JPH11111901A - 半導体装置及びリード成形方法 - Google Patents
半導体装置及びリード成形方法Info
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- JPH11111901A JPH11111901A JP27466397A JP27466397A JPH11111901A JP H11111901 A JPH11111901 A JP H11111901A JP 27466397 A JP27466397 A JP 27466397A JP 27466397 A JP27466397 A JP 27466397A JP H11111901 A JPH11111901 A JP H11111901A
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- lead
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小パッケージ且つピン数大という要求に対応
可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を樹脂封止した樹脂封止部２
から突出した長短異なるリード３、４のうち、長リード
３を跳ね上げた後に、短リード４をガルウィング状に成
形し、その後、長リード３を元の位置に復元し、その長
リード３をガルウィング状に成形する。
可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子を樹脂封止した樹脂封止部２
から突出した長短異なるリード３、４のうち、長リード
３を跳ね上げた後に、短リード４をガルウィング状に成
形し、その後、長リード３を元の位置に復元し、その長
リード３をガルウィング状に成形する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びリ
ード成形方法に関する。
ード成形方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には図５に示すように、半導
体素子が樹脂封止され、その樹脂封止部２から４方向に
突出した外部リード２４がガルウィング状の形状をして
いる半導体パッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージが存在している。
体素子が樹脂封止され、その樹脂封止部２から４方向に
突出した外部リード２４がガルウィング状の形状をして
いる半導体パッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージが存在している。
【０００３】従来のＱＦＰパッケージは図５に示すよう
に、樹脂封止部２から４方向に突出した外部リード２４
がガルウィング状の形状をしているＱＦＰパッケージ１
７であって、ＱＦＰパッケージ１７の最大ピン数は、樹
脂封入部２の大きさとリード間のピッチ１８で決定され
る。
に、樹脂封止部２から４方向に突出した外部リード２４
がガルウィング状の形状をしているＱＦＰパッケージ１
７であって、ＱＦＰパッケージ１７の最大ピン数は、樹
脂封入部２の大きさとリード間のピッチ１８で決定され
る。
【０００４】基盤に半導体パッケージを実装する実装装
置が対応できる外部リードピッチの大きさは、現状では
０．４ｍｍが限界であり、昨今の小パッケージで且つピ
ン数大という要求に対して外部リードピッチの限界があ
るため、対応が難しくなってきている。
置が対応できる外部リードピッチの大きさは、現状では
０．４ｍｍが限界であり、昨今の小パッケージで且つピ
ン数大という要求に対して外部リードピッチの限界があ
るため、対応が難しくなってきている。
【０００５】また、ＱＦＰパッケージ１７のつかみ曲げ
による外部リード成形方法を図６に示す。図６（ａ）に
示すように、ＱＦＰパッケージ１７の樹脂封止部２をパ
ッケージ受け台１９上に載せ、パッケージ押さえ２０と
の間に挾み込むことにより、ＱＦＰパッケージ１７を固
定し、リード成形ユニット２２のクランプ部２１で外部
リード２４の先端部をつかむ。
による外部リード成形方法を図６に示す。図６（ａ）に
示すように、ＱＦＰパッケージ１７の樹脂封止部２をパ
ッケージ受け台１９上に載せ、パッケージ押さえ２０と
の間に挾み込むことにより、ＱＦＰパッケージ１７を固
定し、リード成形ユニット２２のクランプ部２１で外部
リード２４の先端部をつかむ。
【０００６】続いて図６（ｂ）に示すように、ＱＦＰパ
ッケージ１７の外部リード２４の先端をクランプ部２１
でつかんだままリード成形ユニット２２を成形軌跡上に
移動して外部リード２４をガルウィング形状に成形す
る。上記２工程を経て、つかみ曲げの方法により、図５
（ａ）、（ｂ）に示されるＱＦＰパッケージ１７は成形
される。
ッケージ１７の外部リード２４の先端をクランプ部２１
でつかんだままリード成形ユニット２２を成形軌跡上に
移動して外部リード２４をガルウィング形状に成形す
る。上記２工程を経て、つかみ曲げの方法により、図５
（ａ）、（ｂ）に示されるＱＦＰパッケージ１７は成形
される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のＱＦＰパッケージ１７では、各辺に突出てる外部リー
ド２４の本数に限界があり、小パッケージ且つピン数大
という要求に対応できなっているという問題があった。
のＱＦＰパッケージ１７では、各辺に突出てる外部リー
ド２４の本数に限界があり、小パッケージ且つピン数大
という要求に対応できなっているという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、小パッケージ且つピン数
大という要求に対応可能な半導体装置及び成形方法を提
供することにある。
大という要求に対応可能な半導体装置及び成形方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、半導体素子を樹脂封止
した樹脂封止部に長リードと短リードとを有する半導体
装置であって、長リードと短リードとは、樹脂封止部か
ら横方向に突き出し、ガルウィング状に形成されたもの
であり、樹脂封止部の辺に沿って交互に設けられてお
り、長リードと短リードとは、樹脂封止部の端面に対す
る折曲部の位置を内外に異ならせて配置したものであ
る。
め、本発明に係る半導体装置は、半導体素子を樹脂封止
した樹脂封止部に長リードと短リードとを有する半導体
装置であって、長リードと短リードとは、樹脂封止部か
ら横方向に突き出し、ガルウィング状に形成されたもの
であり、樹脂封止部の辺に沿って交互に設けられてお
り、長リードと短リードとは、樹脂封止部の端面に対す
る折曲部の位置を内外に異ならせて配置したものであ
る。
【００１０】また前記長リードと前記短リードとは、千
鳥状に配列したものである。
鳥状に配列したものである。
【００１１】また長リード間ピッチと短リード間ピッチ
は、同じピッチ幅である。
は、同じピッチ幅である。
【００１２】また隣接する長リードと短リードとの間の
ピッチは、長リード間ピッチ及び短リード間ピッチの半
分のピッチ幅である。
ピッチは、長リード間ピッチ及び短リード間ピッチの半
分のピッチ幅である。
【００１３】また、本発明に係る半導体装置のリード成
形方法は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４
工程とを有する半導体装置のリード成形方法であって、
第１工程は、樹脂封止部から突出したリードを長さを長
短異ならせて千鳥状に切断し、長リードを跳ね上げる処
理を行うものであり、第２工程は、短リードをクランプ
部で掴み、ガルウィング形状に成形する処理を行うもの
であり、第３工程は、跳ね上げられた長リードを元の位
置に復帰する処理を行うものであり、第４工程は、長リ
ードをクランプ部で掴み、ガルウィング形状に成形する
処理を行うものである。
形方法は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４
工程とを有する半導体装置のリード成形方法であって、
第１工程は、樹脂封止部から突出したリードを長さを長
短異ならせて千鳥状に切断し、長リードを跳ね上げる処
理を行うものであり、第２工程は、短リードをクランプ
部で掴み、ガルウィング形状に成形する処理を行うもの
であり、第３工程は、跳ね上げられた長リードを元の位
置に復帰する処理を行うものであり、第４工程は、長リ
ードをクランプ部で掴み、ガルウィング形状に成形する
処理を行うものである。
【００１４】また前記クランプ部の先端に前傾する傾斜
面を設け、クランプ部の傾斜面に長リードの先端を押し
あてて、長リードを跳ね上げるものである。
面を設け、クランプ部の傾斜面に長リードの先端を押し
あてて、長リードを跳ね上げるものである。
【００１５】またガルウィング形状に成形した短リード
を受け台の凹部に受け入れ、長リードのみを露出させて
該長リードの成形を行うものである。
を受け台の凹部に受け入れ、長リードのみを露出させて
該長リードの成形を行うものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１７】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る
半導体装置を示す縦断面図、（ｂ）は同平面図である。
図において、本発明の一実施形態に係る半導体装置１
は、半導体素子を樹脂封止した樹脂封止部２の各辺から
前記半導体素子の外部リード３、４を横方向に突き出
し、各外部リード３、４の折曲部３ａ、４ａを内外に異
ならせ、突出量の異なる長リード３と短リード４とを交
互に千鳥状に配列して設けたものである。
半導体装置を示す縦断面図、（ｂ）は同平面図である。
図において、本発明の一実施形態に係る半導体装置１
は、半導体素子を樹脂封止した樹脂封止部２の各辺から
前記半導体素子の外部リード３、４を横方向に突き出
し、各外部リード３、４の折曲部３ａ、４ａを内外に異
ならせ、突出量の異なる長リード３と短リード４とを交
互に千鳥状に配列して設けたものである。
【００１８】樹脂封止部２の端面からの突出量が長短異
なる外部リード３、４は、ガルウィング形状に成形され
ている。外部リード３、４のうち、底面側の実装部５が
基盤に実装される。６は長リード３、３間のピッチを、
７は短リード４、４間のピッチを、８は隣接する長リー
ド３と短リード４との間のピッチを、９は樹脂封止部２
の端面から短リード４の先端までの長さを、１０は樹脂
封止部２から長リード４の実装部５までの長さを示して
いる。
なる外部リード３、４は、ガルウィング形状に成形され
ている。外部リード３、４のうち、底面側の実装部５が
基盤に実装される。６は長リード３、３間のピッチを、
７は短リード４、４間のピッチを、８は隣接する長リー
ド３と短リード４との間のピッチを、９は樹脂封止部２
の端面から短リード４の先端までの長さを、１０は樹脂
封止部２から長リード４の実装部５までの長さを示して
いる。
【００１９】本発明の一実施形態に係る半導体装置１に
おいては、長リード間ピッチ６と短リード間ピッチ７は
同じピッチ幅であり、隣接リード間ピッチ８は長リード
間ピッチ６及び短リード間リードピッチ７の半分のピッ
チ幅になっている。実装部５、５の隣接ピッチを隣接リ
ード間ピッチ８より大きい長リード間ピッチ６（もしく
は短リード間ピッチ７）にするためには、樹脂封止部２
の端面から短リード４の先端までの長さ９は、樹脂封止
部２の端面から長リード３の実装部５までの長さ１０よ
り短くなくてはならない。
おいては、長リード間ピッチ６と短リード間ピッチ７は
同じピッチ幅であり、隣接リード間ピッチ８は長リード
間ピッチ６及び短リード間リードピッチ７の半分のピッ
チ幅になっている。実装部５、５の隣接ピッチを隣接リ
ード間ピッチ８より大きい長リード間ピッチ６（もしく
は短リード間ピッチ７）にするためには、樹脂封止部２
の端面から短リード４の先端までの長さ９は、樹脂封止
部２の端面から長リード３の実装部５までの長さ１０よ
り短くなくてはならない。
【００２０】次に、本発明の一実施形態に係る半導体装
置１のリード成形方法について詳細に説明する。図２〜
図４は、本発明の実施形態に係るリード成形方法を工程
順に示す断面図である。図２（ａ）において、半導体素
子を内蔵する樹脂封止部２から横方向に突出したリード
を内外に長さを異ならせて千鳥状に切断して外部リード
（長リード３、短リード４）とし、半導体装置１の樹脂
封止部２を受け台１１の凹部１１ａに支持する。次に押
さえ部材１２により半導体装置１を押さえて、受け台１
１との間に半導体装置１を固定する。
置１のリード成形方法について詳細に説明する。図２〜
図４は、本発明の実施形態に係るリード成形方法を工程
順に示す断面図である。図２（ａ）において、半導体素
子を内蔵する樹脂封止部２から横方向に突出したリード
を内外に長さを異ならせて千鳥状に切断して外部リード
（長リード３、短リード４）とし、半導体装置１の樹脂
封止部２を受け台１１の凹部１１ａに支持する。次に押
さえ部材１２により半導体装置１を押さえて、受け台１
１との間に半導体装置１を固定する。
【００２１】図２（ｂ）に示すように、成形ユニット１
３のクランプ部１４の上部には、前傾姿勢の傾斜面１４
ａを設けている。そして、短リード４に干渉しない位置
でクランプ部１４の傾斜面１４ａを長リード３にのみ接
触させ、その状態で成形ユニット１３に矢印で示すよう
に弧状の軌跡を描かせることにより、長リード３のみを
上方に跳ね上げる。以上が第１工程の詳細である。
３のクランプ部１４の上部には、前傾姿勢の傾斜面１４
ａを設けている。そして、短リード４に干渉しない位置
でクランプ部１４の傾斜面１４ａを長リード３にのみ接
触させ、その状態で成形ユニット１３に矢印で示すよう
に弧状の軌跡を描かせることにより、長リード３のみを
上方に跳ね上げる。以上が第１工程の詳細である。
【００２２】次に、第２工程の詳細を図３（ｃ）により
説明する。図３（ｃ）に示すように、第１工程が終了し
図２（ｂ）に示すように長リード３のみが跳ね上がった
状態において、短リード４をクランプ部１４で掴み、成
形ユニット１３に矢印で示すような成形軌跡を描かせる
ことにより、短リード４をガルウィング状に成形する。
なお、成形ユニット１３に矢印で示すような成形軌跡を
描かせることにより、短リード４をガルウィング状に成
形する構成は従来と同じであるが、長リード３のみを跳
ね上げた状態にて短リード４を成形する点は、従来と異
っている。
説明する。図３（ｃ）に示すように、第１工程が終了し
図２（ｂ）に示すように長リード３のみが跳ね上がった
状態において、短リード４をクランプ部１４で掴み、成
形ユニット１３に矢印で示すような成形軌跡を描かせる
ことにより、短リード４をガルウィング状に成形する。
なお、成形ユニット１３に矢印で示すような成形軌跡を
描かせることにより、短リード４をガルウィング状に成
形する構成は従来と同じであるが、長リード３のみを跳
ね上げた状態にて短リード４を成形する点は、従来と異
っている。
【００２３】次に、第３工程の詳細を図３（ｄ）により
説明する。図３（ｄ）に示すように、第２工程が終了し
長リード３が跳ね上がり、短リード４がガルウィング形
状に成形された状態で、クランプ部１４の底面部１４ｂ
を長リード３の上面に接触させ、リード成形ユニット１
３を下方向に軌跡を描かせることにより、長リード３を
元の水平位置に戻す。このときには、長リード４のスプ
リングバックを計算して元の位置より若干下がった位置
まで押し下げるため、長リード３とクランプ部１４との
接触位置は、ガルウィング形状に成形された短リード４
にクランプ部１４に干渉しない位置にする。
説明する。図３（ｄ）に示すように、第２工程が終了し
長リード３が跳ね上がり、短リード４がガルウィング形
状に成形された状態で、クランプ部１４の底面部１４ｂ
を長リード３の上面に接触させ、リード成形ユニット１
３を下方向に軌跡を描かせることにより、長リード３を
元の水平位置に戻す。このときには、長リード４のスプ
リングバックを計算して元の位置より若干下がった位置
まで押し下げるため、長リード３とクランプ部１４との
接触位置は、ガルウィング形状に成形された短リード４
にクランプ部１４に干渉しない位置にする。
【００２４】次に、第４工程の詳細を図４（ｅ）により
説明する。図４（ｅ）に示すように、成形済の短リード
４を変形させないように受け台１５に設けた溝１５ａ内
に成形済の短リード４を受け入れて、半導体装置１の樹
脂封止部２を受け台１５及び受け台１５にあわせた形状
の押さえ部材１６とにより固定し、元の位置に戻った状
態の半導体装置１の長リード３の先端部をクランプ部１
４で掴み、成形ユニット１３に矢印で示すような成形軌
跡を描かせることにより、長リード３をガルウィング形
状に成形する。以上の４工程を経ることにより、図１
（ａ）、（ｂ）に示す本発明の一実施形態に係る千鳥状
リードをもつＱＦＰパッケージ１を成形させる。
説明する。図４（ｅ）に示すように、成形済の短リード
４を変形させないように受け台１５に設けた溝１５ａ内
に成形済の短リード４を受け入れて、半導体装置１の樹
脂封止部２を受け台１５及び受け台１５にあわせた形状
の押さえ部材１６とにより固定し、元の位置に戻った状
態の半導体装置１の長リード３の先端部をクランプ部１
４で掴み、成形ユニット１３に矢印で示すような成形軌
跡を描かせることにより、長リード３をガルウィング形
状に成形する。以上の４工程を経ることにより、図１
（ａ）、（ｂ）に示す本発明の一実施形態に係る千鳥状
リードをもつＱＦＰパッケージ１を成形させる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部リードを千鳥状に成形することにより、外部リードの
隣接リードピッチが小でも基盤上での隣接リードピッチ
が長リード及び短リード間の距離となって隣接リードピ
ッチの２倍になるため、現状では実装不可能な外部リー
ドの隣接リードピッチのＱＦＰパッケージでも千鳥状に
することにより、実装することができる。
部リードを千鳥状に成形することにより、外部リードの
隣接リードピッチが小でも基盤上での隣接リードピッチ
が長リード及び短リード間の距離となって隣接リードピ
ッチの２倍になるため、現状では実装不可能な外部リー
ドの隣接リードピッチのＱＦＰパッケージでも千鳥状に
することにより、実装することができる。
【００２６】具体的に説明すると、外部リードの数が２
４０ｐｉｎの場合、現状のＱＦＰパッケージでは、外部
リードピッチが０．５ｍｍ、全長・全幅が３４．６ｍｍ
になり、基盤に実装する時に必要な面積は１１９７．１
６ｍｍ2である。
４０ｐｉｎの場合、現状のＱＦＰパッケージでは、外部
リードピッチが０．５ｍｍ、全長・全幅が３４．６ｍｍ
になり、基盤に実装する時に必要な面積は１１９７．１
６ｍｍ2である。
【００２７】一方、本発明に係る千鳥状リードをもつＱ
ＦＰパッケージでは、隣接外部リードピッチが０．３ｍ
ｍ、実装部のピッチは０．６ｍｍ、全長・全幅が２６．
０ｍｍになり、基盤に実装する時に必要な面積は６７
６．００ｍｍ2になる。
ＦＰパッケージでは、隣接外部リードピッチが０．３ｍ
ｍ、実装部のピッチは０．６ｍｍ、全長・全幅が２６．
０ｍｍになり、基盤に実装する時に必要な面積は６７
６．００ｍｍ2になる。
【００２８】従来例のものと本発明のものとを比較する
と、本発明に係る千鳥状リードをもつＱＦＰパッケージ
の方が基盤に実装するときに必要とする面積を４３．５
％削減することができる。
と、本発明に係る千鳥状リードをもつＱＦＰパッケージ
の方が基盤に実装するときに必要とする面積を４３．５
％削減することができる。
【００２９】さらに、本発明に係るリード成形方法によ
れば、長リードを跳ね上げた後に短リードを成形し、成
形後の短リードを変形させないで長リードを成形するた
め、現状のつかみ曲げでの外部リード成形方法では不可
能であった千鳥状に外部リードを成形することができ
る。
れば、長リードを跳ね上げた後に短リードを成形し、成
形後の短リードを変形させないで長リードを成形するた
め、現状のつかみ曲げでの外部リード成形方法では不可
能であった千鳥状に外部リードを成形することができ
る。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装
置を示す縦断面図、（ｂ）は同平面図である。
置を示す縦断面図、（ｂ）は同平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る成形方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る成形方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る成形方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】（ａ）は従来例を示す縦断面図、（ｂ）は同平
面図である。
面図である。
【図６】従来例に係る成形方法を示す断面図である。
１ 半導体装置 ２ 樹脂封止部 ３ 外部リードの長リード ４ 外部リードの短リード ５ 外部リードの実装基盤との実装部 ６ 長リード間ピッチ ７ 短リード間ピッチ ８ 隣接リードピッチ ９ 樹脂封止部の端面から短リード先端までの長さ １０ 樹脂封止部の端面から長リードの実装部までの長
さ １１ 半導体装置の樹脂封止部を支持する凹状の構造を
有する受け台 １２ 半導体装置を押さえて半導体装置を固定する押さ
え部材 １３ 成形ユニット １４ クランプ部 １５ 成形済みの短リードを変形させないように溝を持
つ半導体装置の樹脂封止部を支持する凹状の構造を有す
る受け台 １６ 受け台にあわせた形状の半導体装置を押さえる押
さえ部材
さ １１ 半導体装置の樹脂封止部を支持する凹状の構造を
有する受け台 １２ 半導体装置を押さえて半導体装置を固定する押さ
え部材 １３ 成形ユニット １４ クランプ部 １５ 成形済みの短リードを変形させないように溝を持
つ半導体装置の樹脂封止部を支持する凹状の構造を有す
る受け台 １６ 受け台にあわせた形状の半導体装置を押さえる押
さえ部材
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子を樹脂封止した樹脂封止部に
長リードと短リードとを有する半導体装置であって、 長リードと短リードとは、樹脂封止部から横方向に突き
出し、ガルウィング状に形成されたものであり、樹脂封
止部の辺に沿って交互に設けられており、 長リードと短リードとは、樹脂封止部の端面に対する折
曲部の位置を内外に異ならせて配置したものであること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記長リードと前記短リードとは、千鳥
状に配列したものであることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項３】 長リード間ピッチと短リード間ピッチ
は、同じピッチ幅であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項４】 隣接する長リードと短リードとの間のピ
ッチは、長リード間ピッチ及び短リード間ピッチの半分
のピッチ幅であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 第１工程と、第２工程と、第３工程と、
第４工程とを有する半導体装置のリード成形方法であっ
て、 第１工程は、樹脂封止部から突出したリードを長さを長
短異ならせて千鳥状に切断し、長リードを跳ね上げる処
理を行うものであり、 第２工程は、短リードをクランプ部で掴み、ガルウィン
グ形状に成形する処理を行うものであり、 第３工程は、跳ね上げられた長リードを元の位置に復帰
する処理を行うものであり、 第４工程は、長リードをクランプ部で掴み、ガルウィン
グ形状に成形する処理を行うものであることを特徴とす
る半導体装置のリード成形方法。 - 【請求項６】 前記クランプ部の先端に前傾する傾斜面
を設け、 クランプ部の傾斜面に長リードの先端を押しあてて、長
リードを跳ね上げることを特徴とする請求項５に記載の
半導体装置のリード成形方法。 - 【請求項７】 ガルウィング形状に成形した短リードを
受け台の凹部に受け入れ、長リードのみを露出させて該
長リードの成形を行うものであることを特徴とする請求
項５に記載の半導体装置のリード成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274663A JP2988454B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置のリード成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274663A JP2988454B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置のリード成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111901A true JPH11111901A (ja) | 1999-04-23 |
| JP2988454B2 JP2988454B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=17544832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274663A Expired - Lifetime JP2988454B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置のリード成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988454B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176789A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi Ltd | ディスクリート部品リードフォーミング治具 |
| CN108555182A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-21 | 晶科能源有限公司 | 半片组件引出线折弯设备 |
| CN110449535A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-15 | 上海威克鲍尔通信科技有限公司 | 一种散料电阻校直折弯机构 |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP9274663A patent/JP2988454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176789A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi Ltd | ディスクリート部品リードフォーミング治具 |
| CN108555182A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-21 | 晶科能源有限公司 | 半片组件引出线折弯设备 |
| CN108555182B (zh) * | 2018-04-11 | 2020-04-07 | 晶科能源有限公司 | 半片组件引出线折弯设备 |
| CN110449535A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-15 | 上海威克鲍尔通信科技有限公司 | 一种散料电阻校直折弯机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2988454B2 (ja) | 1999-12-13 |
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