JPH10284674A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10284674A JPH10284674A JP9103912A JP10391297A JPH10284674A JP H10284674 A JPH10284674 A JP H10284674A JP 9103912 A JP9103912 A JP 9103912A JP 10391297 A JP10391297 A JP 10391297A JP H10284674 A JPH10284674 A JP H10284674A
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- JP
- Japan
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- tip
- semiconductor device
- external lead
- solder layer
- lead
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
〔目的〕機能検査装置のソケット端子との電気的接触が
良好で、ソケット端子を傷つけない先端形状の外部リー
ドを有する半導体装置と、この半導体装置の製造方法を
提供する。 〔構成〕半導体素子と、この半導体素子を収容するパッ
ケージ(1) と、このパッケージの外部に延長される外部
リード(2) とを備えた半導体装置であって、ガルウィン
グ形状などの外部リード(2) の先端部の下面などに、半
田層(3) で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる傾
斜面又は湾曲面(2a)が形成されている。上記外部リード
の先端部の傾斜面又は湾曲面(2a)は、先細りの溝(G) を
形成し、半田層(3) で覆ったのち、この溝(G) の形成箇
所で外部リードを切断することなどにより形成される。
良好で、ソケット端子を傷つけない先端形状の外部リー
ドを有する半導体装置と、この半導体装置の製造方法を
提供する。 〔構成〕半導体素子と、この半導体素子を収容するパッ
ケージ(1) と、このパッケージの外部に延長される外部
リード(2) とを備えた半導体装置であって、ガルウィン
グ形状などの外部リード(2) の先端部の下面などに、半
田層(3) で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる傾
斜面又は湾曲面(2a)が形成されている。上記外部リード
の先端部の傾斜面又は湾曲面(2a)は、先細りの溝(G) を
形成し、半田層(3) で覆ったのち、この溝(G) の形成箇
所で外部リードを切断することなどにより形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ付きの
半導体装置に関するもので、特に、パッケージから外部
に引き出される外部リードの先端部分の形状の改良に関
するものである。
半導体装置に関するもので、特に、パッケージから外部
に引き出される外部リードの先端部分の形状の改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】パッケージ付き半導体装置では、半導体
素子がリードフレームの中央部分に固定され、内部配線
が行われた後、図５の部分断面図（Ａ）に示すように、
この半導体素子を樹脂封止することによってＳＯＰ、Ｔ
ＳＯＰ、ＱＦＰなどのパッケージ１０が形成される。更
に、（Ｂ）に示すように、パッケージ１０の外部に引き
出されているリードフレームＬＦの表面に半田メッキな
どによって半田層Ｗが形成された後、（Ｃ）に示すよう
に、リードフレームＬＦに形成されているタイバーや先
端部などの不要部分が切断によって除去された後、折り
曲げられてガルウィング形状の外部リード１１が形成さ
れる。
素子がリードフレームの中央部分に固定され、内部配線
が行われた後、図５の部分断面図（Ａ）に示すように、
この半導体素子を樹脂封止することによってＳＯＰ、Ｔ
ＳＯＰ、ＱＦＰなどのパッケージ１０が形成される。更
に、（Ｂ）に示すように、パッケージ１０の外部に引き
出されているリードフレームＬＦの表面に半田メッキな
どによって半田層Ｗが形成された後、（Ｃ）に示すよう
に、リードフレームＬＦに形成されているタイバーや先
端部などの不要部分が切断によって除去された後、折り
曲げられてガルウィング形状の外部リード１１が形成さ
れる。
【０００３】上記パッケージ付き半導体装置に対して電
気的機能の検査を行う場合、図６の（Ａ）に示すよう
に、外部リード１１の先端の下端部が検査装置のソケッ
ト端子２１にリードプッシャー２２によって押圧され
て、（Ｂ）に示すような状態となり、この検査対象の半
導体装置と検査装置との間の一時的な電気的接続が行わ
れる。
気的機能の検査を行う場合、図６の（Ａ）に示すよう
に、外部リード１１の先端の下端部が検査装置のソケッ
ト端子２１にリードプッシャー２２によって押圧され
て、（Ｂ）に示すような状態となり、この検査対象の半
導体装置と検査装置との間の一時的な電気的接続が行わ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来の半
導体装置では、外部リード１１の切断面には半田層が全
く存在せず、また、この切断面に隣接する上下の表面の
半田層が切断時に先端面に向けて発生するや引っ張り応
力によって破壊されてしまう場合がある。この場合、検
査装置のソケット端子２１の間の電気的接触抵抗が高く
なって不良品と判定されて排除されてしまうという問題
がある。
導体装置では、外部リード１１の切断面には半田層が全
く存在せず、また、この切断面に隣接する上下の表面の
半田層が切断時に先端面に向けて発生するや引っ張り応
力によって破壊されてしまう場合がある。この場合、検
査装置のソケット端子２１の間の電気的接触抵抗が高く
なって不良品と判定されて排除されてしまうという問題
がある。
【０００５】更に、ソケット端子２１との接触時に外部
リード１１の下端部の半田層が剥離することによって高
硬度の金属の尖った下端部の角が露出する場合がある。
この場合、ソケット端子１２の表面に形成された金メッ
キ層が下端部の角によって破壊され、この箇所に外部リ
ード１１の素材の金属の酸化膜などが付着することによ
り、測定端子の劣化が早まる。
リード１１の下端部の半田層が剥離することによって高
硬度の金属の尖った下端部の角が露出する場合がある。
この場合、ソケット端子１２の表面に形成された金メッ
キ層が下端部の角によって破壊され、この箇所に外部リ
ード１１の素材の金属の酸化膜などが付着することによ
り、測定端子の劣化が早まる。
【０００６】従って、本発明の目的は、機能検査装置の
ソケット端子との電気的接触が良好で、ソケット端子を
傷つけない先端形状の外部リードを有する半導体装置
と、この半導体装置の製造方法を提供することにある。
ソケット端子との電気的接触が良好で、ソケット端子を
傷つけない先端形状の外部リードを有する半導体装置
と、この半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【発明が解決するための手段】上記従来技術の課題を解
決する本発明の半導体装置は、パッケージの外部に延長
される外部リードの先端部に、半田層で覆われかつ先端
に向けて厚みを減少させる傾斜面又は湾曲面が形成され
ている。
決する本発明の半導体装置は、パッケージの外部に延長
される外部リードの先端部に、半田層で覆われかつ先端
に向けて厚みを減少させる傾斜面又は湾曲面が形成され
ている。
【０００８】上記半導体装置の一つの製造方法は、外部
リードが形成されるリードフレームの先端部の上面又は
下面に先細りの溝を形成する工程と、この溝が形成され
たリードフレームの少なくとも先端部を含む表面に半田
層を形成する工程と、この半田層の形成後に、上記溝が
形成された箇所でリードフレームを切断して外部リード
を作成する工程とを含んでいる。
リードが形成されるリードフレームの先端部の上面又は
下面に先細りの溝を形成する工程と、この溝が形成され
たリードフレームの少なくとも先端部を含む表面に半田
層を形成する工程と、この半田層の形成後に、上記溝が
形成された箇所でリードフレームを切断して外部リード
を作成する工程とを含んでいる。
【０００９】上記半導体装置の他の製造方法は、外部リ
ードが形成されるリードフレームの少なくとも先端部を
含む表面に半田層を形成する工程と、外部リードの先端
面と下面又は上面との角に滑らかな湾曲面が形成される
ようにリードフレーム先端部を切断することにより外部
リードを形成する工程とを含んでいる。
ードが形成されるリードフレームの少なくとも先端部を
含む表面に半田層を形成する工程と、外部リードの先端
面と下面又は上面との角に滑らかな湾曲面が形成される
ようにリードフレーム先端部を切断することにより外部
リードを形成する工程とを含んでいる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施の形態によれ
ば、外部リードはガルウィング形状を呈しており、外部
リードの先端部に形成される先端に向けて厚みを減少さ
せる傾斜面又は湾曲面は、このこのガルウィング形状の
外部リードの先端部の下面に形成されている。
ば、外部リードはガルウィング形状を呈しており、外部
リードの先端部に形成される先端に向けて厚みを減少さ
せる傾斜面又は湾曲面は、このこのガルウィング形状の
外部リードの先端部の下面に形成されている。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の半導体装置を示
す部分断面図であり、１は半導体素子を収容するパッケ
ージ、２はこのパッケージ１から外部に延長されている
外部リードである。外部リード２は、平坦な根元部分と
先端部分とが傾斜ないし湾曲した中間部分で連結された
ガルウィング形状を呈している。
す部分断面図であり、１は半導体素子を収容するパッケ
ージ、２はこのパッケージ１から外部に延長されている
外部リードである。外部リード２は、平坦な根元部分と
先端部分とが傾斜ないし湾曲した中間部分で連結された
ガルウィング形状を呈している。
【００１２】外部リード２の先端部には、先端に向けて
厚みを減少させる平面状の傾斜面２ａが形成されると共
に、この外部リード２の表面にはその先端面の厚み方向
の一部２ｂだけを残して半田層３が形成されることによ
り、半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させ
る傾斜面２ａが形成されている。
厚みを減少させる平面状の傾斜面２ａが形成されると共
に、この外部リード２の表面にはその先端面の厚み方向
の一部２ｂだけを残して半田層３が形成されることによ
り、半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させ
る傾斜面２ａが形成されている。
【００１３】このように、外部リード２の先端部の下面
に半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる
傾斜面２ａが形成されたことにより、図６の（Ｂ）に示
すように、検査装置のソケット端子２１との接触による
電気的接続に際し、この軟質の半田層３で覆われた傾斜
面２ａがソケット端子２１の表面に接触し易くなり、検
査対象の半導体装置と検査装置との間の接触電気抵抗が
大幅に低減される。また、軟質の半田層３で覆われた傾
斜面２ａが接触せしめられるソケット端子２１について
は、その表面に形成された金メッキ層の破壊が生じ難く
なり、ソケット端子の寿命が伸長される。
に半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる
傾斜面２ａが形成されたことにより、図６の（Ｂ）に示
すように、検査装置のソケット端子２１との接触による
電気的接続に際し、この軟質の半田層３で覆われた傾斜
面２ａがソケット端子２１の表面に接触し易くなり、検
査対象の半導体装置と検査装置との間の接触電気抵抗が
大幅に低減される。また、軟質の半田層３で覆われた傾
斜面２ａが接触せしめられるソケット端子２１について
は、その表面に形成された金メッキ層の破壊が生じ難く
なり、ソケット端子の寿命が伸長される。
【００１４】図２は、本発明の他の実施例に係わる半導
体装置のうち外部リードの先端部の形状のみを拡大して
示す断面図である。（Ａ）は外部リード２の下面に軟質
の半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる
平面状の傾斜面２ａが形成された例を示している。
（Ｂ）は外部リード２の下面に軟質の半田層３で覆われ
かつ先端に向けて厚みを減少させる滑らかな湾曲面２ａ
が形成された例を示している。なお、図２の（Ａ）と
（Ｂ）において、２ｂは軟質の半田層３で覆われていな
い硬質の先端面である。
体装置のうち外部リードの先端部の形状のみを拡大して
示す断面図である。（Ａ）は外部リード２の下面に軟質
の半田層３で覆われかつ先端に向けて厚みを減少させる
平面状の傾斜面２ａが形成された例を示している。
（Ｂ）は外部リード２の下面に軟質の半田層３で覆われ
かつ先端に向けて厚みを減少させる滑らかな湾曲面２ａ
が形成された例を示している。なお、図２の（Ａ）と
（Ｂ）において、２ｂは軟質の半田層３で覆われていな
い硬質の先端面である。
【００１５】図３は、図１に示した半導体装置の製造方
法の一実施例の製造工程を説明するための部分断面図で
ある。半導体素子がリードフレームの中央部分に固定さ
れ、ワイヤボンディングなどによる内部配線が行われた
のち、図３の（Ａ）に示すように、この半導体素子を樹
脂封止することによってＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＱＦＰなど
のパッケージ１が形成される。このリードフレームＬＦ
の下面の切断予定箇所には、円で囲んだ拡大断面図にも
示すように、平坦な底面と平面状の傾斜面を有する台形
状の溝Ｇがリードフレームの成型時に形成されている。
法の一実施例の製造工程を説明するための部分断面図で
ある。半導体素子がリードフレームの中央部分に固定さ
れ、ワイヤボンディングなどによる内部配線が行われた
のち、図３の（Ａ）に示すように、この半導体素子を樹
脂封止することによってＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＱＦＰなど
のパッケージ１が形成される。このリードフレームＬＦ
の下面の切断予定箇所には、円で囲んだ拡大断面図にも
示すように、平坦な底面と平面状の傾斜面を有する台形
状の溝Ｇがリードフレームの成型時に形成されている。
【００１６】次に、図３の（Ｂ）に示すように、パッケ
ージ１０の外部に引き出されているリードフレームＬＦ
の全表面に半田メッキなどによって半田層３が形成され
る。続いて、図３の（Ｃ）に示すように、リードフレー
ムＬＦに形成されているタイバーや先端部などが切断に
よって除去されるが、この先端部の切断は溝Ｇの形成箇
所で行われ、この切断が終了すると折り曲げられてガル
ウィング形状の外部リード２が形成される。この外部リ
ード２の先端部の下面には、半田層３で覆われかつ先端
に向けて厚みを減少させる平面状の傾斜面２ａが形成さ
れる。
ージ１０の外部に引き出されているリードフレームＬＦ
の全表面に半田メッキなどによって半田層３が形成され
る。続いて、図３の（Ｃ）に示すように、リードフレー
ムＬＦに形成されているタイバーや先端部などが切断に
よって除去されるが、この先端部の切断は溝Ｇの形成箇
所で行われ、この切断が終了すると折り曲げられてガル
ウィング形状の外部リード２が形成される。この外部リ
ード２の先端部の下面には、半田層３で覆われかつ先端
に向けて厚みを減少させる平面状の傾斜面２ａが形成さ
れる。
【００１７】図４は、図２の（Ａ）に示した先端面と下
面との角に湾曲面が形成された外部リードを有する半導
体装置の製造方法を説明するための断面図であり、ＬＦ
は右側のパッケージ（図示せず）から外部に延長される
リードフレーム、３はこのリードフレームＬＦの表面に
形成された半田層、Ｊは半田層３で覆われたリードフレ
ームＬＦを保持する保持具、ＣＰはこのリードフレーム
の先端部を切断するカットパンチである。
面との角に湾曲面が形成された外部リードを有する半導
体装置の製造方法を説明するための断面図であり、ＬＦ
は右側のパッケージ（図示せず）から外部に延長される
リードフレーム、３はこのリードフレームＬＦの表面に
形成された半田層、Ｊは半田層３で覆われたリードフレ
ームＬＦを保持する保持具、ＣＰはこのリードフレーム
の先端部を切断するカットパンチである。
【００１８】カットパンチＣＰを図中に矢印で示すよう
に、下方から上方に動かしてリードフレームＬＦの先端
部を切断することにより、外部リードとして残す右側の
リードフレームＬＦの先端面と下面との角に滑らかな湾
曲面を形成する。なお、図中に示すＬＦ’とＬＦ’’は
リードフレームＬＦの切断によって形成された切り屑で
ある。
に、下方から上方に動かしてリードフレームＬＦの先端
部を切断することにより、外部リードとして残す右側の
リードフレームＬＦの先端面と下面との角に滑らかな湾
曲面を形成する。なお、図中に示すＬＦ’とＬＦ’’は
リードフレームＬＦの切断によって形成された切り屑で
ある。
【００１９】以上、外部リードの先端部の下面を検査装
置のソケット端子に接触させる場合を想定して、先端部
の下側に半田層に覆われた傾斜面又は湾曲面を形成する
構成を例示した。しかしながら、外部リードの先端部の
上面を検査装置のソケット端子に接触させる場合には、
先端部の上側に半田層に覆われかつ先端に向けて厚みを
減少させる傾斜面又は湾曲面を形成すればよい。
置のソケット端子に接触させる場合を想定して、先端部
の下側に半田層に覆われた傾斜面又は湾曲面を形成する
構成を例示した。しかしながら、外部リードの先端部の
上面を検査装置のソケット端子に接触させる場合には、
先端部の上側に半田層に覆われかつ先端に向けて厚みを
減少させる傾斜面又は湾曲面を形成すればよい。
【００２０】また、ガルウィング形状の外部リードを有
する半導体装置に本発明を適用する場合を例示したが、
他の適宜な形状の外部リードを有する半導体装置に本発
明を適用できる。
する半導体装置に本発明を適用する場合を例示したが、
他の適宜な形状の外部リードを有する半導体装置に本発
明を適用できる。
【００２１】さらに、外部リードの根元部分まで半田層
を形成する構成を例示したが、根元部分を除く先端部だ
けに半田層を形成する場合にも本発明を適用できる。
を形成する構成を例示したが、根元部分を除く先端部だ
けに半田層を形成する場合にも本発明を適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体装置は、パッケージの外部に延長される外部リード
の先端部に、半田層で覆われかつ先端に向けて厚みを減
少させる傾斜面又は湾曲面が形成される構成であるか
ら、検査装置のソケット端子との電気的接触が大幅に改
善され、接触不良のため不良品と判定された排除されて
しまうという問題点が解決される。
導体装置は、パッケージの外部に延長される外部リード
の先端部に、半田層で覆われかつ先端に向けて厚みを減
少させる傾斜面又は湾曲面が形成される構成であるか
ら、検査装置のソケット端子との電気的接触が大幅に改
善され、接触不良のため不良品と判定された排除されて
しまうという問題点が解決される。
【００２３】また、ソケット端子の表面と接触せしめら
れる外部リードの先端部の下面や上面が鈍角をなすと共
に、軟質の半田層で覆われているため、ソケット端子の
表面の金メッキ層を傷つけることがなくなり、ソケット
端子の寿命が伸長されるという利点もある。
れる外部リードの先端部の下面や上面が鈍角をなすと共
に、軟質の半田層で覆われているため、ソケット端子の
表面の金メッキ層を傷つけることがなくなり、ソケット
端子の寿命が伸長されるという利点もある。
【００２４】上記半導体装置の本発明の製造方法は、外
部リードの先端部の上面又は下面に形成された先細りの
溝を半田層で覆い、この溝が形成された箇所で外部リー
ドを切断する構成であるから、リードフレームの成型時
などに予め上記先細りの溝を形成しておくだけで、特別
な工程をなんら追加することなく、検査装置のソケット
端子との接触に適した先端形状の外部リードを有するパ
ッケージ付き半導体装置を容易に製造できるという利点
がある。
部リードの先端部の上面又は下面に形成された先細りの
溝を半田層で覆い、この溝が形成された箇所で外部リー
ドを切断する構成であるから、リードフレームの成型時
などに予め上記先細りの溝を形成しておくだけで、特別
な工程をなんら追加することなく、検査装置のソケット
端子との接触に適した先端形状の外部リードを有するパ
ッケージ付き半導体装置を容易に製造できるという利点
がある。
【００２５】上記半導体装置の本発明の他の製造方法
は、半田層で覆われた外部リード先端部の先端面と下面
又は上面との角に滑らかな湾曲部分が形成されるよう
に、この外部リードの上記先端部を切断する構成である
から、特別な工程をなんら追加することなく、検査装置
のソケット端子との接触に適した先端形状の外部リード
を有する半導体装置を容易に製造できるという利点があ
る。
は、半田層で覆われた外部リード先端部の先端面と下面
又は上面との角に滑らかな湾曲部分が形成されるよう
に、この外部リードの上記先端部を切断する構成である
から、特別な工程をなんら追加することなく、検査装置
のソケット端子との接触に適した先端形状の外部リード
を有する半導体装置を容易に製造できるという利点があ
る。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置のうち主として
外部リードの先端部の形状を示す部分断面図である。
外部リードの先端部の形状を示す部分断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の半導体装置の外部リード
の先端部の形状を示す断面図である。
の先端部の形状を示す断面図である。
【図３】図１に示した半導体装置の製造方法の一実施例
の製造工程を説明するための部分断面図である。
の製造工程を説明するための部分断面図である。
【図４】図２の（Ｂ）に示した半導体装置の製造方法の
一実施例を説明するための部分断面図である。
一実施例を説明するための部分断面図である。
【図５】従来の半導体装置の外部リードの製造方法とそ
の先端部の形状を説明する部分断面図である。
の先端部の形状を説明する部分断面図である。
【図６】パッケージ付き半導体装置のガルウィング形状
の外部リードの先端部と、検査装置のソケット端子の表
面との間の接触による電気的接続の様子を説明するため
の図である。
の外部リードの先端部と、検査装置のソケット端子の表
面との間の接触による電気的接続の様子を説明するため
の図である。
1 パッケージ 2 外部リード 3 半田層 2a 外部リードの先端部に形成された半田層で覆わ
れた傾斜面又は湾曲面 2b 外部リードの半田層で覆われていない先端面 LF リードフレーム LF’LF”リードフレームの切り屑 G 先細りの溝 J リードフレームの保持体
れた傾斜面又は湾曲面 2b 外部リードの半田層で覆われていない先端面 LF リードフレーム LF’LF”リードフレームの切り屑 G 先細りの溝 J リードフレームの保持体
Claims (5)
- 【請求項１】半導体素子と、この半導体素子を収容する
パッケージと、このパッケージの外部に延長される外部
リードとを備えた半導体装置において、 前記外部リードの先端部に、半田層で覆われかつ先端に
向けて厚みを減少させる傾斜面又は湾曲面が形成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記外部リードはガルウィング形状の外部リードであ
り、前記先端に向けて厚みを変化させる傾斜面又は湾曲
面は、このガルウィング形状の外部リードの先端部の下
面に形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】半導体素子と、この半導体素子を収容する
パッケージと、このパッケージの外部に延長される外部
リードとを備えた半導体装置の製造方法において、 前記外部リードが形成されるリードフレームの先端部の
上面又は下面に先細り の溝を形成する工程と、この溝が形成された前記リード
フレームの少なくとも先端部を含む表面に半田層を形成
する工程と、 この半田層の形成後に、前記溝が形成された箇所で前記
リードフレームを切断して外部リードを作成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、前記リードフレーム
の上面又は下面に溝を形成する工程は、前記リードフレ
ームの成型時に行われることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】半導体素子と、この半導体素子を収容する
パッケージと、このパッケージの外部に延長される外部
リードとを備えた半導体装置の製造方法において、 前記外部リードが形成されるリードフレームの少なくと
も先端部を含む表面に半田層を形成する工程と、 前記外部リードの先端面と下面又は上面との角に滑らか
な湾曲面が形成されるように前記リードフレーム先端部
を切断することにより前記外部リードを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103912A JPH10284674A (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103912A JPH10284674A (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284674A true JPH10284674A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14366649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9103912A Pending JPH10284674A (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187992A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の表面実装構造 |
| CN109727891A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件分离装置 |
-
1997
- 1997-04-07 JP JP9103912A patent/JPH10284674A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187992A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の表面実装構造 |
| CN109727891A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件分离装置 |
| CN109727891B (zh) * | 2017-10-30 | 2023-05-05 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件分离装置 |
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