JPH0897325A - ボール・グリッド・アレイパッケージにおける接続端子部構造及び接続端子部構造の形成方法 - Google Patents

ボール・グリッド・アレイパッケージにおける接続端子部構造及び接続端子部構造の形成方法

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JPH0897325A
JPH0897325A JP22630094A JP22630094A JPH0897325A JP H0897325 A JPH0897325 A JP H0897325A JP 22630094 A JP22630094 A JP 22630094A JP 22630094 A JP22630094 A JP 22630094A JP H0897325 A JPH0897325 A JP H0897325A
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ball
receiving portion
connection terminal
grid array
array package
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JP22630094A
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Takuji Ito
拓二 伊東
Yasuo Nakatsuka
康雄 中塚
Hideaki Itakura
秀明 板倉
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Nippon Steel Corp
Nippon Steel and Sumikin Electronics Devices Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal Ceramics Inc
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極端子としてのボ−ル6を接続パッド4上
に容易かつ確実に仮固定することができ、ボ−ル6を位
置精度良く接続パッド4上に配置・固定することができ
るボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端
子部の構造を提供すること。 【構成】 パッケ−ジ基板5の底部に凹形状の受け部3
が形成され、受け部3内に接続パッド4が形成されると
共に、芯部1が高融点金属で形成され、該高融点金属が
良導電性の金属で被覆された電極端子としてのボ−ル6
が配置・固着されているボ−ル・グリッド・アレイパッ
ケ−ジにおける接続端子部構造。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はボール・グリッド・アレ
イパッケージにおける接続端子部構造及び接続端子構造
の形成方法に関し、より詳細には、LSIなどの半導体
素子をパッケージに収納する際に用いられる格子状の接
続パッドを有するボール・グリッド・アレイパッケージ
における接続端子部構造及び接続端子部構造の形成方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、LSIの入出力端子数は増加の傾
向にある。それに伴い、多数の入出力ピンを備え、かつ
小型のパッケージが要望されてきている。従来のパッケ
ージにおける接続端子部の構造例としてはP.G.A
(ピングリッドアレイ)がある。P.G.Aの場合、コ
バールピンを用いてプリント基板側のスルーホールへ挿
入して接続を行うのが一般的である。しかし近年では、
LSIパッケージの一層の小型化が要望されるようにな
り、端子を高密度に配置することができる接続構造が求
められている。前記要望を満たす接続構造として、ボー
ル形状の電極端子を用いた接続構造が注目されてきてい
る。ボ−ル形状の電極端子を用いた従来の接続端子部の
形成方法を図8及び図9に基づいて簡単に説明する。
【0003】まず、図8に示した接続端子部の形成方法
から説明する。図8(a)はLSIパッケ−ジ91の底
部に接続パッド92が形成された状態を示している。こ
の状態から次に、接続パッド92上にフラックス93を
塗布し(図9(b))、接続パッド92上に半田ボ−ル
94を載置する(図9(c))。次に、半田ボ−ル94
をフラックス93で仮固定した(図9(d))後、半田
ボ−ル94を覆うようにフラック95を塗布する(図9
(e))。次に、VPS(Vapor-phase Soldering )を
行って半田層を溶融させ、半田ボ−ル94を接続パッド
92上に固定する(図9(f)。そして最後に、フラッ
クス93を除去する(図9(g))。
【0004】図9はUSパテント5060844号に開
示された発明を示したものであり、融点の異なる2種類
の半田を用い、低融点半田113上に高融点半田ボ−ル
114を配置し、エポキシ等の絶縁層115を半田ダム
として接続端子部を形成するものである。なお、図中に
示した符号104は接続パッドを示している。また、図
9中に示した符号の値は、前記パテント中に示されてい
る符号の値に100を加えた値になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の接続端子部の形成方法では、図10に示したようにパ
ッケ−ジ基板に配設された接続パッド92が凸形状であ
るため、半田ボール94の半田層94aが溶融して凝固
した際の形状の差異により、半田ボ−ル94の位置精度
にバラツキが生じるという課題がある。また、フラック
ス93の粘着力のみでは凸形状の接続パッド92上に半
田ボール94を確実に仮固定するのは難しいので、半田
ボール94を確実に仮固定するための治具が必要になる
という課題がある。
【0006】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、仮固定用の治具を用いずとも容易かつ確実に電極端
子としてのボ−ルを接続パッド上に仮固定することがで
き、前記ボ−ルを位置精度良く接続パッド上に配置・固
定することができるボ−ル・グリッド・アレイパッケ−
ジにおける接続端子部構造及び接続端子部構造の形成方
法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジに
おける接続端子部構造(1)は、パッケージ基板の底部
に断面視凹形状の受け部が形成され、該凹形状の受け部
内に接続パッドが形成されると共に電極端子としてのボ
ールが前記接続パッドに溶融金属により固着されている
ことを特徴としている。
【0008】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造(2)は、パッケ
ージ基板の底部に断面視凹形状の受け部が形成され、該
凹形状の受け部内に接続パッドが形成されると共に電極
端子としての金属部材の一部が埋設される一方、該金属
部材の他部分が前記凹形状の受け部から半球状に突出し
ていることを特徴としている。
【0009】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造(3)は、上記ボ
−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部
構造(1)において、前記電極端子としてのボ−ルの芯
部が高融点金属で形成され、該高融点金属が良導電性の
金属で被覆されていることを特徴としている。
【0010】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造(4)は、上記ボ
−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部
構造(1)〜(3)のいずれかにおいて、前記凹形状の
受け部が前記電極端子としてのボ−ルの直径の90%〜
110%の直径を有し、前記ボ−ルの直径の20%〜3
0%の深さを有していることを特徴としている。
【0011】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造の形成方法(1)
は、上記ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける
接続端子部構造(2)の形成方法であって、前記金属部
材を半田、ろう材等の溶融金属でボール状に形成してお
き、前記凹形状の受け部に載置した後加熱し、前記金属
部材の一部を前記凹形状の受け部に埋め込むことを特徴
としている。
【0012】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造の形成方法(2)
は、上記ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける
接続端子部構造(1)、(3)又は(4)の形成方法で
あって、前記電極端子としてのボ−ルを半田、ろう材等
の溶融金属で被覆しておき、前記凹形状の受け部に載置
した後加熱し、前記溶融金属を溶かすことにより前記ボ
ールを前記接続パッドに接着させることを特徴としてい
る。
【0013】また本発明に係るボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造の形成方法(3)
は、上記ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける
接続端子部構造(1)、(3)又は(4)の形成方法で
あって、前記電極端子としてのボ−ルを溶融金属部材を
介して前記凹形状の受け部内に形成された接続パッド上
に載置し、この後加熱して前記溶融金属部材を溶かすこ
とにより前記ボールを前記接続パッドに接着させること
を特徴としている。
【0014】
【作用】上記構成に係るボ−ル・グリッド・アレイパッ
ケ−ジにおける接続端子部構造において、前記凹形状の
受け部はスルーホールの形成されたセラミックスグリー
ンシートとスルーホールの形成されていないセラミック
スグリーンシートとが重ね合わされて焼成されて形成さ
れる。
【0015】LSIパッケ−ジの接続端子部を構成する
電極のピッチは通常、0.4mm〜2.0mmの範囲内
にある。前記ボールの直径は電極端子としての機能を満
足できる大きさとして前記電極ピッチの50%〜75%
に設定される。したがって前記電極端子としてのボール
の直径は0.2mm〜1.5mmとなる。
【0016】表1に前記電極端子としてのボール直径が
0.5mmのもの、1.0mmのも、1.5mmのもの
各々について受け部形状の有効例(適当例)と不良例と
を示す。
【0017】
【表1】
【0018】〈不良例〉表1において、不良受け部形状
例(a)は、前記受け部の直径が前記ボールの直径に対
して大きすぎる場合を示したものである。この場合、溶
融金属を溶かして前記ボールを固定しても前記ボールが
前記凹形状の受け部の中央に位置するとは限らず、前記
ボールの位置精度にバラツキが生じる。不良受け部形状
例(b)は、前記受け部の直径が前記ボールの直径に対
して小さすぎる場合を示したものである。この場合、前
記電極端子としてのボールの仮固定が難しく前記ボ−ル
と前記凹形状の受け部との接合強度が弱くなる。不良受
け部形状例(c)は、前記受け部の深さが深すぎる場合
を示したものである。この場合、前記電極端子としての
ボ−ルの前記凹形状の受け部から突出する凸量が少なく
なるので、前記ボ−ルが電極端子としての役割を果たせ
なくなる。不良受け部形状例(d)は、前記受け部の深
さが浅すぎる場合を示したものである。この場合、仮固
定時に前記ボールが前記受け部から簡単にこぼれ出てし
まう。
【0019】〈有効例〉以上から分かるように前記凹形
状の受け部としては、表1の有効受け部形状例に示した
ような寸法を有する受け部形状が望ましい。この場合に
おける前記受け部の直径及び深さを前記ボールの直径に
対する比率で示すと、 直径:90〜110% 深さ:20〜30% となる。 前記パ−セント値を実際の数値で示すと、前記受け部の
直径は、0.18mm(=0.2mm×0.9)〜1.
65mm(=1.5mm×1.1)となり、前記受け部
の深さは、0.08mm(=0.2mm×0.2)〜
0.45mm(=1.5mm×0.3)となる。前記数
値(%)を有する凹形状の受け部内に前記ボ−ルを配置
すれば、確実に仮固定され、前記ボ−ルが位置精度良く
前記受け部内の中央(接続パッドの中央)に配置され
る。
【0020】前記電極端子を構成するボ−ルは、高融点
金属あるいは溶融金属のワイヤーを一定体積に切断した
ものが丸型凹部治具内で溶融されて製造される。・前記
ボ−ルが溶融金属で被覆される場合、該溶融金属のうち
半田はメッキにより被覆され、ろう材は溶着により被覆
される。溶融金属で被覆された前記ボ−ルを前記凹形状
の受け部内に載置した後、前記溶融金属を溶融させる
と、電極端子としての前記ボールが位置精度良く接続パ
ッドの中央に配置・固着される。また、電極端子高さの
バラツキが少なくなって高さ精度が向上すると共に、高
さの高い端子が得られる。
【0021】・前記ボ−ルが前記金属部材(例えば、半
田、ろう材等の溶融金属)で形成される場合、前記ボー
ルの製造工程数が少なくて済む。また、前記溶融金属で
形成された前記ボ−ルを前記凹形状の受け部内に載置し
た後加熱し、前記溶融金属を溶かすと、該溶融金属の一
部が前記凹形状の受け部内に埋設される一方で、前記溶
融金属の他部分が前記凹形状の受け部から半球状に突出
した形状の電極端子が形成される。この場合、該電極端
子と前記凹形状の受け部内に形成された接続パッドとが
確実に接続される。
【0022】・前記電極端子としてのボ−ルの芯部が高
融点金属で形成され、該高融点金属が良導電性の金属で
被覆される場合、前記凹形状の受け部内に半田、ろう材
等の溶融金属が供給され、該溶融金属上に前記ボールが
配置・仮固定される。そして前記溶融金属が溶融されて
前記ボ−ルが前記凹形状の受け部内に形成された接続パ
ッドに接続・固定される。この場合、前記受け部に溶融
金属を供給する供給方法にフレキシビリティがある。ま
た、この場合も前記電極端子としてのボ−ルが位置精度
良く接続パッドの中央に配置・固着されると共に、電極
端子高さのバラツキが少なくなって高さ精度が向上し、
高さの高い端子が得られる。
【0023】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るボ−ル・グリ
ッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構造及び接
続端子部構造の形成方法の実施例及び比較例を図面に基
づいて説明する。 〈実施例1〉図1は実施例1に係るボ−ル・グリッド・
アレイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に
示した部分拡大断面図である。図1(a)において5は
パッケ−ジ基板を示しており、パッケ−ジ基板5には断
面視凹形状の受け部3(0.5mmφ×0.125mm
H)が形成されている。受け部3には接続パッド4が形
成されており、接続パッド4はスル−ホ−ル12に接続
されている。また受け部3内には、芯部1がCu、コバ
ール、42アロイ等の高融点金属で形成され、該高融点
金属にNiメッキが施され(図示せず)、さらに0.0
14mmtの半田、ろう材層2で被覆されたボール6が
配置されている。なお、ボ−ル6における芯部1の直径
は0.55mmφである。
【0024】図1(a)に示した状態において半田、ろ
う材層2の溶融化処理(半田の場合:230℃以上で1
minの加熱処理、ろう材の場合:800℃以上で13
minの加熱処理)を施すと、半田、ろう材層2が溶融
してボ−ル6と受け部3との隙間を埋める(図1
(b))。これにより、ボ−ル6が受け部3内に形成さ
れた接続パッド4上に確実に固定される。
【0025】以上から分かるように実施例1に係るボ−
ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構
造及びその形成方法にあっては、受け部3内にボ−ル6
を配置するだけでボ−ル6を容易・確実に仮固定するこ
とができ、そして前記溶融化処理を施すだけで接続パッ
ド4上の中央部に前記ボ−ル6を位置精度良く接続・固
着することができる。また、電極端子高さのバラツキを
抑えることができ、かつ高さの高い電極端子を得ること
ができる。
【0026】〈実施例2〉図2は実施例2に係るボ−ル
・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部の一
部を概略的に示した部分拡大断面図である。図2(a)
は溶融化処理が施される前の前記接続端子部の状態を示
した図であり、凹形状の受け部3内に形成された接続パ
ッド4上に0.48mmφ×0.077mmHの円盤型
半田、ろう材層8が配置され、その上に、芯部1がC
u、コバ−ル、42アロイ等の高融点金属で形成され、
該高融点金属が良導電性の金属で被覆されたボ−ル6が
配置された構成となっている。なお、実施例2における
半田、ろう材と前記高融点金属を被覆する良導電性の金
属との組み合わせは、半田の場合、AuまたはSnであ
り、ろう材の場合、AuまたはNiである。
【0027】図2(a)に示した状態において半田、ろ
う材層8の溶融化処理を施すと、半田、ろう材層8が溶
融してボ−ル6と受け部3との隙間を埋める。これによ
り、ボ−ル6が接続パッド4上に確実に固定される。
【0028】〈実施例3〉図3は実施例3に係るボ−ル
・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部の一
部を概略的に示した部分拡大断面図であり、図3(a)
は溶融化処理が行われる前の前記接続端子部の状態を示
した図で、図3(b)は溶融化処理が行われた後の前記
接続端子部の状態を示した図である。実施例3の場合に
は、図3(a)に示したように溶融化処理が行われる前
は、外径が0.48mmで、内径が0.28mmで、深
さが0.081mmのリング型半田、ろう材層9が受け
部3内に配置され、その上にボ−ル6が配置された構成
となっている。その他の構成は図2(a)に示した実施
例2に係るボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおけ
る接続端子部の溶融化処理前の構成と同じである。
【0029】図3(a)に示した状態で溶融化処理を施
すと、半田、ろう材層9が溶融してボ−ル6と受け部3
との隙間を埋める。これにより、ボ−ル6が接続パッド
4上に確実に固定される。
【0030】以上説明したように実施例2及び実施例3
に係るボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接
続端子部構造及びその形成方法にあっては、受け部3内
に配置された半田、ろう材層8あるいは半田、ろう材層
9の上にボ−ル6を配置するだけでボ−ル6を容易・確
実に仮固定することができ、そして半田、ろう材層8あ
るいは半田、ろう材層9を溶融させるだけでボ−ル6を
接続パッド4上の中央部に位置精度良く配置・固着させ
ることができる。また、電極端子であるボ−ル6の高さ
をそろえることができ、電極端子高さのバラツキを少な
くし、高さ精度を向上させることができると共に、電極
端子の高さを高くすることができる。
【0031】〈実施例4〉図4は実施例4に係るボ−ル
・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部の一
部を概略的に示した部分拡大図であり、図4(a)は溶
融化処理が行われる前の前記接続端子部の状態を示した
図であり、図4(b)は溶融化処理が行われた後の前記
接続端子部の状態を示した図である。図4(a)に示し
た溶融化処理前の状態にあっては、凹形状の受け部3内
の接続パッド4上に厚さ0.071mmのクリ−ム半田
層10が印刷され、その上に電極端子としてのボ−ル6
が配置された構成となっている。
【0032】図4(a)に示した状態で溶融化処理を施
すと、クリ−ム半田層10が溶融してボ−ル6と受け部
3との隙間を埋める(図4(b))。これにより、ボ−
ル6が受け部3内に形成された接続パッド4上に確実に
配置・固定される。実施例4の場合も実施例1〜3の場
合と同様に、ボ−ル6を接続パッド4上の中央部に位置
精度良く配置・固着させることができる。また、電極端
子高さのバラツキを抑えることができ、電極端子の高さ
精度を向上させることができる。
【0033】〈実施例5〉図5は実施例5に係るボ−ル
・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部の一
部を概略的に示した部分拡大断面図であり、図5(a)
は溶融化処理が行われる前の前記接続端子部の状態を示
した図であり、図5(b)は溶融化処理が行われた後の
前記接続端子部の状態を示した図である。実施例5は電
極端子としてのボ−ルが半田、ろう材等の溶融金属で形
成されている場合を示したものである。図5(a)は、
前記溶融金属のみで形成されたボ−ル11が凹形状の受
け部3内に形成された接続パッド4上に配置された状態
を示している。この状態でボ−ル11に溶融化処理を施
すと、ボ−ル11が溶融されてその一部により受け部3
内が溶融金属で埋められ、ボ−ル11の他部分が受け部
3から半球状に突出した形状(図5(b)参照)の電極
端子11aとなる。この場合、電極端子11aと接続パ
ッド4とが確実に接続される。
【0034】〈比較例1〉図6は図1に示した実施例1
に対する比較例を示している。半田、ろう材層2の厚み
を0.03mmとすると(図6(a)参照)、図6
(b)に示したように溶融処理時に半田、ろう材層2が
凹形状の受け部3からあふれ出し、隣接する電極端子と
短絡を起こす可能性があり、好ましくない。
【0035】〈比較例2〉図7は図1に示した実施例1
に対する比較例2を示している。半田、ろう材層2の厚
みを0.005mmとすると(図7(a)参照)、図7
(b)に示したように溶融化処理を行っても半田、ろう
材層2が凹形状の受け部3全体を満たさないので、ボー
ル6が接続パッド4の中央に配置・固定されず、位置精
度に問題が生じ、好ましくない。
【0036】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るボール
・グリッド・アレイパッケージにおける接続端子部構造
及び接続端子部構造の形成方法は、以下の効果を有して
いる。ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接
続端子部構造(1)及び接続端子部構造の形成方法
(2)及び接続端子部構造の形成方法(3) 接続端子構造の形成方法(2)または接続端子部の形成
方法(3)のいずれを用いても、接続端子部構造(1)
を形成することができる。前記ボ−ルを前記受け部内の
接続パッド上に載置するだけで電極端子としての前記ボ
−ルを容易かつ確実に仮固定することができる。この状
態で半田、ろう材等の溶融金属を溶融させると、前記ボ
−ルを位置精度良く前記接続パッドの中央に配置・固着
させることができる。また、前記接続端子部における電
極端子高さのバラツキを少なくし、電極端子の高さを一
定にそろえることができる。
【0037】ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにお
ける接続端子部構造(2)及び接続端子部構造の形成方
法(1) 接続端子部構造の形成方法(1)を用いれば、接続端子
部構造(2)を形成することができる。半田、ろう材等
の溶融金属で前記ボ−ルが形成され、該ボ−ルを前記凹
形状の受け部に載置した後加熱するので、溶融金属で形
成された前記ボ−ルの一部が溶かされて前記凹形状の受
け部に埋設される一方、前記ボ−ルの他部分は前記受け
部から半球状に突出した形状の電極端子が形成される。
この場合、前記ボ−ルが前記凹形状の受け部に載置され
るので、確実に仮固定することができる。また、前記ボ
−ルが溶かされてその一部が前記受け部内に埋設される
ので、前記電極端子を確実に接続パッドに接続すること
ができる。
【0038】ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにお
ける接続端子部構造(3)及び接続端子部構造の形成方
法(2)及び接続端子部構造の形成方法(3) 電極端子として芯部が高融点金属で形成され、該高融点
金属が良導電性の金属で被覆されたボ−ルを使用すれ
ば、接続端子構造の形成方法(2)または接続端子部構
造の形成方法(3)のいずれを用いても接続端子部構造
(3)を形成することができる。この場合も、前記電極
端子としてのボ−ルを前記凹形状の受け部内に載置する
だけで確実に仮固定することができるので、前記溶融金
属を溶かすと、前記ボ−ルを位置精度良く前記接続パッ
ドの中央に配置・固着させることができる。また、電極
端子高さのバラツキを少なくすることができ、電極端子
の高さを一定にそろえることができる。
【0039】ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにお
ける接続端子部構造(4) 前記凹形状の受け部の形状を前記ボ−ルの直径の前記数
値に設定しておけば、上記したボ−ル・グリッド・アレ
イパッケ−ジにおける接続端子部構造(1)〜(3)及
び接続端子部構造の形成方法(1)〜(3)各々におけ
る各効果を十分に発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係るボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示
した部分拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施
す前の前記接続端子部の状態を示した図であり、(b)
図は溶融化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示
した図である。
【図2】本発明の実施例2に係るボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示
した部分拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施
す前の前記接続端子部の状態を示した図であり、(b)
図は溶融化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示
した図である。
【図3】本発明の実施例3に係るボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示
した部分拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施
す前の前記接続端子部の状態を示した図であり、(b)
図は溶融化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示
した図である。
【図4】本発明の実施例4に係るボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示
した部分拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施
す前の前記接続端子部の状態を示した図であり、(b)
図は溶融化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示
した図である。
【図5】本発明の実施例5に係るボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示
した部分拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施
す前の前記接続端子部の状態を示した図であり、(b)
図は溶融化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示
した図である。
【図6】比較例1に係るボ−ル・グリッド・アレイパッ
ケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示した部分
拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施す前の前
記接続端子部の状態を示した図であり、(b)図は溶融
化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示した図で
ある。
【図7】比較例2に係るボ−ル・グリッド・アレイパッ
ケ−ジにおける接続端子部の一部を概略的に示した部分
拡大断面図であり、(a)図は溶融化処理を施す前の前
記接続端子部の状態を示した図であり、(b)図は溶融
化処理を施した後の前記接続端子部の状態を示した図で
ある。
【図8】(a)〜(g)は従来のボ−ル・グリッド・ア
レイパッケ−ジにおける接続端子部構造の形成方法の一
例を概略的に示した工程図である。
【図9】従来のボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジに
おける接続端子部構造の一例を概略的に示した断面図で
ある。
【図10】従来のボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジ
における接続端子部の一部を概略的に示した部分拡大断
面図であり、(a)図は溶融化処理を施す前の前記接続
端子部の状態を示した図であり、(b)図は溶融化処理
を施した後の前記接続端子部の状態を示した図である。
【符号の説明】
1 芯部 2、8、9 半田、ろう材層 3 凹形状の受け部 4 接続パッド 5 パッケ−ジ基板 6、11 (電極端子としての)ボ−ル 10 クリ−ム半田層 11a 電極端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板倉 秀明 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番1 株式会社住友金属セラミックス内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージ基板の底部に断面視凹形状の
    受け部が形成され、該凹形状の受け部内に接続パッドが
    形成されると共に電極端子としてのボールが前記接続パ
    ッドに溶融金属により固着されていることを特徴とする
    ボ−ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子
    部構造。
  2. 【請求項2】 パッケージ基板の底部に断面視凹形状の
    受け部が形成され、該凹形状の受け部内に接続パッドが
    形成されると共に電極端子としての金属部材の一部が埋
    設される一方、該金属部材の他部分が前記凹形状の受け
    部から半球状に突出していることを特徴とするボ−ル・
    グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構造。
  3. 【請求項3】 前記電極端子としてのボ−ルの芯部が高
    融点金属で形成され、該高融点金属が良導電性の金属で
    被覆されていることを特徴とする請求項1記載のボ−ル
    ・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構
    造。
  4. 【請求項4】 前記凹形状の受け部が前記電極端子とし
    てのボールの直径の90%〜110%の直径を有し、前
    記ボ−ルの直径の20%〜30%の深さを有しているこ
    とを特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のボ
    −ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部
    構造。
  5. 【請求項5】 前記金属部材を半田、ろう材等の溶融金
    属でボール状に形成しておき、前記凹形状の受け部に載
    置した後加熱し、前記金属部材の一部を前記凹形状の受
    け部に埋め込むことを特徴とする請求項2記載のボ−ル
    ・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構造
    の形成方法。
  6. 【請求項6】 前記電極端子としてのボ−ルを半田、ろ
    う材等の溶融金属で被覆しておき、前記凹形状の受け部
    に載置した後加熱し、前記溶融金属を溶かすことにより
    前記ボールを前記接続パッドに接着させることを特徴と
    する請求項1、3又は請求項4記載のボ−ル・グリッド
    ・アレイパッケ−ジにおける接続端子部構造の形成方
    法。
  7. 【請求項7】 前記電極端子としてのボ−ルを溶融金属
    部材を介して前記凹形状の受け部内に形成された接続パ
    ッド上に載置し、この後加熱して前記溶融金属部材を溶
    かすことにより前記ボールを前記接続パッドに接着させ
    ることを特徴とする請求項1、3又は請求項4記載のボ
    −ル・グリッド・アレイパッケ−ジにおける接続端子部
    構造の形成方法。
JP22630094A 1994-09-21 1994-09-21 ボール・グリッド・アレイパッケージにおける接続端子部構造及び接続端子部構造の形成方法 Pending JPH0897325A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6018197A (en) * 1996-10-28 2000-01-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wired board with improved bonding pads
US6281571B1 (en) 1999-03-26 2001-08-28 Fujitsu Limited Semiconductor device having an external connection electrode extending through a through hole formed in a substrate
US7038315B2 (en) * 1995-05-08 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Semiconductor chip package
JP2016127111A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

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