23〜A19)が“11010”となるタイミング
を検出する回路として構成し、DRAM制御回路305
と、Row,Columnアドレスデコード回路306
と、MPU301のデータバスとをDRAM302に接
続することにより、MPU301はDRAM302をア
クセスすることができる。
【0012】上記DRAM制御回路305は、DARA
Mアドレスデコード回路304が検出したタイミング信
号とMPU301の制御信号;例えば、システムロック
CLK、アドレスストローブAS*、リード/ライト信
号RD/WR*からDRAM制御信号;RAS*、CA
S*、OE*、UWE*、LWE*を生成する。Ro
w,Columnアドレスデコード回路306は、Ro
wアドレス,Columnアドレス切替えタイミングを
DRAM制御回路305から受けてMPU301のアド
レスバス上のアドレスをDRAM302のアドレスに変
換する。
【0013】また、HV変換レジスタ303へのMPU
301のアクセスは、HV変換ライトレジスタアドレス
デコード回路307とHV変換リードレジスタアドレス
デコード回路308により可能となる。
【0014】HV変換ライトレジスタアドレスデコード
回路307は、HV変換ライトレジスタアドレス、例え
ば図10に示すように$FF0000番地〜$FF00
1F番地の16ワード分の領域を割り当てた場合、MP
Uのアドレスバスの上位19ビット(A23〜A5)が
“1111111100000000000”の時発生
するタイミング信号と、MPUのライト動作を示す信号
WR*とでHV変換ライトレジスタにMPU301のデ
ータバス上のデータをラッチする信号を生成出力する。
【0015】また、HV変換リードレジスタアドレスデ
コード回路308は、HV変換リードレジスタアドレ
ス、例えば図10に示すように$FF0020番地〜$
FF003F番地の16ワード分の領域を割り当てた場
合、MPUのアドレスバスが“11111111000
0000001”の時発生するタイミング信号と、MP
Uのリード動作を示す信号RDとでHV変換リードレジ
スタに書かれたデータをMPU301のデータバス上に
出力する信号を生成出力する。
【0016】図11は上記HV変換レジスタの構成を示
す図であり、ここでは16ビット(主走査方向)×16
ビット(副走査方向)のHV変換を例に説明する。
【0017】HV変換ライトレジスタは16ビット長の
ラッチ回路16個で構成され、MPU301がワード単
位で16回書き込みを行うことで16×16=256ビ
ットのデータが保持される。そして、HV変換レジスタ
に対応したアドレスからMPU301がデータを読み込
み、保持された256ビットのデータの中から、例えば
$FF0020アドレスをリードした場合、各ライトレ
ジスタの最上位に保持されたデータが選択されてMPU
301のデータバスに出力され、$FF003Fアドレ
スをリードした場合は、各ライトレジスタの最下位に保
持されたデータが選択されてMPU301のデータバス
に出力される。このように、HV変換するデータを16
ワード分書き込み、その後レジスタから16ワード分の
データを読み出すことで、HV変換を行える。通常、H
V変換するデータはDRAM302に蓄えられており、
HV変換後のデータもDRAM302に蓄えられること
になる。
【0018】次に、図10〜図13を用いて従来のDM
AによりHV変換について説明する。
【0019】図10は従来のDMAによってHV変換を
行う場合のHV変換回路の構成を示すブロック図であ
る。図11は前述のようにHV変換レジスタによるHV
変換動作の概略を示し、図12は従来のDMAによりH
V変換ライトレジスタへのライトタイミングを示す図で
ある。また図13はDMAによりHV変換リードレジス
タのリードタイミングを示す図である。
【0020】HV変換すべき主走査方向順次のデータが
DRAMに蓄えられたところで、図10に示すようなH
V変換回路が起動され、HV変換を行う。DMAスター
トアドレスレジスタ401には、DRAM領域上のDM
A開始アドレスが格納されている。そして、DMAアド
レスコントローラ402はアクセスしたいDMAアドレ
スを生成し、DRAM制御のための信号を発生する後述
のRow・Cloumnアドレスデコード回路403や
DRAM制御信号発生回路404、ライトカウンタ40
6、リードカウンタ407に所定のタイミング信号を与
える。
【0021】Row・Columnアドレスデコード回
路403はDMAアドレスコントローラ402から与え
られるDMAアドレスをRowアドレス、Column
アドレスに切替えてDRAMアドレスに変換する。DR
AM制御信号発生回路404はDRAM制御信号RAS
*、CAS*、OE*、UWE*、LWE*を生成す
る。ライトカウンタ406はアクセスするHV変換ライ
トレジスタの位置を表すカウンタ、リードカウンタ40
6はアクセスするHV変換リードレジスタの位置を表す
カウンタである。
【0022】HV変換レジスタ制御信号発生回路408
はライトカウンタ406、リードカウンタ407のカウ
ンタ値に基づいて、HV変換レジスタ制御信号を発生す
る。HV変換レジスタ409は主走査方向順次の16ビ
ットのデータを格納するHV変換ライトレジスタWR0
〜WR15とHV変換ライトレジスタWR0〜WR15
に格納された16×16ビット分のデータを副走査方向
順次のデータに変換して読み出すHV変換リードレジス
タRD0〜RD15で構成されている。
【0023】また、HV変換回路は、HVWRTRG信
号によりHV変換ライトレジスタWR0〜WR15へ主
走査方向順次のデータの書き込みを行うライトシーケン
スを開始する。HVWRTRG信号によりDMAスター
トアドレスレジスタ401からDMAアドレスコントロ
ーラ402にDMAスタートアドレス(図11では$D
00000)がロードされ、DMAアドレスコントロー
ラ402はRow・Cloumnアドレスデコード回路
403へDMAアドレスを出力する。
【0024】DRAM制御信号発生回路404は、DM
Aアドレスコントローラ402より与えられる所定のタ
イミング信号を基に、RAS*、CAS*、CAS*、
OE*信号をRow・Columnアドレスデコード回
路403は与えられたDMAアドレスを基にRowアド
レス、Columnアドレスデコード回路403は与え
られたDMAアドレスを基にRowアドレス、Colu
mnアドレスをDRAM405へ出力する。
【0025】一方、DMAアドレスコントローラ402
はライトカウンタ406をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路408はライトカウンタ40
6の値により所定のHV変換ライトレジスタの書き込み
許可信号HVWE*をイネーブルにする。DRAM40
5から出力されるデータは上記HVWE*信号により所
定のHV変換ライトレジスタに書き込まれる。その後、
DMAアドレスコントローラ402はDMAアドレスを
インクリメントし(図11では$D00002にな
る)、次のDMAアドレスをRow・Columnアド
レスデコード回路403へ出力する。またライトカウン
タ406をインクリメントし、カウンタ値に応じたHV
WE*信号をイネーブルにする。
【0026】このような動作を繰り返し、HV変換ライ
トレジスタWR0〜WR15に対して主走査方向順次の
データの書き込みを行い、書き込みがすべて終了したと
ころでHVWREND信号を発生してライトシーケンス
を終了する。
【0027】上記ライトシーケンスが終了した後、HV
RDTRG信号によりHV変換ライトレジスタWR0〜
WR15に格納された16×16ビット分のデータをH
V変換リードレジスタRD0〜RD15から副走査方向
順次のデータとして読み出すリードシーケンスを開始す
る。HVRDTRG信号によりDMAスタートアドレス
レジスタ401からDMAアドレスコントローラ402
にDMAスタートアドレスがロードされ、DMAアドレ
スコントローラ402はRom・Columnアドレス
デコード回路403へDMAアドレスを出力する。
【0028】この例では、上記ライトシーケンスで主走
査方向順次のデータを読み出したDRAM領域と同じ領
域にHV変換後のデータを書き戻すようになっている
(図11参照)ので、ここでのDMAリードスタートア
ドレスはDMAライトスタートアドレスに等しく、$D
00000である。DRAM制御信号発生回路404
は、DMAアドレスコントローラ402より与えられる
所定のタイミング信号を基にRAS*、CAS*、UW
E*、LWE*信号を、Row・Columnアドレス
デコード回路403は与えられたDMAアドレスを基に
Rowアドレス、ColumnアドレスをDRAM40
5へ出力する。
【0029】一方、DMAアドレスコントローラ402
はリードカウンタ406をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路408はリードカウンタ40
6の値により所定のHV変換リードレジスタのデータ読
み出し信号HVOE*をイネーブルにする。読み出し信
号HVOE*により選択されたHV変換リードレジスタ
から出力されるデータは上記DRAM制御信号によりD
RAMに書き込まれる。その後、DMAアドレスコント
ローラ402はDMAアドレスをインクリメントし(図
11では$D00002になる)、次のDMAアドレス
をRow・Columnアドレスデコード回路403へ
出力する。また、リードカウンタ406をインクリメン
トし、カウンタ値に応じたHVOE*信号をイネーブル
にする。
【0030】このような動作を繰り返し、HV変換リー
ドレジスタRD0〜RD15から副走査方向順次に変換
されたデータの読み出しを行い、読み出しがすべて終了
したところでHVRDEND信号を発生してリードシー
ケンスを終了する。また、リードシーケンスを終了した
ところでDMAスタートアドレスレジスタ401に次の
HV変換ブロックのDMAスタートアドレス(図11で
は$D00020)を書き込む。
【0031】以上のようなライトシーケンスとリードシ
ーケンスの繰り返しにより、主走査方向順次のデータを
副走査順次のデータに変換するHV変換を実現してい
る。
【0032】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の記録装置にあっては、副走査方向にデータを伸
長する必要がある場合、HV変換前またはHV変換後に
データ伸長回路によってイメージバッファからデータを
読み出して、伸長後に再びデータを書き戻すという動作
が生じる。したがって、データ伸長が必要な場合、デー
タ伸長にかかる時間分だけ通常よりもデータの処理時間
が長くなってしまい、データ伸長の動作が高速な印字動
作を阻害する要因となってる。
【0033】本発明は、上記のような問題点を改善する
ものであり、入力されたデータに対してデータ伸長が必
要な場合、副走査方向にデータを伸長し、主走査方向順
次のデータを副走査方向順次のデータに変換した印字デ
ータをイメージバッファに書き込むまでのデータ処理時
間を短縮することができ、トータルスループットが向上
した記録装置を提供することを目的としている。
【0034】
【課題を解決するための手段】本発明に係る記録装置
は、次のように構成したものである。
【0035】(1)記録媒体の搬送方向である副走査方
向に配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを前
記搬送方向とは垂直の方向である主走査方向に走査して
データを記録するシリアルスキャン型の記録装置であっ
て、入力された主走査方向順次のデータを副走査方向順
次のデータに変換する画像変換回路と、入力された主走
査方向順次のデータおよび前記変換回路によって副走査
方向順次に変換されたデータを蓄えるメモリ手段と、該
メモリ手段に蓄えられた主走査方向順次のデータの一部
を読み出して一時格納する書き込みレジスタ群と、該書
き込みレジスタ群に保持されている画像データを90°
回転して読み出しを行う読み出しレジスタ群と、該書き
込みレジスタ群および読み出しレジスタ群に対する書き
込み信号と読み出し信号を発生する制御信号発生回路
と、前記書き込みレジスタ群のうち複数のレジスタに同
時にデータを書き込む書き込み信号発生回路とを備え、
前記制御信号発生回路の信号により前記書き込みレジス
タ群と前記読み出しレジスタ群に読み書きし、主走査方
向順次の画像データを副走査方向順次の画像データに変
換すると同時に副走査方向へのデータ伸長を行うように
した。
【0036】(2)前記(1)の構成において、書き込
み信号発生回路の書き込み信号により、書き込みレジス
タ群のうち隣り合う複数のレジスタに同時にデータを書
き込むと同時に副走査方向へのデータ伸長を行うように
した。
【0037】(3)前記(2)の構成において、書き込
みレジスタ群および読み出しレジスタ群は所定サイズの
2次元マトリクス構造の画素マトリクスであって、該マ
トリクス毎に画像データ変換を行うようにした。
【0038】(4)記録媒体の搬送方向である副走査方
向に配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを前
記搬送方向とは垂直の方向である主走査方向に走査して
データを記録するシリアルスキャン型の記録装置であっ
て、入力された主走査方向順次のデータを副走査方向順
次のデータに変換する画像変換回路と、入力された主走
査方向順次のデータおよび前記変換回路によって副走査
方向順次に変換されたデータを蓄えるメモリ手段と、該
メモリ手段に蓄えられた主走査方向順次のデータの一部
を読み出して一時格納する書き込みレジスタ群と、該書
き込みレジスタ群に保持されている画像データを90°
回転して読み出しを行う読み出しレジスタ群と、該書き
込みレジスタ群および読み出しレジスタ群に対する書き
込み信号と読み出し信号を発生する制御信号発生回路
と、前記読み出しレジスタ群からの読み出しデータを副
走査方向に伸長するデータ伸長回路と、前記メモリ手段
に書き込む画像データを選択するデータセレクタとを備
え、前記制御信号発生回路の信号により前記書き込みレ
ジスタ群と前記読み出しレジスタ群に読み書きし、主走
査方向順次の画像データを副走査方向順次の画像データ
に変換すると同時に副走査方向へのデータの伸長を行う
ようにした。
【0039】(5)前記(4)の構成において、読み出
しレジスタ群からデータを読み出すと同時に副走査方向
へのデータ伸長を行うようにした。
【0040】(6)前記(5)の構成において、データ
セレクタは副走査方向に伸長を行った画像データの上位
データまたは下位データを選択するデータセレクタとし
た。
【0041】(7)前記(6)の構成において、書き込
みレジスタ群および読み出しレジスタ群は所定サイズの
2次元マトリクス構造の画素マトリクスであって、該マ
トリクス毎に画像データ変換を行うようにした。
【0042】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を実
施例により具体的に説明する。ここでは、シリアルプリ
ンタ装置を例として、本発明におけるHV変換から副走
査方向のデータ伸長までの画像データ変換について説明
する。
【0043】[一実施例]図1は本発明の一実施例にお
いてデータ伸長とHV変換とを同時に行う回路の構成を
示すブロック図である。この回路においては、不図示の
ホストコンピュータ等からインターフェイス(I/F)
1を介して入力データを受信する。受信したデータは、
DRAM等のメモリ2領域内の受信バッファ3に蓄えら
れる。受信バッファ3は、数k〜数十kバイトの容量を
持っており、この受信バッファ3に蓄えられた記録デー
タは、コマンド解析が行われてからイメージバッファ4
に保持される。
【0044】このとき、副走査方向にデータ伸長の必要
がない場合は、前述の従来例のようなHV変換を行い、
イメージバッファ4にHV変換後のデータを書き戻す。
データ伸長が必要な場合は、HV変換+データ伸長回路
6によってデータ伸長とHV変換を同時に行い、イメー
ジバッファ4に変換後のデータを書き戻す。
【0045】上記モードは、図2に示すEXTEND信
号によって書き替えられる。例えば、EXTEND信号
がL(Low)の時はデータ伸長を行わないモード、H
(High)の時はデータ伸長を行うモードして、それ
ぞれのモードに対応した動作を行う。
【0046】このようにして、記録ヘッドの1走査分に
相当する量のHV変換されたデータが蓄えられた後、再
度イメージバファ14から記録ヘッドの各記録素子に対
応した印字データを読み出し、印字データ処理回路4に
よりマルチパス印字に対応したマスクを書ける等の印字
データ処理を行って、記録ヘッド8に実際の印紙データ
を転送する。
【0047】次に、図2〜図4及び図13を用いて本実
施例におけるHV変換+データ伸長回路6の詳細につい
て説明する。図2は本実施例におけるDMAによってH
V変換を行う場合のHV変換回路の構成を示すブロック
図、図3は本実施例におけるHVレジスタによるHV変
換動作の概略を示す図、図4は本実施例におけるDMA
によるHV変換レジスタへのライトタイミングを示す図
である。また図13はDMAによりHV変換リードレジ
スタのリードタイミングを示す図であり、図2に示す本
実施例のHV変換回路は以下のような構成から成る。
【0048】図2のDMAスタートアドレスレジスタ1
01には、DRAM105領域上のDMA開始アドレス
が格納されている。DMAアドレスコントローラ102
は、アクセスしたいDMAアドレスを生成し、DRAM
制御のための信号を発生する後述のRow・Colum
nアドレスデコード回路103やDRAM制御信号発生
回路104、またライトカウンタ106、リードカウン
タ107に所定のタイミング信号を与える。
【0049】Row・Cloumnアドレスデコード回
路103は、DMAアドレスコントローラ102から与
えられるDMAアドレスRowアドレス、Column
アドレスに切替えてDRAMアドレスに変換する。DR
AM制御信号発生回路104は、DRAM制御信号RA
S*、CAS*、OE*、UWE*、LWE*を生成す
る。ライトカウンタ106は、アクセスするHV変換ラ
イトレジスタの位置を表すカウンタ、リードカウンタ1
06はアクセスするHV変換リードの位置を表すカウン
タである。
【0050】HV変換レジスタ制御信号発生回路108
は、ライトカウンタ106、リードカウンタ107のカ
ウンタ値に基づいてHV変換レジスタ制御信号を発生す
る。HV変換レジスタ109は、主走査方向順次の16
ビットのデータを格納HV変換ライトレジスタWR0〜
WR15とHV変換ライトレジスタWR0〜WR15に
格納された16×16ビット分のデータを副走査方向順
次のデータに変換して読み出すHV変換リードレジスタ
RD0〜RD15で構成されている。
【0051】また、HV変換ライトレジスタWR0〜W
R15への書き込み許可信号はHVWEO*〜HVWE
15*、HV変換リードレジスタRD0〜RD15の読
み出し信号はHVOE0*〜HVOE15*にそれぞれ
対応している。
【0052】本実施例では、イメージバッファ4をDR
AM105として256kワード×16ビット(4Mビ
ット)構成のものを用い、$D00000番地から$D
7FFFF番地(「$」は16進数を表す)までの領域
が割り当てられている。データ伸長が必要な場合は、入
力された画像データをDRAM105に1ワードおきに
格納する。図3では$D00000番地から1ワードお
きに蓄えられている。
【0053】そして、HV変換すべき主走査方向順次の
データがDRAM105に蓄えられてたところで、上記
のHV変換回路が起動され、HV変換及び副走査方向へ
のデータ伸長が行われている。
【0054】図2のHVWRTRG信号によりHV変換
ライトレジスタWR0〜WR15へ主走査方向順次のデ
ータの書き込みを行うライトシーケンスを開始する。こ
のとき、HVWRTRG信号によりDMAスタートアド
レスレジスタ101からDMAアドレスコントローラ1
02にDMAスタートアドレス(図3では$D0000
0)がロードされ、DMAアドレスコントローラ102
はRow・Columnアドレスデコード回路103へ
DMAアドレスを出力する。
【0055】DRAM制御信号発生回路104は、DM
Aアドレスコントローラ102より与えられる所定のタ
イミング信号を基にRAS*、CAS*、OE*信号
を、またRow・Columnアドレスデコード回路1
03は与えられたDMAアドレスを基にRowアドレ
ス、ColumnアドレスをDRAM105へ出力す
る。
【0056】一方、DMAアドレスコントローラ102
はライトカウンタ106をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路108はライトカウンタ10
6の値により所定のHV変換ライトレジスタの書き込み
許可信号HVWE*をイネーブルにする。DRAM10
5から出力されるデータは上記HVWE*信号により所
定のHV変換ライトレジスタに書き込まれる。
【0057】すなわち、DRAM105の$D0000
0番地に格納されているデータ伸長すべき有効なデータ
を読み出し、ライトカウンタ106の値によりHVWE
0*、HVWE1*を同時にイネーブルにすることでH
V変換ライトレジスタWR0、WR1に同じデータを書
き込む。その後、DMAアドレスコントローラ102は
DMAアドレスをインクリメントし(図3では$D00
002になる)、次のDMAアドレスをRow・Col
umnアドレスデコード回路103へ出力する。また、
ライトカウンタ106をインクリメントする。
【0058】ここで、DRAM105の$D00002
番地に格納されているデータは有効なデータではないの
で、HVWR*はすべてディセーブルにする。したがっ
て、DRAM105から出力されるデータはHV変換ラ
イトレジスタに書き込まれない。このように、DRAM
105に格納されている有効なデータを読み出すとき
は、2つのHVWR*信号をイネーブルにして、DRA
M105の読み出しデータをHV変換ライトレジスタに
書き込み、DRAM105に格納されている有効でない
データを読み出すときは、HVWR*信号をすべてディ
セーブルにしてHV変換ライトレジスタにデータを書き
込まない。副走査方向へのデータ伸長は、この時2つの
HV変換ライトレジスタに同じデータを書き込むことで
実現している。
【0059】以上のような動作を繰り返し、HV変換ラ
イトレジスタWR0〜WR15に対して主走査方向順次
のデータの書き込みを行い、書き込みがすべて終了した
ところでHVWREND信号を発生してライトシーケン
スを終了する。
【0060】上記ライトシーケンスが終了した後、HV
RDTRG信号によりHV変換ライトレジスタWR0〜
WR15に格納された16×16ビット分のデータをH
V変換リードレジスタRD0〜RD15から副走査方向
順次のデータとして読み出すリードシーケンスを開始す
る。このとき、HVRDTRG信号によりDMAスター
トアドレスレジスタ101からDMAアドレスコントロ
ーラ102にDMAスタートアドレスがロードされ、D
MAアドレスコントローラ102はRow・Colum
nアドレスデコード回路103へDMAアドレスを出力
する。
【0061】本例では、上記のライトシーケンスで主走
査方向順次のデータを読み出したDRAM領域と同じ領
域HV変換後のデータを書き戻すようにしてある(図3
参照)ので、ここでのDMAリードスタートアドレスは
DMAライトスタートアドレスに等しく、$D0000
0である。
【0062】DRAM制御信号発生回路104は、DM
Aアドレスコントローラ102より与えられる所定のタ
イミング信号を基にRAS*、CAS*、UWE*、L
WE*信号を、Row・Columnアドレスデコード
回路103は与えられたDMAアドレスを基にRowア
ドレス、ColumnアドレスをDRAM805へ出力
する。
【0063】一方、DMAアドレスコントローラ102
はリードカウンタ106をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路108はリードカウンタ10
6の値により所定のHV変換リードレジスタのデータ読
み出し信号HVOE*をイネーブルにする。読み出し信
号HVOE*により選択されたHV変換リードレジスタ
から出力されるデータは、上記DRAM制御信号により
DRAM105に書き込まれる。
【0064】その後、DMAアドレスコントローラ10
2はDMAアドレスをインクリメントし(図3では$D
00002になる)、次のDMAアドレスをRow・C
olumnアドレスデコード回路103へ出力する。ま
た、リードカウンタ106をインクリメントし、カウン
タ値に応じたHVOE*信号をイネーブルにする。
【0065】このような動作を繰り返し、HV変換リー
ドレジスタRD0〜RD15から副走査方向順次に変換
されたデータの読み出しを行い、読み出しがすべて終了
したところでHVRDEND信号を発生してリードシー
ケンスを終了する。また、リードシーケンスを終了した
ところでDMAスタートアドレスレジスタ101に次の
HV変換ブロックのDMAスタートアドレス(図3では
$D00020)を書き込む。
【0066】以上のようなライトシーケンスとリードシ
ーケンスの繰り返しにより、副走査方向へのデータ伸長
と主走査方向順次のデータを副走査順次のデータに変換
するHV変換を同時に行うことを実現している。
【0067】したがって、従来のHV変換回路の構成に
小規模の変更を加えることにより、入力されたデータに
対してデータ伸長が必要な場合、従来データ伸長単独で
行っていたところを副走査方向へのデータ伸長と主走査
方向順次のデータを副走査方向順次のデータに変換する
HV変換とを同時に行うことでデータの処理時間を短縮
し、トータル的な記録速度の向上に寄与する。
【0068】なお、上記実施例ではデータ伸長に関して
副走査方向経2倍に伸長する形態を取っていたが、HV
変換前のデータをDRAM105に格納する際にデータ
の配置の仕方や同時にデータを書き込むHV変換ライト
レジスタの数を変更することで、4倍、8倍のデータ伸
長も容易に実現できる。また、HV変換前のデータを蓄
えるDRAM領域とHV変換後のデータを書き戻すDR
AM領域は別の領域としてもよい。また、DRAM10
5からのデータの読み出し及びデータの書き込みを高速
ページモードを用いて行うことで、データの処理時間を
更に短縮することができる。
【0069】[他の実施例]上述の実施例においては、
DRAMから読み出したデータを隣り合う複数のHV変
換ライトレジスタに書き込むことで副走査方向へのデー
タ伸長を実現していたが、本実施例はHV変換リードレ
ジスタからHV変換されたデータを読み出すときに副走
査方向にデータを伸長するようにしている。
【0070】図5は本実施例におけるHV変換回路の構
成示すブロック図である。また、図6は本実施例におけ
るHV変換レジスタによるHV変換動作の概略を示す
図、図7は本実施例におけるDMAによりHV変換リー
ドレジスタからのリードタイミングを示す図である。
【0071】図5の201〜209の符号は図2の10
1〜109に対応しているので、ここでの説明は省略す
る。データ伸長回路210は、HV変換リードレジスタ
からデータを読み出し、DRAM205に書き戻すとき
に副走査方向にデータを伸長する。
【0072】本実施例では、入力された画像データ16
ビット(主走査方向)×16ビット(副走査方向)を図
1のHV変換+データ伸長回路6を通して16ビット
(主走査方向)×32ビット(副走査方向)に、すなわ
ち副走査方向に2倍に変換するものである。
【0073】また本実施例では、イメージバッファ4を
DRAM205として256kワード×16ビット(4
Mビット)構成のものを用い、MPUのアドレスバスの
アドレスバス上に$D00000番地から$D7FFF
F番地(「$」は16進数を表す)までの領域が割り当
てられている。データ伸長が必要な場合、入力された画
像データ16×16ビット分をDRAM1105に格納
し、HV変換およびデータ伸長されたデータを書き戻す
ために16×16ビット分の領域を空けて、次のブロッ
クの有効データを蓄えるようにしている。
【0074】図6では$D00000番地から$D00
01E番地まで主走査方向順次の有効なデータが蓄えら
れ、$D00020番地から$D0003Eまでを空け
て、次のブロックの有効データが$D00040番地か
ら蓄えられている。HV変換すべき主走査方向順次のデ
ータがDRAM205に蓄えられたところで、上記のH
V変換回路が起動され、HV変換および副走査方向への
データ伸長が行われる。
【0075】図5のHVWRTRG信号によりHV変換
ライトレジスタWR0〜WR15へ主走査方向順次のデ
ータの書き込みを行うライトシーケンスを開始する。H
VWRTRG信号によりDMAスタートアドレスレジス
タ201からDMAアドレスコントローラ202にDM
Aスタートアドレス(図6では$D00000)がロー
ドされ、DMAアドレスコントローラ202はRow・
Columnアドレスデコード回路203へDMAアド
レスを出力する。
【0076】DRAM制御信号発生回路204は、DM
Aアドレスコントローラ202より与えられる所定のタ
イミング信号を基にRAS*、CAS*、OE*信号を
またRow・Columnアドレスデコード回路203
は与えられたDMAアドレスを基にRowアドレス、C
olumnアドレスをDRAM205へ出力する。
【0077】一方、DMAアドレスコントローラ202
はライトカウンタ206をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路208はライトカウンタ20
6の値により所定のHV変換ライトレジスタの書き込み
許可信号HVWE*をイネーブルにする。DRAM20
5から出力されるデータは上記のHVWE*信号により
所定のHV変換ライトレジスタに書き込まれる。
【0078】その後、DMAアドレスコントローラ20
2はDMAアドレスをインリメントし(図6では$D0
0002になる)、次のDMAアドレスをRow・Cl
oumnアドレスデコード回路203へ出力する。ま
た、ライトカウンタ206をインクリメントする。
【0079】このような動作を繰り返し、HV変換ライ
トレジスタWR0〜WR15に対して主走査方向順次の
データ書き込みを行い、書き込みすべて終了したところ
でHVWREND信号を発生してライトシーケンスを終
了する。
【0080】上記ライトシーケンスが終了した後、HV
RDTRG信号によりHV変換ライトレジスタWR0〜
WR15に格納された16×16ビット分のデータをH
V変換リードレジスタRD0〜RD15から副走査方向
順次のデータとして読み出すリードシーケンスを開始す
る。
【0081】このとき、HVRDTRG信号によりDM
Aスタートアドレスレジスタ201からDMAアドレス
コントローラ202にDMAスタートアドレスがロード
され、DMAアドレスコントローラ202はRow・C
olumnアドレスデコード回路203へDMAアドレ
スを出力する。
【0082】本実施例では、上記のライトシーケンスで
主走査方向順次のデータを読み出したDRAM領域と同
じ領域にHV変換後のデータを書き戻すようにしている
(図6参照)ので、ここでのDMAリードスタートアド
レスはDMAライトスタートアドレスに等しく、$D0
0000である。
【0083】DRAM制御信号発生回路204は、DM
Aアドレスコントローラ202より与えられる所定のタ
イミング信号を基にRAS*、CAS*、UWE*、L
WE*信号を、Row・Columnアドレスデコード
回路203は与えられたDMAアドレスを基にRowア
ドレス、ColumnアドレスをDRAM205へ出力
する。
【0084】一方、DMAアドレスコントローラ202
はリードカウンタ206をインクリメントし、HV変換
レジスタ制御信号発生回路208はリードカウンタ20
6の値により所定のHV変換リードレジスタのデータ読
み出し信号HVOE*をイネーブルにする。
【0085】すなわち、まずHVOE0*をイネーブル
にし、HV変化リードレジスタRD0からデータを読み
出し、上位8ビットと下位8ビットに分けてラッチす
る。そして、それぞれラッチしたデータを2倍に伸長
し、16ビットデータとする。上位のデータと下位のデ
ータはUP/LO*信号によりセレクとされてDRAM
205へ出力される。
【0086】したがって、まずUP/LO*信号をHに
してHV変換レジスタRD0の上位のデータのセレクト
し、DRAM205の$D00000番地にデータを書
き込む。その後、DMAアドレスコントローラ202は
DMAアドレスをインクリメントし(図6では$D00
002になる)、次のDMAアドレスをRow・Col
umnアドレスデコード回路203へ出力する。
【0087】しかし、リードカウンタ206はインクリ
メントせず、HVOE0*をイネーブルにしたままにす
る。ここで、UP/LO*信号をローにしてHV変換リ
ードレジスタRD0の下位のデータのセレクトし、DR
AM205の$D00002番地にデータを書き込む。
RD0のデータの書き込みが終ったところで、DMAア
ドレスコントローラ202はDMAアドレスをインクリ
メントし(図6では$D00004になる)、次のDM
AアドレスをRow・Columnアドレスデコード回
路1103へ出力する。また、リードカウンタ206を
インクリメントし、HVOE1*信号をイネーブルにす
る。HV変換リードレジスタRD1のデータについてR
D0と同様の動作を行う。
【0088】このような動作を繰り返し、HV変換リー
ドレジスタRD0〜RD15から副走査方向順次に変換
されたデータの読み出しを行い、読み出しがすべて終了
したところでHVRDEND信号を発生してリードシー
ケンスを終了する。また、リードシーケンスを終了した
ところでDMAスタートアドレスレジスタ201に次の
HV変換ブロックのDMAスタートアドレス図6では$
D00040)を書き込む。このように本実施例におい
ては、HV変換リードレジスタからHV変換後のデータ
を読み出すときに副走査のデータを伸長を行っている。
したがって、以上のようなライトシーケンスとリードシ
ーケンスの繰り返しにより副走査方向へのデータ伸長と
主走査方向順次のデータを副走査順次のデータに変換す
るHV変換を同時に行うことを実現している。
【0089】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
副走査方向に複数の記録素子を有する記録ヘッドを走査
して記録媒体に画像を形成するシリアルスキャン型の記
録装置において、従来のHV変換回路の構成に小規模の
変更を加えることにより、入力されたデータに対してデ
ータ伸長を行う場合、副走査方向へのデータ伸長と主走
査方向順次のデータを副走査方向順次のデータに変換す
るHV変換とを同時に行うことで、データの処理時間を
大幅に短縮でき、高速の印字を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明におけるデータ伸長とHV変換とを同
時に行う回路の構成を示すブロック図
【図2】 本発明の一実施例におけるDMAによってH
V変換を行う場合のHV変換回路の構成を示すブロック
【図3】 本発明の一実施例におけるHV変換レジスタ
によるHV変換動作の概略を示す説明図
【図4】 本発明の一実施例におけるDMAによりHV
変換ライトレジスタへのライトタイミングを示す図
【図5】 本発明の他の実施例におけるHV変換回路の
構成を示すブロック図
【図6】 本発明の他の実施例におけるHV変換レジス
タによるHV変換動作の概略を示す説明図
【図7】 本発明の他の実施例におけるDMAによるH
V変換リードレジスタからのリードタミングを示す図
【図8】 従来のHV変換前またはHV変換後にデータ
伸長を行う回路の構成を示すブロック図
【図9】 従来のMPUが介在してHV変換を行う場合
のHV変換回路の構成を示すブロック図
【図10】 従来のDMAによってHV変換を行う場合
のHV変換回路の構成を示すブロック図
【図11】 HV変換レジスタによるHV変換動作の概
略を示す説明図
【図12】 従来のDMAによるHV変換ライトレジス
タへのライトタイミングを示す図
【図13】 DMAによるHV変換リードレジスタのリ
ードタイミングを示す図
【符号の説明】
1 インターフェイス 2 メモリ 3 受信バッファ 4 イメージハッファ 5 ゲートアレイ 6 HV変換回路+データ伸長回路 7 印字データ処理回路 8 記録ヘッド 101 DMAスタートアドレスレジスタ 102 DMAアドレスコントローラ 103 Row、Columnアドレスデコード回路 104 DRAM制御信号発生回路 105 DRAM 106 ライトカウンタ 107 リードカウンタ 108 HV変換レジスタ制御信号発生回路 201 DMAスタートアドレスレジスタ 202 DMAアドレスコントローラ 203 Row、Columnアドレスデコード回路 204 DRAM制御信号発生回路 205 DRAM 206 ライトカウンタ 207 リードカウンタ 208 HV変換レジスタ制御信号発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 伸幸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録媒体の搬送方向である副走査方向に
    配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを前記搬
    送方向とは垂直の方向である主走査方向に走査してデー
    タを記録するシリアルスキャン型の記録装置であって、
    入力された主走査方向順次のデータを副走査方向順次の
    データに変換する画像変換回路と、入力された主走査方
    向順次のデータおよび前記変換回路によって副走査方向
    順次に変換されたデータを蓄えるメモリ手段と、該メモ
    リ手段に蓄えられた主走査方向順次のデータの一部を読
    み出して一時格納する書き込みレジスタ群と、該書き込
    みレジスタ群に保持されている画像データを90°回転
    して読み出しを行う読み出しレジスタ群と、該書き込み
    レジスタ群および読み出しレジスタ群に対する書き込み
    信号と読み出し信号を発生する制御信号発生回路と、前
    記書き込みレジスタ群のうち複数のレジスタに同時にデ
    ータを書き込む書き込み信号発生回路とを備え、前記制
    御信号発生回路の信号により前記書き込みレジスタ群と
    前記読み出しレジスタ群に読み書きし、主走査方向順次
    の画像データを副走査方向順次の画像データに変換する
    と同時に副走査方向へのデータ伸長を行うことを特徴と
    する記録装置。
  2. 【請求項2】 前記書き込み信号発生回路の書き込み信
    号により、前記書き込みレジスタ群のうち隣り合う複数
    のレジスタに同時にデータを書き込むと同時に副走査方
    向へのデータ伸長を行うことを特徴とする請求項1に記
    載の記録装置。
  3. 【請求項3】 前記書き込みレジスタ群および前記読み
    出しレジスタ群は所定サイズの2次元マトリクス構造の
    画素マトリクスであって、該マトリクス毎に画像データ
    変換を行うことを特徴とする請求項2に記載の記録装
    置。
  4. 【請求項4】 記録媒体の搬送方向である副走査方向に
    配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを前記搬
    送方向とは垂直の方向である主走査方向に走査してデー
    タを記録するシリアルスキャン型の記録装置であって、
    入力された主走査方向順次のデータを副走査方向順次の
    データに変換する画像変換回路と、入力された主走査方
    向順次のデータおよび前記変換回路によって副走査方向
    順次に変換されたデータを蓄えるメモリ手段と、該メモ
    リ手段に蓄えられた主走査方向順次のデータの一部を読
    み出して一時格納する書き込みレジスタ群と、該書き込
    みレジスタ群に保持されている画像データを90°回転
    して読み出しを行う読み出しレジスタ群と、該書き込み
    レジスタ群および読み出しレジスタ群に対する書き込み
    信号と読み出し信号を発生する制御信号発生回路と、前
    記読み出しレジスタ群からの読み出しデータを副走査方
    向に伸長するデータ伸長回路と、前記メモリ手段に書き
    込む画像データを選択するデータセレクタとを備え、前
    記制御信号発生回路の信号により前記書き込みレジスタ
    群と前記読み出しレジスタ群に読み書きし、主走査方向
    順次の画像データを副走査方向順次の画像データに変換
    すると同時に副走査方向へのデータの伸長を行うことを
    特徴とする記録装置。
  5. 【請求項5】 前記読み出しレジスタ群からデータを読
    み出すと同時に副走査方向へのデータ伸長を行うことを
    特徴とする請求項4に記載の記録装置。
  6. 【請求項6】 前記データセレクタは副走査方向に伸長
    を行った画像データの上位データまたは下位データを選
    択するデータセレクタであることを特徴とする請求項5
    に記載の記録装置。
  7. 【請求項7】 前記書き込みレジスタ群および前記読み
    出しレジスタ群は所定サイズの2次元マトリクス構造の
    画素マトリクスであって、該マトリクス毎に画像データ
    変換を行うことを特徴とする請求項6に記載の記録装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006218765A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Seiko Epson Corp 印刷装置及び印刷方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006218765A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Seiko Epson Corp 印刷装置及び印刷方法
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