JPH0677373A - 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ - Google Patents
半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイInfo
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- JPH0677373A JPH0677373A JP4247211A JP24721192A JPH0677373A JP H0677373 A JPH0677373 A JP H0677373A JP 4247211 A JP4247211 A JP 4247211A JP 24721192 A JP24721192 A JP 24721192A JP H0677373 A JPH0677373 A JP H0677373A
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- JP
- Japan
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- lead
- forming die
- semiconductor package
- bending device
- punch
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/0092—Treatment of the terminal leads as a separate operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体パッケージの外部リードにおけるリー
ドコプラナリティ及びリードスキューの双方を満足のい
く精度に仕上げるためのフォーミングダイを提供する。 【構成】 折曲装置のフォーミングダイ１４は、４辺に
突起１８を有する。突起１８の面外壁は、第１Ｒ面２
２、第１傾斜面２４、第２Ｒ面２６、第２傾斜面２８、
第３Ｒ面３０及び第３傾斜面３２から構成される。第１
傾斜面２４、第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８上に多数
の畦部３４が形成されている。そして、各々の畦部３４
の間に溝３６が形成されている。溝３６は放電加工によ
り形成され、表面が梨地状となっている。パンチ１６に
より折曲げられた外部リード２０は、溝３６によって横
移動を阻止される。外部リード２０の裏面は梨地状にな
る。
ドコプラナリティ及びリードスキューの双方を満足のい
く精度に仕上げるためのフォーミングダイを提供する。 【構成】 折曲装置のフォーミングダイ１４は、４辺に
突起１８を有する。突起１８の面外壁は、第１Ｒ面２
２、第１傾斜面２４、第２Ｒ面２６、第２傾斜面２８、
第３Ｒ面３０及び第３傾斜面３２から構成される。第１
傾斜面２４、第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８上に多数
の畦部３４が形成されている。そして、各々の畦部３４
の間に溝３６が形成されている。溝３６は放電加工によ
り形成され、表面が梨地状となっている。パンチ１６に
より折曲げられた外部リード２０は、溝３６によって横
移動を阻止される。外部リード２０の裏面は梨地状にな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの外
部リードの折曲装置に関し、より詳細には、外部リード
の折曲装置の下型となるフォーミングダイに関する。
部リードの折曲装置に関し、より詳細には、外部リード
の折曲装置の下型となるフォーミングダイに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な半導体パッケージ４０は、図９
に示されるように、その外部リード４１が折曲げられて
いる。外部リード４１は、フォーミングダイとこれに向
って進退動するパンチとの間で挟圧されて所定形状に折
曲げられる。
に示されるように、その外部リード４１が折曲げられて
いる。外部リード４１は、フォーミングダイとこれに向
って進退動するパンチとの間で挟圧されて所定形状に折
曲げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】外部リード４１の折曲
げに際して、２つの加工精度が要求される。１つはリー
ドコプラナリティで、もう１つはリードスキューであ
る。リードコプラナリティとは、各々の外部リード４１
における上下方向（図中矢印Ａ方向）のばらつきをい
う。リードスキューとは、各々の外部リード４１の横方
向（図中矢印Ｂ方向）の歪みをいう。
げに際して、２つの加工精度が要求される。１つはリー
ドコプラナリティで、もう１つはリードスキューであ
る。リードコプラナリティとは、各々の外部リード４１
における上下方向（図中矢印Ａ方向）のばらつきをい
う。リードスキューとは、各々の外部リード４１の横方
向（図中矢印Ｂ方向）の歪みをいう。
【０００４】ところが、リードコプラナリティを確保す
るためにパンチの押圧力を強めるとリードスキューが悪
化し、逆に、リードスキューを確保するためにパンチの
押圧力を弱めるとリードコプラナリティが悪化する。リ
ードコプラナリティの確保とリードスキューの確保は従
来の折曲装置では相反する問題であった。
るためにパンチの押圧力を強めるとリードスキューが悪
化し、逆に、リードスキューを確保するためにパンチの
押圧力を弱めるとリードコプラナリティが悪化する。リ
ードコプラナリティの確保とリードスキューの確保は従
来の折曲装置では相反する問題であった。
【０００５】本発明の目的は、リードコプラナリティ及
びリードスキューの双方を満足のいく精度に仕上げるこ
とのできるフォーミングダイを提供することである。
びリードスキューの双方を満足のいく精度に仕上げるこ
とのできるフォーミングダイを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体パッケ
ージの外部リードの折曲装置において、フォーミングダ
イに前記外部リードが嵌り込む溝を設けたことにより前
記課題を解決した。
ージの外部リードの折曲装置において、フォーミングダ
イに前記外部リードが嵌り込む溝を設けたことにより前
記課題を解決した。
【０００７】
【作用】外部リードがパンチによって押圧されると、外
部リードは溝に嵌り込む。リードコプラナリティの精度
を確保するために、パンチの押圧力が強めらても、外部
リードは溝内で横方向移動を阻止される。これにより、
リードコプラナリティ及びリードスキューの双方の精度
が確保される。
部リードは溝に嵌り込む。リードコプラナリティの精度
を確保するために、パンチの押圧力が強めらても、外部
リードは溝内で横方向移動を阻止される。これにより、
リードコプラナリティ及びリードスキューの双方の精度
が確保される。
【０００８】
【実施例】まず、図７及び図８を参照して、折曲装置１
０を説明する。半導体パッケージ１２は、フォーミング
ダイ１４上に次々と移送されて来る。パンチ１６が進退
動して、外部リードは所定形状に折曲げられる。
０を説明する。半導体パッケージ１２は、フォーミング
ダイ１４上に次々と移送されて来る。パンチ１６が進退
動して、外部リードは所定形状に折曲げられる。
【０００９】フォーミングダイ１４は、図１乃至図４に
詳細に示されている。フォーミングダイ１４は、前後左
右の各辺に上方に突出する４つの突起１８を有する。半
導体パッケージ１２がフォーミングダイ１４上に載置さ
れたとき、外部リード２０の下面は突起１８の上端に接
する。突起１８の外壁面は、第１Ｒ面２２、第１傾斜面
２４、第２Ｒ面２６、第２傾斜面２８、第３Ｒ面３０及
び第３傾斜面３２から構成される。第１乃至第３傾斜面
２４，２８，３２はそれぞれ下傾している。
詳細に示されている。フォーミングダイ１４は、前後左
右の各辺に上方に突出する４つの突起１８を有する。半
導体パッケージ１２がフォーミングダイ１４上に載置さ
れたとき、外部リード２０の下面は突起１８の上端に接
する。突起１８の外壁面は、第１Ｒ面２２、第１傾斜面
２４、第２Ｒ面２６、第２傾斜面２８、第３Ｒ面３０及
び第３傾斜面３２から構成される。第１乃至第３傾斜面
２４，２８，３２はそれぞれ下傾している。
【００１０】図３に示されるように、第１傾斜面２４、
第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８上に多数の畦部３４が
形成されている。そして、各々の畦部３４の間に溝３６
が形成される。溝３６は放電加工により形成され、表面
が梨地状となっている。
第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８上に多数の畦部３４が
形成されている。そして、各々の畦部３４の間に溝３６
が形成される。溝３６は放電加工により形成され、表面
が梨地状となっている。
【００１１】次に、図４乃至図６を参照して動作を説明
する。半導体パッケージ１２はフォーミングダイ１４上
に載置されている。パンチ１６が往動し、外部リード２
０は第１Ｒ面２２に沿って根元から折曲げられる。
する。半導体パッケージ１２はフォーミングダイ１４上
に載置されている。パンチ１６が往動し、外部リード２
０は第１Ｒ面２２に沿って根元から折曲げられる。
【００１２】そして、図５に示されるように、外部リー
ド２０の先端が第３傾斜面３２に接する。第１Ｒ面２２
から第３傾斜面３２までの直線距離は、加工される半導
体パッケージ１２の外部リード２０に応じて定められて
いる。パンチ１６がさらに往動すると、外部リード２０
は中央部から、「く」の字形に折れ曲がる。外部リード
２０は溝３６内に嵌り込み、第１Ｒ面２２、第１傾斜面
２４、第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８に沿って所定形
状に成形される。第３Ｒ面３０及び第３傾斜面３２を形
成することにより、いわゆるスプリングバックを防止す
ることができる。
ド２０の先端が第３傾斜面３２に接する。第１Ｒ面２２
から第３傾斜面３２までの直線距離は、加工される半導
体パッケージ１２の外部リード２０に応じて定められて
いる。パンチ１６がさらに往動すると、外部リード２０
は中央部から、「く」の字形に折れ曲がる。外部リード
２０は溝３６内に嵌り込み、第１Ｒ面２２、第１傾斜面
２４、第２Ｒ面２６及び第２傾斜面２８に沿って所定形
状に成形される。第３Ｒ面３０及び第３傾斜面３２を形
成することにより、いわゆるスプリングバックを防止す
ることができる。
【００１３】パンチ１６の押圧力は、リードコプラナリ
ティを確保するために比較的強く設定されている。従来
の折曲装置では、外部リードにリードスキューが発生し
がちであるが、本発明によるフォーミングダイ１４を利
用することにより、このリードスキューが防止される。
また、溝３６の表面が梨地状であるので、折曲加工時に
おいて、外部リード２０の裏面、すなわち、マウント面
は梨地状となる。これにより、基板等に半導体パッケー
ジ１２を固着する場合における半田の接着性を改善する
ことができる。
ティを確保するために比較的強く設定されている。従来
の折曲装置では、外部リードにリードスキューが発生し
がちであるが、本発明によるフォーミングダイ１４を利
用することにより、このリードスキューが防止される。
また、溝３６の表面が梨地状であるので、折曲加工時に
おいて、外部リード２０の裏面、すなわち、マウント面
は梨地状となる。これにより、基板等に半導体パッケー
ジ１２を固着する場合における半田の接着性を改善する
ことができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明では、リードコプラナリティの精
度を確保するためにパンチの押圧力を強めても、外部リ
ードは溝内において横方向移動を阻止される。従って、
リードコプラナリティ及びリードスキューの双方の精度
を併せ持った半導体パッケージを得ることができる。
度を確保するためにパンチの押圧力を強めても、外部リ
ードは溝内において横方向移動を阻止される。従って、
リードコプラナリティ及びリードスキューの双方の精度
を併せ持った半導体パッケージを得ることができる。
【００１５】本発明によるフォーミングダイを利用して
折曲げられた外部リードは、実験結果によると、リード
コプラナリティが０．０５mm以下、リードスキューが
０．０５mm以下であった。
折曲げられた外部リードは、実験結果によると、リード
コプラナリティが０．０５mm以下、リードスキューが
０．０５mm以下であった。
【図１】本発明によるフォーミングダイの平面図であ
る。
る。
【図２】図１のフォーミングダイの２−２線断面図であ
る。
る。
【図３】図１のフォーミングダイの一部拡大斜視図であ
る。
る。
【図４】半導体パッケージを載置したフォーミングダイ
の断面図である。
の断面図である。
【図５】半導体パッケージの外部リードの折曲げ途中を
示す図である。
示す図である。
【図６】半導体パッケージの外部リードがパンチとフォ
ーミングダイとの間で挟圧されている状態を示す図であ
る。
ーミングダイとの間で挟圧されている状態を示す図であ
る。
【図７】本発明によるフォーミングダイを有する折曲装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図８】フォーミングダイの全体正面図である。
【図９】半導体パッケージの斜視図である。
１０ 折曲装置 １２ 半導体パッケージ １４ フォーミングダイ １６ パンチ １８ 突起 ２０ 外部リード ３４ 畦部 ３６ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体パッケージの外部リードの折曲装
置において、フォーミングダイに前記外部リードが嵌り
込む溝を設けたことを特徴とする、フォーミングダイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247211A JPH0677373A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ |
| US08/054,438 US5358017A (en) | 1992-08-25 | 1993-04-20 | Method, system and apparatus for forming leads for semiconductors packages |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247211A JPH0677373A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677373A true JPH0677373A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17160104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4247211A Pending JPH0677373A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5358017A (ja) |
| JP (1) | JPH0677373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395237B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2003-08-21 | 주식회사 씨모스 | 패키지 리드 성형용 스윙 포밍장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2729007B1 (fr) * | 1994-12-29 | 1997-01-24 | Bull Sa | Dispositif de cambrage de pattes conductrices d'un support intermediaire de circuit integre |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3267716A (en) * | 1963-07-01 | 1966-08-23 | Hales Rhubin | Apparatus for bending the leads of electronic components |
| JPS62275525A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム曲げ型 |
| JPH0693442B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1994-11-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5065504A (en) * | 1990-11-05 | 1991-11-19 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of forming flexible metal leads on integrated circuits |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP4247211A patent/JPH0677373A/ja active Pending
-
1993
- 1993-04-20 US US08/054,438 patent/US5358017A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395237B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2003-08-21 | 주식회사 씨모스 | 패키지 리드 성형용 스윙 포밍장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5358017A (en) | 1994-10-25 |
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