JPH11167944A - 基板間接続用の半田ダム付きｉ／ｏピン - Google Patents
基板間接続用の半田ダム付きｉ／ｏピンInfo
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- JPH11167944A JPH11167944A JP10193280A JP19328098A JPH11167944A JP H11167944 A JPH11167944 A JP H11167944A JP 10193280 A JP10193280 A JP 10193280A JP 19328098 A JP19328098 A JP 19328098A JP H11167944 A JPH11167944 A JP H11167944A
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- Power Engineering (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＣＭの実装時のＩ／Ｏピンの半田付け時等
において、Ｉ／Ｏピンの先端部から根元側に半田が伝わ
って流れてＭＣＭを破壊するのを確実に阻止し得るＩ／
Ｏピンを提供する。 【解決手段】 一端がＭＣＭに立設・固定され、他端
が、マザーボードの所定箇所に半田付けされる電気的接
続用のＩ／Ｏピンであって、Ｉ／Ｏピンの中間部には、
Ｉ／Ｏピン他端側から一端側に半田が流動するのを阻止
し得るように、半田濡れ性の低いＮｉメッキ層や高耐熱
性の樹脂の層あるいは高温半田の層から成る半田ダムが
形成される。
において、Ｉ／Ｏピンの先端部から根元側に半田が伝わ
って流れてＭＣＭを破壊するのを確実に阻止し得るＩ／
Ｏピンを提供する。 【解決手段】 一端がＭＣＭに立設・固定され、他端
が、マザーボードの所定箇所に半田付けされる電気的接
続用のＩ／Ｏピンであって、Ｉ／Ｏピンの中間部には、
Ｉ／Ｏピン他端側から一端側に半田が流動するのを阻止
し得るように、半田濡れ性の低いＮｉメッキ層や高耐熱
性の樹脂の層あるいは高温半田の層から成る半田ダムが
形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一端が小型プリン
ト基板に立設・固定され、他端が、大型プリント基板に
対する小型プリント基板の実装時に、大型プリント基板
の所定箇所に半田付けされる電気的接続用のＩ／Ｏピン
に関する。
ト基板に立設・固定され、他端が、大型プリント基板に
対する小型プリント基板の実装時に、大型プリント基板
の所定箇所に半田付けされる電気的接続用のＩ／Ｏピン
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子（ペアチップ）を搭載した小
型のプリント基板から成るマルチチップモジュール（以
下、ＭＣＭ）は、多数のＩ／Ｏピン（直径０．２ 程
度、長さ３ｍｍ程度）を介して、大型のプリント基板
（マザーボード）に対して実装される。図１１は、その
ような実装構造の一例の要部を示す。
型のプリント基板から成るマルチチップモジュール（以
下、ＭＣＭ）は、多数のＩ／Ｏピン（直径０．２ 程
度、長さ３ｍｍ程度）を介して、大型のプリント基板
（マザーボード）に対して実装される。図１１は、その
ような実装構造の一例の要部を示す。
【０００３】同図を参照すると、マザーボードＭＢの表
面には、円板状の複数（図示例では１つ）のパッドＰｄ
がエッチング加工等により形成され、パッドＰｄの上に
は、半田Ｓの層、フラックス層（図示せず）がこの順序
で積層形成される。他方、ＭＣＭは、層間に配線箔を介
装した通常６層（図示例では３層）のポリイミド層Ｐｉ
が形成されたセラミック基板ＣＢと、その上に搭載され
る複数（図示例では１つ）のベアチップ（半導体素子）
ＢＴと、マザーボードＭＢとの接続のための数百〜数千
（図示例では１つ）のＩ／Ｏピン５１ａ、とを含んで成
る。
面には、円板状の複数（図示例では１つ）のパッドＰｄ
がエッチング加工等により形成され、パッドＰｄの上に
は、半田Ｓの層、フラックス層（図示せず）がこの順序
で積層形成される。他方、ＭＣＭは、層間に配線箔を介
装した通常６層（図示例では３層）のポリイミド層Ｐｉ
が形成されたセラミック基板ＣＢと、その上に搭載され
る複数（図示例では１つ）のベアチップ（半導体素子）
ＢＴと、マザーボードＭＢとの接続のための数百〜数千
（図示例では１つ）のＩ／Ｏピン５１ａ、とを含んで成
る。
【０００４】マザーボードＭＢに対するＭＣＭの実装時
にあっては、Ｉ／Ｏピン５１ａは、対応するパッドＰｄ
に突き当てられて、フラックス層によって仮止め状態と
なる。そして、Ｉ／Ｏピン５１ａは、リフロー処理等に
よって溶融する半田Ｓによって対応パッドＰｄに半田付
け（固定）される。
にあっては、Ｉ／Ｏピン５１ａは、対応するパッドＰｄ
に突き当てられて、フラックス層によって仮止め状態と
なる。そして、Ｉ／Ｏピン５１ａは、リフロー処理等に
よって溶融する半田Ｓによって対応パッドＰｄに半田付
け（固定）される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ＭＣＭの実装時の
半田付け時に、半田ＳがＩ／Ｏピン５１ａをはい上がっ
て、すなわち、Ｉ／Ｏピン先端側から根元側に半田Ｓが
流動して、ＭＣＭのポリイミド層Ｐｉに到る場合があ
る。そのとき、半田ＳがＭＣＭのポリイミド層間に侵入
し、ＭＣＭは修復不能なダメージを受けてしまう。
半田付け時に、半田ＳがＩ／Ｏピン５１ａをはい上がっ
て、すなわち、Ｉ／Ｏピン先端側から根元側に半田Ｓが
流動して、ＭＣＭのポリイミド層Ｐｉに到る場合があ
る。そのとき、半田ＳがＭＣＭのポリイミド層間に侵入
し、ＭＣＭは修復不能なダメージを受けてしまう。
【０００６】また、ＭＣＭをマザーボードＭＢから取り
外す場合に、その加熱作業により前述の半田Ｓの流動
（半田はい上がり）という問題が起きる虞れがある。更
に、ＭＣＭを取り外した後で、べアチップＢＴを取り外
す場合に、その加熱作業によりＩ／Ｏピン先端側に付着
している半田Ｓが根元側に流動（半田はい上がり）し
て、上記同様の問題が起きる虞れがある。
外す場合に、その加熱作業により前述の半田Ｓの流動
（半田はい上がり）という問題が起きる虞れがある。更
に、ＭＣＭを取り外した後で、べアチップＢＴを取り外
す場合に、その加熱作業によりＩ／Ｏピン先端側に付着
している半田Ｓが根元側に流動（半田はい上がり）し
て、上記同様の問題が起きる虞れがある。
【０００７】尚、本願発明に関連すると思われる公報の
技術について、以下に簡単に紹介する。特開昭６３−７
４６５７号公報は、ドライブ用ＩＣと基板との半田付け
構造を開示しており、基板のパッド部の周辺部には、半
田拡散防止用の層（ダム）が設けられる。
技術について、以下に簡単に紹介する。特開昭６３−７
４６５７号公報は、ドライブ用ＩＣと基板との半田付け
構造を開示しており、基板のパッド部の周辺部には、半
田拡散防止用の層（ダム）が設けられる。
【０００８】特開昭６２−１６５９６０号公報は、ＰＬ
ＣＣ（Ｐ１ａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａ
ｒｒｉｅｒ）等の表面実装型のＪベンドタイプＩＣと基
板との半田付け構造を開示しており、Ｊ形に曲げられた
多数のリードの根元部分には、半田のはい上がりを防止
するために、樹脂製の被膜（ダム）が形成される。特開
昭５２−５１５６９号公報は、ポリイミド系の基板の製
造方法を開示しており、基板の銅箔パターンの上には、
フォトレジスト法により、半田拡散防止用の層（ダム）
が形成される。
ＣＣ（Ｐ１ａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａ
ｒｒｉｅｒ）等の表面実装型のＪベンドタイプＩＣと基
板との半田付け構造を開示しており、Ｊ形に曲げられた
多数のリードの根元部分には、半田のはい上がりを防止
するために、樹脂製の被膜（ダム）が形成される。特開
昭５２−５１５６９号公報は、ポリイミド系の基板の製
造方法を開示しており、基板の銅箔パターンの上には、
フォトレジスト法により、半田拡散防止用の層（ダム）
が形成される。
【０００９】特開平２−１８７０４５号公報は、ＩＣチ
ップが表面実装される基板のパッド構造を開示してお
り、パッド部の周縁には、熱処理により、半田濡れ性の
悪い酸化膜（ダム）が形成される。特開平２−４７８９
０号公報は、電子部品のピンが突き当てられる基板上の
円形のパッド構造を開示しており、パッド中央には、ピ
ンをアライメントし得るように、半田が付着されない材
質の小円状の層（ダム）が形成される。
ップが表面実装される基板のパッド構造を開示してお
り、パッド部の周縁には、熱処理により、半田濡れ性の
悪い酸化膜（ダム）が形成される。特開平２−４７８９
０号公報は、電子部品のピンが突き当てられる基板上の
円形のパッド構造を開示しており、パッド中央には、ピ
ンをアライメントし得るように、半田が付着されない材
質の小円状の層（ダム）が形成される。
【００１０】特開昭５８−３５９９６号公報は、ピン挿
入実装型のＩＣが挿入されるスルーホールを具えた基板
構造を開示しており、ＩＣ実装側と反対の側の基板面に
は、半田拡散防止用の昇華性のソルダーレジスト（ポリ
ウレタン）が被覆形成される。
入実装型のＩＣが挿入されるスルーホールを具えた基板
構造を開示しており、ＩＣ実装側と反対の側の基板面に
は、半田拡散防止用の昇華性のソルダーレジスト（ポリ
ウレタン）が被覆形成される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の主たる目的は、
先端側から根元側に半田が伝わって流れるのを安全且つ
確実に阻止し得るＩ／Ｏピンを提供することにある。斯
かる目的を達成するために、本発明は、基板間接続用の
Ｉ／Ｏピンであって、Ｉ／Ｏピンの長手方向中間部に
は、Ｉ／Ｏピンの長手方向一方側から他方側に半田が流
動するのを阻止し得る半田ダムが形成されることを構成
上の特徴とする。
先端側から根元側に半田が伝わって流れるのを安全且つ
確実に阻止し得るＩ／Ｏピンを提供することにある。斯
かる目的を達成するために、本発明は、基板間接続用の
Ｉ／Ｏピンであって、Ｉ／Ｏピンの長手方向中間部に
は、Ｉ／Ｏピンの長手方向一方側から他方側に半田が流
動するのを阻止し得る半田ダムが形成されることを構成
上の特徴とする。
【００１２】好ましくは、Ｉ／Ｏピンの一端が小型プリ
ント基板に立設・固定され、Ｉ／Ｏピンの他端が、大型
プリント基板に対する小型プリント基板の実装時に、大
型プリント基板の所定箇所に半田付けされる。好ましく
は、前記小型プリント基板は、少なくとも１つのべアチ
ップを搭載したマルチチップモジュールであり、前記大
型プリント基板は、マザーボードであり、Ｉ／Ｏピン
は、丸棒形状を有する。また、好ましくは、前記半田ダ
ムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される半田濡れ
性の低い材料の層から成る。好ましくは、前記半田濡れ
性の低い材料の層は、Ｎｉメッキ層である。また、前記
半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される高
耐熱性の樹脂の層から成る。好ましくは、前記半田ダム
は、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される高温半田の
層から成る。また、好ましくは、Ｉ／Ｏピンは、導電性
の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆
層と、更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆
層、とを含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を
除去することによって露出する第１被覆層部分が、前記
半田ダムを構成する。好ましくは、Ｉ／Ｏピンは、導電
性の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の第１被
覆層と、更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被
覆層、とを含んで成り、第２被覆層の形成時に、Ｉ／Ｏ
ピン中間部に第２被覆層が形成されないようにして、そ
れによって露出する第１被覆層部分が、前記半田ダムを
構成する。
ント基板に立設・固定され、Ｉ／Ｏピンの他端が、大型
プリント基板に対する小型プリント基板の実装時に、大
型プリント基板の所定箇所に半田付けされる。好ましく
は、前記小型プリント基板は、少なくとも１つのべアチ
ップを搭載したマルチチップモジュールであり、前記大
型プリント基板は、マザーボードであり、Ｉ／Ｏピン
は、丸棒形状を有する。また、好ましくは、前記半田ダ
ムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される半田濡れ
性の低い材料の層から成る。好ましくは、前記半田濡れ
性の低い材料の層は、Ｎｉメッキ層である。また、前記
半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される高
耐熱性の樹脂の層から成る。好ましくは、前記半田ダム
は、Ｉ／Ｏピンの中間部の外周に形成される高温半田の
層から成る。また、好ましくは、Ｉ／Ｏピンは、導電性
の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆
層と、更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆
層、とを含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を
除去することによって露出する第１被覆層部分が、前記
半田ダムを構成する。好ましくは、Ｉ／Ｏピンは、導電
性の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の第１被
覆層と、更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被
覆層、とを含んで成り、第２被覆層の形成時に、Ｉ／Ｏ
ピン中間部に第２被覆層が形成されないようにして、そ
れによって露出する第１被覆層部分が、前記半田ダムを
構成する。
【００１３】本発明にあっては、大型プリント基板に対
する小型プリント基板の実装時に、Ｉ／Ｏピンが大型プ
リント基板の所定箇所に半田付けされる際に、該半田が
はい上がるようなことがあっても、Ｉ／Ｏピンの中間部
に形成した半田ダムによって、その流動が確実に阻まれ
る。
する小型プリント基板の実装時に、Ｉ／Ｏピンが大型プ
リント基板の所定箇所に半田付けされる際に、該半田が
はい上がるようなことがあっても、Ｉ／Ｏピンの中間部
に形成した半田ダムによって、その流動が確実に阻まれ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の複数の実施態様を
図面を参照して説明する。本実施態様に係るＩ／Ｏピン
は、少なくとも１つのべアチップを搭載し、薄膜回路形
成技術によって回路を形成した小型のプリント基板から
構成されるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）に一端が
立設・固定されるものであって、大型のプリント基板
（マザーボード）に対するＭＣＭの実装時に、Ｉ／Ｏピ
ン他端がマザーボード上の対応パッドに突き当てられて
半田付け（固定）される、例えば、直径０．２mm 程
度、長さ３mm 程度の丸棒形状の、電気的な接続要素で
ある。
図面を参照して説明する。本実施態様に係るＩ／Ｏピン
は、少なくとも１つのべアチップを搭載し、薄膜回路形
成技術によって回路を形成した小型のプリント基板から
構成されるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）に一端が
立設・固定されるものであって、大型のプリント基板
（マザーボード）に対するＭＣＭの実装時に、Ｉ／Ｏピ
ン他端がマザーボード上の対応パッドに突き当てられて
半田付け（固定）される、例えば、直径０．２mm 程
度、長さ３mm 程度の丸棒形状の、電気的な接続要素で
ある。
【００１５】Ｉ／Ｏピン中間部には、Ｉ／Ｏピン先端側
から根元側に半田が流動して行くこと（半田のはい上が
り）を阻止し得るように、以下に説明するような複数の
製造法によって様々な半田ダムが形成される。 《第１の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を
構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外表面に、先ず
ニッケルメッキＮｉを施し、次いで金メッキＡｕを掩
し、更に、その上に昇華性樹脂（例えば、ポリウレタ
ン）Ｒｅを（例えば、被覆ワイヤ製造法によって）被覆
するこのピン材を所定長さ（例えば、３mm）にカット
し、カットしたピン材１ａの一端に（例えば、ヘッダー
加工によって）大径の台座１ｄを形成する（図１
（ａ））。
から根元側に半田が流動して行くこと（半田のはい上が
り）を阻止し得るように、以下に説明するような複数の
製造法によって様々な半田ダムが形成される。 《第１の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を
構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外表面に、先ず
ニッケルメッキＮｉを施し、次いで金メッキＡｕを掩
し、更に、その上に昇華性樹脂（例えば、ポリウレタ
ン）Ｒｅを（例えば、被覆ワイヤ製造法によって）被覆
するこのピン材を所定長さ（例えば、３mm）にカット
し、カットしたピン材１ａの一端に（例えば、ヘッダー
加工によって）大径の台座１ｄを形成する（図１
（ａ））。
【００１６】このピン材１ａの（台座とは反対側の）他
端から所定寸法（例えば、１mm）の位置から所定長さ
（例えば、１mm）だけ昇華性樹脂被覆Ｒｅを（例えばレ
ーザー光線によって）除去して、金メッキＡｕ部分を露
出させる（図１（ｂ））。この金メッキＡｕ部分の外周
面上に、半田の濡れにくい（半田濡れ性の低い）金属か
ら成る層、例えば、ニッケルメッキ層Ｎｉを形成する
（図１（ｃ））。
端から所定寸法（例えば、１mm）の位置から所定長さ
（例えば、１mm）だけ昇華性樹脂被覆Ｒｅを（例えばレ
ーザー光線によって）除去して、金メッキＡｕ部分を露
出させる（図１（ｂ））。この金メッキＡｕ部分の外周
面上に、半田の濡れにくい（半田濡れ性の低い）金属か
ら成る層、例えば、ニッケルメッキ層Ｎｉを形成する
（図１（ｃ））。
【００１７】最後に、完成品のＩ／Ｏピンを完成させる
べく、台座１ｄ側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ
材Ｗをロウ付けする。この際、熱的な影響を受けて昇華
性樹脂Ｒｅが昇華・消失すると共に、Ｉ／Ｏピン中間部
分の外周に被覆されて露出しているニッケルメッキＮｉ
は酸化して、酸化皮膜となる（図１（ｄ））。この酸化
皮膜は、半田濡れ性が相当低い（悪い）ので、半田ダム
の機能としては非常に優れたものになる。実際、これを
確認するべく、このＩ／Ｏピンを具えたＭＣＭの取り外
し作業と同じＭＣＭの再取付け作業とを行い、このＩ／
Ｏピンの半田ダム（酸化被膜）が半田のはい上がり（半
田の流動）を完全に阻止すること、すなわち、このＩ／
Ｏピンの半田ダムの効果が非常に優れていることが実験
的に認められた。
べく、台座１ｄ側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ
材Ｗをロウ付けする。この際、熱的な影響を受けて昇華
性樹脂Ｒｅが昇華・消失すると共に、Ｉ／Ｏピン中間部
分の外周に被覆されて露出しているニッケルメッキＮｉ
は酸化して、酸化皮膜となる（図１（ｄ））。この酸化
皮膜は、半田濡れ性が相当低い（悪い）ので、半田ダム
の機能としては非常に優れたものになる。実際、これを
確認するべく、このＩ／Ｏピンを具えたＭＣＭの取り外
し作業と同じＭＣＭの再取付け作業とを行い、このＩ／
Ｏピンの半田ダム（酸化被膜）が半田のはい上がり（半
田の流動）を完全に阻止すること、すなわち、このＩ／
Ｏピンの半田ダムの効果が非常に優れていることが実験
的に認められた。
【００１８】尚、上記昇華性樹脂Ｒｅの除去後におい
て、露出している金メッキ層Ａｕも除去し、下地である
ニッケルメッキ層Ｎｉを露出させ、この下地のニッケル
メッキ層Ｎｉを半田ダムとして機能させることもでき
る。尚また、上記昇華性樹脂Ｒｅの除去後において、露
出している金メッキ層Ａｕの上に、あるいは更にこの金
メッキ層Ａｕを除去することによって露出するニッケル
メッキ層Ｎｉの上に、高耐熱性の紺脂（例えば、ポリイ
ミド、ナイロン６６等）を被覆して、この被覆層を半田
ダムとして機能させることもできる。
て、露出している金メッキ層Ａｕも除去し、下地である
ニッケルメッキ層Ｎｉを露出させ、この下地のニッケル
メッキ層Ｎｉを半田ダムとして機能させることもでき
る。尚また、上記昇華性樹脂Ｒｅの除去後において、露
出している金メッキ層Ａｕの上に、あるいは更にこの金
メッキ層Ａｕを除去することによって露出するニッケル
メッキ層Ｎｉの上に、高耐熱性の紺脂（例えば、ポリイ
ミド、ナイロン６６等）を被覆して、この被覆層を半田
ダムとして機能させることもできる。
【００１９】《第２の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを施し、次いで、その
上に昇華性樹脂（例えば、ポリウレタン）Ｒｅを（例え
ば、被覆ワイヤ製造法によって）被覆する。このピン材
を所定長さ（例えば、３ ）にカットし、カットしたピ
ン材２１ａの一端に（例えば、ヘッダー加工によって）
大径の台座２１ｄを形成する（図２（ａ））。
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを施し、次いで、その
上に昇華性樹脂（例えば、ポリウレタン）Ｒｅを（例え
ば、被覆ワイヤ製造法によって）被覆する。このピン材
を所定長さ（例えば、３ ）にカットし、カットしたピ
ン材２１ａの一端に（例えば、ヘッダー加工によって）
大径の台座２１ｄを形成する（図２（ａ））。
【００２０】このピン材２１ａの他端から所定寸法（例
えば、１mm）の位置から所定長さ（例えば、１mm）だけ
昇華性樹脂Ｒｅを残して、他の部分の昇華性樹脂Ｒｅを
（例えばレーザー光線によって）除去する（図２
（ｂ））。この除去部の外周面に、半田の濡れ易い金属
から成る層、例えば、金メッキ層Ａｕを形成する（図２
（ｃ））。
えば、１mm）の位置から所定長さ（例えば、１mm）だけ
昇華性樹脂Ｒｅを残して、他の部分の昇華性樹脂Ｒｅを
（例えばレーザー光線によって）除去する（図２
（ｂ））。この除去部の外周面に、半田の濡れ易い金属
から成る層、例えば、金メッキ層Ａｕを形成する（図２
（ｃ））。
【００２１】最後に、完成品のＩ／Ｏピンを完成させる
べく、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗ
をロウ付けする。この際、熱的な影響を受けてポリウレ
タン被覆が昇華・消失し、半田ダムの機能を奏するニッ
ケルメッキ層Ｎｉが露出する（図２（ｄ））。このＩ／
Ｏピンについて上記同様の実験を行い、このＩ／Ｏピン
の半田ダムの効果が優れていることが認められた。
べく、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗ
をロウ付けする。この際、熱的な影響を受けてポリウレ
タン被覆が昇華・消失し、半田ダムの機能を奏するニッ
ケルメッキ層Ｎｉが露出する（図２（ｄ））。このＩ／
Ｏピンについて上記同様の実験を行い、このＩ／Ｏピン
の半田ダムの効果が優れていることが認められた。
【００２２】《第３の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを掩し、次いで金メッ
キＡｕを施し、更に、その上に高耐熱性の樹脂（例え
ば、ポリイミド、ナイロン６６等）Ｒｈｒを被覆する。
このピン材を所定長さ（例えば、３mm）にカットし、カ
ットしたピン材３１ａの一端に（例えば、ヘッダー加工
によって）大径の台座３１ｄを形成する（図３
（ａ））。
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを掩し、次いで金メッ
キＡｕを施し、更に、その上に高耐熱性の樹脂（例え
ば、ポリイミド、ナイロン６６等）Ｒｈｒを被覆する。
このピン材を所定長さ（例えば、３mm）にカットし、カ
ットしたピン材３１ａの一端に（例えば、ヘッダー加工
によって）大径の台座３１ｄを形成する（図３
（ａ））。
【００２３】このピン材３１ａの他端から所定長さ（例
えば、１．５mm）だけ高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒを（例え
ばレーザー光線によって）除去して、金メッキ層Ａｕを
露出させる（図３（ｂ））。このとき除去されなかった
高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒが半田ダムの機能を奏すること
になる。最後に、商品たるＩ／Ｏピンを完成させるべ
く、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗを
ロウ付けする（図３（ｃ））。
えば、１．５mm）だけ高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒを（例え
ばレーザー光線によって）除去して、金メッキ層Ａｕを
露出させる（図３（ｂ））。このとき除去されなかった
高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒが半田ダムの機能を奏すること
になる。最後に、商品たるＩ／Ｏピンを完成させるべ
く、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗを
ロウ付けする（図３（ｃ））。
【００２４】《第４の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを施し、次いで、その
上に高耐熱性の樹脂（例えば、ポリイミド、ナイロン６
６等）Ｒｈｒを被覆するこのピン材を所定長さ（例え
ば、３mm ）にカットし、カットしたピン材４１ａの一
端に（例えば、ヘッダー加工によって）大径の台座４１
ｄを形成する（図４（ａ））。
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外
表面に、先ずニッケルメッキＮｉを施し、次いで、その
上に高耐熱性の樹脂（例えば、ポリイミド、ナイロン６
６等）Ｒｈｒを被覆するこのピン材を所定長さ（例え
ば、３mm ）にカットし、カットしたピン材４１ａの一
端に（例えば、ヘッダー加工によって）大径の台座４１
ｄを形成する（図４（ａ））。
【００２５】このピン材４１ａの他端から所定長さ（例
えば、１．５mm）だけ高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒを（例え
ばレーザー光線によって）除去する（図４（ｂ））。高
耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒが除去されたピン材他端側に金メ
ッキ層Ａｕを形成する（図４（ｃ））。除去しなかった
高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒとニッケルメッキ層Ｎｉとが半
田ダムの機能を二重に奏することになる。
えば、１．５mm）だけ高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒを（例え
ばレーザー光線によって）除去する（図４（ｂ））。高
耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒが除去されたピン材他端側に金メ
ッキ層Ａｕを形成する（図４（ｃ））。除去しなかった
高耐熱性樹脂被覆Ｒｈｒとニッケルメッキ層Ｎｉとが半
田ダムの機能を二重に奏することになる。
【００２６】最後に、商品たるＩ／Ｏピンを完成させる
べく、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗ
をロウ付けする（図４（ｄ））。 《第５の半田ダム製造法》従来の（Ｃｕ−Ｎｉ／Ａｕ）
Ｉ／Ｏピン完成品５１ａ（図５（ａ））を用いて、これ
をＭＣＭに立設・固定する場合に、Ｉ／Ｏピン５１ａを
受け入れるカーボン製の固定用治具Ｊの穴に、Ａｇ−Ｓ
ｎ等のリング状の高温半田（あるいはロウ材）Ｓｈを予
めセットしておく（図５（ｂ））。
べく、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗ
をロウ付けする（図４（ｄ））。 《第５の半田ダム製造法》従来の（Ｃｕ−Ｎｉ／Ａｕ）
Ｉ／Ｏピン完成品５１ａ（図５（ａ））を用いて、これ
をＭＣＭに立設・固定する場合に、Ｉ／Ｏピン５１ａを
受け入れるカーボン製の固定用治具Ｊの穴に、Ａｇ−Ｓ
ｎ等のリング状の高温半田（あるいはロウ材）Ｓｈを予
めセットしておく（図５（ｂ））。
【００２７】このＩ／Ｏピン５１ａの立設・固定時にあ
っては、高温半田Ｓｈが溶融してＩ／Ｏピン５１ａの中
間部分に付着し、これが半田ダムとして機能することが
できる（図５（ｃ））。 《第６の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を
構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外表面にニッケ
ルメッキＮｉを施し、これを所定長さ（例えば、３mm）
にカットし、カットしたピン材６１ａの一端に（例え
ば、ヘッダー加工によって）大径の台座６１ｄを形成
し、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗを
ロウ付けして成るＩ／Ｏピン６１ａ（図６（ａ））を用
意する。
っては、高温半田Ｓｈが溶融してＩ／Ｏピン５１ａの中
間部分に付着し、これが半田ダムとして機能することが
できる（図５（ｃ））。 《第６の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を
構成する銅製の細長い丸棒状のピン材の外表面にニッケ
ルメッキＮｉを施し、これを所定長さ（例えば、３mm）
にカットし、カットしたピン材６１ａの一端に（例え
ば、ヘッダー加工によって）大径の台座６１ｄを形成
し、台座側のピン材端面に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗを
ロウ付けして成るＩ／Ｏピン６１ａ（図６（ａ））を用
意する。
【００２８】このＩ／Ｏピン６１ａをＭＣＭに立設・固
定する場合に、Ｉ／Ｏピン６１ａを受け入れるカーボン
製の固定用冶具Ｊの穴に、Ａｇ−Ｓｎ等の管状の高温半
田及びロウ材Ｓｈｗを予めセットしておく（図６
（ｂ））。このＩ／Ｏピンの立設・固定時にあっては、
Ｉ／Ｏピンの先端部分に高温半田及びロウ材が溶融・付
着すると共に、台座側のニッケルメッキ層Ｎｉが酸化し
て酸化皮膜となり、これが半田ダムとして機能すること
ができる（図６（ｃ））。
定する場合に、Ｉ／Ｏピン６１ａを受け入れるカーボン
製の固定用冶具Ｊの穴に、Ａｇ−Ｓｎ等の管状の高温半
田及びロウ材Ｓｈｗを予めセットしておく（図６
（ｂ））。このＩ／Ｏピンの立設・固定時にあっては、
Ｉ／Ｏピンの先端部分に高温半田及びロウ材が溶融・付
着すると共に、台座側のニッケルメッキ層Ｎｉが酸化し
て酸化皮膜となり、これが半田ダムとして機能すること
ができる（図６（ｃ））。
【００２９】《第７の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒材を、その先端
にヘッダー加工して大径の台座本体部７１ｄを形成し、
先端を所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部７１ａとこの一
端の台座本体部７１ｄとよりなるピン本体７１を得る。
７１ｅはピン本体部７１ａの端面であり、７１ｆは台座
部本体部７１ｄの端面である（図７（ａ））。
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒材を、その先端
にヘッダー加工して大径の台座本体部７１ｄを形成し、
先端を所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部７１ａとこの一
端の台座本体部７１ｄとよりなるピン本体７１を得る。
７１ｅはピン本体部７１ａの端面であり、７１ｆは台座
部本体部７１ｄの端面である（図７（ａ））。
【００３０】次に、ピン本体７１の両端面７１ｅ、７１
ｆを含めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし
（図７（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図７
（ｃ））。次いで、台座本体部７１ｄの端面７１ｆ側
に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これによ
って、ロウ材Ｗが台座本体部７１ｄの金メッキＡｕを覆
ってなる台座部７３が形成される（図７（ｄ））。
ｆを含めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし
（図７（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図７
（ｃ））。次いで、台座本体部７１ｄの端面７１ｆ側
に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これによ
って、ロウ材Ｗが台座本体部７１ｄの金メッキＡｕを覆
ってなる台座部７３が形成される（図７（ｄ））。
【００３１】次いで、ピン本体７１を剥離液に漬ける。
これによって、露出している金メッキ層Ａｕが除去され
る。即ち、ピン本体部７１ａについては、金メッキ層Ａ
ｕを除去されてニッケルメッキ層Ｎｉが露出した状態と
なり、台座部７３については、下面７１ｇの部分だけが
金メッキ層Ａｕを除去されてニッケルメッキ層Ｎｉが露
出した状態となる（図７（ｅ））。
これによって、露出している金メッキ層Ａｕが除去され
る。即ち、ピン本体部７１ａについては、金メッキ層Ａ
ｕを除去されてニッケルメッキ層Ｎｉが露出した状態と
なり、台座部７３については、下面７１ｇの部分だけが
金メッキ層Ａｕを除去されてニッケルメッキ層Ｎｉが露
出した状態となる（図７（ｅ））。
【００３２】最後に、ピン本体部７１ａの端側のみを金
メッキ液に漬けて再度無電解メッキを行って、ピン本体
部７１ａの端側に金メッキ層Ａｕ１を形成する。金メッ
キ層Ａｕ１は、ピン本体部７１ａの端面７１ｅ及びピン
本体部７１ａの端側の周面に形成される。ピン本体部７
１ａのうち、金メッキ層Ａｕ１が形成されない部分、即
ち、ニッケルメッキ層Ｎｉが露出したままとされた部分
が、半田ダム７５を構成する（図７（ｆ））。
メッキ液に漬けて再度無電解メッキを行って、ピン本体
部７１ａの端側に金メッキ層Ａｕ１を形成する。金メッ
キ層Ａｕ１は、ピン本体部７１ａの端面７１ｅ及びピン
本体部７１ａの端側の周面に形成される。ピン本体部７
１ａのうち、金メッキ層Ａｕ１が形成されない部分、即
ち、ニッケルメッキ層Ｎｉが露出したままとされた部分
が、半田ダム７５を構成する（図７（ｆ））。
【００３３】これによって、半田ダム付きのＩ／Ｏピン
７４が完成する。Ｉ／Ｏピン７４は、ピン部７６と、こ
の一端の台座部７３とよりなり、ピン部７６のうち台座
部７３寄りの部分に半田ダム７５を有する構造である。
ピン部７６は、先端側の半田付着予定部７７と、台座部
７３寄りの部分の半田ダム７５とよりなる。半田付着予
定部７７は、半田付けされるピン部７６としての本質的
な部分であり、ピン本体部７１ａの先端面７１ｅも含め
て金メッキ層Ａｕ１で覆われている構造である。半田ダ
ム７５は、露出したニッケルメッキ層Ｎｉよりなり、長
さｂを有する。この長さｂは、ピン部７６の長さａの約
１／２である。台座部７３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕ
された台座本体部７１ｄを覆った構造である。
７４が完成する。Ｉ／Ｏピン７４は、ピン部７６と、こ
の一端の台座部７３とよりなり、ピン部７６のうち台座
部７３寄りの部分に半田ダム７５を有する構造である。
ピン部７６は、先端側の半田付着予定部７７と、台座部
７３寄りの部分の半田ダム７５とよりなる。半田付着予
定部７７は、半田付けされるピン部７６としての本質的
な部分であり、ピン本体部７１ａの先端面７１ｅも含め
て金メッキ層Ａｕ１で覆われている構造である。半田ダ
ム７５は、露出したニッケルメッキ層Ｎｉよりなり、長
さｂを有する。この長さｂは、ピン部７６の長さａの約
１／２である。台座部７３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕ
された台座本体部７１ｄを覆った構造である。
【００３４】《第８の半田ダム製造法》Ｉ／Ｏピンの本
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒材を、その先端
にヘッダー加工して大径の台座本体部８１ｄを形成し、
先端を所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部８１ａとこの一
端の台座本体部８１ｄとよりなるピン本体８１を得る。
８１ｅはピン本体部８１ａの端面であり、８１ｆは台座
部本体部８１ｄの端面である（図８（ａ））。
体（母材）を構成する銅製の細長い丸棒材を、その先端
にヘッダー加工して大径の台座本体部８１ｄを形成し、
先端を所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部８１ａとこの一
端の台座本体部８１ｄとよりなるピン本体８１を得る。
８１ｅはピン本体部８１ａの端面であり、８１ｆは台座
部本体部８１ｄの端面である（図８（ａ））。
【００３５】次に、ピン本体８１の両端面８１ｅ、８１
ｆを含めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし
（図８（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図８
（ｃ））。次いで、台座本体部８１ｄの端面８１ｆ側
に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これによ
って、ロウ材Ｗが台座本体部８１ｄの金メッキＡｕを覆
ってなる台座部８３が形成される（図８（ｄ））。
ｆを含めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし
（図８（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図８
（ｃ））。次いで、台座本体部８１ｄの端面８１ｆ側
に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これによ
って、ロウ材Ｗが台座本体部８１ｄの金メッキＡｕを覆
ってなる台座部８３が形成される（図８（ｄ））。
【００３６】最後に、ピン本体を幅がｃであるエンドレ
スの研磨ベルト８９が設けてある研磨機にかけて、ピン
本体８１の中間部分を研磨する。研磨機の研磨量は金メ
ッキＡｕだけが除去されるように定めてあり、研磨が完
了するとニッケルメッキ層Ｎｉが露出する。ニッケルメ
ッキ層Ｎｉが露出された部分が、半田ダム８５を構成す
る（図８（ｅ））。
スの研磨ベルト８９が設けてある研磨機にかけて、ピン
本体８１の中間部分を研磨する。研磨機の研磨量は金メ
ッキＡｕだけが除去されるように定めてあり、研磨が完
了するとニッケルメッキ層Ｎｉが露出する。ニッケルメ
ッキ層Ｎｉが露出された部分が、半田ダム８５を構成す
る（図８（ｅ））。
【００３７】これによって、半田ダム付きのＩ／Ｏピン
８４が完成する。Ｉ／Ｏピン８４は、ピン部８６と、こ
の一端の台座部８３とよりなり、ピン部８６のうち略中
央の部位に半田ダム８５を有する構造である。ピン部８
６は、先端側に半田付着予定部８７を有し、略中央の部
位に半田ダム８５を有する。半田付着予定部８７は、半
田付けされるピン部８６としての本質的な部分であり、
ピン本体部８１ａの先端面８１ｅも含めて金メッキ層Ａ
ｕで覆われている構造である。半田ダム８５は、露出し
たニッケルメッキ層Ｎｉよりなり、長さｃを有する。こ
の長さｃは、ピン部８６の長さａの約１／３である。台
座部８３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕされた台座本体部
８１ｄを覆った構造である。
８４が完成する。Ｉ／Ｏピン８４は、ピン部８６と、こ
の一端の台座部８３とよりなり、ピン部８６のうち略中
央の部位に半田ダム８５を有する構造である。ピン部８
６は、先端側に半田付着予定部８７を有し、略中央の部
位に半田ダム８５を有する。半田付着予定部８７は、半
田付けされるピン部８６としての本質的な部分であり、
ピン本体部８１ａの先端面８１ｅも含めて金メッキ層Ａ
ｕで覆われている構造である。半田ダム８５は、露出し
たニッケルメッキ層Ｎｉよりなり、長さｃを有する。こ
の長さｃは、ピン部８６の長さａの約１／３である。台
座部８３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕされた台座本体部
８１ｄを覆った構造である。
【００３８】《第９の半田ダム製造法》ニッケル（Ｎ
ｉ）製の丸棒材を使用する。Ｉ／Ｏピンの本体（母材）
を構成するニッケル製の細長い丸棒材を、その先端にヘ
ッダー加工して大径の台座本体部９１ｄを形成し、次い
で、丸棒材を例えば５ｍｍ送り出し、太径部を形成する
ための型に入れて先端の台座本体部９１ｄから軸方向に
長さをつめて潰すプレス加工してして太径部９１ｇを形
成し、次いで所定長さ（例えば、３mm）にカットする。
この作業を繰り返すことによって、ピン本体部９１ａと
この一端の台座本体部８１ｄとよりなり、且つピン本体
部９１ａの中央部に太径部９１ｇを有するピン本体９１
を得る。この太径部９１ｇは、ピン本体部９１ａの径ｄ
１より太い径ｄ２を有し、且つ、ピン本体部９１ａの長
さａの約１／３の長さｅを有する。９１ｅはピン本体部
９１ａの端面であり、９１ｆは台座部本体部９１ｄの端
面である（図９（ａ））。
ｉ）製の丸棒材を使用する。Ｉ／Ｏピンの本体（母材）
を構成するニッケル製の細長い丸棒材を、その先端にヘ
ッダー加工して大径の台座本体部９１ｄを形成し、次い
で、丸棒材を例えば５ｍｍ送り出し、太径部を形成する
ための型に入れて先端の台座本体部９１ｄから軸方向に
長さをつめて潰すプレス加工してして太径部９１ｇを形
成し、次いで所定長さ（例えば、３mm）にカットする。
この作業を繰り返すことによって、ピン本体部９１ａと
この一端の台座本体部８１ｄとよりなり、且つピン本体
部９１ａの中央部に太径部９１ｇを有するピン本体９１
を得る。この太径部９１ｇは、ピン本体部９１ａの径ｄ
１より太い径ｄ２を有し、且つ、ピン本体部９１ａの長
さａの約１／３の長さｅを有する。９１ｅはピン本体部
９１ａの端面であり、９１ｆは台座部本体部９１ｄの端
面である（図９（ａ））。
【００３９】なお、転造によって、太径部９１ｇを台座
本体部９１ｄと同時に形成することも可能である。次
に、ピン本体９１の両端面９１ｅ、９１ｆを含めた外表
面全体に、金メッキＡｕを施こす（図９（ｂ））。次い
で、台座本体部９１ｄの端面９１ｆ側に、Ａｕ−Ｓｎ等
のロウ材Ｗをロウ付けする。これによって、ロウ材Ｗが
台座本体部９１ｄの金メッキＡｕを覆ってなる台座部９
３が形成される（図９（ｃ））。
本体部９１ｄと同時に形成することも可能である。次
に、ピン本体９１の両端面９１ｅ、９１ｆを含めた外表
面全体に、金メッキＡｕを施こす（図９（ｂ））。次い
で、台座本体部９１ｄの端面９１ｆ側に、Ａｕ−Ｓｎ等
のロウ材Ｗをロウ付けする。これによって、ロウ材Ｗが
台座本体部９１ｄの金メッキＡｕを覆ってなる台座部９
３が形成される（図９（ｃ））。
【００４０】最後に、エンドレスの研磨ベルトが設けて
ある研磨機にかけて、ピン本体９１の太径部９１ｇの部
分を研磨して、金メッキＡｕを除去してニッケル（Ｎ
ｉ）製のピン本体９１を露出させる。ニッケル（Ｎｉ）
製のピン本体９１が露出した部分が、半田ダム９５を構
成する（図９（ｄ））。これによって、半田ダム付きの
Ｉ／Ｏピン９４が完成する。Ｉ／Ｏピン９４は、ピン部
９６と、この一端の台座部９３とよりなり、ピン部９６
のうち略中央の部位に半田ダム９５を有する構造であ
る。
ある研磨機にかけて、ピン本体９１の太径部９１ｇの部
分を研磨して、金メッキＡｕを除去してニッケル（Ｎ
ｉ）製のピン本体９１を露出させる。ニッケル（Ｎｉ）
製のピン本体９１が露出した部分が、半田ダム９５を構
成する（図９（ｄ））。これによって、半田ダム付きの
Ｉ／Ｏピン９４が完成する。Ｉ／Ｏピン９４は、ピン部
９６と、この一端の台座部９３とよりなり、ピン部９６
のうち略中央の部位に半田ダム９５を有する構造であ
る。
【００４１】ピン部９６は、先端側に半田付着予定部９
７を有し、略中央の部位に半田ダム９５を有する。半田
付着予定部９７は、半田付けされるピン部８６としての
本質的な部分であり、ピン本体部９１ａの先端面９１ｅ
も含めて金メッキ層Ａｕで覆われている構造である。半
田ダム９５は、ピン本体９１の一部であり露出した部分
よりなり、長さｅを有する。この長さｅは、ピン部９６
の長さａの約１／３である。半田ダム９５の長さｅ及び
場所は、前記の太径部９１ｇによって決定され、上記の
研磨のバラツキに影響されない。太径部９１ｇは型で決
まるものであり長さｅ及び場所のバラツキは小さい。よ
って、各半田ダム付きのＩ／Ｏピン９４について、半田
ダム９５の長さｅ及び場所のバラツキは小さい。台座部
９３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕされた台座本体部９１
ｄを覆った構造である。
７を有し、略中央の部位に半田ダム９５を有する。半田
付着予定部９７は、半田付けされるピン部８６としての
本質的な部分であり、ピン本体部９１ａの先端面９１ｅ
も含めて金メッキ層Ａｕで覆われている構造である。半
田ダム９５は、ピン本体９１の一部であり露出した部分
よりなり、長さｅを有する。この長さｅは、ピン部９６
の長さａの約１／３である。半田ダム９５の長さｅ及び
場所は、前記の太径部９１ｇによって決定され、上記の
研磨のバラツキに影響されない。太径部９１ｇは型で決
まるものであり長さｅ及び場所のバラツキは小さい。よ
って、各半田ダム付きのＩ／Ｏピン９４について、半田
ダム９５の長さｅ及び場所のバラツキは小さい。台座部
９３は、ロウ材Ｗが金メッキＡｕされた台座本体部９１
ｄを覆った構造である。
【００４２】《第１０の半田ダム製造法》銅（Ｃｕ）製
の丸棒材を使用する。Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を構成
する銅製の細長い丸棒材を、その先端にヘッダー加工し
て大径の台座本体部１０１ｄを形成し、次いで、丸棒材
を例えば５ｍｍ送り出し、太径部を形成するための型に
入れて先端の台座本体部１０１ｄから軸方向に長さをつ
めて潰すプレス加工してして太径部１０１ｇを形成し、
次いで所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部１０１ａとこの
一端の台座本体部８１ｄとよりなり、且つピン本体部１
０１ａの中央部に太径部１０１ｇを有するピン本体１０
１を得る。この太径部１０１ｇは、ピン本体部１０１ａ
の径ｄ１より太い径ｄ３を有し、且つ、ピン本体部１０
１ａの長さａの約１／３の長さｆを有する。１０１ｅは
ピン本体部１０１ａの端面であり、１０１ｆは台座部本
体部８１ｄの端面である（図１０（ａ））。
の丸棒材を使用する。Ｉ／Ｏピンの本体（母材）を構成
する銅製の細長い丸棒材を、その先端にヘッダー加工し
て大径の台座本体部１０１ｄを形成し、次いで、丸棒材
を例えば５ｍｍ送り出し、太径部を形成するための型に
入れて先端の台座本体部１０１ｄから軸方向に長さをつ
めて潰すプレス加工してして太径部１０１ｇを形成し、
次いで所定長さ（例えば、３mm）にカットする。この作
業を繰り返すことによって、ピン本体部１０１ａとこの
一端の台座本体部８１ｄとよりなり、且つピン本体部１
０１ａの中央部に太径部１０１ｇを有するピン本体１０
１を得る。この太径部１０１ｇは、ピン本体部１０１ａ
の径ｄ１より太い径ｄ３を有し、且つ、ピン本体部１０
１ａの長さａの約１／３の長さｆを有する。１０１ｅは
ピン本体部１０１ａの端面であり、１０１ｆは台座部本
体部８１ｄの端面である（図１０（ａ））。
【００４３】なお、転造によって、太径部１０１ｇを台
座本体部１０１ｄと同時に形成することも可能である。
次に、ピン本体１０１の両端面１０１ｅ、１０１ｆを含
めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし（図１
０（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図１０
（ｃ））。
座本体部１０１ｄと同時に形成することも可能である。
次に、ピン本体１０１の両端面１０１ｅ、１０１ｆを含
めた外表面全体に、ニッケルメッキＮｉを施こし（図１
０（ｂ））、更には、金メッキＡｕを施こす（図１０
（ｃ））。
【００４４】次いで、台座本体部１０１ｄの端面１０１
ｆ側に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これ
によって、ロウ材Ｗが台座本体部１０１ｄの金メッキＡ
ｕを覆ってなる台座部１０３が形成される（図１０
（ｄ））。最後に、エンドレスの研磨ベルトが設けてあ
る研磨機にかけて、ピン本体１０１の太径部１０１ｇの
を研磨する。研磨機の研磨量は金メッキＡｕだけが除去
されるように定めてあり、研磨が完了するとニッケルメ
ッキ層Ｎｉが露出する。ニッケルメッキ層Ｎｉが露出さ
れた部分が、半田ダム１０５を構成する（図１０
（ｅ））。
ｆ側に、Ａｕ−Ｓｎ等のロウ材Ｗをロウ付けする。これ
によって、ロウ材Ｗが台座本体部１０１ｄの金メッキＡ
ｕを覆ってなる台座部１０３が形成される（図１０
（ｄ））。最後に、エンドレスの研磨ベルトが設けてあ
る研磨機にかけて、ピン本体１０１の太径部１０１ｇの
を研磨する。研磨機の研磨量は金メッキＡｕだけが除去
されるように定めてあり、研磨が完了するとニッケルメ
ッキ層Ｎｉが露出する。ニッケルメッキ層Ｎｉが露出さ
れた部分が、半田ダム１０５を構成する（図１０
（ｅ））。
【００４５】これによって、半田ダム付きのＩ／Ｏピン
１０４が完成する。Ｉ／Ｏピン１０４は、ピン部１０６
と、この一端の台座部１０３とよりなり、ピン部１０６
のうち略中央の部位に半田ダム１０５を有する構造であ
る。ピン部１０６は、先端側に半田付着予定部１０７を
有し、略中央の部位に半田ダム１０５を有する。半田付
着予定部１０７は、半田付けされるピン部８６としての
本質的な部分であり、ピン本体部１０１ａの先端面１０
１ｅも含めて金メッキ層Ａｕで覆われている構造であ
る。半田ダム１０５は、ピン本体１０１の一部であり露
出した部分よりなり、長さｆを有する。この長さｆは、
ピン部１０６の長さａの約１／３である。半田ダム１０
５の長さｆ及び場所は、前記の太径部１０１ｇによって
決定され、上記の研磨のバラツキに影響されない。太径
部１０１ｇは型で決まるものであり長さｆ及び場所のバ
ラツキは小さい。よって、各半田ダム付きのＩ／Ｏピン
１０４について、半田ダム１０５の長さｆ及び場所のバ
ラツキは小さい。台座部１０３は、ロウ材Ｗが金メッキ
Ａｕされた台座本体部１０１ｄを覆った構造である。
１０４が完成する。Ｉ／Ｏピン１０４は、ピン部１０６
と、この一端の台座部１０３とよりなり、ピン部１０６
のうち略中央の部位に半田ダム１０５を有する構造であ
る。ピン部１０６は、先端側に半田付着予定部１０７を
有し、略中央の部位に半田ダム１０５を有する。半田付
着予定部１０７は、半田付けされるピン部８６としての
本質的な部分であり、ピン本体部１０１ａの先端面１０
１ｅも含めて金メッキ層Ａｕで覆われている構造であ
る。半田ダム１０５は、ピン本体１０１の一部であり露
出した部分よりなり、長さｆを有する。この長さｆは、
ピン部１０６の長さａの約１／３である。半田ダム１０
５の長さｆ及び場所は、前記の太径部１０１ｇによって
決定され、上記の研磨のバラツキに影響されない。太径
部１０１ｇは型で決まるものであり長さｆ及び場所のバ
ラツキは小さい。よって、各半田ダム付きのＩ／Ｏピン
１０４について、半田ダム１０５の長さｆ及び場所のバ
ラツキは小さい。台座部１０３は、ロウ材Ｗが金メッキ
Ａｕされた台座本体部１０１ｄを覆った構造である。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、先
端側から根元側に半田が伝わって流れるのを安全且つ確
実に阻止し得るＩ／Ｏピンを提供することができ、ＭＣ
Ｍの高寿命化等を実現できる。
端側から根元側に半田が伝わって流れるのを安全且つ確
実に阻止し得るＩ／Ｏピンを提供することができ、ＭＣ
Ｍの高寿命化等を実現できる。
【図１】第１の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図１（ａ）は、昇華性樹脂が被覆されたピン
材、図１（ｂ）は、昇華性樹脂が部分的に除去されたピ
ン材、図１（ｃ）は、半田濡れ性の低い金属層が形成さ
れたピン材、図１（ｄ）は、半田ダムの形成された完成
品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
あって、図１（ａ）は、昇華性樹脂が被覆されたピン
材、図１（ｂ）は、昇華性樹脂が部分的に除去されたピ
ン材、図１（ｃ）は、半田濡れ性の低い金属層が形成さ
れたピン材、図１（ｄ）は、半田ダムの形成された完成
品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
【図２】第２の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図２（ａ）は、昇華性樹脂が被覆されたピン
材、図２（ｂ）は、昇華性樹脂が部分的に除去されたピ
ン材、図２（ｃ）は、半田の濡れ易い金属の層が形成さ
れたピン材、図２（ｄ）は、半田ダムの形成された完成
品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
あって、図２（ａ）は、昇華性樹脂が被覆されたピン
材、図２（ｂ）は、昇華性樹脂が部分的に除去されたピ
ン材、図２（ｃ）は、半田の濡れ易い金属の層が形成さ
れたピン材、図２（ｄ）は、半田ダムの形成された完成
品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
【図３】第３の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図３（ａ）は、高耐熱性樹脂が被覆されたピン
材、図３（ｂ）は、高耐熱性樹脂が部分的に除去された
ピン材、図３（ｃ）は、半田ダムの形成された完成品の
Ｉ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
あって、図３（ａ）は、高耐熱性樹脂が被覆されたピン
材、図３（ｂ）は、高耐熱性樹脂が部分的に除去された
ピン材、図３（ｃ）は、半田ダムの形成された完成品の
Ｉ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
【図４】第４の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図４（ａ）は、高耐熱性樹脂が被覆されたピン
材、図皇（ｂ）は、高耐熱性樹脂が部分的に除去された
ピン材、図４（ｃ）は、半田の濡れ易い金属の層が形成
されたピン材、図４（ｄ）は、半田ダムの形成された完
成品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
あって、図４（ａ）は、高耐熱性樹脂が被覆されたピン
材、図皇（ｂ）は、高耐熱性樹脂が部分的に除去された
ピン材、図４（ｃ）は、半田の濡れ易い金属の層が形成
されたピン材、図４（ｄ）は、半田ダムの形成された完
成品のＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
【図５】第５の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図５（ａ）は、従来のＩ／Ｏピン、図５（ｂ）
は、固定用治具にセットされたＩ／Ｏピン、図５（ｃ）
は、ＭＣＭに固定された、半田ダムの形成されたＩ／Ｏ
ピン、をそれぞれ示す。
あって、図５（ａ）は、従来のＩ／Ｏピン、図５（ｂ）
は、固定用治具にセットされたＩ／Ｏピン、図５（ｃ）
は、ＭＣＭに固定された、半田ダムの形成されたＩ／Ｏ
ピン、をそれぞれ示す。
【図６】第６の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
あって、図６（ａ）は、ニッケルメッキが施されたＩ／
Ｏピン、図６（ｂ）は、固定用冶具にセットされたＩ／
○ピン、図６（ｃ）は、ＭＣＭに固定された、半田ダム
の形成されたＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
あって、図６（ａ）は、ニッケルメッキが施されたＩ／
Ｏピン、図６（ｂ）は、固定用冶具にセットされたＩ／
○ピン、図６（ｃ）は、ＭＣＭに固定された、半田ダム
の形成されたＩ／Ｏピン、をそれぞれ示す。
【図７】第７の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
ある。
ある。
【図８】第８の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
ある。
ある。
【図９】第９の半田ダム製造法の主要な工程を示す図で
ある。
ある。
【図１０】第１０の半田ダム製造法の主要な工程を示す
図である。
図である。
【図１１】従来のＩ／Ｏピンを用いた、マザーボードに
対するＭＣＭの実装構造の一例の要部を示す図である。
対するＭＣＭの実装構造の一例の要部を示す図である。
１ａ，２１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ，６１ａ、７
４、８４、９４、１０４…Ｉ／Ｏピン １ｄ，２１ｄ，３１ｄ，４１ｄ，５１ｄ，６１ｄ，７１
ｄ，８１ｄ，９１ｄ，１０１ｄ…台座 ７５，８５，９５，１０５…半田ダム Ａｕ…金メッキ層 Ｊ…固定用冶具 Ｎｉ…ニッケルメッキ層 Ｒｅ…昇華性樹脂 Ｒｈｒ…高耐熱性樹脂 Ｓｈ…高温半田 Ｓｈｗ…高温半田及びロウ材 Ｗ…ロウ材
４、８４、９４、１０４…Ｉ／Ｏピン １ｄ，２１ｄ，３１ｄ，４１ｄ，５１ｄ，６１ｄ，７１
ｄ，８１ｄ，９１ｄ，１０１ｄ…台座 ７５，８５，９５，１０５…半田ダム Ａｕ…金メッキ層 Ｊ…固定用冶具 Ｎｉ…ニッケルメッキ層 Ｒｅ…昇華性樹脂 Ｒｈｒ…高耐熱性樹脂 Ｓｈ…高温半田 Ｓｈｗ…高温半田及びロウ材 Ｗ…ロウ材
【手続補正書】
【提出日】平成１１年２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２】 前記小型プリント基板は、少なくとも１
つのベアチップを搭載したマルチチップモジュールであ
り、 前記大型プリント基板は、マザーボードであることを特
徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
つのベアチップを搭載したマルチチップモジュールであ
り、 前記大型プリント基板は、マザーボードであることを特
徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項３】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される半田濡れ性の低い材料の層から成るこ
とを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
外周に形成される半田濡れ性の低い材料の層から成るこ
とを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項４】 前記半田濡れ性の低い材料の層は、Ｎｉ
メッキ層であることを特徴とする請求項３記載のＩ／Ｏ
ピン。
メッキ層であることを特徴とする請求項３記載のＩ／Ｏ
ピン。
【請求項５】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される高耐熱性の樹脂の層から成ることを特
徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
外周に形成される高耐熱性の樹脂の層から成ることを特
徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項６】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される高温半田の層から成ることを特徴とす
る請求項１記載のＩ／Ｏピン。
外周に形成される高温半田の層から成ることを特徴とす
る請求項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項７】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体外
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を除去す
ることによって露出する第１被覆層部分が、前記半田ダ
ムを構成することを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピ
ン。
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を除去す
ることによって露出する第１被覆層部分が、前記半田ダ
ムを構成することを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピ
ン。
【請求項８】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体外
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、 第２被覆層の形成時に、Ｉ／Ｏピン中間部に第２被覆層
が形成されないようにして、それによって露出する第１
被覆層部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とす
る請求項１記載Ｉ／Ｏピン。
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、 第２被覆層の形成時に、Ｉ／Ｏピン中間部に第２被覆層
が形成されないようにして、それによって露出する第１
被覆層部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とす
る請求項１記載Ｉ／Ｏピン。
【請求項９】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に露出して形成されるＩ／Ｏピン自身の材料であっ
て半田濡れ性の低い材料から成ることを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
外周に露出して形成されるＩ／Ｏピン自身の材料であっ
て半田濡れ性の低い材料から成ることを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項１０】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体
外周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を研磨し
て除去することによって露出する第１被覆層部分が、前
記半田ダムを構成することを特徴とする請求項１記載の
Ｉ／Ｏピン。
外周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を研磨し
て除去することによって露出する第１被覆層部分が、前
記半田ダムを構成することを特徴とする請求項１記載の
Ｉ／Ｏピン。
【請求項１１】 Ｉ／Ｏピンは、半田濡れ性の低い材料
製であり中間部に太径部を有する導電性の本体と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する上記本体の
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
製であり中間部に太径部を有する導電性の本体と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する上記本体の
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
【請求項１２】 Ｉ／Ｏピンは、中間部に太径部を有す
る導電性の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の
第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する第１被覆層
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
る導電性の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の
第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する第１被覆層
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
Claims (13)
- 【請求項１】 基板間接続用のＩ／Ｏピンであって、 Ｉ／Ｏピンの長手方向中間部には、Ｉ／Ｏピンの長手方
向一方側から他方側に半田が流動するのを阻止し得る半
田ダムが形成されることを特徴とするＩ／Ｏピン。 - 【請求項２】 Ｉ／Ｏピンの一端が小型プリント基板に
立設・固定され、 Ｉ／Ｏピンの他端が、大型プリント基板に対する小型プ
リント基板の実装時に、大型プリント基板の所定箇所に
半田付けされることを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏ
ピン。 - 【請求項３】 前記小型プリント基板は、少なくとも１
つのベアチップを搭載したマルチチップモジュールであ
り、 前記大型プリント基板は、マザーボードであり、Ｉ／Ｏ
ピンは、丸棒形状を有することを特徴とする請求項２記
載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項４】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される半田濡れ性の低い材料の層から成るこ
とを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項５】 前記半田濡れ性の低い材料の層は、Ｎｉ
メッキ層であることを特徴とする請求項４記載のＩ／Ｏ
ピン。 - 【請求項６】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される高耐熱性の樹脂の層から成ることを特
徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項７】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部の
外周に形成される高温半田の層から成ることを特徴とす
る請求項１記載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項８】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体外
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を除去す
ることによって露出する第１被覆層部分が、前記半田ダ
ムを構成することを特徴とする請求項１記載のＩ／Ｏピ
ン。 - 【請求項９】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体外
周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、 第２被覆層の形成時に、Ｉ／Ｏピン中間部に第２被覆層
が形成されないようにして、それによって露出する第１
被覆層部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とす
る請求項１記載Ｉ／Ｏピン。 - 【請求項１０】 前記半田ダムは、Ｉ／Ｏピンの中間部
の外周に露出して形成されるＩ／Ｏピン自身の材料であ
って半田濡れ性の低い材料から成ることを特徴とする請
求項１記載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項１１】 Ｉ／Ｏピンは、導電性の本体と、本体
外周の半田濡れ性の低い材料の第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピン中間部の第２被覆層を研磨し
て除去することによって露出する第１被覆層部分が、前
記半田ダムを構成することを特徴とする請求項１記載の
Ｉ／Ｏピン。 - 【請求項１２】 Ｉ／Ｏピンは、半田濡れ性の低い材料
製であり中間部に太径部を有する導電性の本体と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する上記本体の
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。 - 【請求項１３】 Ｉ／Ｏピンは、中間部に太径部を有す
る導電性の本体と、本体外周の半田濡れ性の低い材料の
第１被覆層と、 更にその外周の半田濡れ性の高い材料の第２被覆層、と
を含んで成り、Ｉ／Ｏピンの上記太径部の部分について
第２被覆層を除去することによって露出する第１被覆層
部分が、前記半田ダムを構成することを特徴とする請求
項１記載のＩ／Ｏピン。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193280A JPH11167944A (ja) | 1997-10-03 | 1998-07-08 | 基板間接続用の半田ダム付きｉ／ｏピン |
| US09/184,081 US6300678B1 (en) | 1997-10-03 | 1998-11-02 | I/O pin having solder dam for connecting substrates |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27164597 | 1997-10-03 | ||
| JP9-271645 | 1997-10-03 | ||
| JP10193280A JPH11167944A (ja) | 1997-10-03 | 1998-07-08 | 基板間接続用の半田ダム付きｉ／ｏピン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167944A true JPH11167944A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=26507786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193280A Pending JPH11167944A (ja) | 1997-10-03 | 1998-07-08 | 基板間接続用の半田ダム付きｉ／ｏピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167944A (ja) |
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-
1998
- 1998-07-08 JP JP10193280A patent/JPH11167944A/ja active Pending
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