JPH11122081A - チューナ用選択ｒｆ回路 - Google Patents
チューナ用選択ｒｆ回路Info
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- JPH11122081A JPH11122081A JP10193282A JP19328298A JPH11122081A JP H11122081 A JPH11122081 A JP H11122081A JP 10193282 A JP10193282 A JP 10193282A JP 19328298 A JP19328298 A JP 19328298A JP H11122081 A JPH11122081 A JP H11122081A
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- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/16—Multiple-frequency-changing
- H03D7/161—Multiple-frequency-changing all the frequency changers being connected in cascade
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】新規な選択ＲＦ回路を提供する。
【解決手段】二重変換チューナ用選択ＲＦ回路は、各々
同調範囲の約３分の１に亘り同調可能である３つの複同
調式帯域回路を含む。帯域区分のうちの１つを選択的に
活動状態にし帯域スイッチング信号に応答して残りの区
分を非活動化するため、各帯域区分の入力および出力に
おいてスイッチングダイオードが使用される。演算増幅
器またはその他の装置が、活動状態の帯域のための電流
シンクおよび非活動状態の帯域のための電流ソースを提
供することにより、入力および出力スイッチングダイオ
ードに供給を行う。
同調範囲の約３分の１に亘り同調可能である３つの複同
調式帯域回路を含む。帯域区分のうちの１つを選択的に
活動状態にし帯域スイッチング信号に応答して残りの区
分を非活動化するため、各帯域区分の入力および出力に
おいてスイッチングダイオードが使用される。演算増幅
器またはその他の装置が、活動状態の帯域のための電流
シンクおよび非活動状態の帯域のための電流ソースを提
供することにより、入力および出力スイッチングダイオ
ードに供給を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】関連特許出願に対するクロス
リファレンス 本発明は、「バラクタ同調形切換え式帯域フィルタを伴
う選択ＲＦ回路」という題の１９９５年８月１７日に提
出された出願第０８／５１６，０３１号の一部継続出願
である。
リファレンス 本発明は、「バラクタ同調形切換え式帯域フィルタを伴
う選択ＲＦ回路」という題の１９９５年８月１７日に提
出された出願第０８／５１６，０３１号の一部継続出願
である。
【０００２】
【従来の技術】本発明は一般にＲＦ入力回路、そしてよ
り特定的には、提案されたゼニス１ＡＴ＆Ｔディジタル
スペクトル互換性高品位テレビ方式（ＤＳＣ／ＨＤＴ
Ｖ）におけるもののようなディジタルテレビ信号のため
の二重変換チューナの中で用いるためのＲＦ入力回路に
関する。ゼニスエレクトロニクスコーポレーションに譲
渡された米国特許第４，４３５，８４１号は、二重変換
同調システム内での二次および三次相互変調ひずみを低
減させることに関するものである。基本的には、さまざ
まなチャネルが同調されるときに入信号の帯域幅を制限
することにより相互変調ひずみを制御するため同調帯域
全体にわたる高域および低域特性を示すよう、一連のコ
ンデンサおよびインダクタが選択的に切換えられる。ゼ
ニスエレクトロニクスコーポレーションに譲渡された米
国特許第４，５７１，５６０号は、二重変換チューナの
ための切換え式帯域フィルタ構成を開示している。各々
の帯域フィルタ区分は、それが同調されている同波数帯
を通過させるためにこの区分を活動状態にしこの周波数
帯を抑制するためにこの区分を不活動状態にするような
スイッチングダイオードを含んでいる。不活動状態の帯
域フィルタ区分の一部分は、活動状態のフィルタ区分の
帯域の外側の周波数でノッチを伴う周波数応答を発達さ
せるのに寄与する。かくして、帯域阻止（ｂａｎｄ ｒ
ｅｊｅｃｔｉｏｎ）勾配を改善させるため、活動状態の
フィルタ区分と共に不活動状態の帯域フィルタ区分のい
くつかの要素が使用される。ゼニスエレクトロニクスコ
ーポレーションに対し譲渡された米国特許第５，３１
１，３１８号は、第１の局部発振器が第１のディジタル
数が供給される低雑音フェーズロックループによって制
御され、第２の局部発振器が、第１のＩＦ周波数の予め
定められた値からのあらゆる変動について第２の局部発
振器の周波数を補償する第２のディジタル数により制御
されているような二重変換チューナを開示している。こ
れらの特許は、本発明のための関連する背景を提供する
ものである。
り特定的には、提案されたゼニス１ＡＴ＆Ｔディジタル
スペクトル互換性高品位テレビ方式（ＤＳＣ／ＨＤＴ
Ｖ）におけるもののようなディジタルテレビ信号のため
の二重変換チューナの中で用いるためのＲＦ入力回路に
関する。ゼニスエレクトロニクスコーポレーションに譲
渡された米国特許第４，４３５，８４１号は、二重変換
同調システム内での二次および三次相互変調ひずみを低
減させることに関するものである。基本的には、さまざ
まなチャネルが同調されるときに入信号の帯域幅を制限
することにより相互変調ひずみを制御するため同調帯域
全体にわたる高域および低域特性を示すよう、一連のコ
ンデンサおよびインダクタが選択的に切換えられる。ゼ
ニスエレクトロニクスコーポレーションに譲渡された米
国特許第４，５７１，５６０号は、二重変換チューナの
ための切換え式帯域フィルタ構成を開示している。各々
の帯域フィルタ区分は、それが同調されている同波数帯
を通過させるためにこの区分を活動状態にしこの周波数
帯を抑制するためにこの区分を不活動状態にするような
スイッチングダイオードを含んでいる。不活動状態の帯
域フィルタ区分の一部分は、活動状態のフィルタ区分の
帯域の外側の周波数でノッチを伴う周波数応答を発達さ
せるのに寄与する。かくして、帯域阻止（ｂａｎｄ ｒ
ｅｊｅｃｔｉｏｎ）勾配を改善させるため、活動状態の
フィルタ区分と共に不活動状態の帯域フィルタ区分のい
くつかの要素が使用される。ゼニスエレクトロニクスコ
ーポレーションに対し譲渡された米国特許第５，３１
１，３１８号は、第１の局部発振器が第１のディジタル
数が供給される低雑音フェーズロックループによって制
御され、第２の局部発振器が、第１のＩＦ周波数の予め
定められた値からのあらゆる変動について第２の局部発
振器の周波数を補償する第２のディジタル数により制御
されているような二重変換チューナを開示している。こ
れらの特許は、本発明のための関連する背景を提供する
ものである。
【０００３】テレビ信号のためのディジタル伝送方式お
よびＨＤＴＶの到来に伴い、テレビチューナの性能を、
現在ＮＴＳＣ伝送で受容可能であるものを超えて改良す
る必要性が存在する。特にチューナの選択性に対応して
いかなくてはならない。周波数応答を６MHz のＴＶチャ
ネル内で広げ改善し、チャネルからチャネルへの周波数
応答の変動を最小限に抑えることが望ましい。またＨＤ
ＴＶ伝送がいわゆるタブーチャネル（ｔａｂｏｏ ｃｈ
ａｎｎｅｌ）を初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）する能
力をもつようになることも予想されている。標準的な単
一変換バラクタ同調形ＴＶチューナを用いると、上述の
必要条件は、相反するものとなる。二重変換チューナ
（ケーブルＴＶ業界が長年にわたり使用してきたもの）
はいくつかの望ましい改善を生み出すことができるが、
その広帯域ＲＦ入力に関連する問題がある。ＲＦおよび
局部発振器トラッキングをある程度可能にする低いＩＦ
周波数をもつ単一変換チューナとは異なり、公知技術の
２重変換チューナは、比較的高い第１のＩＦ周波数（約
１GHz)をもつ。専用マイクロプロセッサ、Ｄ／Ａ変換
器、電子スイッチング回路および回路集積における近年
の発達により、本発明の課題であるＲＦ選択性のための
マイクロプロセッサにより制御されたフロントエンドを
伴う二重変換チューナを提供することが可能となってい
る。
よびＨＤＴＶの到来に伴い、テレビチューナの性能を、
現在ＮＴＳＣ伝送で受容可能であるものを超えて改良す
る必要性が存在する。特にチューナの選択性に対応して
いかなくてはならない。周波数応答を６MHz のＴＶチャ
ネル内で広げ改善し、チャネルからチャネルへの周波数
応答の変動を最小限に抑えることが望ましい。またＨＤ
ＴＶ伝送がいわゆるタブーチャネル（ｔａｂｏｏ ｃｈ
ａｎｎｅｌ）を初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）する能
力をもつようになることも予想されている。標準的な単
一変換バラクタ同調形ＴＶチューナを用いると、上述の
必要条件は、相反するものとなる。二重変換チューナ
（ケーブルＴＶ業界が長年にわたり使用してきたもの）
はいくつかの望ましい改善を生み出すことができるが、
その広帯域ＲＦ入力に関連する問題がある。ＲＦおよび
局部発振器トラッキングをある程度可能にする低いＩＦ
周波数をもつ単一変換チューナとは異なり、公知技術の
２重変換チューナは、比較的高い第１のＩＦ周波数（約
１GHz)をもつ。専用マイクロプロセッサ、Ｄ／Ａ変換
器、電子スイッチング回路および回路集積における近年
の発達により、本発明の課題であるＲＦ選択性のための
マイクロプロセッサにより制御されたフロントエンドを
伴う二重変換チューナを提供することが可能となってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、新規な選択ＲＦ回路を提供することにある。本発明
のもう１つの目的は、ディジタル伝送システムにおいて
使用可能である二重変換複同調形帯域同調システムのた
めの選択ＲＦ回路を提供することにある。
は、新規な選択ＲＦ回路を提供することにある。本発明
のもう１つの目的は、ディジタル伝送システムにおいて
使用可能である二重変換複同調形帯域同調システムのた
めの選択ＲＦ回路を提供することにある。
【０００５】本発明のさらなる目的は、ディジタル制御
可能な選択ＲＦ同調システムを提供することにある。
可能な選択ＲＦ同調システムを提供することにある。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は、信号処理回路２９に対し
出力信号を供給するため、マイクロプロセッサにより制
御されるチューナモジュール２２を示している。５４MH
z 〜８０６MHz のケーブル接続形または無線ＤＴＶまた
はＨＤＴＶ信号のいずれかの供給源でありうるＲＦ入力
信号が、ＰＩＮダイオード減衰器２１を通して、選択帯
域フィルタリングとラベル付けされたブロック１０まで
供給される。ブロック１０のＲＦ出力は、増幅器１１に
供給され、そこから、第１のフェーズロックループ合成
装置１６内の第１の局部発振器２６から信号の供給を受
ける第１の混合器１４まで供給される。第１の混合器１
４の出力は、例えば９２０MHz のＩＦ信号であり、これ
は第１のＩＦフィルタおよび増幅器１８に印加される。
第１のＩＦ増幅器１８からの信号は、４４MHz という第
２のＩＦ信号周波数を生成するべく第２の局部発振器２
６′（第２のフェーズロックループ１６′内）からの信
号の供給も同様に受けている第２の混合器２０に印加さ
れる。この第２のＩＦ信号は第２のＩＦ増幅器２８に印
加され、この増幅器の出力は、テレビ信号処理用のさら
なる回路（図示せず）を含む信号処理回路２９に印加さ
れる。マイクロプロセッサ１２がブロック１０（制御装
置１２ａを用いて）および合成装置１６および１６′を
制御し、制御装置１２ａ内のＥＥＰＲＯＭメモリ（この
図には示されていない）から必要な全ての同調データを
検索する。
出力信号を供給するため、マイクロプロセッサにより制
御されるチューナモジュール２２を示している。５４MH
z 〜８０６MHz のケーブル接続形または無線ＤＴＶまた
はＨＤＴＶ信号のいずれかの供給源でありうるＲＦ入力
信号が、ＰＩＮダイオード減衰器２１を通して、選択帯
域フィルタリングとラベル付けされたブロック１０まで
供給される。ブロック１０のＲＦ出力は、増幅器１１に
供給され、そこから、第１のフェーズロックループ合成
装置１６内の第１の局部発振器２６から信号の供給を受
ける第１の混合器１４まで供給される。第１の混合器１
４の出力は、例えば９２０MHz のＩＦ信号であり、これ
は第１のＩＦフィルタおよび増幅器１８に印加される。
第１のＩＦ増幅器１８からの信号は、４４MHz という第
２のＩＦ信号周波数を生成するべく第２の局部発振器２
６′（第２のフェーズロックループ１６′内）からの信
号の供給も同様に受けている第２の混合器２０に印加さ
れる。この第２のＩＦ信号は第２のＩＦ増幅器２８に印
加され、この増幅器の出力は、テレビ信号処理用のさら
なる回路（図示せず）を含む信号処理回路２９に印加さ
れる。マイクロプロセッサ１２がブロック１０（制御装
置１２ａを用いて）および合成装置１６および１６′を
制御し、制御装置１２ａ内のＥＥＰＲＯＭメモリ（この
図には示されていない）から必要な全ての同調データを
検索する。
【０００７】合成装置１６は、第１の局部発振器２６を
制御するための低−位相−雑音（ｌｏｗ−ｐｈａｓｅ−
ｎｏｉｓｅ）のフェーズロックループを含んでいる。こ
の目的のため、水晶基準１７、位相検出器１５およびフ
ィルタ１３が具備されている。マイクロプロセッサ１２
は、プログラマブル分割器１９に対し第１のディジタル
数を供給する。第１の局部発振器２６の出力は、プログ
ラマブル分割器１０に結合され、これが位相検出器１５
に入力を供給する。第１の局部発振器信号の粗同調増分
のため、第１のＩＦ信号周波数は、数分の１MHz だけ望
ましい値からずれている。
制御するための低−位相−雑音（ｌｏｗ−ｐｈａｓｅ−
ｎｏｉｓｅ）のフェーズロックループを含んでいる。こ
の目的のため、水晶基準１７、位相検出器１５およびフ
ィルタ１３が具備されている。マイクロプロセッサ１２
は、プログラマブル分割器１９に対し第１のディジタル
数を供給する。第１の局部発振器２６の出力は、プログ
ラマブル分割器１０に結合され、これが位相検出器１５
に入力を供給する。第１の局部発振器信号の粗同調増分
のため、第１のＩＦ信号周波数は、数分の１MHz だけ望
ましい値からずれている。
【０００８】マイクロプロセッサ１２はまた、第２の合
成装置１６′内のプログラマブル分割器１９′に対し第
２のディジタル数を供給する。第２の合成装置１６′は
第１の合成装置１６に類似しており、第２の局部発振器
２６′を制御するための低−位相−雑音のフェーズロッ
クループを含む。水晶基準１７およびプログラマブル分
割器１９′からの信号は、フィルタ１３′を通して第２
の局部発振器２６′を制御するための位相検出器１５′
に供給される。第２の局部発振器２６′の出力は、プロ
グラマブル分割器１９′に結合されている。二重変換チ
ューナが示されているものの、本発明の目的上、いかな
るタイプのチューナでも使用できるということが分かる
だろう。
成装置１６′内のプログラマブル分割器１９′に対し第
２のディジタル数を供給する。第２の合成装置１６′は
第１の合成装置１６に類似しており、第２の局部発振器
２６′を制御するための低−位相−雑音のフェーズロッ
クループを含む。水晶基準１７およびプログラマブル分
割器１９′からの信号は、フィルタ１３′を通して第２
の局部発振器２６′を制御するための位相検出器１５′
に供給される。第２の局部発振器２６′の出力は、プロ
グラマブル分割器１９′に結合されている。二重変換チ
ューナが示されているものの、本発明の目的上、いかな
るタイプのチューナでも使用できるということが分かる
だろう。
【０００９】図２は、図１のブロック１０を表してい
る。ＲＦ入力とＲＦ出力との間に３つの複同調式バラク
タ同調帯域回路（Ｌｏ Ｂａｎｄ，Ｍｉｄ Ｂａｎｄ，
およびＨｉ Ｂａｎｄ）が接続されている。３つの帯域
フィルタのための標準的周波数配分は、Ｌｏ Ｂａｎｄ
が約５４〜１３３MHz 、Ｍｉｄ Ｂａｎｄが約１３３〜
３２７MHz 、Ｈｉ Ｂａｎｄが約３２７〜８０６MHz で
ある。各々の複同調式回路には、共通可変入力区分同調
電圧Ｔ１、共通可変出力区分同調電圧Ｔ２、共通可変結
合係数調整電圧Ｔ３および個別の切換え電圧が提供され
ている。同調電圧Ｔ１およびＴ２は、独立して制御され
た場合、自動コンピュータアラインメントプロセスにと
って適切な構成を提供する。第３の独立した電圧Ｔ３
は、最適化された帯域応答を維持するための手段を提供
する。個々の切換え電圧は究極的に、対応する数の演算
増幅器または、電流のソーシング（ｓｏｕｒｃｉｎｇ）
およびシンキング（ｓｉｎｋｉｎｇ）の両方を提供する
ことのできるその他の装置によって生成される。動作
は、制御バス（図３）を介して制御装置１２ａを通して
マイクロプロセッサ１２によって制御される。
る。ＲＦ入力とＲＦ出力との間に３つの複同調式バラク
タ同調帯域回路（Ｌｏ Ｂａｎｄ，Ｍｉｄ Ｂａｎｄ，
およびＨｉ Ｂａｎｄ）が接続されている。３つの帯域
フィルタのための標準的周波数配分は、Ｌｏ Ｂａｎｄ
が約５４〜１３３MHz 、Ｍｉｄ Ｂａｎｄが約１３３〜
３２７MHz 、Ｈｉ Ｂａｎｄが約３２７〜８０６MHz で
ある。各々の複同調式回路には、共通可変入力区分同調
電圧Ｔ１、共通可変出力区分同調電圧Ｔ２、共通可変結
合係数調整電圧Ｔ３および個別の切換え電圧が提供され
ている。同調電圧Ｔ１およびＴ２は、独立して制御され
た場合、自動コンピュータアラインメントプロセスにと
って適切な構成を提供する。第３の独立した電圧Ｔ３
は、最適化された帯域応答を維持するための手段を提供
する。個々の切換え電圧は究極的に、対応する数の演算
増幅器または、電流のソーシング（ｓｏｕｒｃｉｎｇ）
およびシンキング（ｓｉｎｋｉｎｇ）の両方を提供する
ことのできるその他の装置によって生成される。動作
は、制御バス（図３）を介して制御装置１２ａを通して
マイクロプロセッサ１２によって制御される。
【００１０】Ｌｏ Ｂａｎｄ帯域回路について特に言及
すると、同調電圧Ｔ１は、ＲＦ減結合抵抗器３８を通し
て制御装置１２ａから一対のバラクタ同調ダイオード３
３，３４の接合部に結合されている。同様にして、同調
電圧Ｔ２はＲＦ減結合抵抗器３９を通して制御装置１２
ａから一対のバラクタ同調ダイオード３６，３７の接合
部まで結合される。バラクタダイオード３３および３６
のアノードの間に小型直列コンデンサ３５が接続されて
いる。バラクタダイオード３４および３７のアノードは
（直流および交流の両方について）抵抗器４３およびコ
ンデンサ４４の並列接続を通してグランド電位に接続さ
れる。共通結合係数同調電圧Ｔ３は、ＲＦ減結合抵抗器
６５を通して制御装置１２から、抵抗器４３およびコン
デンサ４４と並列に接続されたコンデンサ６６およびバ
ラクタダイオード６７の接合部まで供給される。Ｌｏ
Ｂａｎｄ回路の入力端子８０はコンデンサ３０およびイ
ンダクタ４１を通して、コンデンサ３５とバラクタダイ
オード３３の接合部に接続されており、Ｌｏ Ｂａｎｄ
出力端子９０は同様にしてコンデンサ３１およびインダ
クタ４８を通してコンデンサ３５およびバラクタダイオ
ード３６の接合部に接続されている。コンデンサ３０お
よびインダクタ４１の接合部はインダクタ４２を通して
グランドに接続され、コンデンサ３１とインダクタ４８
の接合部はインダクタ４９を通してグランドに結合され
ている。
すると、同調電圧Ｔ１は、ＲＦ減結合抵抗器３８を通し
て制御装置１２ａから一対のバラクタ同調ダイオード３
３，３４の接合部に結合されている。同様にして、同調
電圧Ｔ２はＲＦ減結合抵抗器３９を通して制御装置１２
ａから一対のバラクタ同調ダイオード３６，３７の接合
部まで結合される。バラクタダイオード３３および３６
のアノードの間に小型直列コンデンサ３５が接続されて
いる。バラクタダイオード３４および３７のアノードは
（直流および交流の両方について）抵抗器４３およびコ
ンデンサ４４の並列接続を通してグランド電位に接続さ
れる。共通結合係数同調電圧Ｔ３は、ＲＦ減結合抵抗器
６５を通して制御装置１２から、抵抗器４３およびコン
デンサ４４と並列に接続されたコンデンサ６６およびバ
ラクタダイオード６７の接合部まで供給される。Ｌｏ
Ｂａｎｄ回路の入力端子８０はコンデンサ３０およびイ
ンダクタ４１を通して、コンデンサ３５とバラクタダイ
オード３３の接合部に接続されており、Ｌｏ Ｂａｎｄ
出力端子９０は同様にしてコンデンサ３１およびインダ
クタ４８を通してコンデンサ３５およびバラクタダイオ
ード３６の接合部に接続されている。コンデンサ３０お
よびインダクタ４１の接合部はインダクタ４２を通して
グランドに接続され、コンデンサ３１とインダクタ４８
の接合部はインダクタ４９を通してグランドに結合され
ている。
【００１１】Ｌｏ Ｂａｎｄ帯域回路は、理想的には、
同調および結合電圧Ｔ１，Ｔ２およびＴ３の変動の関数
として、Ｌｏ Ｂａｎｄ回路の５４〜１３３MHz の帯域
幅に亘って、６MHz より広い周波数帯がトラッキングさ
れるように作動する。以下で分かるように、各々の帯域
回路が制約された周波数範囲上でのみ使用されるよう
に、Ｌｏ，ＭｉｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ帯域回路のうち
の１つを活動化し他の２つを非活動化するためのダイオ
ードスイッチが存在する。スイッチング回路の基本的特
徴は、ダイオードが、２極性の電源を必要としたりまた
は不必要な電力放散を生成したりすることなく（漏話を
排除するべく）完全にオンおよびオフに切換えられる、
という点にある。
同調および結合電圧Ｔ１，Ｔ２およびＴ３の変動の関数
として、Ｌｏ Ｂａｎｄ回路の５４〜１３３MHz の帯域
幅に亘って、６MHz より広い周波数帯がトラッキングさ
れるように作動する。以下で分かるように、各々の帯域
回路が制約された周波数範囲上でのみ使用されるよう
に、Ｌｏ，ＭｉｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ帯域回路のうち
の１つを活動化し他の２つを非活動化するためのダイオ
ードスイッチが存在する。スイッチング回路の基本的特
徴は、ダイオードが、２極性の電源を必要としたりまた
は不必要な電力放散を生成したりすることなく（漏話を
排除するべく）完全にオンおよびオフに切換えられる、
という点にある。
【００１２】ダイオードスイッチング回路は、各帯域回
路の入力および出力の両方を切換え、スイッチングダイ
オードは、演算増幅器またはスイッチングダイオード電
流のソース（ｓｏｕｒｃｅ）およびシンク（ｓｉｎｋ）
の両方を提供するその他の装置から駆動される。Ｌｏ
Ｂａｎｄ帯域のためのスイッチング回路には、一対の抵
抗器５４および５５の接合部に接続された正の電圧の供
給源が含まれている。抵抗器５４は、カソードがＬｏ
Ｂａｎｄ入力端子８０に接続されている直列接続のスイ
ッチングダイオード５８のアノードに、インダクタ５６
を通して、接続されており、抵抗器５５は、Ｌｏ Ｂａ
ｎｄ出力端子９０に接続されたカソードをもつ直列接続
されたスイッチングダイオード６０のアノードに、イン
ダクタ５７を通して接続されている。分流形接続のスイ
ッチングダイオード５９のアノードは、Ｌｏ Ｂａｎｄ
入力端子８０に接続されており、そのカソードは入力側
のコンデンサ６２を通してグランドに接続されており
（交流的に）、分流形接続のスイッチングダイオード６
１のアノードは出力端子９０に接続され、そのカソード
は出力側のコンデンサ６４を通してグランドに接続（交
流的に）されている。コンデンサ６２および６４の接地
されていない端子は、一対の低値抵抗器４５および４６
を通して互いに接続されており、その接合部は、帯域フ
ィルタ用の全てのスイッチング回路に共通でありしかも
抵抗器４５および４６よりもはるかに高い値をもつ抵抗
器４７を通してグランドに接続されている。制御装置１
２ａは、端子Ａにおいて、論理Ｈ（ソース）または論理
Ｌ（シンク）電圧のいずれかを供給する。電圧は、イン
ダクタ５１を通してＬｏ Ｂａｎｄ入力端子８０に、ま
たインダクタ５２を通してＬｏ Ｂａｎｄ出力端子９０
に供給される。
路の入力および出力の両方を切換え、スイッチングダイ
オードは、演算増幅器またはスイッチングダイオード電
流のソース（ｓｏｕｒｃｅ）およびシンク（ｓｉｎｋ）
の両方を提供するその他の装置から駆動される。Ｌｏ
Ｂａｎｄ帯域のためのスイッチング回路には、一対の抵
抗器５４および５５の接合部に接続された正の電圧の供
給源が含まれている。抵抗器５４は、カソードがＬｏ
Ｂａｎｄ入力端子８０に接続されている直列接続のスイ
ッチングダイオード５８のアノードに、インダクタ５６
を通して、接続されており、抵抗器５５は、Ｌｏ Ｂａ
ｎｄ出力端子９０に接続されたカソードをもつ直列接続
されたスイッチングダイオード６０のアノードに、イン
ダクタ５７を通して接続されている。分流形接続のスイ
ッチングダイオード５９のアノードは、Ｌｏ Ｂａｎｄ
入力端子８０に接続されており、そのカソードは入力側
のコンデンサ６２を通してグランドに接続されており
（交流的に）、分流形接続のスイッチングダイオード６
１のアノードは出力端子９０に接続され、そのカソード
は出力側のコンデンサ６４を通してグランドに接続（交
流的に）されている。コンデンサ６２および６４の接地
されていない端子は、一対の低値抵抗器４５および４６
を通して互いに接続されており、その接合部は、帯域フ
ィルタ用の全てのスイッチング回路に共通でありしかも
抵抗器４５および４６よりもはるかに高い値をもつ抵抗
器４７を通してグランドに接続されている。制御装置１
２ａは、端子Ａにおいて、論理Ｈ（ソース）または論理
Ｌ（シンク）電圧のいずれかを供給する。電圧は、イン
ダクタ５１を通してＬｏ Ｂａｎｄ入力端子８０に、ま
たインダクタ５２を通してＬｏ Ｂａｎｄ出力端子９０
に供給される。
【００１３】動作中、端子Ａにおける論理Ｈの電圧は、
分流形接続のダイオード５９および６１を順方向バイア
スし、これらを導通にし、その結果、正の供給電圧に近
い電圧を抵抗器４７に与えることとなる。この電圧は次
に、その他のフィルタ内の分流形接続のダイオードの逆
方向バイアスを増大させると同時に直列接続のダイオー
ド５８および６０を逆方向バイアスさせ、これらを非導
通にする。したがってＬｏ Ｂａｎｄ帯域区分は不活動
状態にされる。一方、端子Ａにおける論理Ｌ電圧は、直
列接続のダイオード５８および６０を順方向バイアス
し、これらを導通にする。このプロセス中、抵抗器５４
および５５間の電圧降下は増大し、かくして全ての不活
動状態の直列接続のフィルタダイオードの逆方向バイア
スを増大させ、分流形接続のダイオード５９および６１
を逆方向バイアスさせ、これらを非導通にする。この条
件下で、Ｌｏ Ｂａｎｄ帯域区分は活動状態にされる。
分流形接続のダイオード５９および６１を順方向バイア
スし、これらを導通にし、その結果、正の供給電圧に近
い電圧を抵抗器４７に与えることとなる。この電圧は次
に、その他のフィルタ内の分流形接続のダイオードの逆
方向バイアスを増大させると同時に直列接続のダイオー
ド５８および６０を逆方向バイアスさせ、これらを非導
通にする。したがってＬｏ Ｂａｎｄ帯域区分は不活動
状態にされる。一方、端子Ａにおける論理Ｌ電圧は、直
列接続のダイオード５８および６０を順方向バイアス
し、これらを導通にする。このプロセス中、抵抗器５４
および５５間の電圧降下は増大し、かくして全ての不活
動状態の直列接続のフィルタダイオードの逆方向バイア
スを増大させ、分流形接続のダイオード５９および６１
を逆方向バイアスさせ、これらを非導通にする。この条
件下で、Ｌｏ Ｂａｎｄ帯域区分は活動状態にされる。
【００１４】ＲＦ入力信号は、コンデンサ６５を通して
直列接続のダイオード５８のアノード（および共通接続
の直列ダイオード５８′および５８″のアノード）に対
し印加され、ＲＦ出力信号はコンデンサ７０を通して直
列接続のダイオード６０のアノード（および直列ダイオ
ード６０′および６０″の共通接続のアノード）から取
り出される。
直列接続のダイオード５８のアノード（および共通接続
の直列ダイオード５８′および５８″のアノード）に対
し印加され、ＲＦ出力信号はコンデンサ７０を通して直
列接続のダイオード６０のアノード（および直列ダイオ
ード６０′および６０″の共通接続のアノード）から取
り出される。
【００１５】Ｍｉｄ ＢａｎｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ帯
域区分は、基本的にその概略的配置において同じであ
る。これらが明らかに異なっているのは各部品の値にお
いてである。すなわち、Ｍｉｄ Ｂａｎｄ回路は１３３
〜３２７MHz の間で同調され、Ｈｉ Ｂａｎｄ回路は３
２７〜８０６MHz の間で同調されているのである。ま
た、入力および出力インダクタはこれらの回路内での接
続が異なっている。ＬｏＢａｎｄ回路内では、インダク
タ４２および４９は、それぞれインダクタ４１および４
８の入力端子端部および出力端子端部を通して分流され
ている。ＭｉｄＢａｎｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ回路内で
は、対応する入力インダクタ４２および４２″はそれぞ
れインダクタ４１および４１″反対側の端部を通して分
流されている。同様にして、対応する出力インダクタ４
９′および４９″はそれぞれインダクタ４８′および４
８″の反対側の端部を通して分流される。
域区分は、基本的にその概略的配置において同じであ
る。これらが明らかに異なっているのは各部品の値にお
いてである。すなわち、Ｍｉｄ Ｂａｎｄ回路は１３３
〜３２７MHz の間で同調され、Ｈｉ Ｂａｎｄ回路は３
２７〜８０６MHz の間で同調されているのである。ま
た、入力および出力インダクタはこれらの回路内での接
続が異なっている。ＬｏＢａｎｄ回路内では、インダク
タ４２および４９は、それぞれインダクタ４１および４
８の入力端子端部および出力端子端部を通して分流され
ている。ＭｉｄＢａｎｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ回路内で
は、対応する入力インダクタ４２および４２″はそれぞ
れインダクタ４１および４１″反対側の端部を通して分
流されている。同様にして、対応する出力インダクタ４
９′および４９″はそれぞれインダクタ４８′および４
８″の反対側の端部を通して分流される。
【００１６】Ｍｉｄ ＢａｎｄおよびＨｉ Ｂａｎｄ回
路のためのダイオードスイッチング回路は、Ｌｏ Ｂａ
ｎｄ回路についてのものと同一であり、入力側直列接続
のダイオード５８′および５８″がダイオード５８に対
応し、入力側分流形接続のダイオード５９′および５
９″がダイオード５９に対応し、出力側直列接続のダイ
オード６０′および６０″がダイオード６０に対応し、
出力側分流形接続のダイオード６１′および６１″がダ
イオード６１に対応する。同様にして、抵抗器４５′お
よび４６′はダイオード５９′および６１′とそのそれ
ぞれのコンデンサ６２′および６４′の接合部に接続さ
れ、一方これらの抵抗器のそれぞれの接合部は共通抵抗
器４７に接続されている。同様のことは、同じように接
続された抵抗器４５′および４６′およびコンデンサ６
２″および６４″を含むＨｉ Ｂａｎｄ回路にも言え
る。端子ＢおよびＣは、インダクタ５１′および５１″
およびインダクタ５２′および５２″を通してそれぞれ
端子８０′，８０″および９０′，９０″に、ソース／
シンク電流を供給する制御装置１２ａから供給を受けて
いる。
路のためのダイオードスイッチング回路は、Ｌｏ Ｂａ
ｎｄ回路についてのものと同一であり、入力側直列接続
のダイオード５８′および５８″がダイオード５８に対
応し、入力側分流形接続のダイオード５９′および５
９″がダイオード５９に対応し、出力側直列接続のダイ
オード６０′および６０″がダイオード６０に対応し、
出力側分流形接続のダイオード６１′および６１″がダ
イオード６１に対応する。同様にして、抵抗器４５′お
よび４６′はダイオード５９′および６１′とそのそれ
ぞれのコンデンサ６２′および６４′の接合部に接続さ
れ、一方これらの抵抗器のそれぞれの接合部は共通抵抗
器４７に接続されている。同様のことは、同じように接
続された抵抗器４５′および４６′およびコンデンサ６
２″および６４″を含むＨｉ Ｂａｎｄ回路にも言え
る。端子ＢおよびＣは、インダクタ５１′および５１″
およびインダクタ５２′および５２″を通してそれぞれ
端子８０′，８０″および９０′，９０″に、ソース／
シンク電流を供給する制御装置１２ａから供給を受けて
いる。
【００１７】制御装置１２ａの出力Ａ，Ｂ，Ｃのいずれ
かが低い場合（電流シンク）、残りの出力は高く（電流
ソース）、したがって１つの帯域フィルタのみが活動状
態にされその他全ては非活動状態にされることになる、
ということが分かるだろう。直列接続されたスイッチン
グダイオード５８，５８′および５８″のアノードの接
合部において印加されたＲＦ信号は、帯域フィルタのう
ちいずれか活動状態にあるものによって処理され、直列
接続のスイッチングダイオード６０，６０′および６
０″のうちの活動状態にあるもののアノードから取り出
される。制御装置１２ａは、適切な周波数帯全体に亘り
さまざまな帯域回路が活動状態にされその他の周波数帯
全てについて非活動状態にされるような形でその作動を
制御するための信号を供給する。制御装置はまた、同調
電圧Ｔ１，Ｔ２およびＴ３も供給しこれが実際に帯域フ
ィルタをしてそのそれぞれの範囲全体にわたり入り同調
ＲＦ信号をトラッキングさせる。
かが低い場合（電流シンク）、残りの出力は高く（電流
ソース）、したがって１つの帯域フィルタのみが活動状
態にされその他全ては非活動状態にされることになる、
ということが分かるだろう。直列接続されたスイッチン
グダイオード５８，５８′および５８″のアノードの接
合部において印加されたＲＦ信号は、帯域フィルタのう
ちいずれか活動状態にあるものによって処理され、直列
接続のスイッチングダイオード６０，６０′および６
０″のうちの活動状態にあるもののアノードから取り出
される。制御装置１２ａは、適切な周波数帯全体に亘り
さまざまな帯域回路が活動状態にされその他の周波数帯
全てについて非活動状態にされるような形でその作動を
制御するための信号を供給する。制御装置はまた、同調
電圧Ｔ１，Ｔ２およびＴ３も供給しこれが実際に帯域フ
ィルタをしてそのそれぞれの範囲全体にわたり入り同調
ＲＦ信号をトラッキングさせる。
【００１８】当業者であれば、このシステムが３つの帯
域フィルタに制限されずより多くの数に拡張させる（ま
たは該当する状況ではわずか２つに低減させる）ことの
できるものであるということが分かるだろう。いつでも
唯１つの帯域のみが活動状態であることから、抵抗器５
４および５５の各々は、単一の活動状態のスイッチング
ダイオードが供給するダイオード電流要求によって固定
される。一方、抵抗器４７の値は、非活動状態の帯域回
路内で導通状態で駆動される分流形接続のダイオードの
数およびダイオード電流要求の関数として選択される。
したがって、抵抗器４７の値は、利用される各帯域回路
の数の関数である。
域フィルタに制限されずより多くの数に拡張させる（ま
たは該当する状況ではわずか２つに低減させる）ことの
できるものであるということが分かるだろう。いつでも
唯１つの帯域のみが活動状態であることから、抵抗器５
４および５５の各々は、単一の活動状態のスイッチング
ダイオードが供給するダイオード電流要求によって固定
される。一方、抵抗器４７の値は、非活動状態の帯域回
路内で導通状態で駆動される分流形接続のダイオードの
数およびダイオード電流要求の関数として選択される。
したがって、抵抗器４７の値は、利用される各帯域回路
の数の関数である。
【００１９】図３は、図１内の制御装置１２ａの一例を
示している。制御装置は必要な同調電圧Ｔ１，Ｔ２およ
びＴ３および端子Ａ，ＢおよびＣで提供される帯域スイ
ッチングソース／シンク電流を生成する。制御装置１２
ａはまた、ＥＥＰＲＯＭメモリ回路１２ｂを用いた同調
データの保持も提供する。この構成では、制御装置１２
ａの全ての機能ブロックは、基本的に個別の集積回路で
ある。３つの集積回路Ｄ／Ａ ７２，７４および７６
は、アナログ同調電圧Ｔ１，Ｔ２およびアナログ結合電
圧Ｔ３を生成する。Ｄ／Ａ ７２は、活動状態の入力回
路のための同調電圧Ｔ１を提供し、Ｄ／Ａ ７４は活動
状態の出力回路のための同調電圧Ｔ２を提供し、Ｄ／Ａ
７６は活動状態の入力と出力回路との間の調整電圧Ｔ
３を提供する。３つの電流ソース／シンク発生器集積回
路８２，８４および８６は帯域スイッチング動作を制御
し、ＥＥＰＲＯＭ１２ｂは、選択されたチャネル番号に
応答してこれらの回路の全てを同調し切換えるために必
要なコード化されたデータをディジタル形式で保持す
る。当業者であれば、異なるレベルの回路集積が可能で
あり、最高レベルは、Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３のための
３つのアナログ出力ピン、３本のソース／シンク出力ピ
ンそして相互接続用バス通信とつり合った一定数のピン
を有する単一の集積回路としてのものである。
示している。制御装置は必要な同調電圧Ｔ１，Ｔ２およ
びＴ３および端子Ａ，ＢおよびＣで提供される帯域スイ
ッチングソース／シンク電流を生成する。制御装置１２
ａはまた、ＥＥＰＲＯＭメモリ回路１２ｂを用いた同調
データの保持も提供する。この構成では、制御装置１２
ａの全ての機能ブロックは、基本的に個別の集積回路で
ある。３つの集積回路Ｄ／Ａ ７２，７４および７６
は、アナログ同調電圧Ｔ１，Ｔ２およびアナログ結合電
圧Ｔ３を生成する。Ｄ／Ａ ７２は、活動状態の入力回
路のための同調電圧Ｔ１を提供し、Ｄ／Ａ ７４は活動
状態の出力回路のための同調電圧Ｔ２を提供し、Ｄ／Ａ
７６は活動状態の入力と出力回路との間の調整電圧Ｔ
３を提供する。３つの電流ソース／シンク発生器集積回
路８２，８４および８６は帯域スイッチング動作を制御
し、ＥＥＰＲＯＭ１２ｂは、選択されたチャネル番号に
応答してこれらの回路の全てを同調し切換えるために必
要なコード化されたデータをディジタル形式で保持す
る。当業者であれば、異なるレベルの回路集積が可能で
あり、最高レベルは、Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３のための
３つのアナログ出力ピン、３本のソース／シンク出力ピ
ンそして相互接続用バス通信とつり合った一定数のピン
を有する単一の集積回路としてのものである。
【００２０】当業者であれば、本発明の上述の実施形態
に対し、その真の精神および範囲から逸脱することなく
数多くの修正および変更を加えることができるだろうと
いうことが認識される。
に対し、その真の精神および範囲から逸脱することなく
数多くの修正および変更を加えることができるだろうと
いうことが認識される。
【図１】本発明により構築された二重変換チューナの部
分的ブロック図である。
分的ブロック図である。
【図２】図１のチューナ内の選択的に切換えられバラク
タ同調された帯域回路の概略図である。
タ同調された帯域回路の概略図である。
【図３】バラクタおよびスイッチングダイオードを制御
し、図２の回路内に同調データ保持用の手段を提供する
ための構成例を示す図である。
し、図２の回路内に同調データ保持用の手段を提供する
ための構成例を示す図である。
１２…マイクロプロセッサ ３３，３４，３６，３７…バラクタ同調ダイオード ４７…抵抗器 ５８，５８′，５８″…スイッチングダイオード
Claims (10)
- 【請求項１】 同調帯域内で作動するチューナ用の選択
ＲＦ回路において、 各々、入力と出力を有し、各々前記同調帯の対応する部
分の全体に亘り同調可能である複数の同調可能な複同調
帯域区分、 各前記帯域区分の前記入力および前記出力に接続された
スイッチングダイオード手段、 複数のチャネル信号のうちの選択された１つの信号を同
調させるため前記複数の複同調帯域区分の各々の前記入
力および出力を選択的に結合するよう前記スイッチング
ダイオード手段を操作するための操作用手段および前記
複数のチャネル信号のうちの前記選択された１つの信号
をトラッキングするため前記複同調帯域区分を同調させ
るための同調電圧手段を含んでなる選択ＲＦ回路。 - 【請求項２】 前記同調可能な複同調帯域区分の各々に
は、バラクタ同調ダイオードが含まれ、前記同調電圧手
段が前記バラクタ同調ダイオードのキャパシタンスを変
更する請求項１に記載の回路。 - 【請求項３】 前記操作用手段は、前記スイッチングダ
イオードがカットオフ状態にあるとき大きな逆方向バイ
アスを提供し、前記スイッチングダイオードがオンに切
り換った時点で電力放散を提供するよう、前記スイッチ
ングダイオードをソースおよびシンクさせる請求項２に
記載の回路。 - 【請求項４】 前記操作用手段が演算増幅器を含んでな
る請求項３に記載の回路。 - 【請求項５】 チューナ用選択ＲＦ回路において、 各々、バラクタダイオードと入力と出力をもち、各々、
前記同調帯域の対応する部分の全体に亘り同調可能であ
る複数の同調可能な複同調帯域区分、 各々の前記帯域区分の前記入力および前記出力に接続さ
れているスイッチングダイオード手段、 前記複数のチャネル信号のうちの１つを選択的に同調さ
せるため３つの前記複同調帯域区分の各々の前記入力お
よび前記出力を選択的に結合するため前記スイッチング
ダイオード手段を駆動し、前記スイッチングダイオード
手段がカットオフしているとき大きな逆方向バイアスを
提供し前記スイッチングダイオードがオンになったとき
最小の電力放散を提供するよう、前記スイッチングダイ
オードをソースおよびシンクする演算増幅器手段、およ
び前記選択されたチャネル信号をトラッキングするため
前記複同調された帯域区分を同調させるべく前記バラク
タダイオードのキャパシタンスを変更するための同調電
圧手段、を含んでなる選択ＲＦ回路。 - 【請求項６】 同調帯域内で作動する二重変換チューナ
用選択ＲＦ回路において、 各々、入力および出力をもち、各々、前記同調帯域の約
３分の１にわたり同調可能である３つの同調可能な複同
調帯域区分、 各前記帯域区分の前記入力および前記出力に接続された
スイッチングダイオード手段、 前記複数のチャネル信号のうちの選択された１つの信号
を同調させるため前記３つの前記複同調帯域区分の各々
の前記入力および前記出力を選択的に結合するよう前記
スイッチングダイオード手段を操作するための操作用手
段および前記複数のチャネル信号のうちの前記選択され
た１つの信号をトラッキングするため前記複同調帯域区
分を同調させるための同調電圧手段、を含んでなる選択
ＲＦ回路。 - 【請求項７】 前記同調可能な複同調帯域区分の各々に
は、バラクタ同調ダイオードが含まれ、前記同調電圧手
段が前記バラクタ同調ダイオードのキャパシタンスを変
更する請求項６に記載の回路。 - 【請求項８】 前記操作用手段は、前記スイッチングダ
イオードがカットオフにあるとき大きな逆方向バイアス
を提供し、前記スイッチングダイオードがオンになった
とき最小の電力放散を提供するよう、前記スイッチング
ダイオードをソースおよびシンクさせる請求項７に記載
の回路。 - 【請求項９】 前記操作用手段が演算増幅器を含んでな
る請求項８に記載の回路。 - 【請求項１０】 二重変換チューナ用の選択ＲＦ回路に
おいて、 各々バラクタダイオードと入力と出力をもち、各前記同
調帯域の約３分の１に亘り同調可能である３つの同調可
能な複同調帯域区分、 各前記帯域区分の前記入力および前記出力に接続されて
いるスイッチングダイオード手段、 前記複数のチャネル信号のうちの１つを選択的に同調さ
せるため３つの前記複同調帯域区分の各々の前記入力お
よび前記出力を選択的に結合するため前記スイッチング
ダイオード手段を駆動し、前記スイッチングダイオード
手段がカットオフしているとき大きな逆方向バイアスを
提供し前記スイッチングダイオードがオンになったとき
最小の電力放散を提供するよう、前記スイッチングダイ
オードをソースおよびシンクする演算増幅器手段、およ
び前記選択されたチャネル信号をトラッキングするため
前記複同調された帯域区分を同調させるべく前記バラク
タダイオードのキャパシタンスを変更するための同調電
圧手段、を含んでなる選択ＲＦ回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/889672 | 1997-07-08 | ||
| US08/889,672 US6035185A (en) | 1995-08-17 | 1997-07-08 | Selective RF circuit with varactor tuned bandpass switched bandpass filters |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11122081A true JPH11122081A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3015004B2 JP3015004B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=25395569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193282A Expired - Fee Related JP3015004B2 (ja) | 1997-07-08 | 1998-07-08 | チューナ用選択ｒｆ回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6035185A (ja) |
| JP (1) | JP3015004B2 (ja) |
| KR (1) | KR100304559B1 (ja) |
| CN (1) | CN1154349C (ja) |
| DE (1) | DE19830587C2 (ja) |
| FR (1) | FR2767430A1 (ja) |
| GB (1) | GB2327163B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6466768B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Conexant Systems, Inc. | Multi-band filter system for wireless communication receiver |
| DE19932563A1 (de) * | 1999-07-13 | 2001-01-18 | Philips Corp Intellectual Pty | Tuner mit wenigstens einem ersten und einem zweiten Frequenzband |
| EP1109312B1 (en) * | 1999-12-16 | 2009-02-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Double-tuned circuit featuring restrained degradation of selectivity |
| JP2001223954A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Alps Electric Co Ltd | テレビジョンチューナの入力回路 |
| US6606488B1 (en) * | 2000-11-22 | 2003-08-12 | Motorola, Inc. | Communications receiver with intermodulation reduction, and method |
| WO2002089327A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switch in uhf bandpass |
| US20040051815A1 (en) * | 2001-06-05 | 2004-03-18 | Alpaiwalia Feroz Kaiki | Apparatus for providing tuner parameters in a television receiver |
| US6650199B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-11-18 | Zenith Electronics Corporation | RF A/B switch with substantial isolation |
| KR100415567B1 (ko) * | 2001-10-16 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 더블 컨버젼방식 알에프 튜너 |
| US6967547B2 (en) * | 2002-06-24 | 2005-11-22 | Signal Technology Corporation | RF switch including diodes with intrinsic regions |
| US6925291B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-08-02 | Thomson Licensing S.A. | Electronic alignment system for a television signal tuner |
| US7015845B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-03-21 | Thomson Licensing | Digital to analog converter system |
| DE10300892A1 (de) * | 2003-01-13 | 2004-07-22 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Schaltbares abstimmbares Bandfilter mit optimiertem Frequenzgang |
| JP2009278150A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Alps Electric Co Ltd | 電圧制御発振装置 |
| US9166564B2 (en) * | 2010-02-04 | 2015-10-20 | Hittite Microwave Corporation | Wideband analog bandpass filter |
| CN106788308B (zh) * | 2017-01-18 | 2024-04-16 | 广东宽普科技股份有限公司 | Pin二极管与变容二极管结合型跳频滤波器 |
| CN113014222B (zh) * | 2021-04-26 | 2023-08-08 | 哈尔滨海能达科技有限公司 | 一种带通滤波器电路和电子设备 |
| US11689156B1 (en) | 2021-12-07 | 2023-06-27 | Stmicroelectronics S.R.L. | Voltage-controlled oscillator and method for using the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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