JPH11111774A - ハンダバンプによる電極接続方法及びハンダバンプ作成方法 - Google Patents
ハンダバンプによる電極接続方法及びハンダバンプ作成方法Info
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- JPH11111774A JPH11111774A JP9287990A JP28799097A JPH11111774A JP H11111774 A JPH11111774 A JP H11111774A JP 9287990 A JP9287990 A JP 9287990A JP 28799097 A JP28799097 A JP 28799097A JP H11111774 A JPH11111774 A JP H11111774A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプにＡｌ酸化層破壊用の機能を付加し
て、接続時に、Ａｌ酸化層を破壊すると同時にＡｌとハ
ンダ間で合金を形成して電気的接続と機械的接続を得
る。 【解決手段】 基板１０の電極１１上にハンダバンプ１
２を形成し（Ｓ１Ａ）、そのハンダバンプ１２に基板裏
面のランド電極を利用し、メッキ槽２０により、メッキ
をする（Ｓ２Ａ）。基板１０をメッキ槽２０から取り出
すと、ハンダバンプ１２の表面にメッキ層２１が形成さ
れている（Ｓ３Ａ）。その後、ＬＳＩ電極３０と位置合
わせをし、加熱超音波加圧により接続をする。これによ
り、ＬＳＩのＡｌ電極３１と基板１０の電極１１がハン
ダバンプ１２により接続される（Ｓ４Ａ）。前述のよう
に、加熱超音波加圧するとメッキ層２１が破壊し、Ａｌ
酸化層３２が破壊し、アルミニウム（Ａｌ）３１の表面
とハンダ１２が接触したところに合金層（バンダ・Ａｌ
合金層）４０が形成される（Ｓ３Ｂ）。
て、接続時に、Ａｌ酸化層を破壊すると同時にＡｌとハ
ンダ間で合金を形成して電気的接続と機械的接続を得
る。 【解決手段】 基板１０の電極１１上にハンダバンプ１
２を形成し（Ｓ１Ａ）、そのハンダバンプ１２に基板裏
面のランド電極を利用し、メッキ槽２０により、メッキ
をする（Ｓ２Ａ）。基板１０をメッキ槽２０から取り出
すと、ハンダバンプ１２の表面にメッキ層２１が形成さ
れている（Ｓ３Ａ）。その後、ＬＳＩ電極３０と位置合
わせをし、加熱超音波加圧により接続をする。これによ
り、ＬＳＩのＡｌ電極３１と基板１０の電極１１がハン
ダバンプ１２により接続される（Ｓ４Ａ）。前述のよう
に、加熱超音波加圧するとメッキ層２１が破壊し、Ａｌ
酸化層３２が破壊し、アルミニウム（Ａｌ）３１の表面
とハンダ１２が接触したところに合金層（バンダ・Ａｌ
合金層）４０が形成される（Ｓ３Ｂ）。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハンダバンプによ
る電極的接続方法及びハンダバンプ作成方法、より詳細
には、ＬＳＩ等に代表される集積電気回路基板上のアル
ミニウム（Ａｌ）パッド電極を、ハンダバンプ付端子基
板上の端子電極と接続するための電極接続方法及び該電
極接続方法に用いて好適なハンダバンプの製作方法に関
する。
る電極的接続方法及びハンダバンプ作成方法、より詳細
には、ＬＳＩ等に代表される集積電気回路基板上のアル
ミニウム（Ａｌ）パッド電極を、ハンダバンプ付端子基
板上の端子電極と接続するための電極接続方法及び該電
極接続方法に用いて好適なハンダバンプの製作方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、ＬＳＩ基板のパッド電極はア
ルミニウム（Ａｌ）であり、それに対するハンダバンプ
の製作はワイヤボンディングによる方法で行えたが、ハ
ンダワイヤでは微細ピッチのバンプが作成できない。ま
た、ワイヤボンディングなので１バンプずつ製作するた
め、時間がかかるなどの問題があった。
ルミニウム（Ａｌ）であり、それに対するハンダバンプ
の製作はワイヤボンディングによる方法で行えたが、ハ
ンダワイヤでは微細ピッチのバンプが作成できない。ま
た、ワイヤボンディングなので１バンプずつ製作するた
め、時間がかかるなどの問題があった。
【０００３】この課題に対応するため、Ａｌ電極用のハ
ンダボールを用いて接続する方法が考えられるが、ワイ
ヤボンディングからボールボンディングにして接続時間
を短縮するためには、接続を一括接続にすることが必要
になる。しかし、一括接続ではワイヤボンディングに比
べてＡｌ電極表面の酸化層が破壊されにくいため、Ａｌ
とハンダ間で合金を形成せず、接続ができなかった。
ンダボールを用いて接続する方法が考えられるが、ワイ
ヤボンディングからボールボンディングにして接続時間
を短縮するためには、接続を一括接続にすることが必要
になる。しかし、一括接続ではワイヤボンディングに比
べてＡｌ電極表面の酸化層が破壊されにくいため、Ａｌ
とハンダ間で合金を形成せず、接続ができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ＬＳＩ
等のＡｌ電極に対しては、Ａｌ電極用のハンダボールを
用いて、多数の電極を一括して接続するようにすれば、
効率よく接続を行うことができるが、一括接続では、Ａ
ｌ電極表面の酸化層（酸化アルミニウム層）が破壊され
にくいため、Ａｌとハンダ間で合金を形成できず、接続
ができなかった。つまり、ハンダバンプは材料がハンダ
のため、軟らかく、Ａｌ電極の酸化層を破壊しにくい。
等のＡｌ電極に対しては、Ａｌ電極用のハンダボールを
用いて、多数の電極を一括して接続するようにすれば、
効率よく接続を行うことができるが、一括接続では、Ａ
ｌ電極表面の酸化層（酸化アルミニウム層）が破壊され
にくいため、Ａｌとハンダ間で合金を形成できず、接続
ができなかった。つまり、ハンダバンプは材料がハンダ
のため、軟らかく、Ａｌ電極の酸化層を破壊しにくい。
【０００５】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、バンプにＡｌ酸化層破壊用の機能を付加し
て、Ａｌ酸化層を破壊しやすいようにハンダバンプを形
成し、接続時に、Ａｌ酸化層を破壊すると同時にＡｌと
ハンダ間で合金を形成して電気的接続と機械的接続を得
ることができるようにしたものである。
れたもので、バンプにＡｌ酸化層破壊用の機能を付加し
て、Ａｌ酸化層を破壊しやすいようにハンダバンプを形
成し、接続時に、Ａｌ酸化層を破壊すると同時にＡｌと
ハンダ間で合金を形成して電気的接続と機械的接続を得
ることができるようにしたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、アル
ミニウム（Ａｌ）パッド電極を有するＬＳＩ等の基板を
バンプ付き基板にマウントする際の電極接続方法におい
て、前記パンプ付基板のバンプをＡｌ接続用ハンダと該
ハンダ以外の材料で構成されたものとし、該ハンダバン
プ付き基板と前記ＬＳＩ等のＡｌ電極とを接続すること
特徴とするものである。
ミニウム（Ａｌ）パッド電極を有するＬＳＩ等の基板を
バンプ付き基板にマウントする際の電極接続方法におい
て、前記パンプ付基板のバンプをＡｌ接続用ハンダと該
ハンダ以外の材料で構成されたものとし、該ハンダバン
プ付き基板と前記ＬＳＩ等のＡｌ電極とを接続すること
特徴とするものである。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記構成材料の一つがＡｌ接続用ハンダであり、該
ハンダの表面に該ハンダ以外の材料が層になっているハ
ンダバンプ基板を用いることを特徴とするものである。
て、前記構成材料の一つがＡｌ接続用ハンダであり、該
ハンダの表面に該ハンダ以外の材料が層になっているハ
ンダバンプ基板を用いることを特徴とするものである。
【０００８】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、バンプの核がＡｌ接続用ハンダであり、その表面が
該ハンダより硬度が高い前記ハンダ以外の材料で形成さ
れているハンダバンプ基板を用いることを特徴とするも
のである。
て、バンプの核がＡｌ接続用ハンダであり、その表面が
該ハンダより硬度が高い前記ハンダ以外の材料で形成さ
れているハンダバンプ基板を用いることを特徴とするも
のである。
【０００９】請求項４の発明は、Ａｌ接続用のハンダバ
ンプの表面に、メッキにより他の材料を形成してハンダ
バンプ付基板を製作することを特徴とするものである。
ンプの表面に、メッキにより他の材料を形成してハンダ
バンプ付基板を製作することを特徴とするものである。
【００１０】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記バンプの核がＡｌ接続用ハンダより硬度の高い
金属粒子であり、その表面がＡｌ接続用ハンダで形成さ
れているハンダバンプ付基板を用いることを特徴とする
ものである。
て、前記バンプの核がＡｌ接続用ハンダより硬度の高い
金属粒子であり、その表面がＡｌ接続用ハンダで形成さ
れているハンダバンプ付基板を用いることを特徴とする
ものである。
【００１１】請求項６の発明は、請求項５の発明におい
て、前記バンプの核の金属粒子表面がＬＳＩ基板のパッ
ド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大きい凹凸を有す
るハナダバンプ付基板を用いることを特徴とするもので
ある。
て、前記バンプの核の金属粒子表面がＬＳＩ基板のパッ
ド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大きい凹凸を有す
るハナダバンプ付基板を用いることを特徴とするもので
ある。
【００１２】請求項７の発明は、基板電極上のみにＡｌ
電極用ハンダペーストを印刷し、その上部にフラックス
を塗布し、基板電極パターンに配列した金属粒子を前記
ハンダペースト上に配置し、加熱することで前記基板電
極上にハンダパンプを作成することを特徴とするもので
ある。
電極用ハンダペーストを印刷し、その上部にフラックス
を塗布し、基板電極パターンに配列した金属粒子を前記
ハンダペースト上に配置し、加熱することで前記基板電
極上にハンダパンプを作成することを特徴とするもので
ある。
【００１３】請求項８の発明は、請求項１の発明におい
て、Ａｌ接続用ハンダ以外の材料の粒子がハンダ中に分
散されているハンダバンプ付基板を用いることを特徴と
するものである。
て、Ａｌ接続用ハンダ以外の材料の粒子がハンダ中に分
散されているハンダバンプ付基板を用いることを特徴と
するものである。
【００１４】請求項９の発明は、請求項８の発明におい
て、ハンダバンプ中に分散されている粒子の大きさがＬ
ＳＩ基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大
きく、その硬度がハンダより高いハンダバンプ付基板を
用いることを特徴とするものである。
て、ハンダバンプ中に分散されている粒子の大きさがＬ
ＳＩ基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大
きく、その硬度がハンダより高いハンダバンプ付基板を
用いることを特徴とするものである。
【００１５】請求項１０の発明は、基板電極上のみにＡ
ｌ電極用ハンダペーストを印刷し、さらに、その上部に
金属粒子を印刷し、その後、フラックスを塗布し、加熱
することで基板電極上にバンプを作成することを特徴と
するものである。
ｌ電極用ハンダペーストを印刷し、さらに、その上部に
金属粒子を印刷し、その後、フラックスを塗布し、加熱
することで基板電極上にバンプを作成することを特徴と
するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるハンダバン
プによる電極端子接続方法及び該接続方法に用いるハン
ダバンプの製作方法の一例を説明するための図で、図１
（Ａ）はハンダバンプによる接続方法の一例を示す工程
図で、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の１つのバンプに注目
して拡大して示す図である。
プによる電極端子接続方法及び該接続方法に用いるハン
ダバンプの製作方法の一例を説明するための図で、図１
（Ａ）はハンダバンプによる接続方法の一例を示す工程
図で、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の１つのバンプに注目
して拡大して示す図である。
【００１７】図１（Ａ）は、ハンダバンプ表面にメッキ
を施し、Ａｌ酸化層を破壊できるようにしたときのバン
プ形成、接続プロセスを説明するための図で、図中、１
０は電極端子基板、１１は該基板１０上に形成された電
極、１２はハンダ、２０はメッキ槽、２１はメッキ層、
３０はＬＳＩ基板、３１は該ＬＳＩ基板３０上のＡｌ電
極で、まず、基板１０の電極１１上にハンダバンプ１２
を形成し（Ｓ１Ａ）、そのハンダバンプ１２に基板裏面
のランド電極を利用し、メッキ槽２０により、例えば、
Ｎｉメッキなどのメッキをする（Ｓ２Ａ）。基板１０を
メッキ槽２０から取り出すと、ハンダバンプ１２の表面
にメッキ層２１が形成されている（Ｓ３Ａ）。その後、
ＬＳＩ電極３０と位置合わせをし、加熱超音波加圧によ
り接続をする。これにより、ＬＳＩのＡｌ電極と基板の
電極がハンダバンプにより接続される（Ｓ４Ａ）。
を施し、Ａｌ酸化層を破壊できるようにしたときのバン
プ形成、接続プロセスを説明するための図で、図中、１
０は電極端子基板、１１は該基板１０上に形成された電
極、１２はハンダ、２０はメッキ槽、２１はメッキ層、
３０はＬＳＩ基板、３１は該ＬＳＩ基板３０上のＡｌ電
極で、まず、基板１０の電極１１上にハンダバンプ１２
を形成し（Ｓ１Ａ）、そのハンダバンプ１２に基板裏面
のランド電極を利用し、メッキ槽２０により、例えば、
Ｎｉメッキなどのメッキをする（Ｓ２Ａ）。基板１０を
メッキ槽２０から取り出すと、ハンダバンプ１２の表面
にメッキ層２１が形成されている（Ｓ３Ａ）。その後、
ＬＳＩ電極３０と位置合わせをし、加熱超音波加圧によ
り接続をする。これにより、ＬＳＩのＡｌ電極と基板の
電極がハンダバンプにより接続される（Ｓ４Ａ）。
【００１８】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したバンプ
の１つのバンプに注目して示したもので、メッキ２１し
たバンダバンプ（Ｓ１Ｂ）をＬＳＩ基板３０のＡｌ電極
３１と位置合わせをし（Ｓ２Ｂ）、接触させて加熱超音
波加圧メッキ層２１が破壊し、Ａｌ酸化層３２が破壊
し、アルミニウム（Ａｌ）３１の表面とハンダ１２が接
触したところに合金層（バンダ・Ａｌ合金層）４０が形
成される（Ｓ３Ｂ）。
の１つのバンプに注目して示したもので、メッキ２１し
たバンダバンプ（Ｓ１Ｂ）をＬＳＩ基板３０のＡｌ電極
３１と位置合わせをし（Ｓ２Ｂ）、接触させて加熱超音
波加圧メッキ層２１が破壊し、Ａｌ酸化層３２が破壊
し、アルミニウム（Ａｌ）３１の表面とハンダ１２が接
触したところに合金層（バンダ・Ａｌ合金層）４０が形
成される（Ｓ３Ｂ）。
【００１９】（実施例２）図２は、本発明によるハンダ
ハンプによる電極接続方法及び該接続方法に使用して好
適なハンダバンプ製作方法の他の例を説明するための図
で、図２（Ａ）は、表面に凹凸を設けた金属粒子を核と
したハンダバンプ付基板を用いた場合の接続プロセスを
示し、図２（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したバンプの１つ
に注目し、それを拡大して示したものである。
ハンプによる電極接続方法及び該接続方法に使用して好
適なハンダバンプ製作方法の他の例を説明するための図
で、図２（Ａ）は、表面に凹凸を設けた金属粒子を核と
したハンダバンプ付基板を用いた場合の接続プロセスを
示し、図２（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したバンプの１つ
に注目し、それを拡大して示したものである。
【００２０】図２（Ａ）において、５０は表面に凹凸の
ある硬質のボールで、例えば、銅（Ｃｕ）などの粒子を
研磨し、表面を整えた後、分級をして、粒子径を揃え、
その後、表面を粗し、核となる金属粒子５０を作成す
る。その金属粒子５０を電極のパターン上に開口部６１
を設けた感光性ガラス６０にて吸着する。基板電極１０
にはハンダペースト１３を印刷し、フラックスを塗布し
ておく（Ｓ１１Ａ）。この基板１０を加熱することで、
金属粒子を含むハンダボールが形成される（Ｓ１２
Ａ）。フラックス洗浄後、加熱超音波加圧で接続する
（Ｓ１３Ａ）。これにより、ＬＳＩのＡｌ電極と基板の
電極がハンダバンプにより接続される。
ある硬質のボールで、例えば、銅（Ｃｕ）などの粒子を
研磨し、表面を整えた後、分級をして、粒子径を揃え、
その後、表面を粗し、核となる金属粒子５０を作成す
る。その金属粒子５０を電極のパターン上に開口部６１
を設けた感光性ガラス６０にて吸着する。基板電極１０
にはハンダペースト１３を印刷し、フラックスを塗布し
ておく（Ｓ１１Ａ）。この基板１０を加熱することで、
金属粒子を含むハンダボールが形成される（Ｓ１２
Ａ）。フラックス洗浄後、加熱超音波加圧で接続する
（Ｓ１３Ａ）。これにより、ＬＳＩのＡｌ電極と基板の
電極がハンダバンプにより接続される。
【００２１】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示したバンプ
の１つに注目して拡大して示したもので、基板１０の電
極１１上のバンプ５０と（Ｓ１１Ｂ）、ＬＳＩ基板３０
のＡｌ電極３１と位置合わせをし（Ａ１２Ｂ）、加熱超
音波加圧すると、加圧により金属粒子５０の表面の凹凸
によりＡｌ酸化膜３２が破壊され、Ａｌ膜３１内に金属
粒子５０が入り込み、その周囲にハンダペースト１３が
流れ、ハンダとＡｌ層との合金４０を形成する（Ｓ１３
Ｂ）。
の１つに注目して拡大して示したもので、基板１０の電
極１１上のバンプ５０と（Ｓ１１Ｂ）、ＬＳＩ基板３０
のＡｌ電極３１と位置合わせをし（Ａ１２Ｂ）、加熱超
音波加圧すると、加圧により金属粒子５０の表面の凹凸
によりＡｌ酸化膜３２が破壊され、Ａｌ膜３１内に金属
粒子５０が入り込み、その周囲にハンダペースト１３が
流れ、ハンダとＡｌ層との合金４０を形成する（Ｓ１３
Ｂ）。
【００２２】図３は、本発明によるハンダバンプによる
電極接続方法及びハンダバンプ製作方法の他の例を説明
するための図で、図３（Ａ）は、金属粒子をハンダバン
プ内に分散させた時の接続プロセスを示し、図３（Ｂ）
は、図３（Ａ）の１つのバンプに注目し、それを拡大し
て示したもので、図中、１４はバンダバンプ７０内に分
散された金属粒子である。
電極接続方法及びハンダバンプ製作方法の他の例を説明
するための図で、図３（Ａ）は、金属粒子をハンダバン
プ内に分散させた時の接続プロセスを示し、図３（Ｂ）
は、図３（Ａ）の１つのバンプに注目し、それを拡大し
て示したもので、図中、１４はバンダバンプ７０内に分
散された金属粒子である。
【００２３】図３（Ａ）に示すように、まず、ハンダペ
ースト１３を基板１０の電極１１上に印刷し、金属粒子
（例えば、Ｎｉ粒子 粒径５μｍ以内）１４を同様にハ
ンダペースト１３上に印刷する。その後、フラックスを
塗布する（Ｓ３１Ａ）。次いで、加熱をすることで金属
粒子１４が分散したハンダバンプ７０ができる（Ｓ３２
Ａ）。フラックス洗浄後、加熱超音波加圧で接続する
（Ｓ３３Ａ）。これにより、ＬＳＩ基板３０のＡｌ電極
３１と基板１０の電極１１がハンダバンプ７０により接
続される。
ースト１３を基板１０の電極１１上に印刷し、金属粒子
（例えば、Ｎｉ粒子 粒径５μｍ以内）１４を同様にハ
ンダペースト１３上に印刷する。その後、フラックスを
塗布する（Ｓ３１Ａ）。次いで、加熱をすることで金属
粒子１４が分散したハンダバンプ７０ができる（Ｓ３２
Ａ）。フラックス洗浄後、加熱超音波加圧で接続する
（Ｓ３３Ａ）。これにより、ＬＳＩ基板３０のＡｌ電極
３１と基板１０の電極１１がハンダバンプ７０により接
続される。
【００２４】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示したバンプ
の１つに注目し、それを拡大して示したもので、基板１
０の電極１１上のバンプ７０と（Ｓ３１Ｂ）、ＬＳＩ基
板３０のＡｌ電極３１とを位置合わせをし（Ｓ３２
Ｂ）、加熱超音波加圧すると、加圧により微細な金属粒
子１４によりＡｌ酸化膜３２が破壊され、Ａｌ層３１内
に金属粒子１４が入り込み、ハンダ１３とＡｌ層３１と
合金４０を形成する（Ｓ３３Ｂ）。
の１つに注目し、それを拡大して示したもので、基板１
０の電極１１上のバンプ７０と（Ｓ３１Ｂ）、ＬＳＩ基
板３０のＡｌ電極３１とを位置合わせをし（Ｓ３２
Ｂ）、加熱超音波加圧すると、加圧により微細な金属粒
子１４によりＡｌ酸化膜３２が破壊され、Ａｌ層３１内
に金属粒子１４が入り込み、ハンダ１３とＡｌ層３１と
合金４０を形成する（Ｓ３３Ｂ）。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の発明によると、アルミニウム
（Ａｌ）パッド電極を有するＬＳＩ等の基板をバンプ付
き基板にマウントする際の電極接続方法において、前記
基板のバンプをＡｌ接続用ハンダと該ハンダ以外の材料
で構成されたものとし、該ハンダバンプ付き基板と前記
ＬＳＩ等のＡｌ電極とを接続するので、バンプにはハン
ダ以外の材料が含まれており、その形状、硬度によりＡ
ｌ電極の酸化層を破壊でき、確実な接続を得ることがで
きる。
（Ａｌ）パッド電極を有するＬＳＩ等の基板をバンプ付
き基板にマウントする際の電極接続方法において、前記
基板のバンプをＡｌ接続用ハンダと該ハンダ以外の材料
で構成されたものとし、該ハンダバンプ付き基板と前記
ＬＳＩ等のＡｌ電極とを接続するので、バンプにはハン
ダ以外の材料が含まれており、その形状、硬度によりＡ
ｌ電極の酸化層を破壊でき、確実な接続を得ることがで
きる。
【００２６】請求項２の発明によると、請求項１の発明
において、前記構成材料の一つがＡｌ接続用ハンダであ
り、該ハンダの表面に該ハンダ以外の材料が層になって
いる基板を用いるので、バンプを複層にすることによ
り、ハンダ以外の材料を自由に選択でき、かつ、その厚
さも自由に変えることができるので、Ａｌ酸化層を破壊
し、ハンダとＡｌが接触できるような状態を作り出すこ
とができる。
において、前記構成材料の一つがＡｌ接続用ハンダであ
り、該ハンダの表面に該ハンダ以外の材料が層になって
いる基板を用いるので、バンプを複層にすることによ
り、ハンダ以外の材料を自由に選択でき、かつ、その厚
さも自由に変えることができるので、Ａｌ酸化層を破壊
し、ハンダとＡｌが接触できるような状態を作り出すこ
とができる。
【００２７】請求項３の発明によと、請求項２の発明に
おいて、バンプの核がＡｌ接続用ハンダであり、その表
面が該ハンダより硬度が高い前記ハンダ以外の材料で形
成されている基板を用いるので、確実にＡｌ酸化層を破
壊できる。
おいて、バンプの核がＡｌ接続用ハンダであり、その表
面が該ハンダより硬度が高い前記ハンダ以外の材料で形
成されている基板を用いるので、確実にＡｌ酸化層を破
壊できる。
【００２８】請求項４の発明によると、Ａｌ接続用のハ
ンダバンプの表面に、該ハンダバンプの表面にメッキに
より他の材料を形成するので、簡便に硬質の表面を作製
できる。
ンダバンプの表面に、該ハンダバンプの表面にメッキに
より他の材料を形成するので、簡便に硬質の表面を作製
できる。
【００２９】請求項５の発明によると、請求項１の発明
において、前記バンプの核がＡｌ接続用ハンダより硬度
の高い金属粒子であり、その表面がＡｌ接続用ハンダで
形成されている基板を用いるので、接続時の加圧、超音
波がバンプ内の金属粒子を通して確実にＡｌ電極に加わ
り、Ａｌ酸化層を確実に破壊できる。
において、前記バンプの核がＡｌ接続用ハンダより硬度
の高い金属粒子であり、その表面がＡｌ接続用ハンダで
形成されている基板を用いるので、接続時の加圧、超音
波がバンプ内の金属粒子を通して確実にＡｌ電極に加わ
り、Ａｌ酸化層を確実に破壊できる。
【００３０】請求項６の発明によると、請求項５の発明
において、前記バンプの核の金属粒子表面がＬＳＩ基板
のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大きい凹凸
を有する基板を用いるので、金属粒子の凹凸によりＡｌ
酸化層との接触部に局所的に加圧、超音波が加わるの
で、確実にＡｌ酸化層を破壊できる。
において、前記バンプの核の金属粒子表面がＬＳＩ基板
のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大きい凹凸
を有する基板を用いるので、金属粒子の凹凸によりＡｌ
酸化層との接触部に局所的に加圧、超音波が加わるの
で、確実にＡｌ酸化層を破壊できる。
【００３１】請求項７の発明によると、基板電極上のみ
にＡｌ電極用ハンダペーストを印刷し、その上部にフラ
ックスを塗布し、基板電極パターンに配列した金属粒子
を前記ハンダペースト上に配置し、加熱することで前記
基板電極上にハンダパンプを作成するので、バンプのピ
ッチずれがなく、簡便にバンプを作製できる。
にＡｌ電極用ハンダペーストを印刷し、その上部にフラ
ックスを塗布し、基板電極パターンに配列した金属粒子
を前記ハンダペースト上に配置し、加熱することで前記
基板電極上にハンダパンプを作成するので、バンプのピ
ッチずれがなく、簡便にバンプを作製できる。
【００３２】請求項８の発明によると、請求項１の発明
において、Ａｌ接続用ハンダ以外の材料の粒子がハンダ
中に分散されている基板を用いるので、バンプ内に粒子
を入れることで、表面に粒子の凹凸ができ、それにより
Ａｌ酸化層を確実に破壊できる。
において、Ａｌ接続用ハンダ以外の材料の粒子がハンダ
中に分散されている基板を用いるので、バンプ内に粒子
を入れることで、表面に粒子の凹凸ができ、それにより
Ａｌ酸化層を確実に破壊できる。
【００３３】請求項９の発明によると、請求項８の発明
において、ハンダバンプ中に分散されている粒子の大き
さがＬＳＩ基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さ
より大きく、その硬度がハンダより高いバンプを有する
基板を用いるので、粒子によりＡｌ酸化層との接触部に
局所的に加圧、超音波が加わるので確実にＡｌ酸化層を
破壊できる。
において、ハンダバンプ中に分散されている粒子の大き
さがＬＳＩ基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さ
より大きく、その硬度がハンダより高いバンプを有する
基板を用いるので、粒子によりＡｌ酸化層との接触部に
局所的に加圧、超音波が加わるので確実にＡｌ酸化層を
破壊できる。
【００３４】請求項１０の発明によると、基板電極上の
みにＡｌ電極用ハンダペーストを印刷し、さらに、その
上部に金属粒子を印刷し、その後、フラックスを塗布
し、加熱することで基板電極上にバンプを作成するの
で、バンプのピッチずれがなく、簡便にハンダバンプを
作製できる。
みにＡｌ電極用ハンダペーストを印刷し、さらに、その
上部に金属粒子を印刷し、その後、フラックスを塗布
し、加熱することで基板電極上にバンプを作成するの
で、バンプのピッチずれがなく、簡便にハンダバンプを
作製できる。
【図１】 本発明のハンダバンプによる電極接続方法及
びハンダバンプ製作方法の一例を説明するための工程図
である。
びハンダバンプ製作方法の一例を説明するための工程図
である。
【図２】 本発明のハンダバンプによる電極接続方法及
びハンダバンプ製作方法の他の例を説明するための工程
図である。
びハンダバンプ製作方法の他の例を説明するための工程
図である。
【図３】 本発明のハンダバンプによる電極接続方法及
びハンダバンプ製作方法の更に他の例を説明するための
工程図である。
びハンダバンプ製作方法の更に他の例を説明するための
工程図である。
１０…バンプ基板、１１…電極、１２…ハンダ、１３…
ハンダペースト、１４…金属粒子、２０…メッキ槽、２
１…メッキ層、３０…ＬＳＩ基板、３１…アルミ（Ａ
ｌ）層、３２…Ａｌ酸化膜、４０…ハンダ・Ａｌ合金
層、５０…金属ボール、６０…吸着材、７０…ハンダバ
ンプ。
ハンダペースト、１４…金属粒子、２０…メッキ槽、２
１…メッキ層、３０…ＬＳＩ基板、３１…アルミ（Ａ
ｌ）層、３２…Ａｌ酸化膜、４０…ハンダ・Ａｌ合金
層、５０…金属ボール、６０…吸着材、７０…ハンダバ
ンプ。
フロントページの続き (72)発明者 大倉 秀章 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (10)
- 【請求項１】 アルミニウム（Ａｌ）パッド電極を有す
るＬＳＩ等の基板をバンプ付き基板にマウントする際の
電極接続方法において、前記基板のバンプをＡｌ接続用
ハンダと該ハンダ以外の材料で構成されたものとし、該
ハンダバンプ付き基板と前記ＬＳＩ等のＡｌ電極とを接
続することを特徴とするハンダバンプによる電極接続方
法。 - 【請求項２】 前記構成材料の一つがＡｌ接続用ハンダ
であり、該ハンダの表面に該ハンダ以外の材料が層にな
っているハンダバンプ付基板を用いることを特徴とする
請求項１に記載のハンダバンプによる電極接続方法。 - 【請求項３】 バンプの核がＡｌ接続用ハンダであり、
その表面が該ハンダより硬度が高い前記ハンダ以外の材
料で形成されているハンダバンプ付基板を用いることを
特徴とする請求項２に記載のハンダバンプによる電極接
続方法。 - 【請求項４】 Ａｌ接続用のハンダバンプの表面に、メ
ッキにより他の材料を形成することを特徴とする複数材
料のハンダバンプ作成方法。 - 【請求項５】 前記バンプの核がＡｌ接続用ハンダより
硬度の高い金属粒子であり、その表面がＡｌ接続用ハン
ダで形成されているハンダバンプ付基板を用いることを
特徴とする請求項１に記載のハンダバンプによる電極接
続方法。 - 【請求項６】 前記バンプの核の金属粒子表面がＬＳＩ
基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の厚さより大きい
凹凸を有するハンダバンプ付基板を用いることを特徴と
する請求項５に記載のハンダバンプによる電極接続方
法。 - 【請求項７】 基板電極上のみにＡｌ電極用ハンダペー
ストを印刷し、その上部にフラックスを塗布し、基板電
極パターンに配列した金属粒子を前記ハンダペースト上
に配置し、加熱することで前記基板電極上にハンダパン
プを作成することを特徴とするハンダバンプ作成方法。 - 【請求項８】 Ａｌ接続用ハンダ以外の材料の粒子がハ
ンダ中に分散されているハンダバンプ付基板を用いるこ
とを特徴とする請求項１に記載のハンダバンプによる電
極接続方法。 - 【請求項９】 ハンダバンプ中に分散されている粒子の
大きさがＬＳＩ基板のパッド電極のＡｌ表面の酸化層の
厚さより大きく、その硬度がハンダより高いバンプを有
するハンダバンプ付基板を用いることを特徴とする請求
項８に記載のハンダバンプによる電極接続方法。 - 【請求項１０】 基板電極上のみにＡｌ電極用ハンダペ
ーストを印刷し、さらに、その上部に金属粒子を印刷
し、その後、フラックスを塗布し、加熱することで基板
電極上にバンプを作成することを特徴とするハンダバン
プの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287990A JPH11111774A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ハンダバンプによる電極接続方法及びハンダバンプ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287990A JPH11111774A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ハンダバンプによる電極接続方法及びハンダバンプ作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111774A true JPH11111774A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17724378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9287990A Pending JPH11111774A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ハンダバンプによる電極接続方法及びハンダバンプ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171421A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011187635A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012014331A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 株式会社アドバンテスト | コンタクトシート、プローブ、半導体ウェハ試験装置、コンタクトシートの製造方法、及び半導体ウェハの試験方法 |
| JP2014082526A (ja) * | 2014-01-29 | 2014-05-08 | Hitachi Metals Ltd | 電子機器の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP9287990A patent/JPH11111774A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171421A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011187635A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012014331A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 株式会社アドバンテスト | コンタクトシート、プローブ、半導体ウェハ試験装置、コンタクトシートの製造方法、及び半導体ウェハの試験方法 |
| JPWO2012014331A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2013-09-09 | 株式会社アドバンテスト | コンタクトシート、プローブ、半導体ウェハ試験装置、コンタクトシートの製造方法、及び半導体ウェハの試験方法 |
| JP2014082526A (ja) * | 2014-01-29 | 2014-05-08 | Hitachi Metals Ltd | 電子機器の製造方法 |
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